专利名称：等离子体处理装置和等离子体处理装置的挡板的制作方法
技术领域：
本发明涉及对半导体设备和LCD (liquid crystal display:液晶显示 器)用基板等被处理基板实施蚀刻处理和成膜处理的等离子体处理装 置、以及配置在等离子体处理装置的排气路径上的挡板。
背景技术：
在典型地用于半导体设备的制造工序的干蚀刻等中，能够使用等 离子体处理装置。等离子体处理装置向处理容器内导入气体，使气体 通过高频和微波等被激励，产生等离子体，生成自由基和离子。然后， 使由等离子体生成的自由基、离子与被处理基板反应，将反应生成物 变为挥发性气体，通过真空排气系统向外部排气。
在等离子体处理装置的处理容器的上部，设置有用于导入处理气 体的流入口。在处理容器的内部，设置有载置被处理基板的载置台。 在平行平板型的等离子体处理装置的情况下，载置台兼用作下部电极。 在载置台的周围和处理容器的内壁之间，形成有环状的排气路径。在 处理容器的下部，设置有用于对通过环状的排气路径的反应气体进行 排气的排气口。
在处理容器的环状的排气路径中，配置有将处理容器的内部划分 为处理空间和排气空间的环状的挡板。在挡板上，设有可打开气体通 过的开口。挡板能够设置为使等离子体关闭在处理空间中，使载置台 上的反应气体不局限于排气口的位置附近，沿着圆周方向均匀排气。
详细来说，排气口多数设置在偏离处理容器的中心的位置。如果 在该状态下对处理容器内抽真空，则在被处理基板的上方产生压力坡 度，自由基和离子的分布变得不均匀。被处理基板的上方的压力坡度 是蚀刻率不均匀的原因。为了消除压力坡度，能够设置作为处理气体 的流动的阻力的挡板。
挡板的开口一般由小1.5 4)5mm左右的多个孔构成(参照专利文献l)。除了多个孔以外，由环状的挡板的中心放射状延伸的多个缝隙、 在环状的挡板上在圆周方向延伸的多个圆弧状的缝隙也为人们所公知 (参照专利文献2)。
专利文献1:日本特开2003-249487号公报(参照图4) 专利文献2:日本特开2000-188281号公报(参照图2、图ll)
发明内容
如果提高等离子体处理装置的排气性能(P-Q特性)，减少处理气 体的滞留时间，则能够加快蚀刻率。这是由于蚀刻是通过等离子体使 处理气体离解而进行的。
但是，在现有的将开有多个孔和多个缝隙的挡板组合安装的等离 子体处理装置中，当算出装置的排气性能(P-Q特性)时，挡板的流导 (conductance)为最重要的部位。即使想要使处理容器内的压力为低 压，增加气体的流量，挡板的流导变为律速阶段，无法实现处理容器 内的低压化。在此，流导指的是将流过挡板的气体量通过压力差分割 的结果，是气体易流动性的指标。在同样的压力差下，流导越大，能 够流动的气体量越多。
增加孔的半径和缝隙的宽度时，虽然能够改善挡板的流导，但是 会明显产生等离子体泄漏的问题。
本发明的目的在于，提供一种在防止等离子体泄漏的基础上能够 改善挡板的流导的等离子体处理装置、以及等离子体处理装置的挡板。
为了解决上述问题，第一方面的发明为， 一种对被处理基板实施 等离子体处理的等离子体处理装置，其包括被处理基板被搬入和搬 出的处理容器；设置在处理容器内、载置被处理基板的载置台；向上 述处理容器内导入处理气体的流入口；激励上述处理容器内的处理气 体、产生等离子体的高频电源；对上述处理容器内的处理气体进行排 气的排气口；和具有处理气体通过的开口，并且将上述处理容器的内 部划分为等离子体处理空间和排气空间的挡板，上述挡板的上述开口 仅由连接起来的一个缝隙构成。
第二方面的发明，在第一方面的等离子体处理装置中，其特征在 于上述挡板配置在上述载置台的周围的环状的排气路径上，上述一个缝隙由在环状的上述挡板的半径方向延伸的多个直线缝隙、以及将 相邻的一对直线缝隙的端部连接起来的多个曲线缝隙构成，其整体形 成为波形。
