专利名称：具有切截区域的熔断器及具有该熔断器的熔断器组件结构的制作方法
技术领域：
本文所描述的实施例涉及一种熔断器(fuse)以及具有该熔断器的熔 断器组件结构，并且更具体而言，涉及一种具有多个切截区域的熔断器以 及具有该熔断器的熔断器组件结构。
背景技术：
随着构成半导体集成电路的器件的尺寸变小，集成在单个半导体芯片 内的器件的数量增多，因此缺陷密度也增多。这种缺陷密度的增加降低了 半导体器件的成品率。而在极端情况下，需要丟弃用于制造半导体器件的晶片。
为减少缺陷密度，已经提出一种冗余电路(redundancy circuit)以利 用额外的单元来调换有缺陷的单元。在半导体存储器器件的情况下，可相 应于行互连(例如字线)及列互连(例如位线)来安装冗余电路(或熔断器电 路)，且该冗余电路可包括熔断器组件组以存储有缺陷的单元的地址信息。 该熔断器组件组包括多个熔断器组件阵列，该阵列具有多个熔断器，并且 每个熔断器组件的程序可通过选择性激光切截来执行。
如图1所示，传统熔断器组件40包括以规则的间隔D被设置成彼此 平行的多个熔断器41至48。熔断器41至48^Li殳置成线形图案，并且具 有相同的线宽W和间距p。附图标记50表示待由激光束切截的区域。
然而，随着半导体存储器器件的集成密度增高，集成在存储体内的半 导体存储器单元的数量增加并且存储体的尺寸缩小。不过，又必须确保熔
断器41至48之间的间距p，以获得熔断器组件40的切截间距，由此在 降低包括熔断器组件40的电路区块的面积时造成困难。更详细地说，由于熔断器41至48之间的间距p是由该激光束设备的 能力即激光对准容差来决定，因此如果无法确保熔断器41至48之间的间 距p对应于激光对准容差，则在通过激光切截熔断器41至48时，可能会 损害到邻近的熔断器41至48。因而，在正常的存储器单元上进行冗余操 作，使得即使检测到有缺陷的单元也不会替换该有缺陷的单元。
因而，无法按与半导体集成电路的集成密度成比例的方式来简易地缩 小熔断器组件的面积。由此，熔断器组件的占据面积逐渐地增加，从而对 半导体集成电路的小型化造成限制。
发明内容
本文7>开了一种熔断器以及一种具有该熔断器的熔断器组件结构，其 中熔断器的面积与半导体器件的集成密度成比例地减少。
根据一方面，熔断器包括主熔断器区域，以及从主熔断器区域延伸 的多个切截区域。
才艮据另一方面，熔断器组件包括多个熔断器，该熔断器包括主熔断器 区域以及从主熔断器区域延伸的多个切截区域，其中邻近熔断器相对彼此 收良向转动约180度且在邻近熔断器之间保持预定间隔。
在后文的具体实施方式
中将描述这些以及其它的特征、方面与实施例。
通过以下结合附图的详细描述，可以更清楚地理解本发明主题的上述 和其它的方面、特征以及其它优点，其中
图l是示出传统半导体集成电路的熔断器组件的平面视图2是示出根据本发明第一实施例的熔断器的结构的例子的平面视
图3是平面视图，示出其中设置了根据本发明第一实施例的熔断器的 熔断器组件的结构的例子；
图4是示出根据本发明第二实施例的熔断器的结构的例子的平面视
图；图5是平面视图，示出其中设置了根据本发明第二实施例的熔断器的熔断器组件的结构的例子；
图6是示出根据本发明第三实施例的熔断器的结构的例子的平面视
图7是平面视图，示出其中设置了根据本发明第三实施例的熔断器的熔断器组件的结构的例子；
图8是示出根据本发明第四实施例的熔断器的结构的例子的平面视
图9是平面视图，示出其中设置了根据本发明第四实施例的熔断器的熔断器组件的结构的例子；
图10是示出根据本发明第五实施例的熔断器的结构的例子的平面视
图ll是平面视图，示出其中设置了根据本发明第五实施例的熔断器
的熔断器组件的结构的例子；以及
图12和13是平面视图，其中根据本发明的其它实施例的设置了单熔断器及具有多个切截区域的熔断器。
具体实施例方式
如图2所示，熔断器110可包括主熔断器区域111以及两个切截区域(后文中分别称为第一切截区域113及第二切截区域115)。
第一及第二切截区域113及115以预定角度oc。从主熔断器区域lll的端部形成分支，然后彼此平行地延伸。即，第一及第二切截区域113及115具有弯折区段X，并且在弯折区段X处划分成分支区域113a和115a以及平行区域113b和115b。
