专利名称：一种金属封装外壳的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种金属外壳的散热结构，具体涉及一种集成电路封装外壳的散
热结构。
背景技术：
目前，随着混合集成电路功率密度的日益增大，整个封装金属元器件的热量会迅 速增大，如果不能及时散热，会对封装壳内的混合集成电路造成损坏，目前封装金属元器件 仅靠封装外壳金属的导热性能进行散热，但随着元器件热耗散的加大，其自身已难以满足 散热的要求，这样在长期的工作过程中难免会造成对封装壳内混合集成电路造成损坏。
实用新型内容本实用新型针对现有技术的不足，设计开发出了一种散热效果更好，成本相对较
低的高可靠混合集成电路用金属封装外壳。 本实用新型是通过以下技术方案实现的 —种金属封装外壳，包括有金属外壳本体，所述的金属外壳本体上嵌入有铜柱，铜 柱穿过金属外壳本体。 —种金属封装外壳，所述的金属外壳本体主散热通道上设有所述的铜柱。 —种金属封装外壳，所述的金属外壳本体的底板上设有所述的铜柱。 —种金属封装外壳，所述的铜柱在金属外壳本体上呈阵列排布。 本实用新型在钢基体外壳中嵌入一定尺寸的具有高导热率的铜材料，通过它们的
分布排列形成一种高导热率的散热结构，这样更有利于大功率混合集成电路封装外壳的散
热，使得大功率混合集成电路不会因温度过高受损。
附图为纵剖结构示意图。
具体实施方式参见附图所示。 本实用新型包括有金属外壳本体l，金属外壳本体1上嵌入有铜柱2，铜柱2穿过 金属外壳本体1。嵌入的铜柱2主要集中在金属外壳本体1的热源3主散热通道上，铜柱 2在金属外壳本体1上呈阵列排布。在钢基体外壳中嵌入一定尺寸的具有高导热率的铜材 料，通过它们的分布排列形成一种高导热率的散热结构，这样更有利于大功率混合集成电 路封装外壳的散热，使得大功率混合集成电路不会因温度过高受损。
权利要求一种金属封装外壳，包括有金属外壳本体，其特征在于所述的金属外壳本体上嵌入有铜柱，铜柱穿过金属外壳本体。
2. 根据权利要求1所述的一种金属封装外壳，其特征在于所述的金属外壳本体主散热 通道上设有所述的铜柱。
3. 根据权利要求1所述的一种金属封装外壳，其特征在于所述的金属外壳本体的底板 上设有所述的铜柱。
4. 根据权利要求1 3任一项所述的一种金属封装外壳，其特征在于所述的铜柱在金 属外壳本体上呈阵列排布。
专利摘要本实用新型涉及一种金属封装外壳，包括有金属外壳本体，所述的金属外壳本体上嵌入有铜柱，铜柱穿过金属外壳本体。铜柱在金属外壳本体上呈阵列排布。本实用新型散热效果更好，能有效保护金属封装外壳内的混合集成电路不会因壳体内温度过高而损坏，且成本相对较低。
文档编号H01L23/04GK201478287SQ20092018717
公开日2010年5月19日 申请日期2009年8月27日 优先权日2009年8月27日
发明者张志成 申请人:中国电子科技集团公司第四十三研究所