用于互连的自对准阻挡层的制作方法

专利名称：用于互连的自对准阻挡层的制作方法
用于互连的自对准阻挡层相关申请本专利公开要求2008年3月21日提交的美国专利申请No. 61/038，657 ;2008 年4月8日提交的美国专利申请No.61/043，236 ;2008年6月20日提交的美国专利申请 No. 61/074, 467的权益，在此通过引用这些申请将其全文并入本文。版权声明该专利公开可能包含受版权保护的材料。当其在美国专利和商标局的专利文件或 记录中出现时，版权拥有人对专利文献的任何人的传真复制或专利公开没有异议，但另外 保留任何及所有版权。通过引用而并入在此引用的所有专利、专利申请和公开均通过引用而以全文并入本文，以便更全 面地描述截止在此描述的本发明的日期之前本领域技术人员已知的现有技术。
背景技术：
铜(Cu)正在取代铝作为微电子器件如微处理器和存贮器的布线所选用的材料。 然而，半导体例如硅中铜的存在引起了可妨碍半导体中形成的晶体管正常工作的缺陷。铜 还提高通过置于铜导线之间的绝缘体例如二氧化硅的电流泄漏。因此，铜布线的使用需要 包围铜导线的有效扩散阻挡体，以保持铜限定在其合适的位置。铜还具有沿电子在电路中流动的方向移动的倾向。如果在铜互连中形成足够大的 空位，则该电子迁移过程可导致提高的电阻或甚至开路。大多数这种不希望的移动沿铜的 表面发生。因此，关键是用抑制电迁移的材料包围铜互连来维持长的寿命。金属钽(Ta)在 目前使用的铜互连的底部和侧部起到这种作用。铜布线的顶部(未通过过孔连接到上级的 那些部分)典型地被SiC或Si3N4覆盖，尽管这些材料在阻止铜的电迁移方面不如Ta有效。 SiC或Si3N4还具有缺点，它们具有比绝缘体的余部更高的介电常数，所以它们增加了电路 的电容，并减少了信号可通过线路传输的速度。阻止电迁移提高寿命已经通过含磷的钴钨合金(CoWP)或含硼的钴钨合金(CoWB) 选择地无电沉积在铜导线顶部实现。期望这种选择方法避免这些导电合金在绝缘体表面上 的任何沉积。因此，它应在通过CMP步骤暴露的铜的所有表面的顶部形成自对准导电扩散 阻挡体。然而，这种选择性的故障(breakdown)引起Cu导线之间的绝缘体上方的一些电短 路，使得该方法对大规模生产来说不可靠。该自对准方法的另一个缺点是合金阻挡体保留 在随后由填充Cu的过孔接触的部分Cu上。在这些区域，CoffP或CoWB合金变成电路的一 部分，并增加了其电阻值，该电阻值高于在过孔和合金层下的Cu之间没有合金层时电路将 具有的较低电阻值。铜过孔和下方的铜之间的直接、低阻值接触已经证明，通过使用溅射Cu-Mn合金 籽晶层随后电镀和然后热退火以在Cu-Mn合金和绝缘体之间界面上的形成自对准MnSixOy 扩散阻挡层。假定热退火从Cu-Mn层除去Mn，使得余下的较纯Cu具有低电阻。Mn扩散或 者在绝缘体上形成MnSixOy层，或者Mn扩散到Cu的顶部自由表面，在那里其通过在退火气氛下与氧气反应形成MnOx层(可能χ =幻。该MnOx层随后与其余过量铜一起在CMP过程 中被除去。该方法的缺点是，在假定增加晶粒尺寸从而降低Cu电阻的退火过程中，Cu中存 在Mn杂质。退火过程中Mn杂质的存在可限制晶粒生长，从而增加了 Cu的最终电阻，高于 没有Mn杂质存在时Cu可能具有的电阻。该方法的另一个缺点是，即使在退火后一些Mn杂 质仍可能留在铜中，从而增加了其电阻，该电阻高于纯Cu的电阻。还提出的是，为了形成可以作为扩散阻挡层的MnOx层，在含氧气氛中将Mn扩散到 铜互连的上表面。然而，这样的MnOx层对铜附着性很弱，因此这样的结构的电迁移寿命是 不希望的短的。进一步提出的是，使用CVD或ALD以及含锰金属有机前体和含氧气体形成用于铜 的氧化锰阻挡层。然而，这样的氧化锰阻挡层在绝缘体表面形成，而不是扩散到绝缘体内。 