第三方面的发明，在第一方面的等离子体处理装置中，其特征在 于上述挡板包括第一部件，其具有环形的本体部、和从该环形的 本体部向外侧突出的多个突出部；以及第二部件，其具有比上述第一 部件的上述环形的本体部的直径大的环形的本体部、和从该环形的本 体部向内侧突出的多个突出部，在上述第一部件和第二部件之间形成 有上述一个缝隙。
第四方面的发明，在第三方面的等离子体处理装置中，其特征在 于上述第一部件和上述第二部件之间架设有加强部件。
第五方面的发明，在第三或第四方面的等离子体处理装置中，其 特征在于上述第一部件和上述第二部件分别由多个扇形部件构成。
第六方面的发明，在第一方面的等离子体处理装置中，其特征在 于上述挡板配置在上述载置台的周围的环状的排气路径上，上述一 个缝隙形成为沿着环状的上述挡板在圆周方向延伸的螺旋形状。
第七方面的发明，在第一 第六方面中任一项记载的等离子体处 理装置中，其特征在于作为上述单一的缝隙的厚度和宽度的比的厚 宽比(缝隙的厚度/缝隙的宽度)设定为2以上8以下。
第八方面的发明， 一种等离子体处理装置的挡板，其为向处理容 器内导入处理气体，通过高频激励上述处理容器内的处理气体而产生 等离子体，对上述处理容器内的处理气体进行排气的等离子体处理装 置的，将上述处理容器的内部划分为处理空间和排气空间的等离子体 处理装置的挡板，处理气体通过的挡板的开口仅由连接起来的一个缝 隙构成。
第九方面的发明， 一种等离子体处理装置的挡板，其为向处理容 器内导入处理气体，通过高频激励上述处理容器内的上述处理气体而 产生等离子体，对上述处理容器内的上述处理气体进行排气的等离子 体的处理装置的，将上述处理容器的内部划分为处理空间和排气空间 的等离子体处理装置的挡板，上述挡板配置在载置有被处理基板的载 置台的周围的环状的排气路径上，处理气体通过的上述挡板的开口包括缝隙，上述缝隙由在环状的上述挡板的半径方向延伸的多个直线缝 隙、以及将相邻的一对直线缝隙的端部连接起来的多个曲线缝隙构成， 其整体形成为波形。
第十方面的发明， 一种等离子体处理装置的挡板，其为向处理容 器内导入处理气体，通过高频激励上述处理容器内的上述处理气体而 产生等离子体，对上述处理容器内的上述处理气体进行排气的等离子 体处理装置的，将上述处理容器的内部划分为处理空间和排气空间的 等离子体处理装置的挡板，上述挡板配置在载置有被处理基板的载置 台的周围的环状的排气路径上，处理气体通过的上述挡板的开口，包 括形成为在环状的上述挡板的圆周方向延伸的螺旋形的缝隙。
第十一方面的发明， 一种对被处理基板实施等离子体处理的等离 子体处理方法，其包括将处理气体从流入口导入到搬入了被处理基 板的处理容器内的工序；通过高频激励处理容器内的处理气体，产生 等离子体的工序；和通过将上述处理容器的内部划分为等离子体处理 空间和排气空间，具有仅由连接起来的一个缝隙构成的开口的挡板， 将上述处理容器内的处理气体从排气口排气的工序。即使开口面积相同，与多个孔相比将多个孔连接起来的缝隙的挡
板的流导更大。例如，与开有10个0.5mi^的面积的孔相比，开有一 个5 mn^的面积的缝隙流导更大。在挡板上开有多个孔时，气体粒子 在多个孔之间的壁上反射，气体粒子难以通过多个孔。通过将多个孔 连接起来而成为缝隙，消除了多个孔之间的壁，气体粒子容易通过缝 隙。
相同的原理，即使开口面积相同，与形成多个缝隙相比，将多个 缝隙连接起来成为一个缝隙、波形的缝隙、或者螺旋形的缝隙，挡板 的流导更大。这是由于能够减少多个缝隙间的壁。
并且，由于等离子体泄漏与缝隙的厚宽比(缝隙的厚度/缝隙的宽 度)相关，所以即使将多个缝隙连接起来成为一个缝隙，也能够防止 等离子体泄漏的量增大。
图1是本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的模式图。
8图2是挡板的立体图。 图3是挡板的平面图。 图4是挡板的其它示例的平面图。
图5是对现有示例的挡板和本发明示例的挡板进行比较的立体图 (图中(a)表示现有示例的挡板，(b)表示本发明示例的波形的挡板)。
