引线框架和半导体器件的制造方法

专利名称：引线框架和半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及引线框架和制造半导体器件的方法。
背景技术：
在日本特许专利公开No. H09-082875和HI 1-260995中公开了以在两层堆叠之后 进行焊接的形式使用的通用引线框架。 这类引线框架具有框架和焊接部件。使用焊接部件以方便在两个引线框架堆叠之 后将它们彼此焊接。每个焊接部件都被构造为具有岛部件和多个连接构件，该多个连接构 件将岛部件与框架连接，从而使框架支撑岛部件，就像将其吊起一样。例如，每个连接构件 形成为S形。 难以充分抑制由于引线框架的焊接部件的岛部件的热膨胀导致的应力通过连接 构件传递到框架，并且难以抑制引线框架的变形。

发明内容
根据本发明，提供了一种引线框架，所述引线框架包括将被焊接到另一个引线框 架的焊接部件和框架。所述焊接部件具有提供为岛形的岛部件和多个连接构件，所述多个 连接构件将所述岛部件和所述框架彼此连接。一个连接构件被提供为连接所述岛部件与该 一个连接构件的连接点和该一个连接构件与所述框架的连接点的直线相对于所述岛部件 的外周中连接该一个连接构件的部分和所述框架的内周中连接该一个连接构件的部分中 的至少之一倾斜。 参照图16和图17所示的引线框架100的构造(以下描述)，图17中示出的连接 "连接构件112和岛部件111的连接点113"与"连接构件112和框架103的连接点114"的 直线115的方向与图21中箭头所示的从岛部件111到热膨胀后的岛部件141的变形方向 一致。换言之，直线115与构成岛部件111外周的每个边缘116(图17)正交，并且还与构 成框架103内周的每个边缘118(图17)正交。因此，由于焊接过程中的岛部件111的变形 导致的应力可以通过连接构件112传递到框架103，并且可以使框架103变形。
相反地，在本发明的引线框架中，连接岛部件与一个连接构件的连接点和该一个 连接构件与框架的连接点的直线，相对于岛部件的外周中连接该一个连接构件的部分和框 架的内周中连接该一个连接构件的部分中的至少之一倾斜。因此，由于焊接过程中的岛部 件热膨胀导致的应力可以通过连接构件的挠曲而吸收。换言之，可以通过连接构件12在与 所述直线交叉成某一角度的方向(例如，在正交方向)上的变形来吸收应力。因此，可以缓 和可能传递到框架的应力，并且从而可以抑制除了焊接部件之外的引线框架的整体变形。
根据本发明，还提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括第一步骤，所 述第一步骤分别在第一引线框架的裸片焊盘和第二引线框架的裸片焊盘上安装半导体元件，所述第一引线框架和所述第二引线框架都是本发明的引线框架；第二步骤，所述第二步
骤堆叠所述第一引线框架和所述第二引线框架，从而焊接部件彼此对准，由此得到两层堆
叠；以及第三步骤，所述第三步骤焊接在所述第二步骤中这样堆叠的焊接部件。 根据本发明，可以充分抑制由于引线框架的焊接部件的岛部件的热膨胀导致的应
力通过连接构件传递到框架，从而可以抑制引线框架的变形。


根据下面结合附图对某些优选实施例的说明，本发明的以上和其它目的、优点和 特征将更清楚，其中 图1是示出第一实施例的引线框架的平面图； 图2是第一实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图； 图3是示出第一实施例的引线框架的堆叠状态的平面图； 图4是示出相互焊接第一实施例的引线框架的状态的剖面侧视图； 图5是示出在焊接过程中第一实施例的引线框架的岛部件的热膨胀状态的平面
图； 图6是说明当在焊接过程中第一实施例的引线框架的岛部件引起热膨胀时焊接 部件的表现的平面图； 图7是示出第二实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图8是示出第三实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图9是示出第四实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图10是示出第五实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图11是示出第六实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图12是示出第七实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图13是示出第八实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图14是示出第九实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图；
