专利名称：芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法
芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法
技术领域：
本发明是有关于一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，特别是有关于一种在 芯片吸取步骤及芯片粘接步骤之间对芯片粘接用胶膜进行非接触式加热的加热装置及其 方法。背景技术：
在半导体封装构造制造过程中，打线接合(wire bonding)技术已广泛地应用于半 导体芯片与封装基板(substrate)或导线架(Ieadframe)之间的电性连接上。请参照图1 所示，其概要揭示现有半导体芯片打线工艺所包含的主要加工步骤，其大致包含一晶圆测 试(wafer test)步骤S01，其中利用一测试机台的数个探针测试一半导体晶圆表面的电路 区块是否良好，并取得良品区块及不良品区块的资讯；一晶圆切割(wafer saw)步骤S02， 其中在测试后将半导体晶圆黏固于一晶圆固定用胶膜(blue tape)及一芯片粘接用胶膜 (die attach film)之上，并接着切割半导体晶圆及芯片粘接用胶膜，使其分离成为数个半 导体芯片及芯片粘接用胶膜；一芯片吸取(pickup)步骤S03，其中利用一真空取放头的真 空吸力逐一将各半导体芯片及相应尺寸的芯片粘接用胶膜由晶圆固定用胶膜上吸起，并将 其移动至一封装基板或导线架的上方；一芯片粘接(die attach)步骤S04，其中封装基板 或导线架放置在一载体固定座上并受到载体固定座的加热，真空取放头将半导体芯片及芯 片粘接用胶膜向下抵压于封装基板或导线架的芯片承载区上，使芯片粘接用胶膜受到载体 固定座的间接加热而软化，在真空取放头解除真空并离开后，半导体芯片即利用芯片粘接 用胶膜固定于封装基板或导线架的芯片承载区，在某些产品设计中，上述芯片粘接用胶膜 亦可能是利用液态的底部填充胶(underfill)来加以取代；一打线接合(wire bond)步骤 S05，其中利用导线电性连接半导体芯片与封装基板或导线架；一封胶(molding)步骤S06， 其中利用封胶材料包覆保护半导体芯片与导线；一剪切/成型(trim/form)步骤S07，其中 冲压切割封装基板或导线架，以分离每一封胶单元体；以及，一标示(mark)步骤S08，利用 墨印或雷射在封胶单元体上印上产品相关文字或图形。请参照图2所示，其进一步详细揭示现有芯片吸取步骤S03及芯片粘接步骤S04 的相关装置及流程的示意图，其中一半导体晶圆10黏固于一晶圆固定用胶膜11及一芯片 粘接用胶膜12之上。所述半导体晶圆10及芯片粘接用胶膜12被切割分离成为数个半导 体芯片101及芯片粘接用胶膜121。一真空取放头13的真空吸力逐一将各半导体芯片101 及芯片粘接用胶膜121由所述晶圆固定用胶膜11上吸起，并将其移动至一封装基板14 (或 导线架)的上方，其中所述封装基板14 (或导线架)放置在一载体固定座15上并受到所述 载体固定座15的加热，所述真空取放头13将所述半导体芯片101及芯片粘接用胶膜121 向下抵压于所述封装基板14 (或导线架)的芯片承载区上，使所述芯片粘接用胶膜121受 到所述载体固定座15的间接加热约2至7秒而软化，在所述真空取放头13解除真空并离 开后，所述半导体芯片101即可利用所述芯片粘接用胶膜121固定于所述封装基板13 (或 导线架)的芯片承载区。此外，亦有另一种双重加热做法，其是在所述真空取放头13内部另设置一加热装置(未绘示)，因而先利用所述真空取放头13对所述芯片粘接用胶膜121 进行直接加热，接着再利用所述载体固定座15对所述芯片粘接用胶膜121进行间接加热， 以缩短加热时间至1.5至5秒。然而，上述芯片粘接用胶膜121的两种加热方式在实际使用上仍具有下述问题， 例如当只单纯利用所述载体固定座15对所述芯片粘接用胶膜121进行间接加热时，由于 所述芯片粘接用胶膜121只有在接触所述封装基板13后才会被间接加热而软化，因此整个 加热软化所需时间较长(约2至7秒)，不利于提高单位时间的产量(UPH)。另一方面，当 采用双重加热做法时，虽可以利用所述真空取放头13对所述芯片粘接用胶膜121进行直接 加热以缩短加热软化所需时间(1. 5至5秒)，但是在所述真空取放头13刚接触所述半导 体芯片101及芯片粘接用胶膜121时，所述芯片粘接用胶膜121即可能被加热而过早软化。 然而，过早软化的芯片粘接用胶膜121可能黏在所述晶圆固定用胶膜11上，造成所述真空 取放头13无法吸起所述半导体芯片101。或者，所述芯片粘接用胶膜121可能通过切割槽 道而溢流至粘结于相邻的半导体芯片101及/或芯片粘接用胶膜121，使所述真空取放头 13可能一次吸起二颗或以上的半导体芯片101。结果，导致必需暂停生产线以排除意外沾 粘问题。再者，所述真空取放头13因需传导热能而需以金属材质制作其吸头，但金属吸头 在接触所述半导体芯片101的有源表面时，可能因撞击力道而意外伤害有源表面，进而降 低后续封装良品率(yield)。故，有必要提供一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，以解决现有技术所存 在的问题。