分支区域113a及115a以预定角度oc。形成分支,使得平行区域113b及115b以预定间距D彼此相隔，例如分支区域113a及115a倾斜地延伸。间距D是在照射激光束以切截熔断器110时不会使邻近的平行区域113b及115b对彼此造成影响的最小距离。即，间距D对应于用以切截熔断器110的激光束照射设备的激光对准容差。
第 一及第二切截区域113及115关于主熔断器区域111彼此侧向对称。
7此外，熔断器110可包括用以在半导体集成电路中形成图案的导体层，例如多晶珪层。主熔断器区域111以及第一及第二切截区域113和115连续地形成，并且具有相同的线宽。
如图3所示，具有多个切截区域113及115的多个熔断器110被集成以形成单熔断器组件150。例如，由于目前的DRAM器件的熔断器组件150可接收8个区块选择信号，因此必须根据相关技术提供8个熔断器。然而，根据本实施例，熔断器110具有两个切截区域113及115，所以熔断器组件150可由四个熔断器110构成。
如上所述，根据本实施例的熔断器组件150包括多个熔断器IIO，并且选定的熔断器110相对于邻近该选定的熔断器110的熔断器110乱良向转动180度的角度。这种熔断器组件150是由四个熔断器110构成。例如，设置在奇数位置的熔断器110的切截区域113及115面朝上方，而设置在偶数位置的熔断器110的切截区域113及115面朝下方，其中被设置在偶数位置的熔断器110的切截区域113及115被设置在位于奇数位置的熔断器110的主熔断器111之间。
形成熔断器组件150的邻近熔断器110在熔断器110的整个区域上以激光对准容差D或更多的距离彼此相隔。图中所示的附图标记C表示激光束对其进行照射的熔断器切截区。
在上述的熔断器组件150中，熔断器110包括两个切截区域113及115，并且邻近熔断器110相对于彼此被反向转动180度的角度，因此熔断器组件150的R长度为5D。此长度表示熔断器组件150的长轴的长度。
相较于传统熔断器组件的长度7D(参见图1的40),根据本实施例的熔断器组件150的长度可缩短约40%。
图4是示出根据本发明第二实施例的熔断器的结构的例子的平面视图。
如图4所示，类似于先前实施例，^L据本实施例的熔断器210包括主熔断器区域211以及两个切截区域213及215。此外，类似于先前实施例，切截区域213及215具有弯折区段X,并且在弯折局部X处被分成分支区域213a和215a以及平4亍区域213b和215b。
根据本实施例的分支区域213a及215a成180度，且类似于先前实施例，平行区域213b及215b彼此平行延伸。根据本实施例的熔断器210的分支区域213a及215a与平行区域213b及215b垂直，并且平行区域 213b及215b彼此相隔且它们之间保持为激光对准容差D。从而，根据本 实施例的分支区域213a及215a具有比先前实施例的分支区域113a及 115a的长度短的长度，使得可以维持平行区域213b与215b之间的间距 D。
如图5所示，多个熔断器210被集成以构成单熔断器组件250。
才艮据实施僻的熔断器组件250包括多个熔断器210,其中邻近熔断器 210以相对彼此成180度的角度拔良向设置。该熔断器组件250包括四个 熔断器210，以形成对应于单行信息的区块选择信号的数量的切截区域 213及215。在熔断器组件250里，设置在奇数位置的熔断器210的切截 区域213及215面朝上方，而设置在偶数位置的熔断器210的切截区域 213及215则面朝下方，其中设置在偶数位置的熔断器210的切截区域213 及215被设置在位于奇数位置的熔断器210的主熔断器区域211之间。
才艮据本实施例，在熔断器210的整个区域上，邻近熔断器210以激光 对准容差D或更多的距离彼此相隔。图中所示的附图标记C表示激光束 对其进行照射的熔断器切截区。
在上述熔断器组件250里，熔断器210包括两个切截区域213及215， 并且邻近熔断器210以相对彼此成180度的角度被反向设置，因此熔断器 纽件250的整体长度缩减为5D。
图6是示出根据本发明第三实施例的熔断器的结构的例子的平面视图。
才艮据本实施例的熔断器310还包括主熔断器区域311以及两个切截区 域313及315。两个切截区域313及315即第一切截区域313及第二切截 区域315以激光对准容差D彼此相隔。第一及第二切截区域313及315 中的一个，例如第一切截区域313从主熔断器区域311以直线的形式延伸， 且第二切截区域315经由连接区域317连接到主熔断器区域311。即，第 一切截区域313及主熔断器区域311以直线形式彼此连续地连接，同时保 持相同的线宽。连接区域317垂直于第一及第二切截区域313及315的延 伸方向延伸。
