专利名称：载台装置的制作方法
技术领域：
载台装置
技术领域：
本实用新型是关于一种载台装置，特别是关于一种应用白努利(Bernoulli)原 理，可以喷出气体形成压差，而能对于光电半导体薄片形工件进行吸附的载台装置。
背景技术：
在电子产业或光学产业中，对于光电半导体薄片形工件进行蚀刻作业，是将光电 半导体薄片形工件置放于旋涂机的载台装置上进行旋转，并于上方喷洒蚀刻液，而可借由 旋转离心力，使蚀刻液能以离心力向外流动而均布于光电半导体薄片形工件表面进行蚀刻 作业。 上述旋涂机的载台装置中设置吸气定位件，该吸气定位件外接吸气装置，而可于 操作使用上，借由吸气装置所提供的吸力吸附定位待蚀刻的光电半导体薄片形工件，使该 光电半导体薄片形工件能稳定旋转，而让蚀刻液能向外流动进行涂布，其利用吸气装置作 用，使吸气定位件能吸附光电半导体薄片形工件，然而，当光电半导体薄片形工件制造而产 生裂痕时，会造成光电半导体薄片形工件上的蚀刻液渗入而被吸进吸气装置中，导致吸气 装置管路腐蚀受损。 另外，旋涂机的操作使用，必需将待蚀刻的光电半导体薄片形工件对正中心的置 放于旋涂机的载台装置上，才能使旋涂机的心轴能稳定旋转，如果待蚀刻的光电半导体薄 片形工件置放，没有完成精确对位，即易造成心轴于旋转时产生晃动，而容易造成心轴损 坏，因此，现有技术的载台装置，仍未尽理想而确有加以改良的必要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种载台装置，其是以喷气方式形成压差，而能吸附 定位光电半导体薄片形工件，以避免对于光电半导体薄片形工件进行蚀刻的蚀刻液被吸入 载台装置中，造成内部管路腐蚀受损。 为达成上述目的的结构特征及技术内容，本实用新型载台装置包括 —载座，该载座包含一作用面位于顶部，该载座于作用面处形成一锥形状的容置
槽，该容置槽包含位于作用面处形成扩大开口 ，以及相对于该扩大开口端形成縮小部，于该
縮小部处设置一喷气道与外界连通； 数个支持块，其分布设置于上述容置槽面； —喷头，其包含一平面及位于该平面周围的锥面，该喷头设置于上述容置槽中，是 以锥面定位于上述数个支持块顶端，使平面位于上述载座作用面下侧而形成一高度差，而 在该锥面与容置槽面之间形成气流通道； 数个抵压块，该数个抵压块形成水滴形柱杆状，该数个抵压块一端设置于上述载 座的作用面周缘，且该数个水滴形柱杆状的抵压块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向 于上述载座的作用面中间处。 借此设计，可将气体由载座的喷头处由气流通道朝周围倾斜向外喷出，使光电半
3导体薄片形工件能与载座作用面之间形成负压，而与周围空气压形成压差，使光电半导体 薄片形工件能向下引动，且令光电半导体薄片形工件周缘能抵压于该载座作用面所设置的 数个抵压块顶面，而能稳定的吸附住光电半导体薄片形工件。 且由于该数个抵压块形成水滴形柱杆状，使喷出的气流流经该数个抵压块时能流
畅的通过，以避免压差遭到破坏，故能稳定吸附定位光电半导体薄片形工件。 以及喷出的气流，能使成型蚀刻光电半导体薄片形工件的蚀刻液不会吸入载台装
置中，而能避免载台装置内部遭到蚀刻液侵蚀破坏。
图1 :本实用新型外观示意图。[0015]图2:本实用新型仰视图。[0016]图3:本实用新型剖视图。[0017]图4 :本实用新型吸附光电半导体薄片形工件的实施例示意图。[0018]图5 :本实用新型又-一形式外观示意图。图6:本实用新型另-一形式外观示意图。图7:本实用新型另-一形式吸附光电半导体薄片形工件的实施例示意图(10)载座(11)作用面(12)容置槽(121)扩大开口(122)縮小部(13)喷气道(14)气流通道(15)抵压块(151)宽弧面(16)侧边喷气通道(161)喷出口(20)喷头(21)平面(22)锥面(23)支持块(30)光电半导体薄片形工件