图15是示出第十实施例的引线框架的焊接部件的放大平面图； 图16是示出在以两层堆叠的形式焊接之后使用的引线框架的比较示例的平面 图； 图17是示出图16所示的引线框架的焊接部件的放大平面图； 图18是示出图16所示的引线框架的堆叠状态的平面图； 图19是示出图16所示的引线框架的焊接状态的剖面侧视图； 图20是示出在焊接过程中图16所示的引线框架的岛部件的热膨胀状态的平面
图；以及 图21是示出由于图16所示引线框架的岛部件的热膨胀导致的引线框架的变形状 态的平面图。
具体实施例方式
为了有利于本发明的理解，在对本发明进行说明之前，将参照图16至图21详细说 明现有技术。
图16是示出以两层堆叠之后被焊接的形式使用的引线框架100的比较示例的平 面图，并且图17是示出图16所示的引线框架100的焊接部件101的放大平面图。
如图16所示，引线框架100被构造为具有半导体器件构成部件102和框架103，半 导体器件构成部件102均构成半导体器件的一部分。 每个半导体器件构成部件102被构造为具有裸片焊盘104、引线105和系杆106。
每个半导体器件构成部件102具有例如两个裸片焊盘104。每个裸片焊盘104通 过例如两条引线105连接到系杆106。 由此构造的引线框架100具有焊接部件101，便于在两个引线框架100堆叠之后将 它们彼此焊接。焊接部件101被设置为包含在框架103中，而不是在半导体器件构成部件 102中。 如图17所示，每个焊接部件101被构造为具有岛部件111和将岛部件111与框架 103连接的多个连接构件112，以使框架103支撑岛部件111，就好像将其吊起一样。每个连 接构件112形成为例如S形。 在如图17所示构造的焊接部件101中，连接"连接构件112和岛部件111的连接 部分113"与"连接构件112和框架103的连接点114"的直线115与连接连接构件112的 岛部件111外周的一个边缘116正交。直线115还与连接连接构件112的框架103的内周 的一个边缘118正交。 接着，将说明使用图16所示的引线框架IOO制造的半导体器件的制造方法。这里
的说明将处理其中制造光电耦合器作为半导体器件的一个示例的示例性情况。 图18是示出堆叠两个引线框架100的状态的平面图，并且图19是示出焊接两个
引线框架100的过程的剖面侧视图。 首先，在彼此接合的两个引线框架100中的一个的单个裸片焊盘104上，安装发光 元件132 (参见图19)，并且在另一个引线框架100的单个裸片焊盘103上，安装光接收元件 133(参见图19)。 每个发光元件132和每个光接收元件133必需在其间保持一定间隔的同时彼此相 对(参见图19)。由于这个原因，在发光元件132或光接收元件133安装在裸片焊盘104 上之前，将单个裸片焊盘104连接到系杆106的引线105被预先弯曲来产生偏移(参见图 19)。 接着，如图18和图19所示，两个引线框架IOO被堆叠为使相应的焊接部件101对 准。 接着，如图19所示，使一对焊接电极131接触一对岛部件111，以通过其提供电流， 从而实行电阻焊。在电流提供的过程中，通过岛部件111中产生的焦耳热，在彼此堆叠的该 对岛部件111之间形成焊核135，从而该对岛部件111彼此接合。 对于半导体器件是光电耦合器的情况而言，必需使发光元件132和光接收元 件133之间的未对准最小化，以确保光的耦合效率达到满意水平。在提高生产率的角 度，同样重要的是，使焊接之后引线框架100的整体变形最小化，以避免组装中的不合格 (non-conformity)，诸如运送失败等等。 图20是示出由于焊接导致引线框架100的岛部件111的热膨胀状态的平面图，并 且图21是示出由于岛部件111的热膨胀导致的框架103的变形状态的平面图。