如图7所示，多个熔断器310被集成以构成单熔断器组件350。
类似于先前实施例，在才艮据本实施例的熔断器组件350里，选定熔断 器310以与邻近该选定熔断器310的熔断器310成180度的角度釓良向设置。此外，在单熔断器组件350中提供有四个熔断器310， 4吏得可以在熔 断器组件350里形成8个切截区域313及315。
邻近熔断器310在熔断器310的整个区域上以激光对准容差D或更 多的距离彼此间隔。具体而言，必须确保邻近连接区域317之间的间隔为 激光对准容差。
根据具有上述结构的熔断器组件350，相较于传统的熔断器组件40， 熔断器组件350的整体长度可缩短成5D。
图8是示出根据本发明第四实施例的熔断器的结构的例子的平面视图。
如图8所示，熔断器410包括主熔断器区域411及多个切截区域，例 如四个切截区域413、 414、 415及416。切截区域413、 414、 415及416 彼此平行地延伸，并且以激光对准容差D彼此相隔。切截区域413、 414、 415及416中的一个，例如，第一切截区域413自主熔断器区域411以直
此连接。连接区域417垂直于四个切截区域413、 414、 415及416延伸。
如图9所示，包括四个切截区域413、 414、 415及416的两个熔断器 410被集成以构成单熔断器组件450。
根据本实施例，包括四个切截区域413、 414、 415及416的一对熔断 器组件450被设置成彼此对称且它们之间成180度的角度。邻近熔断器 410在熔断器410的整个区域上以激光对准容差D或更多的距离彼此间 隔。具体而言，必须确保邻近连接区域417之间的间隔为激光对准容差D。
具有前述结构的熔断器组件450的总长度为4D，因而相较于传统熔 断器组件40，熔断器组件450的长度可缩减约70%。
此外，如图10所示，可在如图2所示的两个切截区域113及115之 间设置第三切截区域118。第三切截区域118自主熔断器区域lll的端部 以直线形式连续地延伸。第一切截区域113与笫三切截区域118间隔激光 对准容差D,并且第二切截区域115与第三切截区域118间隔激光对准容 差D。
参考图11，包括三个切截区域113、 115及118的熔断器110A连同 两个单熔断器120，构成单熔断器组件150A。根据本实施例的单熔断器 120表示具有单切截区域的熔断器。如上所述，由于单熔断器组件150必 须具有8个熔断器切截区域，因此当熔断器组件150A是由根据本实施的具有三个切截区域113、 115及118的熔断器110A形成时，应增加两个 单熔断器120。
即，根据本实施例的熔断器组件150A包括相对彼此以180度的角度 反向设置的一对熔断器IIOA，其中熔断器110A包括三个切截区域113、 115及118;以及单熔断器120，该单熔断器120在熔断器110A的整个区 域上与熔断器110A的外侧相隔激光对准容差D。由于单熔断器120在熔 断器110A的整个区域上与熔断器110A相隔激光对准容差D且彼此平行 地设置，因此单熔断器120必须具有至少两个弯折区域，类似于熔断器 IIOA。
具有前述结构的熔断器组件150A的长度为5D。 本发明并不限于该实施例。
尽管本发明描述了当熔断器的切截区域的数量对应于熔断器组件中 所需的切截区域的除数时，只有具备多个切截区域的熔断器被顺序地设 置。才艮据另一实施例，可将多个切截区域及单熔断器顺序地i更置以形成熔 断器组件。
即，如图12和13所示，熔断器组件150B及150C中的每个包括一 对具有两个切截区域113和115的熔断器110,以;5L^Li殳置在熔断器110 之间的单熔断器120。熔断器110以相对彼此成180度的角度被反向设置， 并且在熔断器110之间可以分别设置两个单熔断器120或四个单熔断器 120，如图12和13所示。在具有两个切截区域113和115的熔断器110 与邻近于该熔断器110的单熔断器120之间的间距对应于激光对准容差 D。单熔断器120与熔断器110的外形平行。熔断器组件150B及150C具 有6D的长度，相较于传统熔断器组件40该长度被减少。
此外，尽管根据实施例的单熔断器组件包括8个熔断器切截区域，但 本发明不限于此并且可以进行不同地修改。