因此，MnO阻挡层占用了否则可以被导电铜金属所占用的空间，因此不希望地增加了铜导线 的电阻。此外，铜对这样的氧化锰阻挡体的附着性可能低于抵抗电迁移的机械稳定性和长 寿命所需的值。概述本技术涉及在微电子学中使用的铜互连，更特别地，涉及确保铜与周围材料之间 牢固附着的材料和技术，提供阻挡体以防止铜从布线扩散出来，保持氧气和水不向铜内扩 散，保持铜导线不受其所承载的电流损害。描述了一种方法，该方法用于在微电子器件中形成自对准扩散阻挡体，而没有退 火期间或退火后于Cu中存在金属杂质的缺点。在一个实施方案中，在含Cu籽晶层沉积之 前，使金属如MruCr或V与过孔和沟槽内的绝缘体表面反应。优选地，将MruCr或V通过保 形化学气相沉积(CVD)方法输送到表面，该方法不涉及使用任何含氧共反应物以及Mn、Cr 或V的前体。因此，通过在过孔底部形成金属氧化物，该方法不增加过孔电阻。金属反应之 后，优选通过CVD沉积Cu籽晶层。籽晶层还可以以铜化合物如铜氧化物(Cu2O),铜氮化物 (Cu3N)或铜氧氮化物(CuOzNw)的形式沉积，随后将铜化合物还原为铜。在本发明另一个方面，刚好在CMP步骤后，将MruCr或V沉积在部分完成的互连的 平坦表面上。在表面的绝缘部分顶部，使MruCr或V与绝缘体中所含的硅和氧反应，以形成 绝缘金属硅酸盐层，例如MnSixOy层，其中金属是锰。在金属Mn在Cu线顶部(填充有Cu的沟 槽顶部)沉积的区域，使锰溶解到Cu的顶层中以形成Cu-Mn合金。然后，在Cu-Mn和MnSixOy 区域上方，形成用于下一较高级绝缘体的绝缘体的包覆沉积(blanket exposition)。在其 中该绝缘体的最初沉积的部分是Si3N4的实施方案中，在沉积期间和/或随后的退火期间， Cu-Mn表面层中的Mn向上扩散以与绝缘体反应，从而在Cu和绝缘体之间形成MnSixNy扩散 阻挡体。该MnSixNy层的存在还增加了铜和其上方的绝缘体之间的附着。这些方面的结合导致强有力的粘附扩散阻挡层和在Cu所有表面包围Cu的附着 层。这些MnSixOy和MnSixNy层提供用于例如生产电子元件、电路、器件和系统的高导电性、 强粘附性和耐久的铜层。在某些实施方案中，本申请描述了形成集成电路互连结构的方法。该方法包括提 供部分完成的互连的结构，该结构包括电绝缘区和导电含铜区，部分完成的互连结构具有 基本上平坦的表面；将选自锰、铬和钒的金属(M)沉积在至少一部分的导电含铜区之上或 之中；将绝缘膜沉积在至少一部分的沉积金属上，其中与所述至少一部分的沉积金属接触的沉积的绝缘膜区域基本上是不含氧的；和使至少一部分的沉积金属与绝缘膜反应以形成 阻挡层，其中导电含铜区基本上是不含金属元素(M)的。在其它实施方案中，该方法包括提供具有过孔或沟槽的部分完成的互连的结构， 该过孔或沟槽包括由一种或多种电绝缘材料限定的侧壁和导电含铜底部区；将选自锰、铬 和钒的金属(M)沉积在部分完成的互连结构上；通过使沉积金属与所述一种或多种电绝缘 材料反应形成第二绝缘侧壁区；将金属从底部区移除或扩散出去，以暴露导电含铜底部区； 和用铜填充过孔或沟槽。在其它实施方案中，锰可以由铬或钒取代。由以下描述和附图以及由权利要求，将清楚本发明的其它的特征和优点。附图简要说明