发明内容本发明的主要目的在于提供一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，其可以利 用非接触式加热单元在芯片取放头的移动路径上对芯片粘接用胶膜进行非接触式加热，因 此可缩短胶膜加热软化所需时间及芯片粘接所需时间，以提高芯片粘接效率及提高单位时 间的封装产品产量。本发明的次要目的在于提供一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，其中非接 触式加热单元仅会在芯片取放头的移动路径上对芯片粘接用胶膜进行定点式或同步移动 式的非接触式加热，因此可避免过早加热软化胶膜，以防止胶膜意外沾黏晶圆固定用胶膜 或相邻的芯片及胶膜，以便有效解决意外沾粘问题及提高生产线作业的可靠度。为达成本发明的前述目的，本发明提供一种芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征 在于所述加热装置包含一芯片取放头，用以由一芯片吸取位置吸取一半导体芯片，并将 所述半导体芯片通过一路径移往一芯片粘接位置，并粘接固定于所述芯片粘接位置，其中 所述半导体芯片一表面附有一芯片粘接用胶膜；以及，一非接触式加热单元，所述非接触式 加热单元用以非接触式加热及软化通过所述路径时的所述芯片取放头所吸取的所述半导 体芯片的芯片粘接用胶膜。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元是红外线加热单元、高频感应加 热单元或聚光灯加热单元。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元设置于一固定座上。在本发明的一实施例中，所述固定座上另设有一芯片遗失检测器(chip missingsensor)。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元设置于一移动座上。在本发明的一实施例中，所述移动座上另设有一芯片遗失检测器。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元设于所述芯片遗失检测器的周围 或一侧。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元相对于所述芯片遗失检测器是呈 倾斜设置。在本发明的一实施例中，所述芯片粘接用胶膜是B阶化热固性树脂类胶膜。另外，本发明提供另一种芯片粘接用胶膜的加热方法，其特征在于所述加热方法 包含在一芯片吸取位置提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆预先切割分离成为数个半导 体芯片，及每一半导体芯片一表面附有一芯片粘接用胶膜；利用一芯片取放头将一半导体 芯片及其对应的芯片粘接用胶膜由所述芯片吸取位置上吸起；利用所述芯片取放头将所述 半导体芯片及其对应的芯片粘接用胶膜通过一路径移至一芯片粘接位置，且提供一非接触 式加热单元用以非接触式加热及软化通過所述路径的所述芯片取放头所吸取的所述半导 体芯片的芯片粘接用胶膜；向下抵压所述半导体芯片及其对应的芯片粘接用胶膜于所述芯 片粘接位置上的一封装载体上，使所述半导体芯片利用所述芯片粘接用胶膜粘接固定于所 述封装载体上。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元设置于一固定座上，所述芯片取 放头在所述路径上移动通过所述固定座上方时，所述芯片取放头短暂停留在所述非接触式 加热单元上方，以利用所述非接触式加热单元非接触式加热及软化所述半导体芯片的芯片 粘接用胶膜。在本发明的一实施例中，所述非接触式加热单元设置于一移动座上，所述移动座 与所述芯片取放头在所述路径上同步移动一段距离，以利用所述非接触式加热单元非接触 式加热及软化所述半导体芯片的芯片粘接用胶膜。在本发明的一实施例中，另利用所述芯片粘接位置加热所述封装载体，以间接加 热软化所述芯片粘接用胶膜。