即如前文所详述，^L据本发明，熔断器具有至少两个切截区域，并且 熔断器彼此对称地设置。从而，相较于传统熔断器组件，熔断器组件的面 积可以显著缩减，其中单个切截区域被设置在单熔断器上。因此，熔断器 组件的面积可与半导体集成电路的集成度成比例地减少。
虽然上文描述了具体的实施例，但是应理解所描述的实施例只是示 例。因而，不应基于所描述的实施例对这里所描述的系统和方法进行限制。 相反，应依据后续的权利要求并结合上述描述以及附图来限定这里所描述的系统和方法。
权利要求
1. 一种熔断器，包括主熔断器区域；以及从所述主熔断器区域延伸的多个切截区域。
2. 如权利要求1的熔断器，其中所述切截区域以激光对准容差彼此相隔。
3. 如权利要求1的熔断器，其中所述多个切截区域中的每个包括以预定角度从所述主熔断器区域形成分支的第一分支区域及第二分 支区域；以及彼此平行地分别从所述第 一分支区域及第二分支区域延伸的第 一平 行区域及第二平行区域。
4. 如权利要求3的熔断器，其中所述第一平行区域与所述第二平行区 域相隔所述激光对准容差。
5. 如权利要求3的熔断器，其中所述第一分支区域及第二分支区域从 所述主熔断器区域形成分支，且所述第 一分支区域及第二分支区域之间形 成180度的角度。
6. 如权利要求3的熔断器，进一步包括在所述第一平行区域与第二平 行区域之间以直线形式从所述主熔断器区域延伸的第三平行区域，其中所述第 一平行区域与所述第三平行区域相隔所述激光对准容差， 并且其中所述第二平行区域与所述第三平行区域相隔所述激光对准容差。
7. 如权利要求1的熔断器，其中所述切截区域彼此平行地延伸，并且 其中所述切截区域中的一个以直线形式从所述主熔断器区域延伸。
8. 如权利要求7的熔断器，进一步包括连接所述主熔断器区域至所述 切截区域的连接区域，其中所述连接区域与所述切截区域及所述主熔断器 区域的延伸方向垂直。
9. 如权利要求7的熔断器，其中所述切截区域以所述激光对准容差彼 此相隔。
10. —种熔断器组件，包括多个熔断器，所述熔断器包括主熔断器区域以及从所述主熔断器区域延伸的多个切截区域，其中邻近熔断器相对彼此仗良向转动约180度且所 述邻近熔断器之间保持预定间隔。
11. 如权利要求10的熔断器组件，其中所述邻近熔断器在所述熔断 器的整个区域上以激光对准容差彼此相隔。
12. 如权利要求10的熔断器组件，其中所述熔断器的多个切截区域 中的每个包括以预定角度从所述主熔断器区域形成分支的第 一分支区域及第二分 支区域；以及彼此平行地分别从所述第 一分支区域及第二分支区域延伸的第 一平 行区域及第二平行区域。
13. 如权利要求12的熔断器组件，其中所述第一平行区域与所述第 二平行区域相隔激光对准容差。
14. 如权利要求12的熔断器组件，其中所述第一分支区域及所述第 二分支区域之间具有180度的角度。
15. 如权利要求12的熔断器组件，进一步包括在所述第一平行区域 与第二平行区域之间以直线形式从所述主熔断器区域延伸的第三平行区域，其中所述第 一平行区域与所述第三平行区域相隔所述激光对准容差， 并且其中所述第二平行区域与所述第三平行区域相隔所述激光对准容差。
16. 如权利要求10的熔断器组件，其中所述多个切截区域彼此平行 地延伸，并且其中所述多个切截区域中的一个以直线形式从所述主熔断器 区域延伸。
17. 如权利要求16的熔断器组件，进一步包括连接所述主熔断器区 域至所述切截区域的连接区域，其中所述连接区域垂直于所述主熔断器区 域及所述切截区域而延伸。
18. 如权利要求16的熔断器组件，其中所述切截区域以激光对准容 差彼此相隔。
19. 如权利要求10的熔断器组件，其中所述熔断器被顺序地设置， 使得所述切截区域的数量对应于区块选^^信号的数量。
20. 如权利要求19的熔断器组件，其中在具有所述切截区域的所述熔断器之间进一步设置具有单切截区域的熔断器，使得熔断器的切截区域 的数量对应于所述区块选择信号的数量。
21.如权利要求20的熔断器组件，其中具有所述单切截区域的熔断 器在所述熔断器的整个区域上与具有所述切截区域的熔断器相隔。
全文摘要
公开了一种具有切截区域的熔断器及具有该熔断器的熔断器组件结构，其中熔断器的面积可与半导体器件的集成度成比例地减少。熔断器包括主熔断器区域，以及从该主熔断器区域延伸的多个切截区域。
文档编号H01H85/00GK101488427SQ20091000070
公开日2009年7月22日 申请日期2009年1月7日 优先权日2008年1月16日
发明者宋根洙 申请人:海力士半导体有限公司