专利名称：发光二极管的导线架构造的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种发光二极管的导线架构造，尤其是指一种于埋入胶座的支架
边缘形成间断式的阻隔区段，可将水气有效阻隔住以防止水气渗入的发光二极管的导线架 构造。
背景技术：
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode， LED)具有耗电量低、组件寿命 长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管 已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数 字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及车 灯等。 通常发光二极管是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)固接于发光
二极管的导线架构造内，而发光二极管的导线架构造的内部结构对于发光二极管的出光效
果具有直接性的影响，以下将说明一种公知的发光二极管的导线架构造。 请参考图1A、图IB以及图1C所示，图1A绘示为公知发光二极管的导线架构造的
立体图；图1B绘示为公知发光二极管的导线架构造的胶座与支架间微小空隙立体放大图ic绘示为公知发光二极管的导线架构造的俯视示意图。 公知发光二极管的导线架构造，其包含第一支架10、第二支架20以及胶座30。 第一支架10用以固接发光二极管(图中未绘示)于第一支架10的第一内埋端
ll，发光二极管可以通过第一支架io产生电性连接，以提供发光二极管所需的一种电性极
性，或是可以与其它电子装置(图中未绘示)进行电性连接。 第二支架20的第二内埋端21与发光二极管通过打线接合(wirebonding)技术形
成电性连接，在此仅为举例说明，并不以此局限公知技术的应用范畴，以提供发光二极管所
需的另外一种电性极性，或是可以与其它电子装置进行电性连接(图中未绘示)。 其中，在第一内埋端ll以及第二内埋端21两侧分别形成至少一凹陷部12以及至
少一凹陷部22，第一内埋端11两侧以及第二内埋端21两侧所分别形成的凹陷部12以及凹
陷部22被埋入于胶座30内。 第一内埋端11两侧所形成的凹陷部11以及第二内埋端21两侧所形成的凹陷部 21，其作用将说明如下。 在将第一内埋端11以及第二内埋端21埋入于胶座30内时，由于胶座30与第一 支架10以及第二支架20两侧分别会产生微小空隙31(如图1B所示，为加大示意效果，图 中以显著方式表现出胶座30与第一支架10以及第二支架20两侧所产生的微小空隙31)， 而当发光二极管用于具有水气的环境时，水气很容易就从微小空隙31渗入，并且当水气渗 入至发光二极管(图中未绘示)时，则会影响到发光二极管的发光效率，甚至会使得发光二 极管失效。 当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31渗入时，则可以由于第一内埋端11两侧所形成的凹陷部12，或是由于第二内埋端21所形成的凹陷部 22，增加水气的行进路径，并同时增加水气所渗入至发光二极管的时间，以延长发光二极管 的使用寿命，但是无法有效的防止水气的继续渗入。 公知的发光二极管的导线架构造所使用的技术手段是增加水气的行进路径，并同 时增加水气所渗入至发光二极管的时间，以延长发光二极管的使用寿命，但是无法有效的 防止水气的继续渗入，在长时间使用发光二极管时，在水气渗入至发光二极管即会影响到 发光二极管的发光效率，甚至会使得发光二极管失去效用。 综上所述，可知公知技术中长期以来一直存在现有的发光二极管的导线架构造无 法有效防止水气渗入的问题，因此有必要提出改进的技术手段，来解决此一问题。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种发光二极管的导线架构造，以改善公知技术存在 现有的发光二极管的导线架构造无法有效防止水气渗入的问题， 为实现上述目的，本实用新型提供的发光二极管的导线架构造，主要包括 胶座、第一支架以及第二支架。 其中，该第一支架具有一第一内埋端埋入于该胶座内，该第一内埋端是用以固接 该发光二极管，且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段；该第二支架具有一 第二内埋端埋入于该胶座内，该第二内埋端用以与该发光二极管产生电性连接，且该第二 内埋端两侧分别形成有至少一第二阻隔区段。 而在该第一支架的该第一内埋端两侧的边缘形成的该至少一第一阻隔区段为间 断的倒角，以及该第二支架的该第二内埋端两侧的边缘形成的该至少一第二阻隔区段为间 断的倒角。 并且该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段的区段长度可以为相同 长度或者是不同长度，并且该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段可以分别平 均分布于该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧的边缘，或是该至少一第一阻隔区段以 及该至少一第二阻隔区段可以分别任意分配于该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧 的边缘。 而在该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔 区段以及该至少一第二阻隔区段的区段之间会形成虹吸现象，以将水气聚集于该至少一第 一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段之间。 