专利名称：：光刻用防护薄膜组的制作方法
技术领域：
：本发明是关于一种光刻用防护薄膜组件，其在制造LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示板时作为光刻用遮罩的防尘器使用。
背景技术：
：在LSI、超LSI等半导体装置或是液晶显示板等产品的制造过程中，会用光照射半导体晶圆或液晶用原板以制作形成图案，惟若此时所使用的曝光原版(光刻用遮罩)有灰尘附着的话，由于该灰尘会吸收光，使光反射，除了会让转印的图案变形、使边缘变粗糙之外，还会使基底污黑，损坏尺寸、品质、外观等。因此，这些作业通常是在无尘室内进行，然而即使是在无尘室内进行，想要经常保持曝光原版清洁仍是相当困难，故我们遂在曝光原版的表面贴合防护薄膜组件作为防尘器使用，该防护薄膜组件是将透光性良好的防护薄膜贴附在防护薄膜组件框架上所构成的。此时，异物并非直接附着于曝光原版的表面上，而是附着于防护薄膜上，故只要在光刻时将焦点对准曝光原版的图案，防护薄膜上的异物就不会对转印造成影响。防护薄膜组件的基本构造，是由防护薄膜组件框架与防护薄膜所构成的；防护薄膜是由硝化纤维素、醋酸纤维素、氟类聚合物等物质所构成的，其是透明的，对曝光用光线具备良好的透光性；防护薄膜组件框架是由实施过黑色氧皮铝处理且符合A7075、A6061、A5052等日本工业规格(J即aneselndustrialStandards;JIS)的铝合金、不锈钢、聚乙烯等材料所构成的；我们在防护薄膜组件框架的上部涂布防护薄膜的良好溶媒，让防护薄膜风干接合于防护薄膜组件框架的上部(参照专利文献1)，或是用丙烯酸树脂、环氧树脂或氟树脂等接合剂接合(参照专利文献2、专利文献3);然后，为了在防护薄膜组件框架的下部铺设曝光原版，遂设置由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯酯树脂、丙烯酸树脂以及硅氧树脂等物质所构成的黏着层，以及用来保护黏着层的初縮遮罩黏着剂保护用垫片。当在曝光原版上贴合防护薄膜组件时，防护薄膜组件内部会形成密闭空间。此时，由于防护薄膜不具备透气性，故若温度发生变化的话，该密闭空间内的气体就会膨胀或收縮，进而让防护薄膜朝上方膨起，或朝下方凹陷。为了防止这个问题发生，我们遂在防护薄膜组件框架上设置通气孔(参照专利文献4)。在专利文献4中，如图8所示的，揭示防护薄膜组件框边12，其设有通气孔11;以及防护薄膜组件框边13，其涂布有黏着剂14，该黏着剂14可捕捉侵入到防护薄膜组件的密闭空间内或在防护薄膜组件的密闭空间内存在、产生的尘埃。又，亦有在防护薄膜组件内部不使用黏着剂，而仅在防护薄膜组件框架上设置通气孔的例子(参照图9)。然而，设置一个或多个通气孔的防护薄膜组件，换气的效率较差，若在防护薄膜组件内部的密闭空间内的气压变动，例如，在伴随曝光的遮罩环境下的气压变化不大的话便无法顺利换气，且从防护薄膜组件的构件中所产生的有机或无机气体，会与在光刻步骤的紫外线(i线、g线、KrF雷射、ArF雷射、F2雷射等)的照射、曝光时或在光罩保管时，从防护薄膜组件构件内部脱离而在防护薄膜组件与光罩所形成的密闭空间内产生并滞留形成气体状物质并在曝光时的紫外线下存在于环境中的氨或氰化合物或其他碳氢化合物等发生光化学反应，而产生以硫酸铵等物质作为代表称为所谓雾霭的雾状物质或微小粒子，要解决这些问题是相当困难的。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开昭58-219023号公报[专利文献2]美国专利第4861402号说明书[专利文献3]日本特公昭63-27707号公报[专利文献4]日本特开平3-166545号公报防护薄膜组件会覆盖形成于遮罩基板表面上的图案区域。防护薄膜组件是用来防止异物附着到遮罩基板上而设置的构件，故能隔离该图案区域与防护薄膜组件外部，防止防护薄膜组件外部的尘埃附着到图案表面上。近年来，LSI的布局规则向0.25微米以下微细化进展，随之曝光光源也向短波长化进展，亦即，逐渐从原为主流的水银灯的g线(436nm)、I线(365nm)，转而使用KrF准分子雷射(248nm)、ArF准分子雷射(193nm)、F2雷射(157nm)等雷射光。