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引线框架100的岛部件111由于焊接过程中产生的焦耳热引起热膨胀，并且变形 为自身伸展。更具体地，岛部件lll由于热膨胀而变形，常从图20所示的实线表示的几何 形状变形为由点划线表示的几何形状(热膨胀后的岛部件，用附图标记141表示)。
在从岛部件111变形为热膨胀后的岛部件141的过程中，岛部件111将连接构件 111向外推，并且这样被推动的连接构件112使框架103向外膨胀，如图21所示。由于岛 部件111的变形导致的应力以此方式通过连接构件112传递到框架103，从而引线框架100 会在其整个范围内发生变形。因此，发光元件132和光接收元件133会引起未对准，并且这 会例如不期望地劣化光电耦合器中光的耦合效率，引起组装中的不合格，诸如运送失败等， 并且显著地劣化光电耦合器的产率。 注意的是，如图17所示，凭借具有岛部件111的结构，在一定程度上抑制了由于焊 接部件101的变形导致的应力直接传递到框架103，该岛部件111设置于焊接部件101以通 过连接构件112连接到框架103就像将其吊起一样。然而，图16和图17所示的引线框架 100在抑制由于岛部件111的变形导致的应力通过连接构件112传递到框架103的效果方 面是不充分的，仍然会引起如上所述的引线框架100的变形。 现在，在本文中将参照示例性实施例描述本发明。本领域的技术人员将认识到，使 用本发明的教导可以实现许多可供选择的实施例，并且本发明不限于为了说明目的而示出 的实施例。 以下，将参照

本发明的实施例。注意的是，在所有附图中，任何类似的组
件将被赋予相同的附图标记或符号，并且将不再重复对这些组件的说明。
[第一实施例] 图1是示出第一实施例的引线框架10的平面图，并且图2是第一实施例的引线框 架10的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架10具有将被焊接到其它引线框架10的焊接部件1和框架3。 每个焊接部件1具有提供为岛形的岛部件和多个连接构件12，该多个连接构件12将岛部 件11和框架3彼此连接。直线15相对于岛部件11外周的连接该一个连接构件12的部分 (例如，在该实施例中，直线边缘16)和框架3的内周的连接该一个连接构件12的部分(例 如，在该实施例中，直线边缘18)中的至少之一倾斜，其中该直线15将岛部件11和一个连 接构件12的连接点13与该一个连接构件12和框架13的连接点14连接。该实施例的制 造半导体器件的方法包括第一步骤，该第一步骤分别在第一引线框架10a和第二引线框 架10b的裸片焊盘4上安装半导体元件，第一引线框架10a和第二引线框架10b中的每个 是该实施例的引线框架10(例如，在第一引线框架10a的裸片焊盘4上安装发光元件82，并 且在第二引线框架10b的裸片焊盘4上安装光接收元件83);第二步骤，该第二步骤堆叠第 一引线框架10a和第二引线框架10b，从而焊接部件1彼此对准，从而得到两层堆叠；以及 第三步骤，该第三步骤焊接在第二步骤中这样堆叠的焊接部件1。以下描述细节。
首先，将说明引线框架10的构造。 引线框架10以两层堆叠之后焊接的形式来使用。如图1所示，引线框架10被构 造为具有半导体器件构成部件2和框架3，半导体器件构成部件2均构成半导体器件(例 如，以下描述的光电耦合器)的一部分。半导体器件构成部件2在引线框架IO的纵向方向 上以规定间隔放置。
每个半导体器件构成部件2被构造为具有裸片焊盘4、引线5和系杆6，在每个裸 片焊盘4上安装半导体元件(例如，以下描述的发光元件82或光接收元件83)。每个半导 体器件构成部件2通常具有两个裸片焊盘4。每个裸片焊盘4通常通过例如两条引线5连 接到系杆6。 这样构造的弓I线框架10具有焊接部件1 ，以便于在两个弓I线框架10堆叠之后彼此 焊接。焊接部件1设置于框架3，并且没有被包括在半导体器件构成部件2中。
焊接部件1被布置在与引线框架10的纵向方向正交的方向上单个半导体器件构 成部件2的两侧。 如图2所示，每个焊接部件1由框架3中形成的开口 19内部的部分来构造。焊接 部件1被构造为具有设置为岛形的岛部件11和多个连接构件12，该多个连接构件12将岛 部件11和框架3彼此连接，同时使框架3以吊起的方式保持岛部件11。