图6是对现有示例的挡板和本发明示例的挡板进行比较的平面图 (图中(a)表示现有示例的挡板，(b)表示本发明示例的波形的挡板)。
图7是对现有示例的挡板和本发明示例的挡板进行比较的平面图 (图中(a)表示现有示例的挡板，(b)表示本发明示例的螺旋形的挡 板)。
图8是表示等离子体处理装置的P-Q特性的图。 图9是表示改变厚宽(aspect)比时的等离子体处理装置的P-Q特 性的图。
符号说明
1腔室(处理容器)
lb等离子体处理空间
la腔室的侧壁
lc排气空间
2基座(载置台)
6排气路径
7、 37挡板
7a第一部件
7b第二部件
8排气口
13、 15高频电源
17a流入口
26波形缝隙
27直线缝隙
28曲线缝隙
31第一部件的本体部
32第一部件的梳齿(突出部)200910005650.4
说明书第6/13页
33第二部件的本体部
34第二部件的梳齿(突出部)
38螺旋形的缝隙
w半导体晶片(被处理基板)
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装 置进行说明。图1表示等离子体处理装置(蚀刻装置)的整体的概略 结构图。
在图1中，符号1为作为处理容器的圆筒形的腔室。腔室1的轴
线方向的端部，能够将内部关闭为密封。在腔室1的侧壁la，设置有 用于将被处理基板搬入和搬出的未图示的搬出搬入口。搬出搬入口通 过闸阀进行开闭。腔室1的材料例如由铝、不锈钢等构成。腔室1接 地。
在腔室1的内部，作为载置半导体晶片W等被处理基板的载置台 设置有基座2。基座2由铝等导电性材料构成，兼用作下部电极。基座 2被陶瓷等绝缘性的圆盘状保持部3支撑。圆盘状保持部3被腔室1 的圆盘状支撑部4支撑。在基座2的上面，配置有圆环状包围基座2 的上面的由石英和硅等构成的聚焦环5。
在基座2的周围和腔室1的侧壁la之间，形成有圆环状的排气路 径6。在该排气路径6的下部，配置有圆环状的挡板7。挡板7将腔室 1的内部划分为等离子体处理空间(放电空间)lb和排气空间lc。关 于挡板7的结构将在后面进行叙述。
在腔室1的底部，设置有将处理气体排气的排气口 8。排气口 8 通过排气管9与排气装置10连接。排气装置10具有真空泵，将腔室1 的内部的等离子体处理空间lb减压至规定的真空度。
等离子体生成用的高频电源13通过整合器和供电棒14电连接在 基座2上。高频电源13将例如40MHz的HF (High Frequency:高频) 的高频电力供给到基座2、即下部电极。此外，将等离子体中的自由基 和离子引入半导体晶片W的偏压用的高频电源15通过整合器和供电 棒14连接在基座2上。高频电源15将例如12.88MHz、 3.2MHz等的LF (LowFrequency:低频)的高频电力供给到基座2。
在腔室1的顶部，作为上部电极设置有喷淋头16。顶部的喷淋头 16包括具有多个流入口 17a的下面的电极板17、和可装卸地支撑该电 极板17的电极支撑体18。从流入口 17a将处理气体导入。在电极支撑 体18的内部，形成有缓冲室19。缓冲室19与来自处理气体供给部的 气体供给配管20连接。
喷淋头16在与基座2平行面对的同时接地。喷淋头16和基座2 作为一对电极，即上部电极和下部电极而发挥作用。如果高频电源13 向喷淋头16和基座2之间施加高频电力，则被导入它们之间的处理气 体被激励，产生等离子体。等离子体中的自由基、粒子通过LF (Low Frequency:低频)的高频电力被引入到半导体晶片W。
在基座2的上面，设置有用于通过静电吸附力保持半导体晶片W 的静电卡盘21。静电卡盘21由陶瓷等电介质构成。在静电卡盘21的 内部，设置有作为导电体的HV (High Voltage:高压)电极22。 HV 电极22由例如铜、钨等导电膜构成。
HV电极22与直流电源23电连接。直流电源23对HV电极22施 加例如2500V、 3000V等的正或负的直流电压。如果直流电源23对 HV电极22施加直流电压，则通过库伦力将半导体晶片W吸附保持在 静电卡盘21上。