曝光光线像这样朝短波长化发展，当然曝光光线所拥有的能量也会变高。当使用高能量的光线时，比起习知波长的光线而言，让存在于曝光环境的气体状物质发生反应而在遮罩基板上产生反应物质的可能性就变得更高了。于是，我们遂采取若干对策因应，例如尽量减少无尘室内的气体状物质、彻底洗净初縮遮罩，或从防护薄膜组件的构成物质中排除会发散气体的物质。特别是防护薄膜组件，由于其是直接贴附于遮罩基板上使用的物件，故防护薄膜组件的构成材料，亦即由有机材料所构成的初縮遮罩接合剂、膜层接合剂、内壁涂布剂等物质，其气体发散率宜降低，以改善情况。然而，即使初縮遮罩清洗得再干净或防护薄膜组件构成材料的气体发散特性再怎么降低，也无法完全防止遮罩基板上产生所谓「雾霭(haze)」的雾状异物，而成为半导体制造成品率降低的原因。
发明内容[发明所欲解决的问题]有鉴于上述情事，本发明所欲解决之问题是尽量从防护薄膜组件内部空间减少排除在防护薄膜组件与遮罩的密闭空间内于曝光时引起不良情况的物质。[解决问题之技术手段]为了解决相关问题，本发明人专心致力不断检讨，结果发现，从构成防护薄膜组件的构件产生的气体会在曝光环境下从防护薄膜组件构件中脱离，并滞留在防护薄膜组件与遮罩的密闭空间内，当该气体在曝光时照射到短波长紫外线，便会产生例如硫酸铵或碳氢类化合物等的雾霭。于是，本发明人提出一种从防护薄膜组件的构成要件产生的气体不易滞留于防护薄膜组件内部空间的防护薄膜组件，进而完成一种即使在短紫外光的曝光环境下雾霭的产生率也很低的防护薄膜组件。4亦即，本发明的光刻用防护薄膜组件，在光刻用防护薄膜组件框架上设置多个通气孔，并以防尘用过滤器覆盖该通气孔，其特征为在该框架的通气孔部位上设置锪削加工部，且将该锪削加工部的壁面加工成推拔形状。设置在框架上的通气孔以及锪削加工部在框架的各边上至少设置1处，推拔形状加工的倾斜面角度从与框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度，锪削加工部为圆形或椭圆形，再者锪削加工部可横跨多个通气孔。[对照先前技术之功效]由于本发明将设置在防护薄膜组件框架的外侧面上的通气孔以及覆盖该通气孔的过滤器配置在利用锪削加工方式设置在防护薄膜组件框架外侧面上的凹部的底部，并将该凹部的壁面加工成推拔形状，且让步进器或扫描器的平台高速移动，故能够有效率地导入并排出外部大气，进而如图7所示的，让滞留在防护薄膜组件所形成之密闭空间内的空气有效率地排出，气体便不易停滞于内部。因此具有让遮罩上较不易产生雾霭的效果，而能因应朝短波长化进展的光刻技术。图1是说明图，表示本发明之防护薄膜组件的一个实施例。图2(a)、(b)、(c)是立体说明图，表示设置在本发明之防护薄膜组件框架的通气孔周围的局部整平部的各种实施例，(a)局部整平部为椭圆型，(b)为圆形，(c)为共通包含多个通气孔2的"连续形状"。图3是说明图，表示本发明之局部整平部的推拔角度的定义。图4是例示图，表示设置在本发明之防护薄膜组件框架上的通气孔的配置范例。图5是例示图，表示设置在本发明之防护薄膜组件框架上的通气孔的另一配置范例。图6是例示图，表示设置在本发明之防护薄膜组件框架上的通气孔的其他配置范例。图7是说明图，表示当扫描台移动时在贴合于遮罩基板上的防护薄膜组件内的外部空气的流动情况的例子。图8是表示习知装设有通气孔与黏着剂层的防护薄膜组件的一个实施例。图9是表示习知在防护薄膜组件框架上装设有通气孔的防护薄膜组件的实施例。主要元件符号说明1防护薄膜组件框架2通气孔3(防尘用)过滤器4锪削加工部5(防护薄膜组件框架1的)外侧面6箭号11通气孔12防护薄膜组件框边13防护薄膜组件框边14占着剂515过滤器具体实施例方式本发明是一种光刻用防护薄膜组件，其特征为所装设的防护薄膜组件框架具备被动地让防护薄膜组件内部换气的机构。以下参照附图详细说明本发明。本发明的防护薄膜组件，基本上与一般的相同，均是在防护薄膜组件框架的上端面涂布防护薄膜贴附用接合剂并铺设防护薄膜，此时，通常会在下端面涂布初縮遮罩接合用黏着剂，并在该初縮遮罩接合用黏着剂的下端面以可剥离的方式贴合垫片。