专利名称：Sot26-3l封装的引线框架结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件封装技术领域，具体为S0T26-3L封装的引线框架结构。
(二)
背景技术：
现有的S0T26-3L封装的引线框架结构见图l，其包括基岛1、电源输入脚2、输出 脚3、地线脚4、芯片5，基岛1与电源输入脚2直接相连相连，基岛1表面点上绝缘胶后，绝 缘胶上放置芯片5。芯片输出焊区6金丝键合输出脚3、芯片接地焊区7金丝键合地线脚4。 由于基岛1与电源输入脚2直接相连相连，故芯片5上的输入焊区8与基岛1任意部位金 丝键合即可。 电源输入脚2通过绝缘胶连接到芯片5底部，电源输入脚2需加上十几伏特，或几 十伏特的电压，由于点胶工艺无法保证绝缘胶精准的厚度和绝缘胶封装工艺中其材料绝缘 强度的不一致，以及成品在实际使用过程中工作时间的长导致温度的升高，造成电源输入 脚2透过绝缘胶，导致芯片5漏电，进而造成静态漏电流会偏大或是逐渐变大，消耗过多的 电能，浪费能源，还会造成产品的失效，降低了产品合格率。
(三)
发明内容
针对上述问题，本发明提供了 S0T26-3L封装的引线框架结构，其不会消耗过多的 电能，不浪费能源，提高了产品的合格率。 其技术方案是这样的其包括基岛、电源输入脚、输出脚、地线脚、芯片，基岛表面 点上绝缘胶后，绝缘胶上放置所述芯片，所述芯片上表面有输出焊区、接地焊区、输入焊区， 其特征在于所述电源输入脚直接连接所述输入焊区。
其进一步特征在于所述电源输入脚直接金丝键合连接所述输入焊区； 所述地线脚连接所述基岛，所述接地焊区金丝键合连接所述基岛或所述地线脚；
所述输出焊区金丝键合连接所述输出脚。 采用本发明的上述结构后，由于电源输入脚直接连接所述输入焊区，故其电能直 接输送至芯片，不会不会消耗过多的电能，不浪费能源，提高了产品的合格率。
(四)
图1是现有的S0T26-3L封装的引线框架结构；
图2是本发明具体实施例一的主视图结构示意图；
图3是本发明具体实施例二的主视图结构示意图。
(五)
具体实施例方式
具体实施例一，见图2，其包括基岛1、电源输入脚2、输出脚3、地线脚4、芯片5，基 岛1表面点上绝缘胶(图中未画出，属于现有成熟技术)后，绝缘胶上放置芯片5，芯片5上 表面有输出焊区6、接地焊区7、输入焊区8，电源输入脚2直接连接输入焊区8，电源输入脚2直接金丝键合连接输入焊区8 ;地线脚4连接基岛l，接地焊区7金丝键合连接基岛1 ;输
出焊区6金丝键合连接输出脚3。 具体实施例二，见图3，其包括基岛1、电源输入脚2、输出脚3、地线脚4、芯片5，基 岛1表面点上绝缘胶(图中未画出，属于现有成熟技术)后，绝缘胶上放置芯片5，芯片5上 表面有输出焊区6、接地焊区7、输入焊区8，电源输入脚2直接连接输入焊区8，电源输入脚 2直接金丝键合连接输入焊区8 ;地线脚4连接基岛1，接地焊区7金丝键合连接地线脚4 ; 输出焊区6金丝键合连接输出脚3。
S0T26-3L具体中文解释如下 SOT:小外形晶体管； S0T26是小外形晶体管的一种具体型号；
S0T26-3L是带有三个引线脚的一种S0T26。
权利要求
SOT26-3L封装的引线框架结构，其包括基岛、电源输入脚、输出脚、地线脚、芯片，基岛表面点上绝缘胶后，绝缘胶上放置所述芯片，所述芯片上表面有输出焊区、接地焊区、输入焊区，其特征在于所述电源输入脚直接连接所述输入焊区。
2. 根据权利要求1所述S0T26-3L封装的引线框架结构，其特征在于所述电源输入脚 直接金丝键合连接所述输入焊区。
3. 根据权利要求2所述S0T26-3L封装的引线框架结构，其特征在于所述地线脚连接 所述基岛，所述接地焊区金丝键合连接所述基岛或所述地线脚。
4. 根据权利要求3所述S0T26-3L封装的引线框架结构，其特征在于所述输出焊区金 丝键合连接所述输出脚。
全文摘要
本发明为SOT26-3L封装的引线框架结构。其不会消耗过多的电能，不浪费能源，提高了产品的合格率。其包括基岛、电源输入脚、输出脚、地线脚、芯片，基岛表面点上绝缘胶后，绝缘胶上放置所述芯片，所述芯片上表面有输出焊区、接地焊区、输入焊区，其特征在于所述电源输入脚直接连接所述输入焊区。
文档编号H01L23/48GK101764119SQ20101000510
公开日2010年6月30日 申请日期2010年1月18日 优先权日2010年1月18日
发明者侯友良 申请人:无锡红光微电子有限公司