在基座2的内部，设置有例如在圆周方向延伸的环状的制冷剂室 2a。该制冷剂室中2a与配管连接。未图示的制冷单元使规定温度的制 冷剂例如冷却水在制冷剂室2a循环。通过控制制冷剂的温度，能够对 静电卡盘21上的半导体晶片W的处理温度进行控制。
在静电卡盘21的上面和半导体晶片W的背面之间，通过气体供 给配管24供给来自导热气体供给部的导热气体、例如He气体。半导 体晶片W的背面和静电卡盘21的上面，微观看来不是平面而是凹凸 的。通过在半导体晶片W的背面和静电卡盘21之间供给导热气体， 能够提高半导体晶片和静电卡盘21之间的导热性。
通过控制装置对排气装置10、高频电源13、 15、直流电源23、制 冷单元、导热气体供给部和处理气体供给部的动作进行控制。
图2和图3表示挡板7的详细图。图2表示挡板7的立体图，图3表示挡板7的平面图。在圆环状的挡板7上，仅形成连接起来的一个
缝隙26。 一个缝隙26，其整体形成为波形，由在圆环状的挡板7的半 径方向延伸为放射状的多个直线缝隙27、和将相邻的一对的直线缝隙 27的内周侧的端部和相反一侧的相邻的一对直线缝隙27的外周侧的 端部连接起来的多个曲线缝隙28构成。换言之，该一个缝隙26向周 方向弯曲为锯齿形。一个缝隙26的长度比挡板7的外径的圆周长度长。 挡板26的厚宽比(缝隙的厚度/缝隙的宽度)设定为2以上8以下。
该一个缝隙26连续连接。因此，挡板7分离成内侧的第一部件7a 和外侧的第二部件7b。第一部件7a由环形的本体部31、和作为从本 体部31向半径方向的外侧放射状突出的突出部的多个梳齿32构成。 该第一部件7a的本体部31安装于腔室1的圆盘状支撑部4。
第二部件7b由比第一部件7a的本体部31的半径大的环形的本体 部33、和作为从本体部33向半径方向的内侧放射状突出的突出部的多 个梳齿34构成。第二部件7b的本体部33安装在腔室1的侧壁la上。
第一部件7a的梳齿32的数量和第二部件7b的梳齿34的数量相 同。通过使第一部件7a的梳齿32和第二部件7b的梳齿34不相互接 触而组合，形成波形的一个缝隙26。如该实施方式所述，通过将挡板 7分离为第一部件7a和第二部件7b，能够提高交换挡板7时的维护性。
在将挡板7分割为两个部件的情况下，为了确保挡板7的强度， 也可以在第一部件7a和第二部件7b之间架设作为加强部件的桥。也 可以使该加强部件作为高频的接地的辅助发挥作用。此外，第一部件 7a和第二部件7b也可以通过将在周方向上分割的多个扇形部件结合而 构成。
图4表示挡板的其它示例。该挡板37也形成为圆环状，配置在基 座2的周围的圆环状的排气路径6上。在挡板37上，形成沿着圆环状 的挡板37在圆周方向延伸的螺旋形的一个缝隙38。螺旋形的缝隙38 的长度比挡板7的外径的圆周长度更长。螺旋形的缝隙38在长度方向 的端部具有外周侧的端部38a和内周侧的端部38b。 一个缝隙，也可以 如本示例的挡板7那样形成为具有一对的端部38a、 38b的螺旋形状。
此外，通过在挡板7上形成螺旋形的缝隙38，难以维持挡板单体 的形状时，也可以在内圈和外圈之间架设作为加强部件的桥。此外，也可以将该加强部件作为高频的接地的辅助发挥作用。
对如上所述构成的等离子体处理装置的蚀刻的顺序进行说明。 首先，打开设置在腔室1的闸阀，将半导体晶片W搬入腔室1内。
搬送作业结束后，关闭闸阀，使腔室1的内部变为真空。将半导体晶
片W载置在腔室1内的基座2上后，直流电源23对HV电极22施加 直流电压(HV)。半导体晶片W通过库伦力吸附在基座2上。
然后，从处理气体供给部向腔室1内导入处理气体，从高频电源 13、 15对基座2施力口 HF(High Frequency:高频)禾口 LF(Low Frequency: 低频)的高频电力。通过对基座2施加高频电力，在作为上部电极的 喷淋头16和作为下部电极的基座2之间产生等离子体。在对基座2施 加高频电力的同时，导热气体供给部向半导体晶片W的背面和静电卡 盘21的上面之间供给导热气体。在该状态下开始半导体晶片W的蚀 刻处理。