图1是化学机械抛光(CMP)步骤后根据本发明的部分完成的互连布线结构的示意 横截面图。图2是在金属沉积后的图1的结构。图3是除去金属硅酸盐后的图2的结构。图4是沉积包覆绝缘体后的图3的结构。图5是光刻和蚀刻绝缘体中的过孔和沟槽后的图4的结构。图6是退火后的图5的结构。图7是另一金属沉积后的图6的结构。图8是退火后的图7的结构。图9是籽晶层沉积和填充铜后的图8的结构。图10是化学机械抛光后的图9的结构。图11是在Cu/Si02/Si衬底上CVD Mn的结果的横截面高分辨率的透射显微照片。图12 是在 500°C下退火和蚀刻掉 Cu 后(a)Cu/Si02/Si 和(b)Cu/MnSixOy/Si 的扫 描电镜照片及表面元素分析。图13显示在400°C下退火之前和之后试样(a)Cu/Si02/Si和(b) Cu/MnSix0y/Si02/ Si的电容-电压曲线。图14显示在lMV/cm电场强度下在250°C下退后之前和之后，试样(a) Cu/Si02/Si 和(b)Cu/MnSix0y/Si02/Si的电容-电压曲线。图15显示通过CVD在低k绝缘体上形成的MnSixOy层的横截面图。本发明的详细说明图1显示了用于微电子器件的部分完成的多级布线结构。该结构包括基本上平坦 的表面，该平坦表面包括绝缘区域10 (例如氧化硅)和形成完成的较低级布线顶部的导电 区域20 (例如铜)，这两个区域由扩散阻挡体25分隔。在一些实施方案中，该扩散阻挡体可 以包括硅酸锰。典型地，在该阶段的器件已经通过CMP及随后的清洁而被处理。接下来，将Mn金属沉积在表面上。Mn与绝缘体10的暴露区域反应以形成图2中 标记为30的绝缘MnSixOy层。在表面20的暴露的Cu区，Mn扩散到Cu的上部以形成CuMn 合金40。沉积之前的上表面的位置用箭头45、45'表示。典型地，将Mn沉积在加热的衬底 上。如果衬底温度足够高(典型地超过150°C )且Mn的沉积足够慢，那么Mn的反应和扩散 可能在沉积结束时完成。如果沉积期间与绝缘体的反应以及向Cu中的扩散未完成，那么沉积后的退火可用于完成反应和扩散。可以通过任何常规的方法沉积Mn，包括化学和物理方法。化学方法包括化学气相 沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。物理方法包括溅射和蒸发。因为衬底是平坦的，所以沉积 方法的阶梯(st印)覆盖性对该步骤来说不重要。因此具有差的阶梯覆盖性的物理方法，对 该沉积步骤来说是合适的。CVD法也可用在该步骤中，不论特定的CVD法是否具有良好的阶
梯覆盖性。Mn沉积后MnSixOy层30可以任选地除去，如图3所示。在上一步骤中形成的MnSixOy 层30是电绝缘体，但在一些应用中其泄漏电流可能高于预期。在这种情况下，该金属硅酸 盐层30可以被除去，以便减少器件中的泄漏电流。硅酸盐层30可以通过任何方便的方法 如抛光、湿蚀刻或干蚀刻除去。除去可能是非选择性的，从而与除去硅酸盐同样的速度除去 铜，由此保持平的表面。或者，硅酸盐层30可以选择性地被除去而不除去铜，如图3所示。 由此产生的不平表面要求保形方法来在下一步骤中沉积包覆绝缘体。如图4所示，接着将包覆绝缘体50沉积在该结构上。注意，图4中的结构包括绝缘 层10上方的硅酸盐层30。可以使用本领域中已知的任何方法制备该绝缘层，这些方法包括 等离子增强CVD或旋涂。可以使用包含Si和0的绝缘体组合物。在某些实施方案中，可以 使用包括Si但是基本上不含0的绝缘体组合物，例如SiN、SiC、SiCN等。在某些实施方案 中，绝缘体层可以通过沉积多个绝缘材料的子层构建，每个都为整个绝缘层添加特定功能。 例如，可以使用第一绝缘子层51，例如Si3N4，该层增强了与其下的锰掺杂的铜层的附着。在 某些实施方案中，子层51基本上不含氧。在某些实施方案中，相比通过含氧的子层51的附 着所获得的与锰掺杂铜层的附着，基本不含氧的子层51可以增强与锰掺杂的铜层的附着。 接下来，止蚀(etch-stop)子层52例如碳化硅可以沉积在子层51的顶部。止蚀子层52可 有助于限定用于蚀刻孔洞(过孔)的合适深度。在某些实施方案中，接下来的绝缘子层53 可以是具有非常低的介电常数(典型地k小于约2. 5)的多孔电介质。最终的绝缘子层M 可以是具有较高介电常数(k大于约2. 