专利名称：一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池，特别是选择性发射极晶体硅太阳电池。
背景技术：
太阳电池可以将太阳能转化为电能，在提供电力的同时不产生任何有害物质，是 解决能源与环境问题、实现可持续发展的有效途径。在各类太阳电池中，硅太阳电池占有极 其重要的地位，近几年硅太阳电池一直占据光伏市场90%以上的份额。光伏行业的发展趋 势是提高太阳电池转换效率、降低单位输出功率的生产成本。在实验室中，单晶硅太阳电池 的最高转换效率已达到24. 7%，多晶硅太阳电池达到20. 4%，但由于其结构和工艺过于复 杂，成本太高，无法进入实际应用。需要开发新的器件结构，
实用新型内容本实用新型提供一种选择性发射极晶体硅太阳电池，制作工艺简单、耗能低，生产 成本低，转换效率高。 —种选择性发射极晶体硅太阳电池，基体为多晶硅片，正面是电极引线，向下依次 为氮化硅薄膜，绒面结构和选择性n++和n+扩散层，n++和n+扩散层的结深在同一水平位置， 而n++的表面略高于n+扩散层，电池背面有电极。 所述正面电极引线为银电极引线。 所述电池背面电极为银铝电极。 所述电池背面表层为铝。 本实用新型可提高光生载流子的收集率、提高太阳电池的输出电压、降低太阳电 池的串联电阻、减小光生少数载流子的表面复合、减小扩散死层的影响而改善扩散层的整 体性能，从而提升太阳电池的转换效率。
图1为本实用新型结构示意图。 图中2-电极引线，3-氮化硅薄膜，4_11++，5-11+，6-铝，7-电极。
具体实施方式
图l示出了一种选择性发射极晶体硅太阳电池，电池基体为多晶硅，正面是银电 极引线2，向下依次为氮化硅薄膜3，绒面结构和选择性n++4和n+5扩散层，n++4和n+5扩散 层的结深在同一水平位置，而n++4的表面略高于n+5扩散层，电池背面表层为铝6，背面电极 为传统的银铝电极7。 本实用新型可利用行业上已有的规模化生产设备，最大限度地减少选择性发射极 太阳电池的制造工艺步骤，降低能耗，降低生产成本。 当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的
3情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些 相应的改变和变形都应属于本实用新型所附的权利要求的保护范围。
权利要求一种选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于基体为多晶硅片，正面是电极引线(2)，向下依次为氮化硅薄膜(3)，绒面结构和选择性n++(4)和n+(5)扩散层，n++(4)和n+(5)扩散层的结深在同一水平位置，而n++(4)的表面略高于n+(5)扩散层，电池背面有电极(7)。
2. 根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于所述正面电极 引线(2)为银电极引线。
3. 根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于所述电池背面 电极(7)为银铝电极。
4. 根据权利要求1所述的选择性发射极晶体硅太阳电池，其特征在于所述电池背面 表层为铝(6)。
专利摘要一种选择性发射极晶体硅太阳电池，基体为多晶硅片，正面是银电极引线，向下依次为氮化硅薄膜，绒面结构和选择性n++和n+扩散层，n++和n+扩散层的结深在同一水平位置，而n++的表面略高于n+扩散层，电池背面有银铝电极。本实用新型可提高光生载流子的收集率、提高太阳电池的输出电压、降低太阳电池的串联电阻、减小光生少数载流子的表面复合、减小扩散死层的影响而改善扩散层的整体性能，从而提升太阳电池的转换效率。
文档编号H01L31/042GK201490199SQ20092008309
公开日2010年5月26日 申请日期2009年8月4日 优先权日2009年8月4日
发明者许佳平, 郑战军, 郭爱华, 陈亮, 陈坤 申请人:天威新能源(成都)电池有限公司