在该实施例中，岛部件11的外周和框架3的开口 19的内周分别具有多边形几何 形状(更具体来讲，例如，方形)。 岛部件11的外周和框架3的开口 19的内周例如在相同的方位几何对准。更具体 来讲，岛部件11的外周的单个边缘16以一对一的方式与开口 19的内周的单个边缘18对 应，同时保持每对边缘16和边缘18彼此平行相对。 在该实施例中，每个连接构件12被形成为具有直线几何形状。例如，在该实施例 中的连接构件12的数量是对于每一个焊接部件1有4个。 每个连接构件12通常将岛部件11的外周的一个边缘16与开口 19的内周的一个 边缘18连接，该边缘18与正对该一个边缘16的边缘18相邻。 现在参照图2，单个连接构件12被形成为直线15相对于岛部件11的外周的连接 该一个连接构件12的部分(在该实施例中，具有直线轮廓的边缘16)倾斜(或者在该部分 偏离垂直方向)，其中该直线15将"岛部件11和一个连接构件12的连接点13"与"该一个 连接构件12和框架3的连接点14"连接。单个连接构件12也被形成为直线15相对于框 架3的开口 19的内周中连接该一个连接构件12的部分(在该实施例中，具有直线轮廓的 边缘18)倾斜(或者在该部分偏离垂直方向)。 更具体来讲，在该实施例中，在岛部件11外周的边缘16上，岛部件11连接到每个 连接构件12，其中直线15相对于岛部件11外周的边缘16倾斜。另一个方面，在框架3的 开口 19的内周上，框架3连接到每个连接构件，其中直线15相对于框架3的开口 19内周 的边缘18倾斜。 边缘16和直线15之间形成的角度a (小角度)优选地为5°或更大以及85°或 更小，例如，更优选地为15°或更大以及75。或更小。类似地，边缘18和直线15之间形成 的角度P (小角度)优选地为5。或更大以及85。或更小，例如，更优选地为15。或更大以 及75°或更小。 焊接部件1具有四个如上所述的连接构件12。每个连接构件12被设置在围绕假 定为旋转中心的所述岛部件11的中心从每个相邻的连接构件12旋转(360/4) ° = 90°的位置。 可以采用铜合金、42合金和铁合金作为构成引线框架10的材料。当使用铜合金 时，焊接部件1 (特别地，岛部件11)可以具有在其上预先形成的银镀层等，以改进对焊接的润湿。可供选择地，为了省掉组装后的外部焊镀，引线框架10的整个部分或者只有半导体 器件构成部件2可以经受钯电镀等。在图1中示出为对于每个裸片焊盘4具有两条引线5 的半导体器件构成部件2可以替代地具有任意其它数量的引线5。
接着，将说明该实施例的引线框架的制造方法。 例如，首先，通过蚀刻或者模冲压，成巻的片材(厚度大致为0. lmm至0. 2mm)被形 成为具有图1所示外形的引线框架10。根据需要，工件可以可选地经受电镀(如上所述，在 焊接部件1上镀银，或者至少在半导体器件构成部件2上镀钯)。可供选择地，通过蚀刻或 模冲压，预先被电镀的片材可以形成为图l所示的外形。
以此方式，可以得到图1所示的引线框架10。 接着，将说明该实施例的半导体器件的制造方法。以下的说明将处理其中光电耦 合器被制造为半导体器件的示例性情况。 图3是示出两个引线框架10(10a、10b)的堆叠状态的平面图，并且图4是示出两 个引线框架10(10a、10b)彼此焊接的状态的剖面侧视图。 首先，得到第一和第二引线框架10a、10b，第一和第二引线框架10a、10b分别是上 述引线框架10。本文的一个优选示例如下如图3所示，第一引线框架10a和第二引线框架 10b彼此的不同之处只在于，半导体器件构成部件2的布置方向在纵向方向(图3中的横向 方向)上颠倒。接着，在第一引线框架10a和第二引线框架10b中，在一个引线框架10a的 单个裸片焊盘4上安装发光元件82 (参见图4)，并且在另一个引线框架10b的单个裸片焊 盘4上安装光接收元件83 (参见图4)。 现在需要布置每个发光元件82和每个光接收元件83，使其相对同时彼此适当地 隔开的同时(参见图4)。由于这个原因，在裸片焊盘4上安装发光元件82或光接收元件 83之前，将单个裸片焊盘4连接到系杆6的引线5预先弯曲以产生偏移(参见图4)。
接着，如图3和图4所示，两个引线框架10a、 10b被堆叠为对准各自焊接部件1 。