具体实施方式
本实用新型设计，是在载座作用面上设置一喷头，该喷头可倾斜朝向周围喷气，使 光电半导体薄片形工件与载座作用面之间形成压差状态，借此，能使光电半导体薄片形工 件稳定的吸附定位在载座上，以方便光电半导体薄片形工件进行后续加工处理作业。 配合参看图1、图2及图3所示，本实用新型「载台装置」包括一载座10、一喷头20 及数个设置于载座10上的抵压块15，该喷头20可倾斜朝外喷出气体而产生压差，使其形成 白努力(Bernoulli)吸附手段，而能对于光电半导体薄片形工件产生吸附定位，其中 该载座10包含一作用面ll，该作用面11位于该载座10顶端，并于该作用面11处 形成一锥形状的容置槽12，该容置槽12包含位于作用面11处形成扩大开口 121，以及相对 于该扩大开口 121端形成縮小部122，并于该縮小部122处设置一喷气道13与外界连通。 配合参看图2及图3所示，上述载座10作用面11为矩形状，于图式的较佳实施例 是显示为正方形状，而在作用面11上所设置的容置槽12中心部位是位于该作用面11中心 处，使容置槽12的扩大开口 121至正方形状的作用面11各侧边为相等距离。 本实用新型的载台装置尚包含数个支持块23，该数个支持块23—端设置于上述喷头20的锥面22上。 该喷头20包含一平面21及位于该平面21周围的锥面22，该喷头20设置于上述 容置槽12中，是以锥面22定位于上述数个支持块23顶端，使平面21位于上述载座10作 用面11下侧而形成一数微米高度差，而在该锥面22与容置槽12面之间形成气流通道14。 上述喷头20的平面21为圆形状，其与周围锥面22形成圆锥状锥体结构。 该数个抵压块15是形成水滴形柱杆状，该数个抵压块15 —端设置于上述载座10 的作用面11周缘，且该数个水滴形柱杆状的抵压块15周围一侧形成宽弧面151，该宽弧面 15是面向于上述载座10的作用面11中间处。 所述的数个支持块23是形成水滴形柱杆状，且该数个支持块23周围一侧形成宽 弧面，该宽弧面是面向于喷气道13。 配合参看图4所示，该载台装置的操作使用，是将载座10的喷气道13与外界喷气 装置相连接，并于载座10上方置放薄片形的光电半导体薄片形工件30，而借由喷气装置所 喷出的气体喷入喷气道13中，且经由连通的气流通道14朝载座10作用面11与光电半导 体薄片形工件30之间朝四面八方向外喷出，使光电半导体薄片形工件30可因压差而向下 引动，而让光电半导体薄片形工件30周缘下侧可抵于抵压块15顶面完成光电半导体薄片 形工件30吸附定位操作。 由于载座10作用面11周缘所设置的数个抵压块15是形成水滴形柱杆状，且该数 个抵压块15周围一侧所形成的宽弧面151是迎向气流通道14，借此能使喷出的气体经由宽 弧面151后，能同时沿着宽弧面151两侧流至抵压块15末端而顺畅的接续流出，亦即，本实 用新型设计能符合流体力学原理，使气流能顺畅的流过抵压块15，以确保流经该处的气流 不会产生乱流牵引，而抵减了压差作用，故本实用新型设计，可达到稳定吸附定位光电半导 体薄片形工件30的实用功效。 