此时，该等防护薄膜组件构件的大小跟通常的防护薄膜组件，例如半导体光刻用防护薄膜组件、大型液晶显示板制造光刻步骤用防护薄膜组件等一样，而且，材质也可使用上述习知材质。若更进一步详述，就防护薄膜的种类并无特别限制，例如可使用习知准分子雷射用的非晶质氟聚合物等。非晶质氟聚合物，例如Cytop[旭硝子(股)公司制商品名]、特氟龙AF(DuPont公司制商品名)等。用该等聚合物制作防护薄膜时，可因应需要先将其溶解于溶媒中再使用，例如可将其适当溶解于氟类溶媒中。关于本发明所使用之防护薄膜组件框架的基材，可使用以往所使用的铝合金基材，而宜使用JISA7075、JISA6061、JISA5052等规格的基材，即便使用铝合金基材以外的树脂、玻璃等材料，只要具备足够的强度作为防护薄膜组件框架即可，对材质而言并无特别限制。本发明之防护薄膜组件的其中一个特征，是在防护薄膜组件框架上设置通气孔，并在该通气孔上设置过滤器，且在设置该过滤器的部位的周围形成"局部整平"部份。该典型的防护薄膜组件的实施例表示于图1。在图1中，1为防护薄膜组件框架，在防护薄膜组件框架1上设置通气孔2，并在该通气孔2上覆盖防尘用过滤器3。在防护薄膜组件框架1的外侧部位设置锪削加工部4。对设有通气孔的部位实施锪削加工，是以比通气孔更大的开孔尺寸挖得比过滤器厚度更深，只要不要挖超过防护薄膜组件框架的厚度就没有特别的限制，然而就锪削加工部的壁面而言，角度大于9(T仍是必要的。角度小于9(T的话会形成将通气孔堵塞住的形状，相反的，角度取大一点能够增加流入通气孔的外部气体流量。然而，当角度大于180度，反倒会打乱气体流势，而无法获得增加气体流量的好处。锪削加工部的外形只要能够有效率地导入外部气体流量就没有特别的限制，可采用例如，椭圆形[图2(a)]、圆形[图2(b)]，更可采用横跨多个通气孔2的"连续形状"[图2(c)]。局部整平部，如图3所示的，从防护薄膜组件框架1的外侧面5向内部挖成推拔状，如箭号6所示的，在决定局部整平部推拔角度时，让局部整平部推拔角度比90度大，比180度小。在防护薄膜组件框架的4个侧面(边)分别设置至少一个以上的通气孔。该通气孔的尺寸、形状并无特别限制，惟仍应根据设置于该通气孔上的过滤器的网目尺寸、过滤面积或从这些参数所求出的通气量，选择其尺寸、形状。又，通气孔之目的在于防护薄膜组件内部与外部的换气，让防护薄膜组件内部的污染空气不要滞留，故宜以尽量让防护薄膜组件内部各个角落都能到换气的方式配置通气孔。6我们可将通气孔设置在靠近防护薄膜组件框架的4个角落的部位以及框架中央附近等处所作为配置方式的较佳实施例。亦可考量曝光条件、使用时间，甚至成本等因素，适当改变设置在防护薄膜组件框架上的通气孔数量。防护薄膜组件框架4边之通气孔的设置数量、配置方式与雾霭的产生之间的关系，经过调查实验，得到表1所示的结果。亦即，防护薄膜组件框架使用外寸149mmX122mmX5.8mm，框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架，让设置在互相对向之各长边以及各短边上的通气孔数量相同或不相同，或让长边与短边的通气孔数量相同或不相同，设定出各种不同的组合，ArF准分子雷射的曝光量为500J/cm2，检查"是否产生雾霭"，进行确认实验。用雷射光散射异物检查装置检查"是否产生雾霭"。图4图6表示若干防护薄膜组件框架的通气孔的配置实施例。图4的实施例是准备框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架作为防护薄膜组件框架，并在该框架的各侧面的中央(计4处)以及距离各侧面角落20mm的位置(计8处，合计12处)设置直径0.5mm的通气孔。图5的实施例是使用同样的防护薄膜组件框架，并分别在该框架的各长边的各侧面的10处、短边的各侧面的8处，合计共36处设置0.5mm的通气孔。图6的实施例是分别在长边、短边的对边设置不同数量的通气孔，长边1/长边2为9/3，短边1/短边2为7/3。