接着，将这样对准的焊接部件1彼此焊接在一起。更具体来讲，如图4所示，使一 对焊接电极81与一对焊接部件1的一对岛部件11接触，以通过其提供电流，从而实行电阻 焊。在电流提供的过程中，由于岛部件111中产生的焦耳热，在彼此堆叠的一对岛部件11 之间形成焊核85，从而该对岛部件11彼此接合。 对于使用具有相对较大的电阻的42合金或铁合金来制造引线框架10的情况，这 里使用的焊接电极81 (参见图4)优选地由热导率大的铜_铬合金制成，这是由于焊接过程 中产生的体热(bulk heat)大。另一个方面，对于使用具有相对较小的体电阻的铜合金来 制造引线框架10的情况，这里使用的焊接电极81优选地由热导率低的钼制成，这是由于产 生的体热小，从而不必防止基于两个引线框架io之间的接触电阻产生的热扩散。
此后，用透光树脂(未示出)包封半导体器件构成部件2中的裸片焊盘4、发光元 件82、光接收元件83和引线5。以此方式，允许每个发光元件82和每个光接收元件83彼 此光学耦合，同时在其间设置由透光树脂构成的包封树脂。进一步使用截光树脂(未示出) 包封由透光树脂构成的包封树脂。然后，通过在半导体器件构成部件2和框架3之间的边 界线进行切割，将它们分开，从而得到作为半导体器件的一个示例的光电耦合器(未示出 整体视图)。 以下将说明操作。
图5是示出在焊接过程中岛部件11的热膨胀状态的平面图，并且图6是说明当焊 接过程中由岛部件11引起热膨胀时焊接部件1的表现的平面图。 引线框架10的岛部件11由于焊接过程中产生的焦耳热而发生热膨胀，并且变形 为自身延伸。更具体来讲，岛部件ll由于热膨胀而变形，通常从图5所示的实线表示的几 何形状变形为由点划线表示的几何形状(热膨胀后的岛部件，用附图标记91表示)。
在从岛部件11变为热膨胀后的岛部件91的过程中，岛部件11将连接构件12向外 推。然而，在该实施例中，岛部件11的变形方向与连接构件12的轴向方向或者直线15的 方向(图2)不一致。因此，岛部件11施加的将连接构件12向外推的力使连接构件12在 与直线15成角度的方向(例如，在与直线15正交的方向)上挠曲，如图6所示。由于连接 构件12挠曲(弯曲)，导致岛部件11如图6中的箭头所示地旋转。 因为焊接过程中由岛部件11的热膨胀导致的应力可以因此由于连接构件12的挠 曲而被吸收，从而可以缓和有可能传递到框架3的应力，从而可以抑制引线框架10的除了 焊接部件l之外的整体变形。 对于半导体器件是光电耦合器的情况，重要的是，最小化发光元件82和光接收元 件83之间的未对准，以确保光耦合效果的令人满意的水平。在改进产率的角度，同样重要 的是最小化引线框架10在焊接之后的整体变形，以避免组装中的不合格，诸如不成功的传 送等。根据作为处理这种情形的措施的该实施例，可以抑制引线框架10的变形，并且从而 可以减少发光元件82和光接收元件83之间的未对准。 此外，即使连接构件12形成为如图2所示的直线几何形状而不是形成为弯曲的几 何形状(例如，S形)，也可以充分抑制由岛部件11热膨胀导致的应力引起的引线框架10 的变形。由于不再需要容纳弯曲的连接构件(参见图17)的大空间，从而现在焊接部件l 可以只布置在小空间中。因此，可以减小引线框架10的宽度(图1中的竖直尺寸)，可以縮 小引线框架10的尺寸，从而可以节省引线框架10的材料成本。 根据上述的第一实施例，引线框架10具有焊接部件1和框架3，焊接部件1将被焊 接到其它引线框架10。每个焊接部件1具有设置为岛形的岛部件11和多个连接构件，该多 个连接构件将岛部件11和框架3彼此连接。直线15相对于岛部件11外周中连接该一个 连接构件12的部分(即，边缘16)和框架3内周中连接该一个连接构件12的部分(S卩，边 缘18)中的至少一个倾斜，其中该直线15将岛部件11和一个连接构件12的连接点13与 该一个连接构件12和框架13的连接点14连接。因此，焊接过程中由岛部件11的热膨胀 导致的应力会由于连接构件12的挠曲而被吸收。换言之，可以通过连接构件12在与直线 交叉成某一角度的方向(例如，在正交方向)上的变形来吸收应力。因此，可以缓和有可能 向框架3传递的应力，从而可以抑制引线框架10的除了焊接部件1之外的整体变形。
更具体来讲，例如，可以抑制使用如上所述的两个引线框架10制造光电耦合器中 焊接期间引线框架10的整体变形以及引线框架10的弯曲。可以抑制发光元件82和光接 收元件83之间的未对准。由于可以因此抑制引线框架10的变形，因此可以抑制制造设施 中引线框架10的不成功传送，从而可以改进产率同时减少不合格产品。