图1是现有半导体芯片打线工艺的流程示意图。图2是芯片吸取步骤及芯片粘接步骤的相关装置及流程的示意图。图3是本发明第一实施例芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法的示意图。图4是本发明第二实施例芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法的示意图。图5是本发明第三实施例芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法的示意图。
具体实施方式为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配 合附图，作详细说明如下请参照图3所示，本发明第一实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法主要 应用于类似于图1所示的半导体芯片打线工艺的芯片吸取步骤S03及芯片粘接步骤S04中。本发明第一实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置主要位于一芯片吸取位置A及一芯片 粘接位置B之间，所述芯片吸取位置A利用一晶圆固定用胶膜21承载一半导体芯片20及一 芯片粘接用胶膜22。所述加热装置主要包含一芯片取放头23及一非接触式加热单元24， 所述芯片取放头23可在所述芯片吸取位置A及芯片粘接位置B之间的一路径上来回移动， 所述非接触式加热单元M设置于所述芯片取放头23移动过通的路径上的适当位置处，所 述芯片粘接位置B利用一载体固定座25承载一封装载体26。请再参照图3所示，本发明第一实施例的芯片吸取位置A优选是利用一晶圆承载 座(未绘示)承载一晶圆固定用胶膜21，所述晶圆固定用胶膜21的上表面可以承载所述半 导体芯片20。在放置到所述晶圆固定用胶膜21上之前，所述半导体芯片20的背面已预先 黏结有所述芯片粘接用胶膜22。在放置到所述晶圆固定用胶膜21上之后，所述芯片粘接用 胶膜22位于所述晶圆固定用胶膜21及所述半导体芯片20之间，所述半导体晶圆20紧接着 被切割分离成数个半导体芯片201，所述芯片粘接用胶膜221也被同步切割，因此每一半导 体芯片201的一表面(背面)皆黏附有对应长宽尺寸的芯片粘接用胶膜221。在本实施例 中，所述半导体晶圆20优选为硅晶圆(silicon wafer)或砷化镓(GaAs)晶圆，但亦可能是 与半导体元件、发光二极管(LED)或微机电元件相关的其他晶圆衬底，例如(导电)玻璃基 板晶圆或蓝宝石(sapphire)晶圆等。所述晶圆固定用胶膜21优选为紫外线感光胶膜(UV tape)，其可在照射紫外光之后失去黏性。因此，所述晶圆固定用胶膜21可利用此特性在照 光之前有效黏着固定所述半导体晶圆20，以及在照光之后使由所述半导体芯片201及其对 应的芯片粘接用胶膜221能被轻易的由所述晶圆固定用胶膜21上吸起。再者，所述芯片粘 接用胶膜22及所述芯片粘接用胶膜221是B阶化(B stage)热固性树脂类胶膜及胶膜，例 如B阶化环氧树脂(epoxy)类胶膜及胶膜，其在加热前处于具半黏性的胶态B阶状态，在加 热烘烤后会转变成具有黏性的半液态及最后变成固态。请再参照图3所示，本发明第一实施例的芯片取放头23优选是一真空取放头，其 可利用真空吸力将每一半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜221由所述晶圆固定用 胶膜21上吸起，并通过所述芯片取放头23的移动路径往所述芯片粘接位置B的方向移动 所述半导体芯片201及其芯片粘接用胶膜221。本发明的芯片取放头23不需内建加热功能， 因此其取放头可由橡胶等软性不导热材质制成，上述软性材质不会在吸取接触时伤害所述 半导体芯片201的有源表面(或背面)。再者，在本发明中，所述非接触式加热单元对设置 于所述芯片取放头23的移动路径上。所述非接触式加热单元25优选是红外线(IR)加热 单元，例如红外线卤素灯或红外线激光(laser)元件等。当使用红外线加热单元时，其内部 具有电阻发热元件(未绘示)可通电产生热能来激发红外线发射物质，以辐射出红外线来 照射加热所述芯片取放头23所吸取的半导体芯片201下方的芯片粘接用胶膜221。红外线 是一种电磁波，可直接进行非接触式辐射加热，因此加热效率高，加热速度快。另外，在本发 明其他实施方式中，所述非接触式加热单元25亦可能选自高频感应加热(high frequency induction heating)单元或聚光灯加热单元，其分别利用辐射热能或聚光生热等原理来达 到非接触式加热的目的。