5)的较致密的非多孔电介质，这可有助于保护较脆 弱的多孔电介质层免于机械损害，以及保持水免于进入多孔电介质的孔中。在某些实施方 案中，子层53和M可以包含Si和0。子层53的另一功能可以是作为止蚀层，用于限定贯 穿子层M的沟槽的底部。如本领域技术人员容易理解的，特定绝缘体层50的许多变体(例 如厚度、层组合、材料组成等)都在本发明的范围内。为简化起见，对本发明中的绝缘层50 的任何参照都应当理解为包括一个或多个在此描述的子层。使用光刻和蚀刻将孔(过孔)100和沟槽110摹刻(pattern)到绝缘体层50中。 最终结构的示意横截面图如图5所示。将该结构退火以在绝缘氧化硅层50和CuMn合金层40之间的界面处形成MnSixNy 层60 (假设使用Si3N4作为子层51)，如图6所示。MnSixNy层60充当阻挡体，抵抗Cu扩散 出层20，还提供Cu 20和绝缘体50之间的强附着。MnSixNy还可以用来防止氧或水由绝缘 体层50扩散到Cu层20中。退火后，将来自于Mn-Cu合金层40的大多数Mn置于MnSixNy 层60中；然而，一些Mn可能在退火期间迁移到层20的上表面以形成氧化锰层(未显示)。 可以通过定向溅射、或通过由气体例如甲酸或由液体酸溶液选择性地蚀刻来除去保留在Cu 表面上的任何氧化锰。这由Cu层20的上表面和接邻的MnSixNy层60之间的轻微凹处65 所显示。
接下来，优选通过保形方法例如CVD或ALD沉积另一 Mn层。该步骤在过孔和沟槽 的壁上形成层80，如果采用氧化硅作为子层M，氮化硅作为子层51，那么该层80可在顶部 附近的MnSixOy和底部附近的MnSixOy之间变化。该步骤可以进一步在绝缘体层50的上表 面形成MnSixOy顶层90，如图7所示。最初在层20的暴露铜表面上形成CuMn合金层70，但 是Mn然后扩散形成多个的绝缘体表面例如层60。如果在沉积结束时不能完成这些层的形 成，则可以采用另外的退火和可能的酸蚀刻以形成图8中所示的结构，其中铜20层基本无 Mn杂质。接下来，优选通过保形方法例如CVD、ALD或IPVD形成Cu的籽晶层。然后，通过电 镀填充过孔和沟槽以形成图9中所示的结构。将该纯Cu层120退火以增加晶粒尺寸并减 小电阻。最后，通过CMP除去多余的铜以构成图10中所示的结构。本阶段与图1的结构相 对应，而又完成一个阶段的布线。在一个或多个实施方案中，使用气相沉积来沉积选自Mn、Cr和V的金属M。式 [M(AMD)Jn的脒基金属(metal amidinate)化合物可以用作前体，其中AMD是脒基配位体， 典型地m = 2或3和m= 1或2。在m = 2和η = 1的情况下，这些化合物可具有以下结
构
权利要求
1.一种用于形成集成电路互连结构的方法，所述方法包括a)提供部分完成的互连结构，该结构包括电绝缘区和导电含铜区，所述部分完成的互 连结构具有基本上平坦的表面；b)将选自锰、铬和钒的金属(M)沉积在至少一部分的导电含铜区之上或之中；c)将绝缘膜沉积在至少一部分的沉积金属上，其中与所述至少一部分的沉积金属接触 的沉积的绝缘膜区基本上是不含氧的；d)使至少一部分的沉积金属与绝缘膜反应以形成阻挡层，其中导电含铜区基本上是不 含金属元素(M)的。
2.权利要求1的方法，还包括进行光刻以在所述绝缘膜中形成至少一个过孔和/或沟槽。
3.权利要求2的方法，还包括沉积第二金属，该第二金属可以与沉积的金属相同或不 同，并使至少一部分的沉积第二金属与绝缘膜反应以形成第二阻挡层。
4.权利要求3的方法，还包括用铜填充至少一个过孔和/或沟槽。
5.权利要求4的方法，还包括抛光铜从而获得具有基本上平坦表面的第二个部分完成 的互连结构，其中所述第二个部分完成的互连结构包括电绝缘区和导电含铜区。
6.权利要求5的方法，其中将所述沉积金属、所述沉积绝缘膜、所述反应、所述进行光 刻、所述填充和所述抛光中的至少一者进行重复。