确认实验的实验条件，代表性地就几个实验编号进行说明。其他实验编号准用之。[实验编号6]:首先，准备框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架作为防护薄膜组件框架，并在该框架的一侧面中央4处，距离角落20mm的位置8处，合计共12处设置直径0.5mm的通气孔。接着以该12处的通气孔作为中心设置宽度10mm、高度5mm、深度lmm、壁面角度135°的推拔形局部整平部。洗净其表面后，使用玻璃细珠，用吐出压约137.lkPa(l.5kg/cm2)的喷砂装置进行1分钟的表面处理，使表面粗糙化。接着将其以NaOH处理液处理10秒钟并洗净之后，以形成电压IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液温18t:中进行阳极氧化处理。接着，进行黑色染色、封孔处理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超纯水与超音波洗净装置进行5分钟的洗净处理。接着，用喷涂装置在该框架的内面涂布lOym的硅氧类黏着剂。接着在该通气孔上设置材质为PTFE、尘埃过滤大小为0.13.0iim、过滤程度达99.9999%、宽度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的过滤器。过滤器设置成除尘用过滤器的构造。接着，将特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)溶解于氟类溶剂FluorinertFC_75(美国3M公司制商品名)调制出浓度8%的溶液。接着，以该溶液在直径200mm、厚度600iim、经过镜面研磨处理的硅基板表面上，用旋涂机形成膜厚为0.8iim的透明薄膜。接着，在该薄膜上用环氧类接合剂Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、宽度与厚度均为5mm的框架，并从硅基板表面剥离之。接着，在如前述所准备的铝合金制框架的一端面上涂布硅氧类黏着剂，在10(TC下加热IO分钟，使其干燥硬化。然后，在该铝合金制框架的另一端面上涂布稀释于氟类溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟类高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品名]并在IO(TC下加热10分钟，使其干燥硬化。准备PET制垫片，利用垫片贴附装置将其贴合于初縮遮罩接合剂上，该垫片贴附装置具备利用CCD相机的影像处理定位机构。接着，将框架密合于准备好的特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR灯加热框架，将框架与薄膜黏合在一起。二个框架让防护薄膜组件框架的接合面向上，并以固定用夹具固定，使其相对位置没有偏差。接着，将防护薄膜组件框架外侧的框抬起固定，对防护薄膜组件框架外侧的薄膜施加约490Pa(0.5g/cm2)的张力。接着，用管式分注器，将FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分钟10微升的速度滴到装设在水平多关节型机械臂上的切断器上，并沿着该防护薄膜组件框架的接合剂部份的周围部位移动切断器，将防护薄膜组件框架外侧不要的薄膜部份切断除去。将完成的防护薄膜组件以表面残留酸成份浓度在lppb以下的条件洗净，并贴附于形成有Cr(铬)测试图案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接着，将其装设在ArF准分子雷射扫描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光强度0.01mJ/cm2/pulse、重复频率4000Hz的光线照射500J/cm2的照射量。以雷射异物检查装置观察经过照射之6英寸光罩上的污染状况，发现测试图案部、玻璃部分均未产生雾霭或异物。