在该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧还可分别形成至少一凹陷部，该至少 一凹陷部是用以增加水气的路径之外，还可于该至少一凹陷部的转角处形成虹吸现象，以 将渗入的水气聚集于该至少一凹陷部的转角处。 该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一凹陷部与该至 少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段是由该胶座外部向该胶座内部依序配置，第 一内埋端两侧以及第二内埋端两侧所分别形成的该至少一凹陷部与该至少一第一阻隔区 段以及该至少一第二阻隔区段也可由该胶座内部向该胶座外部依序配置，或是第一内埋端 两侧以及第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区 段与该至少一凹陷部呈现交错配置，该至少一凹陷部还可形成至少一第三阻隔区段，能将
4渗入的水气聚集于该至少一凹陷部的该至少一第三阻隔区段处。 本实用新型与公知技术之间的差异在于本实用新型在该第一支架被埋入于该胶 座的该第一内埋端的两侧分别形成该至少一第一阻隔区段，以及在该第二支架被埋入于该 胶座该第二内埋端的两侧分别形成该至少一第二阻隔区段，由于该胶座与该第一支架以及 该第二支架两侧分别会产生微小空隙，水气则会由此微小空隙渗入，当水气渗入至该第一
内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔区段以及该至少一第 二阻隔区段时，水气则会在该第一内埋端的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该 至少一第二阻隔区段的区段间形成虹吸现象，由此可以将渗入的水气聚集于该第一内埋端 的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该至少一第二阻隔区段之间，以使得水气不 会再继续渗入至发光二极管，这样即可以有效防止水气所造成发光二极管的发光效率下 降，以及发光二极管失效的问题。 通过上述的技术手段，本实用新型可以达成发光二极管的导线架构造有效防止水 气渗入的技术功效。
图1A为公知发光二极管的导线架构造的立体图。 图IB为公知发光二极管的导线架构造的胶座与支架间微小空隙立体放大图。 图1C为公知发光二极管的导线架构造的俯视示意图。 图2为本实用新型发光二极管的导线架构造的立体示意图。 图3A至图3C为本实用新型发光二极管的导线架构造的支架剖面示意图。 图4A为本实用新型发光二极管的导线架构造的阻隔区段长度配置俯视示意图。 图4B为本实用新型发光二极管的导线架构造的阻隔区段配置方式俯视示意图。 图5A为本实用新型发光二极管的导线架构造的配置凹陷部俯视示意图。 图5B以及图5C为本实用新型发光二极管的导线架构造的凹陷部与阻隔区段配置
方式俯视示意图。 图6为本实用新型发光二极管的导线架构造的凹陷部配置阻隔区段俯视示意图。 附图中主要组件符号说明10第一支架11第一内埋端12凹陷部121第三阻隔区段13第一阻隔区段20第二支架21第二内埋端22凹陷部221第三阻隔区段23第二阻隔区段30胶座31空隙具体实施方式以下配合附图及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，由此对本实用新型如 何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。 发光二极管(Light Emitting Diode， LED)的适用范围相当广阔，因此，发光二极 管在不同环境中，会遭遇到不同的状况，例如当发光二极管应用于具有水气的环境时，这 些水气在渗入于发光二极管内，则会造成发光二极管发光效率下降，甚至造成发光二极管 失效的问题，上述即为发光二极管在这种环境必须考虑的问题。 对于公知技术在第一支架10的第一内埋端11以及第二支架20的第二内埋端21 中所形成的至少一凹陷部12以及至少一凹陷部22依然无法解决发光二极管的发光效率下 降，以及发光二极管失效的问题，本实用新型提出一种发光二极管的导线架构造，可以有效 的解决上述的问题。 以下将说明本实用新型所提出的解决方式，本实用新型所描述的发光二极管的导 线架构造，请参考图2所示，为本实用新型发光二极管的导线架构造的立体示意图。 如图2所示，本实用新型的发光二极管的导线架构造，其包含第一支架10、第二 支架20以及胶座30。 本实用新型制造第一支架10、第二支架20以及胶座30与公知技术相同，除此之 外，亦可以参照现有发光二极管(图中未绘示)固定于第一支架10的技术，并将发光二极 管产生电性连接于第二支架20的技术，亦与公知技术相同，因此，在此不再进行赘述。 本实用新型主要的技术特征在于，在第一支架10被埋入于胶座30的第一内埋端 11两侧分别形成至少一第一阻隔区段13，以及在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋 端21两侧分别形成至少一第二阻隔区段23，并且第一内埋端11的两侧分别形成的至少一 第一阻隔区段13，以及第二内埋端21的两侧分别形成的至少一第二阻隔区段23是被埋入 置于胶座30内。 