7.权利要求1的方法，其中采用CVD或ALD进行沉积金属(M)。
8.权利要求1的方法，其中采用物理沉积方法进行沉积金属(M)。
9.权利要求1的方法，还包括将所述沉积金属扩散到至少一部分的导电区以形成铜金 属合金。
10.权利要求9的方法，其中所述扩散包括热退火过程。
11.权利要求1的方法，还包括在所述沉积绝缘膜之前除去沉积在所述电绝缘区上或 与所述电绝缘区反应的任何金属。
12.权利要求11的方法，其中所述除去采用抛光进行。
13.权利要求11的方法，其中所述除去采用化学蚀刻进行。
14.权利要求1的方法，其中所述沉积的绝缘膜包括硅和氮。
15.权利要求1的方法，其中所述反应包括热退火过程。
16.权利要求1的方法，其中金属是锰。
17.权利要求1的方法，其中使用具有式[M(AMD)1Jn的脒基金属来沉积金属，其中AMD 是脒基，m = 2或3，n在1至3范围内。
18.权利要求17的方法，其中脒基金属具有结构
19.权利要求18的方法，其中IMR3J1',R2'和R3'各自独立地是烷基或氟烷基 或甲硅烷基烷基或烷基酰胺基。
20.权利要求18的方法，其中脒基金属包括二(N，N'-二异丙基戊基脒基)合锰(II)， 其中R1H'和R2'为异丙基，R3和R3'为正丁基。
21.权利要求1的方法，其中用具有式(Cp)t^(CO)s的环戊二烯基羰基金属沉积金属， 其中Cp为被至多五个基团取代的环戊二烯基，q、r和s是正整数。
22.权利要求21的方法，其中环戊二烯基羰基金属具有结构
23.权利要求22的方法，其中R1、R2、R3、R4和R5各自独立地是烷基或氟烷基或甲硅烧 基烷基或烷基酰胺基。
24.权利要求21的方法，其中环戊二烯基羰基金属包括三羰基甲基环戊二烯基猛 (MeCp)Mn(CO)3O
25.权利要求1的方法，其中用具有式M(Cp)2的环戊二烯基金属沉积金属，其中Cp是 被至多五个基团取代的环戊二烯基。
26.权利要求25的方法，其中环戊二烯基金属具有结构
27.权利要求26的方法，其中！ 1，! 2、! 3、! 4、! 5、! 1，、! 2，、! 3，、! 4，和R5，各自独立地是烧 基或氟烷基或甲硅烷基烷基或烷基酰胺基。
28.权利要求1的方法，其中所述绝缘膜包括至少一个绝缘子层。
29.权利要求观的方法，其中所述子层包括增强附着性的子层、止蚀子层、多孔介电子 层和较致密介电子层。
30.权利要求四的方法，其中所述增强附着性的子层是氮化硅，所述止蚀子层是碳化 娃，所述多孔介电子层具有低于2. 5的介电常数，且所述较致密介电子层具有超过2. 5的介 电常数。
31.一种用于形成集成电路互连结构的方法，所述方法包括a)提供具有过孔或沟槽的部分完成的互连结构，所述过孔或所述沟槽包括由一种或多 种电绝缘材料限定的侧壁和导电含铜底部区；b)将选自锰、铬和钒的金属(M)沉积在部分完成的互连结构上；c)通过沉积金属与所述一种或多种电绝缘材料反应形成第二绝缘侧壁区；和d)将金属从底部区移除或扩散出去，以暴露所述导电含铜底部区；及e)用铜填充所述过孔或所述沟槽。
32.权利要求31的方法，还包括f)将填充到所述过孔或所述沟槽内的任何过量铜除去，从而获得具有基本上平坦表面 的第二个部分完成的互连结构，所述第二个部分完成的互连结构包括电绝缘区和导电含铜 区。
33.权利要求32的方法，还包括g)将选自锰、铬和钒的第二金属(M)沉积在至少一部分的导电含铜区之上或之中；h)将绝缘膜沉积在至少一部分的沉积第二金属上，其中与所述至少一部分的沉积第二 金属接触的绝缘膜区基本上不含氧；i)使至少一部分的沉积第二金属与绝缘膜反应以形成阻挡层，其中导电含铜区基本上 不含金属元素(M)。
34.权利要求33的方法，还包括j)进行光刻以在所述绝缘膜中形成过孔或沟槽，以便获得具有过孔或沟槽的部分完成 的互连结构。