请再参照图3所示，在本实施例中，所述非接触式加热单元M设置于一固定座240 的表面上，所述固定座240可能是各种任意形状，例如L形的固定支架等。所述固定座240 相对于所述芯片吸取位置A及芯片粘接位置B是维持固定静止不动的状态，且所述固定座240上另设有一芯片遗失检测器(chip missing sensor) Ml，其用以光学检测所述芯片取 放头23在所述路径上移动通过所述固定座240上方时是否确实吸取所述半导体芯片201 或是否所述半导体芯片201已经掉落。所述非接触式加热单元M优选设于所述芯片遗失 检测器241的周围或一侧，例如将数个红外线加热单元环绕于所述芯片遗失检测器241的 周围，以做为所述非接触式加热单元M。由于所述芯片取放头23必然会将所述半导体芯片 201移动至所述芯片遗失检测器241的上方，因此本发明将可在所述芯片遗失检测器Ml进 行检测作业的同时利用所述非接触式加热单元M对所述半导体芯片201进行非接触式加 热，故本发明的非接触式加热作业基本上并不会延长所述芯片取放头23的总移动过程所 需的时间。请再参照图3所示，本发明第一实施例的芯片粘接位置B是利用所述载体固定 座25承载所述封装载体沈，所述封装载体沈可能是一封装基板(substrate)或一导线架 (Ieadframe)，其上表面具有一芯片承载区(未标示)，以供所述芯片取放头23将所述半导 体芯片201及芯片粘接用胶膜221放置在所述芯片承载区上。所述载体固定座25通常具 有内埋式或外加式的加热装置(未绘示)，以便辅助加热所述封装载体沈。如此，可使所述 芯片粘接用胶膜221在接触所述封装载体沈的芯片承载区时，也能被间接加热而确保其软 化效率，以尽可能缩短软化黏着于所述芯片承载区所需的时间。请再参照图3所示，当使用本发明第一实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置时， 其加热方法大致包含下列步骤在一芯片吸取位置A提供一半导体晶圆20，所述半导体晶 圆20预先切割分离成为数个半导体芯片201，及每一半导体芯片201 —表面附有具有一芯 片粘接用胶膜221 ；利用一芯片取放头23将一半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜 221由所述芯片吸取位置A上吸起；利用所述芯片取放头23将所述半导体芯片201及其对 应的芯片粘接用胶膜221通过一路径移至一芯片粘接位置B，且在所述路径上提供一非接 触式加热单元M非接触式加热及软化通过所述路径的所述芯片取放头23所吸取的半导体 芯片201的芯片粘接用胶膜221，其中所述非接触式加热单元M设置于一固定座240上，所 述芯片取放头23在所述路径上移动通过所述固定座240上方时，所述芯片取放头23将短 暂停留在所述非接触式加热单元M的上方位置处，以利用所述非接触式加热单元M非接 触式加热及软化所述半导体芯片201的芯片粘接用胶膜221，同时所述芯片遗失检测器Ml 光学检测所述芯片取放头23是否确实吸取所述半导体芯片201或是否所述半导体芯片201 已经掉落；以及，向下抵压所述半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜221于所述芯片 粘接位置B上的一封装载体沈上，使所述半导体芯片201利用所述芯片粘接用胶膜221固 定于所述封装载体26上。如上述加热方法所述，本发明利用所述非接触式加热单元M在所述芯片取放头 23的移动路径上对所述芯片粘接用胶膜221进行定点的非接触式加热，将可缩短胶膜加热 软化所需时间(小于1秒)及芯片固定所需时间(小于1秒)，将芯片移动及固定的整个加 工时间缩短至1至2秒左右，因此可以提高芯片固定效率及提高单位时间的封装产品产量 (UPH)。特别是，当所述芯片取放头23将所述半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜 221由所述芯片吸取位置A上吸起时，所述芯片粘接用胶膜221尚未被加热，且所述非接触 式加热单元24仅会在所述芯片取放头23的移动路径上(即所述芯片吸取位置A及芯片粘 接位置B之间)提供定点式的非接触式加热，因此本发明可避免过早加热软化所述芯片粘接用胶膜221，以防止所述芯片粘接用胶膜221意外沾黏所述晶圆固定用胶膜21或相邻的 半导体芯片201及芯片粘接用胶膜221，以便有效解决意外沾粘问题及提高生产线作业的可靠度。