经过规定的时间后，当检测到蚀刻处理的终点时，高频电源13、 15停止对基座2施加高频电力。与此同时，导热气体供给部停止供给 导热气体。接着，直流电源23停止对HV电极22施加直流电压。解 除吸附后的半导体晶片W，通过搬送装置被搬送到腔室1夕卜。
此外，本发明不限于上述实施方式，还能够在不变更本发明的主 旨的范围内具体实施以下的实施方式。
如图1所示，在上述实施方式的等离子体装置中，对作为下部电 极的基座2施加了 HF和LF的双频率的高频电力，但也可以对下部电 极施加单一频率的高频电力，还可以对下部电极施加LF的高频电力， 而对上部电极施加HF的高频电力。
此外，挡板7也可以不设置在排气路径的水平面内，还可以从水 平面倾斜配置。
进而，挡板7的开口也可以由多个波形的缝隙26构成，挡板37 的开口还可以由多个螺旋状的缝隙38构成。
进而，本发明还能够适用于等离子体CVD、等离子体氧化、等离 子体氮化、溅射等其它等离子体处理装置。本发明的被处理基板不限 于半导体晶片，还可以为LCD (liquid crystal display:液晶显示器)用 基板、光掩膜等。本发明不限于平行平板型的等离子体处理装置，还能够适用于ECR、 ICP等等离子体处理装置。实施例
图5和图6是对开有多个孔39的现有例的挡板40和形成一个波 形的缝隙26的本发明例的挡板7进行比较的比较图。图中(a)表示 开有多个孔39的现有例的挡板40，图中(b)表示形成一个波形的缝 隙26的本发明例的挡板7。
在将挡板7、 40的外形尺寸设为相同，开口面积相同的基础上， 对现有例的挡板40的流导和本发明例的挡板7的流导进行计算。其结 果如下。
现有例的挡板40的流导
数学式1
孔径4>3mm
板厚Gmm
孔的数量5800个
流导计算(短的圆筒) l/d=6/3=2—k=0,359
C2=k*Cl
=0.359*(116*((3/1000)/2)A2) =2.94e-4[m3/sec] C=5800*C2 =5800*2.94e-4=l .7052[m3/sec] =1705[L/sec]
本发明例的挡板7的流导
数字式2 缝隙宽度3mm 板厚6mm
缝隙长度19934.68mm
流导计算(缝隙) l/d=6/3=2—k=0.542C=116*K*d*a =116*0.542*(3/訓0)*(19934.68簡0) =3.7599[m3/sec] =3759.9[L/sec]
流导的计算结果，现有例的挡板40的流导为1705L/sec，与此相 比，本发明例的挡板7的流导为3759.9L/sec。即使开口面积相同，挡 板7的流导也能够提高为大约两倍。
图7是对开有多个孔39的现有例的挡板40和形成一个螺旋形的 缝隙38的挡板37进行比较的比较图。图中(a)表示开有多个孔39 的现有例的挡板40，图中(b)表示形成一个螺旋形的缝隙38的本发 明例的挡板37。
在将挡板37、 40的外形尺寸设为相同，开口面积相同的基础上， 对现有例的挡板40的流导和本发明例的挡板37的流导进行计算。 现有例的挡板40的流导 数字式3 孑L4圣4>3mm 板厚6mm 孔的数量5800个
流导计算(短的圆筒) l/d=6/3=2—k=0.359 C2=k*Cl
=0.359*(116*((3/1000)/2)A2) =2,94e-4[m3/sec] C=5800*C2 =5800*2.94e-4=l .7052[m3/sec] =1705[L/sec;i
本发明例的挡板37的流导
数字式4 缝隙宽度3mm 板厚6mm缝隙长度18829.16mm
流导计算(缝隙) l/d=6/3=2—k=0.542 C=116*K*d*a
=116*0.542(3/1000)*(18829.16/1000)
=3.5515[m3/sec]
=3551.5[L/sec]