[实验编号7]:首先，准备框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架作为防护薄膜组件框架，并在该框架的一长边侧面10处，短边8处，合计共36处设置0.5mm的通气？L。接着在包含该36处通气孔的长边以及短边上设置宽度139mm、高度5mm以及宽度110mm、高度5mm且壁面角度135°的推拔形局部整平部。洗净其表面后，使用玻璃细珠，用吐出压约137.lkPa(l.5kg/cm2)的喷砂装置进行1分钟的表面处理，使表面粗糙化。接着将其以NaOH处理液处理10秒钟并洗净，之后以形成电压IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液温18t:中进行阳极氧化处理。接着，进行黑色染色、封孔处理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超纯水与超音波洗净装置进行5分钟的洗净处理。接着，用喷涂装置在该框架的内面涂布lOym的硅氧类黏着剂。接着在该通气孔上设置材质为PTFE、尘埃过滤大小为0.13.0iim、过滤程度达99.9999%、宽度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的过滤器。过滤器设置成外侧具备化学过滤器的除尘用过滤器构造。接著，将特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)溶解於氟类溶劑FluorinertFC-75(美国3M公司制商品名)调制出浓度8%的溶液。接着，以该溶液在直径200mm、厚度600iim、经过镜面研磨处理的硅基板面上，用旋涂机形成膜厚为0.8iim的透明薄膜。接着，在该薄膜上用环氧类接合剂Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、宽度与厚度均为5mm的框架，并从硅基板表面剥离之。接着，在如前述所准备的铝合金制框架的一端面上涂布硅氧类黏着剂，在10(TC下加热IO分钟，使其干燥硬化。然后，在该铝合金制框架的另一端面上涂布稀释于氟类溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟类高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品8名]并在IO(TC下加热10分钟，使其干燥硬化。准备PET制垫片，利用垫片贴附装置将其贴合于初縮遮罩接合剂上，该垫片贴附装置具备利用CCD相机的影像处理定位机构。接着，将框架密合于准备好的特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR灯加热框架，将框架与薄膜黏合在一起。二个框架让防护薄膜组件框架的接合面向上，并以固定用夹具固定，使其相对位置没有偏差。接着，将防护薄膜组件框架外侧的框抬起固定，对防护薄膜组件框架外侧的薄膜施加约490Pa(0.5g/cm2)的张力。接着，用管式分注器，将FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分钟10微升的速度滴到装设在水平多关节型机械臂上的切断器上，并沿着该防护薄膜组件框架的接合剂部份的周围部位移动切断器，将防护薄膜组件框架外侧不要的薄膜部份切断除去。将完成的防护薄膜组件以表面残留酸成份浓度在lppb以下的条件洗净，并贴附于形成有Cr(铬)测试图案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接着，将其装设在ArF准分子雷射扫描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光强度0.01mJ/cm2/pulse、重复频率4000Hz的光线照射500J/cm2的照射量。以雷射异物检查装置观察经过照射之6英寸光罩上的污染状况，发现测试图案部、玻璃部分均未产生雾霭或异物。