请参照图4所示，本发明第二实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法相似 于本发明第一实施例，但第二实施例的差异特征在于所述第二实施例的非接触式加热单 元M设置于一移动座242上，所述移动座242可能是各种任意形状，例如L形的固定支架 等。所述移动座242是可移动的设于一轨道243上，以便沿着所述轨道243在所述芯片吸 取位置A及芯片粘接位置B之间来回移动。所述移动座242上亦设有一芯片遗失检测器 (chip missing sensor) Ml，其用以光学检测所述芯片取放头23是否确实吸取所述半导体 芯片201或是否所述半导体芯片201已经掉落。所述非接触式加热单元M优选设于所述 芯片遗失检测器Ml的周围或一侧，例如将数个红外线加热单元环绕于所述芯片遗失检 测器Ml的周围，以做为所述非接触式加热单元对。请参照图4所示，当使用本发明第二实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置时，所 述芯片取放头23在所述芯片吸取位置A及所述芯片粘接位置B之间的路径上移动的期间， 所述移动座242会与所述芯片取放头23同步移动至少一段距离，使所述芯片取放头23上 的半导体芯片201维持对位至所述芯片遗失检测器Ml的上方，以便在所述芯片遗失检测 器241进行检测作业的同时利用所述非接触式加热单元M对所述半导体芯片201进行非 接触式加热约1秒或小于1秒的时间，故本发明的非接触式加热作业基本上并不会延长所 述芯片取放头23的总移动过程所需的时间，且同样可缩短胶膜加热软化所需时间(小于1 秒)及芯片固定所需时间(小于1秒)，将芯片移动及固定的整个加工时间缩短至1至2秒 左右，因此可以提高芯片固定效率及提高单位时间的封装产品产量(UPH)。再者，当所述芯 片取放头23将所述半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜221由所述芯片吸取位置 A上吸起时，所述芯片粘接用胶膜221尚未被加热，因此本发明可避免过早加热软化所述芯 片粘接用胶膜221，以防止所述芯片粘接用胶膜221意外沾黏所述晶圆固定用胶膜21或相 邻的半导体芯片201及芯片粘接用胶膜221，以便有效解决意外沾粘问题及提高生产线作 业的可靠度。请参照图5所示，本发明第三实施例的芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法相似 于本发明第一及第二实施例，但第三实施例的差异特征在于所述第三实施例的非接触式 加热单元M相对于所述芯片遗失检测器241是呈倾斜的设置于所述固定座240 (或移动座 242)的一倾斜部M4，使所述非接触式加热单元M倾斜的朝向及对位于所述芯片取放头23 下方的半导体芯片201的芯片粘接用胶膜221。如此，所述芯片取放头23在所述路径上移 动通过所述固定座240上方时，所述芯片取放头23将短暂停留在所述芯片遗失检测器241 的上方位置处，以利用所述芯片遗失检测器241进行检测作业，同时利用所述非接触式加 热单元M非接触式倾斜加热及软化所述半导体芯片201的芯片粘接用胶膜221。或者，若 所述非接触式加热单元M是选择呈倾斜的设置于一移动座242 (参考图4所示)的一倾斜 部244时，所述芯片取放头23在所述芯片吸取位置A及所述芯片粘接位置B之间的路径上 移动的期间，所述移动座242会与所述芯片取放头23同步移动至少一段距离，使所述芯片 取放头23上的半导体芯片201对位至所述芯片遗失检测器241的上方，以便在所述芯片遗 失检测器241进行检测作业的同时利用所述非接触式加热单元M对所述半导体芯片201进行非接触式倾斜加热约1秒或小于1秒的时间，故本发明第三实施例的非接触式加热作 业基本上同样不会延长所述芯片取放头23的总移动过程所需的时间。如上所述，相较于现单纯利用所述载体固定座15对所述芯片粘接用胶膜121进行 间接加热的做法或采用所述载体固定座15及真空取放头13进行双重加热的做法皆存在整 个加热软化所需时间过长或可能发生意外沾粘等缺点，图3至5的本发明利用所述非接触 式加热单元M在所述芯片吸取位置A及粘接芯片位置B之间的路径上对所述芯片粘接用 胶膜221进行定点式或同步移动式的非接触式加热，将可缩短胶膜加热软化所需时间(小 于1秒)及芯片粘接所需时间(小于1秒)，将芯片移动及粘接的整个加工时间缩短至1至 2秒左右，因此可以提高芯片粘接效率及提高单位时间的封装产品产量(UPH)。特别是，当 所述芯片取放头23将所述半导体芯片201及其对应的芯片粘接用胶膜221由所述芯片吸 取位置A上吸起时，所述芯片粘接用胶膜221尚未被加热，因此本发明亦可避免过早加热软 化所述芯片粘接用胶膜221，以防止所述芯片粘接用胶膜221意外沾黏所述晶圆固定用胶 膜21或相邻的半导体芯片201及芯片粘接用胶膜221，以便有效解决意外沾粘问题及提高 生产线作业的可靠度。本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。 必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神 及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