流导计算的结果，现有例的挡板40的流导为1705L/sec，与此相 比，本发明例的挡板37的流导为3551.5L/sec。即使开口面积相同，挡 板37的流导也能够提高为大约两倍。
图8表示等离子体处理装置的P-Q特性(等离子体处理空间的压 力和Ar气体流量的关系)的图。图的凡例中(1) (2)为使用现有 例的挡板(开有4)3mm厚度6mm的多个孔的挡板)的装置，(3) (5) 为使用本发明例的挡板(开有宽度为3mm厚度为6mm的缝隙的挡板) 的装置。凡例中的3500D表示使用3500L级别的真空泵的情况，VG250 表示使用口径250mm的凸缘的情况。附加(S)的凡例表示模拟的结 果，未附加(S)的凡例表示实测的结果。
由该图能够看出，如本发明例所示，在挡板上形成一个缝隙(凡 例(3) (5))与现有例的挡板(凡例(1) (2))相比能够提高 P-Q特性。此外，可以看出例如使Ar气体以1400sccm流动时，在本 发明例的挡板(凡例(3)和(4))中，能够使等离子体处理空间变为 压力1.5X10々Torr的低真空。与此相对，可以看出在现有例的挡板(凡 例(2))中，使Ar气体以1400sccm流动时，等离子体处理空间的压 力变为2,25Xl(^Torr，真空度降低。
在本发明例的凡例(5)中，设缝隙宽度为2mm。当缝隙宽度较大 时，担心会产生等离子体泄漏。可以看出即使缝隙宽度狭窄到2mm时， 也能够得到比现有例的挡板(凡例(2))更高的真空度。
在现有例的凡例(1)中，真空泵使用了 2301L级别的小型真空泵。 可以看出，使用小型真空泵时，装置的P-Q特性会部分恶化。但是， 如本发明例所示，通过提高挡板的流导，即使使用小型真空泵，也能够获得与使用大型泵的情况下相同的P-Q特性。如果实现真空泵的小
型化，则能够实现等离子体处理装置的小型化和低成本化。
图9表示改变厚宽比时的等离子体处理装置的P-Q特性。凡例
(1) (2)为现有例的挡板(开有小3mm厚度6mm的多个孔的挡板)， 凡例(3) (5)为本发明例的挡板(改变缝隙的厚宽比的挡板)。厚 宽比与等离子体泄漏相关。厚宽比越大，越不容易发生等离子体泄漏。 如凡例(3)所示，设厚宽比为2时，根据气体种类、气体压力、 气体流量等工艺条件，存在发生等离子体泄漏的情况。厚宽比不满2 时，担心会缩小工艺窗口。因此，优选将厚宽比设为2以上。如凡例
(5) (8)所示，将厚宽比设为3以上时，即使縮小工艺窗口，也 能够防止发生等离子体泄漏。
如凡例(8)所示，将厚宽比设为8时的P-Q特性与凡例(2)所 示的使用现有例的挡板的既存装置的P-Q特性大致相同。厚宽比越大， 挡板的流导越低下。为了获得比现有装置更高的P-Q特性，优选将厚 宽比设为8以下。
权利要求
1.一种对被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括被处理基板被搬入和搬出的处理容器；设置在处理容器内、载置被处理基板的载置台；用于向所述处理容器内导入处理气体的流入口；激励所述处理容器内的处理气体、产生等离子体的高频电源；用于对所述处理容器内的处理气体进行排气的排气口；和具有处理气体通过的开口，并且将所述处理容器的内部划分为等离子体处理空间和排气空间的挡板，所述挡板的所述开口仅由连接起来的一个缝隙构成。
2. 如权利要求l所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述挡板配置在所述载置台的周围的环状的排气路径上， 所述一个缝隙由在环状的所述挡板的半径方向延伸的多个直线缝隙、以及将相邻的一对直线缝隙的端部连接起来的多个曲线缝隙构成， 其整体形成为波形。
3. 如权利要求l所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述挡板包括第一部件，其具有环形的本体部、和从该环形的本体部向外侧突 出的多个突出部；禾口第二部件，其具有比所述第一部件的所述环形的本体部的直径大 的环形的本体部、和从该环形的本体部向内侧突出的多个突出部，在所述第一部件和第二部件之间形成有所述一个缝隙。