配合参看图5所示，其是本实用新型又一形式载座10及喷头20外观示意图，该载 座10作用面11及喷头20平面21是形成矩形状，于图式的较佳实施例中是显示为长方形 状，即喷头20形成长方形的角锥形状，并于该长方形状的作用面11处形成一长方形角锥状 的容置槽12，该角锥状的容置槽12亦包含位于作用面11处形成扩大开口 ，以及相对于该扩 大开口端形成縮小部，该縮小部位于容置槽12中心部位，并于该縮小部处设置一喷气道13 与外界连通，该长方形的角锥体的喷头20设置于该长方形的容置槽12中，于该喷头20的 锥面22与容置槽12面之间形成气流通道14。 图5所示的作用面11上所设置的容置槽12中心部位是对位于该作用面11中心 处，使容置槽12的长方形状的扩大开口周边至长方形状的作用面11各边为相等距离，且该 数个水滴形柱杆状的抵压块15 —端设置于上述载座10的长方形的作用面11周缘，而当外 界喷气装置连接喷气道13且喷气进入气流通道14后，亦可对于喷头20周围形成负压状 态，使光电半导体薄片形工件周缘能被吸附定位于数个抵压块15顶面。 配合参看图6及图7所示，其是本实用新型另一形式载座10及喷头20外观示意 图，该载座10作用面11是形成矩形状，于图式的较佳实施例显示为长方形状，以及喷头20 平面21是形成圆形状，即喷头20形成圆锥体形式，并于该长方形状的作用面11处形成一 圆锥形状的容置槽12，该圆锥形状的容置槽12至长方形状的载座10左右二侧边与前后二 端边为不等距离，于载座10作用面11邻近左右二侧边缘分别设置一侧边喷气通道16，该侧边喷气通道16具有一倾斜段，该倾斜段形成向外倾斜状，且于该倾斜段末端形成喷出口 161穿出上述作用面11。 而在上述另一形式的长方形的载座10 二侧边缘所设置的抵压块15与二端边所设 置的抵压块15，与圆形喷头20周围的气流通道14是呈不等距离，而由该载座10作用面11 左右二侧边缘所设置的侧边喷气通道16喷出的气流，可对位于薄片形的光电半导体薄片 形工件30 二侧边，使喷洒于光电半导体薄片形工件30上的液体如蚀刻液于流向二侧边时， 仍可以二侧边喷气通道16的喷出口 161所喷出的气流加以带开，此时二侧边喷气通道16 的喷出口 161所喷出的气流，S卩如风刀一般可以刮掉流向光电半导体薄片形工件30二侧边 的液体，而可以弥补长方形的作用面11 二侧边与圆形喷头20周围气流通道14形成较远距 离，如此亦可使蚀刻液不会进入气流通道14，而能保持载台装置内部不受蚀刻液的侵蚀破 坏。 因此，经由上述结构特征、技术内容及操作使用上的详细说明，可清楚看出本实用 新型设计特点在于 提供一种「载台装置」，其是于载座的作用面处设置一锥形的容置槽，并于其中设 置一锥形的喷头，使喷头周围与容置槽面间形成气流通道，并于容置槽中心位置设置一连 通外界的喷气道，且于载座作用面周缘设置数个水滴形柱杆状的抵压块，该数个水滴形柱 杆状的抵压块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于上述吸嘴座的作用面中间处，而当 外界喷气装置所喷出的气体由喷气道喷入载座中，且经由气流通道而由喷头周围倾斜向外 喷出时，能使置放在载座上方的光电半导体薄片形工件与载座作用面间形成负压状态，借 此形成压差，使光电半导体薄片形工件能向下引动且周缘抵于抵压块顶面而吸附住该光电 半导体薄片形工件。 以及，本实用新型在载座作用面周缘所设置的数个抵压块，是形成水滴形柱杆状， 且于周围一侧形成宽弧面，该宽弧面迎向喷出气流，使喷出的气流流经该数个抵压块时仍 能保持流畅通过，以避免喷出的气流的压差作用，于流经该数个抵压块时遭到破坏，故本实 用新型设计可达到稳定吸附光电半导体薄片形工件的实用功效。 且由于本实用新型是以喷出气流、形成压差，而能对于光电半导体薄片形工件进 行定位吸附，使光电半导体薄片形工件能定位于载台装置上，故于喷洒蚀刻液进行表面蚀 刻作业时，即使蚀刻液流向光电半导体薄片形工件周缘，亦可以喷出的气体将其向外带开， 而不会被吸入载台装置中，亦即，本实用新型为喷出气流形式，而有别于习用吸盘吸气定位 形式，故能避免载台装置内部遭到蚀刻液侵蚀破坏。