当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31 (请参照图1B 所示)渗入时，当水气渗入至第一内埋端11两侧所分别形成的至少一第一阻隔区段13，或 是渗入至第二内埋端21两侧所分别形成的至少一第二阻隔区段23时，水气则会在第一内 埋端11的至少一第一阻隔区段13或是第二内埋端21的至少一第二阻隔区段23的区段间 形成虹吸现象，由此可以将水气聚集于第一内埋端11的至少一第一阻隔区段13或是第二 内埋端21的至少一第二阻隔区段23之间，以使得水气不会再继续的渗入至发光二极管，这 样即可以有效防止水气所造成发光二极管的发光效率下降，以及发光二极管失效的问题。 接着，请参考图3A、图3B以及图3C所示，图3A至图3C为本实用新型发光二极管 的导线架构造的支架剖面示意图。 图3A至图3C中是以第二支架20的剖面作为呈现效果，第一支架IO(请参照图2 所示)的剖面情况与第二支架20的剖面效果相同，以下将以第二支架20作为说明，而第一 支架10即可以参考第二支架20的说明。 在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋端21两侧分别形成的至少一第二阻 隔区段23，至少一第二阻隔区段23是在第二内埋端21的两侧边缘处分别形成不相连的倒 角，并且，至少一第二阻隔区段23可以于第二内埋端21两侧上下边缘分别形成不相连的倒角，如图3A所示。 除此之外，至少一第二阻隔区段23亦可以仅于第二内埋端21上边缘分别形成不 相连的倒角，如图3B所示；至少一第二阻隔区段23亦可以仅于第二内埋端21下边缘分别 形成不相连的倒角，如图3C所示；上述不同态样的至少一第二阻隔区段23形成方式，可以 配合适用的场合进行选择，以节省制造第一支架10 (请参照图2所示)以及第二支架20的 流程。 接着，请参考图4A以及图4B所示，图4A为本实用新型发光二极管的导线架构造 的阻隔区段长度配置俯视示意图；图4B为本实用新型发光二极管的导线架构造的阻隔区 段配置方式俯视示意图。 如图4A所示，第一支架IO被埋入于胶座30的第一内埋端11两侧分别形成的至 少一第一阻隔区段13，以及在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋端21两侧分别形成 的至少一第二阻隔区段23，其至少一第一阻隔区段13以及至少一第二阻隔区段23的长度 可以为任意长度或是固定的数值，以配合不同尺寸大小的第一内埋端11以及第二内埋端 21进行至少一第一阻隔区段13与至少一第二阻隔区段23的配置。 在图4A中，第一内埋端11的至少一第一阻隔区段13为任意长度配置，而第二内 埋端21的至少一第二阻隔区段23为固定长度配置，在此仅为举例说明，并不以此局限本实 用新型的应用范畴。 如图4B所示，第一支架10被埋入于胶座30的第一内埋端11两侧分别形成的至 少一第一阻隔区段13，以及在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋端21两侧分别形 成的至少一第二阻隔区段23，其至少一第一阻隔区段13以及至少一第二阻隔区段23的配 置方式可以平均分布于第一内埋端11以及第二内埋端21的边缘，或是至少一第一阻隔区 段13以及至少一第二阻隔区段23可以任意分配于第一内埋端11以及第二内埋端21的边 缘。 在图4B中，第一内埋端11的至少一第一阻隔区段13为平均分布的配置方式，而 第二内埋端21的至少一第二阻隔区段23为任意分配的配置方式，在此仅为举例说明，并不 以此局限本实用新型的应用范畴。 接着，请参考图5A、图5B以及图5C所示，图5A为本实用新型发光二极管的导线架 构造的配置凹陷部俯视示意图；图5B以及图5C为本实用新型发光二极管的导线架构造的 凹陷部与阻隔区段配置方式俯视示意图。 如图5A所示，第一支架IO被埋入于胶座30的第一内埋端11两侧分别形成的至 少一第一阻隔区段13，以及在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋端21两侧分别形成 的至少一第二阻隔区段23之外，还可在第一支架10被埋入于胶座30的第一内埋端11两 侧分别形成至少一凹陷部12，以及在第二支架20被埋入于胶座30的第二内埋端21两侧分 别形成至少一凹陷部22，在第一内埋端ll两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及第二内 埋端21两侧所分别形成的至少一凹陷部22亦被埋入置于胶座30内。 第一内埋端11两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及第二内埋端21两侧所分 别形成的至少一凹陷部22是用以增加水气的行进路径用，并且配合第一内埋端11两侧所 分别形成的至少一第一阻隔区段13以及第二内埋端21两侧所分别形成的至少一第二阻隔 区段23，更能有效的对发光二极管(图中未绘示)形成保护，以防止水气渗入所造成发光二极管的发光效率下降，以及造成发光二极管失效的问题。 在图5A中，第一内埋端11两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及至少一第一阻隔区段13，与第二内埋端21两侧所分别形成的至少一凹陷部221以及至少一第二阻隔区段23是由胶座30外部向胶座30内部依序配置，在此仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴。 并且第一内埋端11两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及至少一第一阻隔区段13，与第二内埋端21两端所分别形成的至少一凹陷部22以及至少一第二阻隔区段23亦可由胶座30内部向胶座30外部依序配置，其配置结果请参考图5B所示。