焊接部件1具有n (在该实施例中，例如，n是2或更大的整数，更具体来讲n是4) 个连接构件12，并且每个连接构件12被放置在围绕假定为旋转中心的岛部件11的中心从 每个相邻的连接构件12旋转(360/n)° (更具体来讲，例如，在该实施例中，360/4 = 90° )的位置。因此，岛部件11可以在焊接过程中与岛部件11的热膨胀关联地适当旋转(或者 连接构件12弯曲)，从而可以防止热膨胀造成的应力传递到框架3。 由于连接构件12具有直线的几何形状，从而可以最小化用于布置连接构件12的 空间。因此，可以最小化引线框架10的宽度(图1中的竖直尺寸)，可以縮小引线框架10 的尺寸，从而可以节省引线框架10的材料成本。
[第二实施例] 图7是第二实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是焊接部件1的几 何形状。 在该实施例中，岛部件11的边缘16中的至少任一个不具有与之连接的连接构件 12。更具体来讲，通常如图7所示，岛部件11中只有两个边缘具有与之连接的连接构件12。
更具体来讲，例如，这两个连接构件被放置在围绕假定为旋转中心的岛部件11的中心彼此 旋转(360/2)° = 180°的位置。 根据第二实施例，不仅得到与第一实施例类似的效果，而且将得到以下效果。
由于支撑岛部件11的连接构件12的数量减少，导致岛部件11在其引起热膨胀时 更容易旋转，从而其产生的热应力会更有效地被连接构件12吸收，从而可以更有效地抑制 引线框架的整体变形。
[第三实施例] 图8是第三实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是连接构件12的 几何形状。 在该实施例中，如图8所示，连接构件12形成为L形。边缘16与直线15之间形 成的角度a以及边缘18与直线15之间形成的角度13如第一实施例描述的类似地定义。
根据第三实施例，不仅得到与第一实施例类似的效果，而且将得到以下效果。
在该实施例中，连接构件12具有L形的几何形状，与直线的连接构件12相比可以 更容易地吸收变形。因此，可以更有效地抑制当岛部件11引起热膨胀时引线框架的整体变 形。[第四实施例] 图9是第四实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第二实施例的引线框架10类似，不同的是连接构件12的 几何形状。 在该实施例中，连接构件12形成为L形，这与第三实施例中的连接构件12类似。
根据第四实施例，不仅得到与第二实施例类似的效果，而且将得到以下效果。
在该实施例中，连接构件12具有L形的几何形状，与直线的连接构件12相比可以 更容易地吸收变形。因此，可以更有效地抑制当岛部件11引起热膨胀时引线框架的整体变 形。另外，由于连接构件12的数量减少，使得岛部件11在引起热膨胀时更容易旋转。根据 这些优点的协同效应，可以更有效地吸收岛部件11的热膨胀过程中产生的应力，因此可以 更有效地抑制引线框架的整体变形。
[第五实施例]
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图10是第五实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是焊接部件1的几 何形状以及框架3的开口 19的几何形状。 如图lO所示，在该实施例中，岛部件ll的外周和框架3的开口 19的内周分别具 有弯曲的几何形状(更具体来讲，圆形几何形状)。岛部件11的圆形外周和框架3的开口 19的圆形内周以同心的方式布置。 每个连接构件12将岛部件11的弯曲(例如，圆形)外周和开口 19的弯曲(例如， 圆形)内周彼此连接。 如图10所示，单个连接构件12被形成为直线15相对于岛部件11外周中连接该 一个连接构件12的部分倾斜(或者在该部分偏离垂直方向)，其中该直线15将"岛部件11 和一个连接构件12的连接点13"与"该一个连接构件12和框架3的连接点14"连接。换 言之，岛部件11在其外周的弯曲部分连接到每个连接构件12，并且在每个连接构件12和岛 部件11的连接点13处，直线15相对于岛部件11外周的切线21倾斜。