35.权利要求34的方法，还包括将所述沉积金属、所述形成第二绝缘侧壁、所述移除或扩散出、所述填充、所述沉积第二金属、所述沉积绝缘膜、所述反应和所述进行光刻中的 至少一者进行重复。
36.权利要求31的方法，其中采用CVD或ALD进行沉积所述金属(M)。
37.权利要求31的方法，其中采用物理沉积方法进行所述沉积金属(M)。
38.权利要求33的方法，还包括将所述的沉积第二金属扩散到至少一部分的导电区， 以形成铜金属合金。
39.权利要求38的方法，其中所述扩散包括热退火过程。
40.权利要求31的方法，还包括在所述沉积绝膜之前除去沉积在所述电绝缘区上或与 所述电绝缘区反应的任何第二金属。
41.权利要求40的方法，其中所述除去采用抛光进行。
42.权利要求40的方法，其中所述除去采用化学蚀刻进行。
43.权利要求31的方法，其中电绝缘材料包括硅和氧。
44.权利要求31的方法，其中电绝缘材料包括硅和氮。
45.权利要求33的方法，其中所述反应包括热退火过程。
46.权利要求31的方法，其中金属是锰。
47.权利要求31的方法，其中使用具有结构[M(AMD)Jn的脒基金属来沉积金属，其中 AMD是脒基，m=2或3，n在1至3范围内。
48.权利要求47的方法，其中脒基金属具有结构
49.权利要求48的方法，其中IMR3J1',R2'和R3'各自独立地是烷基或氟烷基 或甲硅烷基烷基或烷基酰胺基。
50.权利要求48的方法，其中脒基金属包括二(N，N'-二异丙基戊基脒基)合锰(II)， 其中R1H'和R2'为异丙基，R3和R3'为正丁基。
51.权利要求31的方法，其中使用具有结构(Cp)t^(CO)s的环戊二烯基羰基金属来沉 积金属，其中Cp为被至多五个基团取代的环戊二烯基，q、r和s是正整数。
52.权利要求51的方法，其中环戊二烯基羰基金属具有结构
53.权利要求52的方法，其中R1、R2、R3、R4和R5各自独立地是烷基或氟烷基或甲硅烧 基烷基或烷基酰胺基。
54.权利要求53的方法，其中环戊二烯基羰基金属包括三羰基甲基环戊二烯基猛 (MeCp)Mn(CO)3O
55.权利要求31的方法，其中使用具有结构M(Cp)2的环戊二烯基金属来沉积金属，其 中Cp是被至多五个基团取代的环戊二烯基。
56.权利要求55的方法，其中环戊二烯基金属具有结构
57.权利要求56的方法，其中！ 1、! 2、! 3、! 4、! 5、! 1，、! 2，、! 3，、! 4，和R5，各自独立地是烧 基或氟烷基或甲硅烷基烷基或烷基酰胺基。
58.权利要求33的方法，其中所述的绝缘膜包括至少一个绝缘子层。
59.权利要求58的方法，其中所述的子层包括增强附着性的子层、止蚀子层、多孔介电 子层，以及较致密介电子层。
60.权利要求59的方法，其中所述增强附着性的子层为氮化硅，所述止蚀子层为碳化 娃，所述多孔介电子层具有低于2. 5的介电常数，所述较致密介电子层具有高于2. 5的介电 常数。
全文摘要
用于集成电路的互连结构，其包括完全包围集成电路中的铜线的硅酸锰和氮化硅锰层，并提供用于制备这种互连结构的方法。硅酸锰形成抵抗铜从布线扩散出的阻挡层，从而保护绝缘体过早断裂，保护晶体管免于被铜降解。硅酸锰和氮化硅锰还增进了铜和绝缘体之间的强有力的附着，因此在制造和使用过程中保持了器件的机械完整性。在铜-硅酸锰和氮化硅锰界面上的强有力的附着还防止器件使用过程中由铜电子迁移引起的失效。含锰包覆层(sheath)还保护铜免于被环境中的氧气或水腐蚀。
文档编号H01L21/768GK102132398SQ200980112816
公开日2011年7月20日 申请日期2009年3月20日 优先权日2008年3月21日
发明者H·金, R·G·戈登 申请人:哈佛学院院长等