4. 如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于在所述第一部件和所述第二部件之间架设有加强部件。
5. 如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于所述第一部件和所述第二部件分别由多个扇形部件构成。
6. 如权利要求l所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述挡板配置在所述载置台的周围的环状的排气路径上， 所述一个缝隙形成为沿着环状的所述挡板在圆周方向延伸的螺旋形状。
7. 如权利要求1 6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于作为所述单一的缝隙的厚度和宽度的比的厚宽比(缝隙的厚度/缝 隙的宽度)设定为2以上8以下。
8. —种等离子体处理装置的挡板，其特征在于其为向处理容器内导入处理气体，通过高频激励所述处理容器内 的处理气体而产生等离子体，对所述处理容器内的处理气体进行排气 的等离子体处理装置的，将所述处理容器的内部划分为处理空间和排 气空间的等离子体处理装置的挡板，处理气体通过的挡板的开口仅由连接起来的一个缝隙构成。
9. 一种等离子体处理装置的挡板，其特征在于其为向处理容器内导入处理气体，通过高频激励所述处理容器内 的所述处理气体而产生等离子体，对所述处理容器内的所述处理气体 进行排气的等离子体的处理装置的，将所述处理容器的内部划分为处 理空间和排气空间的等离子体处理装置的挡板，所述挡板配置在载置有被处理基板的载置台的周围的环状的排气 路径上，处理气体通过的所述挡板的开口包括缝隙，所述缝隙由在环状的 所述挡板的半径方向延伸的多个直线缝隙、以及将相邻的一对直线缝 隙的端部连接起来的多个曲线缝隙构成，其整体形成为波形。
10. —种等离子体处理装置的挡板，其特征在于其为向处理容器内导入处理气体，通过高频激励所述处理容器内 的所述处理气体而产生等离子体，对所述处理容器内的所述处理气体 进行排气的等离子体的处理装置的，将所述处理容器的内部划分为处 理空间和排气空间的等离子体处理装置的挡板，所述挡板配置在载置有被处理基板的载置台的周围的环状的排气 路径上，处理气体通过的所述挡板的开口，包括形成为在环状的所述挡板 的圆周方向延伸的螺旋形的缝隙。
11. 一种对被处理基板实施等离子体处理的等离子体处理方法，其 特征在于，包括将处理气体从流入口导入到搬入了被处理基板的处理容器内的工序；通过高频激励处理容器内的处理气体，产生等离子体的工序；和通过将所述处理容器的内部划分为等离子体处理空间和排气空 间，具有仅由连接起来的一个缝隙构成的开口的挡板，将所述处理容 器内的处理气体从排气口排气的工序。
全文摘要
本发明提供在防止等离子体泄漏的基础上能够改善挡板的流导的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括被处理基板(W)被搬入和搬出的处理容器(1)；设置在处理容器(1)内并载置被处理基板(W)的载置台(2)；向处理容器(1)内导入处理气体的流入口(17a)；激励处理容器(1)内的处理气体而产生等离子体的高频电源(13)；对处理容器(1)内的处理气体进行排气的排气口(8)；和具有处理气体通过的开口、并且将处理容器(1)的内部划分为等离子体处理空间(1b)和排气空间(1c)的挡板(7)。挡板(7)的开口仅由将多个缝隙连接起来的一个缝隙(26)构成。通过将多个缝隙连接起来而成为一个缝隙(26)，即使在开口面积相同的情况下也能够改善挡板(7)的流导。
文档编号H01L21/00GK101515540SQ200910005650
公开日2009年8月26日 申请日期2009年2月10日 优先权日2008年2月20日
发明者佐藤彻治, 吉村章弘 申请人:东京毅力科创株式会社