单个连接构件12还被形成为直线15相对于框架3内周中连接该一个连接构件12 的部分倾斜(或者在该部分偏离垂直方向)。换言之，框架3在其内周的弯曲部分连接到每 个连接构件12，并且在每个连接构件12和框架3的连接点14处，直线15相对于框架3内 周上的切线22倾斜。 切线21和直线15之间形成的角度Y (小角度)优选地为5。或更大以及85。或 更小，例如，更优选地为15°或更大以及75。或更小。类似地，同样，切线22和直线15之 间形成的角度6(小角度)优选地为5°或更大以及85。或更小，例如，更优选地为15°或 更大以及75°或更小。 另外，在该实施例中，焊接部件1具有四个连接构件12，其中每个连接构件12被 放置在围绕假定为旋转中心的所述岛部件11的中心从每个相邻的连接构件12旋转例如 (360/4)° =90°的位置。 根据第五实施例，不仅得到与第一实施例类似的效果，而且将得到以下效果。
通过使框架3的开口 19的几何形状成为弯曲的形状(例如，圆形几何形状)，可以 防止可能从连接构件12施加到框架3的应力集中在框架3的角部23(参见图2)。简而言 之，可以预期分散应力的效果，从而可以更有效地抑制引线框架的整体变形。
[第六实施例] 图11是第六实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第五实施例的引线框架类似，不同的是框架3的开口 19的
几何形状。 如图11所示，在该实施例中，框架3的开口 19的内周具有多边形的几何形状(例 如，更具体来讲，方形的几何形状)，这与第一实施例中的描述类似。这里的岛部件ll通常 布置在开口 19的中心。边缘18和直线15之间形成的角度13以及切线21和直线15之间 形成的角度Y分别如第一实施例和第五实施例中所描述的类似地定义。
根据第六实施例，可以得到与第一实施例的效果类似的效果。
[第七实施例] 图12是第七实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。
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该实施例的引线框架与第五实施例的引线框架类似，不同的是岛部件ll外周的 几何形状。 如图12所示，在该实施例中，岛部件11的外周具有多边形的几何形状(例如，更
具体来讲，方形的几何形状)，这与第一实施例中的描述类似。这里的岛部件11通常布置在 开口19的中心。边缘16和直线15之间形成的角度a以及切线22和直线15之间形成的 角度P分别如第一实施例和第五实施例中的描述类似地定义。
根据第七实施例，可以得到与第五实施例的效果类似的效果。
[第八实施例] 图13是第八实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是焊接部件1的几 何形状。 在第一实施例中，每个连接构件12连接岛部件ll外周的一个边缘16和开口 19 内周的一个边缘18，该边缘18与正对该一个边缘16的边缘18相邻。 相反地，在第八实施例中，每个连接构件12将岛部件11外周的一个边缘16和开
口 19内周的一个边缘18彼此连接，该边缘18与该一个边缘16相对。 边缘16和直线15之间形成的角度a以及边缘18和直线15之间形成的角度P
如第一实施例的描述类似地定义。 根据第八实施例，可以得到与第一实施例的效果类似的效果。
[第九实施例] 图14是第九实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是焊接部件1的几 何形状。 在第一实施例中，描述的示例性情况是直线15从岛部件11外周的边缘16倾斜。 相反地，在该实施例中，直线15与边缘16正交。 边缘18和直线15之间形成的角度13如第一实施例的描述类似地定义。
根据第九实施例，可以得到与第一实施例的效果类似的效果。
[第十实施例] 图15是第十实施例的引线框架的焊接部件1的放大平面图。 该实施例的引线框架与第一实施例的引线框架10类似，不同的是焊接部件1的几 何形状。 在第一实施例中，描述的示例性情况是直线15从框架3内周的边缘18倾斜。相 反地，在该实施例中，直线15与边缘18正交。 边缘16和直线15之间形成的角度a如第一实施例所述类似地定义。