[实验编号12]:首先，准备框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架作为防护薄膜组件框架，并在该框架的一侧面中央设置直径0.5mm的通气孔。洗净其表面后，使用玻璃细珠，用吐出压约137.lkPa(l.5kg/cm2)的喷砂装置进行1分钟的表面处理，使表面粗糙化。接着将其以NaOH处理液处理IO秒钟并洗净，之后以形成电压IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液温18t:中进行阳极氧化处理。接着，进行黑色染色、封孔处理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超纯水与超音波洗净装置进行5分钟的洗净处理。接着，用喷涂装置在该框架的内面涂布lym的硅氧类黏着剂。接着在该通气孔上设置材质为PTFE、尘埃过滤大小为0.13.0iim、过滤程度达99.9999%、宽度9.5mm、高度2.5mm、厚度300ym的过滤器。过滤器设置成外侧具备化学过滤器的除尘用过滤器构造。接著，將鐵氟龍AF1600(美國DuPont公司製商品名)溶解於氟类溶劑FluorinertFC_75(美國3M公司製商品名)調製出濃度8%的溶液。接着，以该溶液在直径200mm、厚度600iim、经过镜面研磨处理的硅基板表面上，用旋涂机形成膜厚为0.8iim的透明薄膜。接着，在该薄膜上用环氧类接合剂Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、宽度与厚度均为5mm的框架，并从硅基板表面剥离之。接着，在如前述所准备的铝合金制框架的一端面上涂布硅氧类黏着剂，在10(TC下加热IO分钟，使其干燥硬化。然后，在该铝合金制框架的另一端面上涂布稀释于氟类溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟类高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品名]并在IO(TC下加热10分钟，使其干燥硬化。准备PET制垫片，利用垫片贴附装置将其贴合于初縮遮罩接合剂上，该垫片贴附装置具备利用CCD相机的影像处理定位机构。接着，将框架密合于准备好的特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR灯加热框架，将框架与薄膜黏合在一起。二个框架让防护薄膜组件框架的接合面向上，并以固定用夹具固定，使其相对位置没有偏差。接着，将防护薄膜组件框架外侧的框抬起固定，对防护薄膜组件框架外侧的薄膜施加约490Pa(0.5g/cm2)的张力。接着，用管式分注器，将FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分钟10微升的速度滴到装设在水平多关节型机械臂上的切断器上，并沿着该防护薄膜组件框架的接合剂部份的周围部位移动切断器，将防护薄膜组件框架外侧不要的薄膜部份切断除去。将完成的防护薄膜组件以表面残留酸成份浓度在lppb以下的条件洗净，并贴附于形成有Cr(铬)测试图案的石英玻璃制6英寸光罩基板上。接着，将其装设在ArF准分子雷射扫描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光强度0.01mJ/cm2/pulse、重复频率4000Hz的光线照射500J/cm2的照射量。以雷射异物检查装置观察经过照射的6英寸光罩上的污染状况，虽发现测试图案部并未产生雾霭或异物，但发现玻璃部份产生雾霭。用雷射拉曼光谱分析装置进行分析，确认其为硫酸铵。[实验编号13]:首先，准备框架外寸149mmX122mmX5.8mm、框架厚度2mm的A7075-T651的铝合金制框架作为防护薄膜组件框架，并在该框架的一侧面中央4处，距离角落20mm的位置8处，合计共12处设置直径0.5mm的通气孔。接着以该12处的通气孔作为中心设置宽度10mm、高度5mm、深度lmm、壁面角度90°的局部整平部。