权利要求
1.一种芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述加热装置包含一芯片取放头，用以由一芯片吸取位置吸取一半导体芯片，并将所述半导体芯片通过 一路径移往一芯片粘结位置，并粘接固定于所述芯片粘接位置，其中所述半导体芯片一表 面附有一芯片粘接用胶膜；及一非接触式加热单元，所述非接触式加热单元用以非接触式加热及软化通过所述路径 的所述芯片取放头所吸取的所述半导体芯片的芯片粘接用胶膜。
2.如权利要求1所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式加热 单元是红外线加热单元、高频感应加热单元或聚光灯加热单元。
3.如权利要求1所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式加热 单元设置于一固定座上。
4.如权利要求3所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述固定座上另设 有一芯片遗失检测器
5.如权利要求1所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式加热 单元设置于一移动座上。
6.如权利要求5所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述移动座上另设 有一芯片遗失检测器。
7.如权利要求4或6所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式 加热单元设于所述芯片遗失检测器的周围或一侧。
8.—种芯片粘接用胶膜的加热方法，其特征在于所述加热方法包含在一芯片吸取位置提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆预先切割分离成为数个半导体 芯片，及每一半导体芯片一表面附有一芯片粘接用胶膜；利用一芯片取放头将一半导体芯片及其对应的芯片粘接用胶膜由所述芯片吸取位置 上吸起；利用所述芯片取放头将所述半导体芯片及其对应的芯片粘接用胶膜通过一路径移至 一芯片粘结位置，且提供一非接触式加热单元用以非接触式加热及软化通过所述路径的所 述芯片取放头所吸取的所述半导体芯片的芯片粘接用胶膜；及向下抵压所述半导体芯片及其对应的芯片粘接用胶膜于所述芯片粘接位置上的一封 装载体上，使所述半导体芯片利用所述芯片粘接用胶膜粘接固定于所述封装载体上。
9.如权利要求8所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式加热 单元设置于一固定座上，所述芯片取放头在所述路径上移动通过所述固定座上方时，所述 芯片取放头短暂停留在所述非接触式加热单元上方，以利用所述非接触式加热单元非接触 式加热及软化所述半导体芯片的芯片粘接用胶膜。
10.如权利要求8所述的芯片粘接用胶膜的加热装置，其特征在于所述非接触式加热 单元设置于一移动座上，所述移动座与所述芯片取放头在所述路径上同步移动一段距离， 以利用所述非接触式加热单元非接触式加热及软化所述半导体芯片的芯片粘接用胶膜。
全文摘要
本发明公开一种芯片粘接用胶膜的加热装置及其方法，其利用非接触式加热单元在芯片取放头的移动路径上对芯片取放头所吸取的半导体芯片的芯片粘接用胶膜选择进行定点式或同步移动式的非接触式加热，因此可缩短胶膜加热软化所需时间及芯片粘接所需时间，以提高芯片粘接效率及提高单位时间的封装产品产量。同时，亦可避免过早加热软化胶膜，以防止胶膜在芯片吸取位置处意外沾黏晶圆粘接用胶膜或相邻的芯片及胶膜，以便有效解决意外沾粘问题及提高生产线作业的可靠度。
文档编号H01L21/50GK102054657SQ20091019796
公开日2011年5月11日 申请日期2009年10月30日 优先权日2009年10月30日
发明者史海涛, 周若愚 申请人:日月光封装测试(上海)有限公司