根据第十实施例，可以得到与第一实施例的效果类似的效果。 在以上实施例中被示例为具有L形和直线几何形状的连接构件12可以具有任意 其它的几何形状，例如S形、Z形、弧形等。 在以上实施例中被示例为具有方形或圆形几何形状的岛部件11的外周和框架3 的开口 19的内周可以具有任意其它的几何形状，例如除了方形之外的矩形或者四边形；除 了四边形之外的多边形几何形状(三角形、五边形、六边形等)；包含直线边缘的其它几何形状；以及除了圆形之外的弯曲几何形状(例如，椭圆形、卵形和包含曲线的其它几何形 状)。此外，岛部件11外周的几何形状可以包含直线部分和剩余的弯曲部分，其中单独的连 接构件12可以分别连接到直线部分和弯曲部分。类似地，框架3的开口 19内周的几何形 状可以包含直线部分和剩余的曲线部分，其中单独的连接构件12可以分别连接到直线部 分和弯曲部分。 应该清楚的是，本发明不限于以上实施例，在不脱离本发明的范围和精神的情况 下可以进行改变和修改。
权利要求
一种引线框架，所述引线框架包括框架和将被焊接到其它引线框架的焊接部件，所述焊接部件具有设置为岛形的岛部件和多个连接构件，所述多个连接构件将所述岛部件和所述框架彼此连接，并且设置一个连接构件，使得连接所述岛部件与所述一个连接构件的连接点和所述一个连接构件与所述框架的连接点的直线相对于所述岛部件的外周中连接所述一个连接构件的部分和所述框架的内周中连接所述一个连接构件的部分中的至少之一倾斜。
2. 根据权利要求l所述的引线框架，其中所述岛部件的所述外周具有直线部分，所述一个连接构件连接到所述直线部分， 并且所述直线相对于所述直线部分倾斜。
3. 根据权利要求2所述的引线框架， 其中所述岛部件的所述外周具有多边形的几何形状。
4. 根据权利要求l所述的引线框架，其中所述岛部件的所述外周具有弯曲部分，所述一个连接构件连接到所述弯曲部分， 并且在所述弯曲部分与所述一个连接构件的连接点处，所述直线相对于所述弯曲部分上的 切线倾斜。
5. 根据权利要求4所述的引线框架，其中所述岛部件的所述外周具有圆形的几何形状。
6. 根据权利要求l所述的引线框架，其中所述框架的所述内周具有直线部分，所述一个连接构件连接到所述直线部分，并 且所述直线相对于所述直线部分倾斜。
7. 根据权利要求6所述的引线框架， 其中所述框架的所述内周具有多边形的几何形状。
8. 根据权利要求l所述的引线框架，其中所述框架的所述内周具有弯曲部分，所述一个连接构件连接到所述弯曲部分，并 且在所述弯曲部分与所述一个连接构件的连接点处，所述直线相对于所述弯曲部分上的切 线倾斜。
9. 根据权利要求8所述的引线框架，其中所述框架的所述内周具有圆形的几何形状。
10. 根据权利要求l所述的引线框架，其中所述焊接部件具有n个连接构件，n是2或更大的整数，并且 所述连接构件被布置在围绕假定为旋转中心的所述岛部件的中心从每个相邻的连接 构件旋转(360/n)°的位置。
11. 根据权利要求l所述的引线框架， 其中所述连接构件具有直线的几何形状。
12. 根据权利要求1所述的引线框架，其中所述连接构件具有L形式的几何形状。
13. —种制造半导体器件的方法，所述方法包括第一步骤，所述第一步骤分别在第一引线框架的裸片焊盘和第二引线框架的裸片焊盘 上安装半导体元件，所述第一引线框架和所述第二引线框架中的每一个都是根据权利要求 l所述的引线框架；第二步骤，所述第二步骤堆叠所述第一引线框架和所述第二引线框架，从而所述焊接 部件彼此对准，由此得到两层堆叠；以及第三步骤，所述第三步骤焊接在所述第二步骤中这样堆叠的所述焊接部件。
全文摘要
本发明涉及引线框架和半导体器件的制造方法。该引线框架包括将被焊接到其它引线框架的焊接部件和框架，其中所述焊接部件具有设置为岛形的岛部件和多个连接构件，所述多个连接构件将所述岛部件和所述框架彼此连接，并且一个所述连接构件被设置为连接所述岛部件与所述一个连接构件的连接点和所述一个连接构件与所述框架的连接点的直线相对于所述岛部件的外周(例如，边缘)中连接所述连接构件的部分倾斜，并且还相对于所述框架的内周(例如，边缘)中连接所述连接构件的部分倾斜。
文档编号H01L25/00GK101794759SQ201010004489
公开日2010年8月4日 申请日期2010年1月21日 优先权日2009年1月29日
发明者山田耕司 申请人:恩益禧电子股份有限公司