[0070] 此外，第一内埋端11两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及至少一第一阻隔区段13，与第二内埋端21两侧所分别形成的至少一凹陷部22以及至少一第二阻隔区段23亦可呈现交错配置，其配置结果请参考图5C所示。 请参考图6所示，图6为本实用新型发光二极管的导线架构造的凹陷部配置阻隔区段俯视示意图；在第一内埋端11两侧以及第二内埋端21两侧所分别形成的至少一凹陷部12以及至少一凹陷部22处，更可以在至少一凹陷部12以及至少一凹陷部22的边缘形成至少一第三阻隔区段121以及至少一第三阻隔区段221。 当水气沿着胶座30与第一支架10或是第二支架20两侧微小空隙31 (请参照图1B所示)渗入时，当水气渗入至第一内埋端11或是第二内埋端21于至少一凹陷部12或是至少一凹陷部22所分别形成的至少一第三阻隔区段121或是至少一第三阻隔区段221时，水气则会在至少一第三阻隔区段121或是至少一第三阻隔区段221的区段间形成虹吸现象，由此可以将水气聚集于至少一第三阻隔区段121或是至少一第三阻隔区段221之间，更能使水气不会再继续的渗入至发光二极管，这样即可以有效防止水气所造成发光二极管的发光效率下降，以及发光二极管失效的问题。 综上所述，可知本实用新型与公知技术之间的差异在于本实用新型在该第一支架被埋入于该胶座的该第一内埋端的两侧分别形成该至少一第一阻隔区段，以及在该第二支架被埋入于该胶座的该第二内埋端的两侧分别形成该至少一第二阻隔区段，由于该胶座与该第一支架以及该第二支架两侧分别会产生微小空隙，水气则会由此微小空隙渗入，当水气渗入至该第一内埋端两侧以及该第二内埋端两侧所分别形成的该至少一第一阻隔区段以及该至少一第二阻隔区段时，水气则会在该第一内埋端的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该至少一第二阻隔区段的区段间形成虹吸现象，由此可以将水气聚集于该第一内埋端的该至少一第一阻隔区段或是该第二内埋端的该至少一第二阻隔区段之间，以使得水气不会再继续的渗入至发光二极管，这样即可以有效防止水气所造成发光二极管的发光效率下降，以及发光二极管失效的问题。 由此技术手段可以来解决公知技术所存在现有的发光二极管的导线架构造无法有效防止水气渗入的问题，进而达成发光二极管的导线架构造有效防止水气渗入的技术功效。 虽然本实用新型所描述的实施方式如上，惟所述的内容并非用以直接限定本实用新型的权利保护范围。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许的更动。本实用新型的权利保护范围，仍须以申请的权利要求范围所界定的内容为准。
权利要求一种发光二极管的导线架构造，其特征在于，包含一胶座；一第一支架，具有一第一内埋端埋入于该胶座内，该第一内埋端固接该发光二极管，且该第一内埋端两侧分别形成有至少一第一阻隔区段；及一第二支架，具有一第二内埋端埋入于该胶座内，该第二内埋端与该发光二极管产生电性连接，且该第二内埋端两侧分别形成有至少第二阻隔区段。
2. 如权利要求l所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第一支架的第 一阻隔区段为倒角。
3. 如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第二支架的第 二阻隔区段为倒角。
4. 如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区 段的长度相同，该些第二阻隔区段的长度相同。
5. 如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区 段的长度不同，该些第二阻隔区段的长度不同。
6. 如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些第一阻隔区 段是平均分布于该第一支架边缘，以及该些第二阻隔区段是平均分布于该第二支架边缘。
7. 如权利要求1所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该第一支架的第 一内埋端及该第二支架的第二内埋端两侧形成有至少一凹陷部。
8. 如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该凹陷部与该些 第一、二阻隔区段是由该胶座外部向该胶座内部依序配置。
9. 如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些凹陷部与该 些第一、二阻隔区段是由该胶座内部向该胶座外部依序配置。
10. 如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中该些凹陷部与该 些第一 、二阻隔区段是交错配置于该胶座内部。
11. 如权利要求7所述的发光二极管的导线架构造，其特征在于，其中于该凹陷部形成 有至少一第三阻隔区段。
专利摘要一种发光二极管的导线架构造，通过在埋入胶座的支架边缘形成间断式的阻隔区段所形成的虹吸现象，能够将水气聚集于阻隔区段之间，由此可以达到有效防止水气渗入发光二极管的导线架构造的功效。
文档编号H01L33/62GK201523026SQ20092026776
公开日2010年7月7日 申请日期2009年10月21日 优先权日2009年10月21日
发明者陈立敏 申请人:一诠精密电子工业(昆山)有限公司;一诠精密工业股份有限公司