权利要求一种载台装置，其特征在于包括一载座，该载座包含一作用面位于顶部，该载座于作用面处形成一锥形状的容置槽，该容置槽包含位于作用面处形成扩大开口，以及相对于该扩大开口端形成缩小部，于该缩小部处设置一喷气道与外界连通；数个支持块，其分布设置于上述容置槽面；一喷头，其包含一平面及位于该平面周围的锥面，该喷头设置于上述容置槽中，是以锥面定位于上述数个支持块顶端，使平面位于上述载座作用面下侧而形成一高度差，而在该锥面与容置槽面之间形成气流通道；数个抵压块，该数个抵压块一端设置于上述载座的作用面周缘。
2. 如权利要求l所述的载台装置，其特征在于该数个抵压块形成水滴形柱杆状，且该 数个水滴形柱杆状的抵压块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于上述载座的作用面中 间处。
3. 如权利要求1或2所述的载台装置，其特征在于载座作用面为正方形状，容置槽为 圆锥形状，以及喷头为圆锥形状。
4. 如权利要求1或2所述的载台装置，其特征在于载座作用面为长方形状，容置槽为 长方形角锥形状，以及喷头为长方形角锥状。
5. 如权利要求1或2所述的载台装置，其特征在于载座作用面为长方形状，容置槽为 圆锥形状，以及喷头为圆锥形状。
6. 如权利要求5所述的载台装置，其特征在于载座的长方形状的作用面邻近左右二 侧边缘分别设置一侧边喷气通道，该侧边喷气通道具有一倾斜段，该倾斜段形成向外倾斜 状，且于该倾斜段末端形成喷出口穿出作用面。
7. 如权利要求1或2所述的载台装置，其特征在于数个支持块是形成水滴形柱杆状， 且该数个支持块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于喷气道。
8. 如权利要求3所述的载台装置，其特征在于数个支持块是形成水滴形柱杆状，且该 数个支持块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于喷气道。
9. 如权利要求4所述的载台装置，其特征在于数个支持块是形成水滴形柱杆状，且该 数个支持块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于喷气道。
10. 如权利要求6所述的载台装置，其特征在于数个支持块是形成水滴形柱杆状，且 该数个支持块周围一侧形成宽弧面，该宽弧面是面向于喷气道。
专利摘要一种载台装置，其包括一载座，于该载座顶部作用面处设置一锥形的容置槽，并于其中设置一锥形的喷头，该喷头周围与容置槽面间形成气流通道，并于容置槽中心位置设置一连通外界的喷气道，且于载座作用面周缘设置数个水滴形柱杆状的抵压块，借此设计，当外界喷气装置所喷出的气体由喷气道喷入载座时，气流可经由气流通道由喷头周围倾斜向外喷出，使置放在载座上方的光电半导体薄片形工件能与载座的作用面间形成负压状态，而与周围形成压差，使工件周缘能抵于抵压块顶面而吸附定位。
文档编号H01L31/18GK201490173SQ20092016869
公开日2010年5月26日 申请日期2009年8月10日 优先权日2009年8月10日
发明者罗文保 申请人:友上科技股份有限公司