洗净其表面后，使用玻璃细珠，用吐出压约137.lkPa(l.5kg/cm2)的喷砂装置进行1分钟的表面处理，使表面粗糙化。接着将其以NaOH处理液处理10秒钟并洗净，之后以形成电压IOV(I.3A)在14%硫酸水溶液、液温18t:中进行阳极氧化处理。接着，进行黑色染色、封孔处理，在表面形成黑色的氧化覆膜。之后使用超纯水与超音波洗净装置进行5分钟的洗净处理。接着，用喷涂装置在该框架的内面涂布lOym的硅氧类黏着剂。接着在该通气孔上设置材质为PTFE、尘埃过滤大小为0.13.0iim、过滤程度达99.9999%、宽度8mm、高度2.5mm、厚度300ym的过滤器。过滤器设置成外侧具备化学过滤器的除尘用过滤器构造。接著，將鐵氟龍AF1600(美国DuPont公司制商品名)溶解於氟类溶劑FluorinertFC-75(美国3M公司制商品名)调制出浓度8%的溶液。接着，以该溶液在直径200mm、厚度600iim、经过镜面研磨处理的硅基板表面上，用旋涂机形成膜厚为0.8iim的透明薄膜。接着，在该薄膜上用环氧类接合剂Aralditer即id[昭和高分子(股)制商品名]接合外寸200mmX200mmX5mm、宽度与厚度均为5mm的框架，并从硅基板表面剥离之。接着，在如前述所准备的铝合金制框架的一端面上涂布硅氧类黏着剂，在IO(TC下加热IO分钟，使其干燥硬化。然后，在该铝合金制框架的另一端面上涂布稀释于氟类溶媒CTSolv180[旭硝子(股)制商品名]中的氟类高分子聚合物CTX[旭硝子(股)制商品10名]并在IO(TC下加热10分钟，使其干燥硬化。准备PET制垫片，利用垫片贴附装置将其贴合于初縮遮罩接合剂上，该垫片贴附装置具备利用CCD相机的影像处理定位机构。接着，将框架密合于准备好的特氟龙AF1600(美国DuPont公司制商品名)的薄膜表面上，之后用IR灯加热框架，将框架与薄膜黏合在一起。二个框架让防护薄膜组件框架的接合面向上，并以固定用夹具固定，使其相对位置没有偏差。接着，将防护薄膜组件框架外侧的框抬起固定，对防护薄膜组件框架外侧的薄膜施加约490Pa(0.5g/cm2)的张力。接着，用管式分注器，将FluorinertFC75(DuPont公司制商品名)以每分钟10微升的速度滴到装设在水平多关节型机械臂上的切断器上，并沿着该防护薄膜组件框架的接合剂部份的周围部位移动切断器，将防护薄膜组件框架外侧不要的薄膜部份切断除去。将完成的防护薄膜组件以表面残留酸成份浓度在lppb以下的条件洗净，并贴附于形成有Cr(铬)测试图案的石英玻璃制6英吋光罩基板上。接着，将其装设在ArF准分子雷射扫描器NSRS306C(Nikon股份有限公司制商品名)上，并在初縮遮罩表面上以曝光强度0.01mJ/cm2/pulse、重复频率4000Hz的光线照射500J/cm2的照射量。以雷射异物检查装置观察经过照射的6英寸光罩上的污染状况，虽发现测试图案部并未产生雾霭或异物，但发现玻璃部份产生雾霭。用雷射拉曼光谱分析装置进行分析，确认其为硫酸铵。以同样方式进行的实验结果整理于表l。[表l]表1:通气孔分布、局部整平部推拔角度之效果<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>注「局部整平部推拔角度」的「0°」是没有局部整平部的意思根据表l，实验编号1、2、10、11、13由于「局部整平角度」不适当，而且实验编号12的「局部整平」这个部份的数量不足，故无法避免"雾霭的产生"。又，我们可附加本发明能够使用的各种基本材料。本发明使用的除尘用过滤器，只要能够设置在前述通气孔的部位上即可，形状、数量、设置位置并无特别限制。过滤器材质可使用例如树脂(PTFE、耐纶66等)、金属(316L不锈钢等)、陶瓷(铝、氮化铝等)等。又，亦宜在该除尘用过滤器的外侧部位装设能够吸附或分解环境中化学物质的化学过滤器。防护薄膜接合用的接合剂可使用习知常用者。例如，丙烯酸树脂接合剂、环氧树脂接合剂、硅氧树脂接合剂、含氟硅氧接合剂等的氟聚合物等，其中以氟类聚合物较适当。氟类聚合物，具体例如氟类聚合物CT69[旭硝子(股)制商品名]。初縮遮罩贴附用接合剂可使用例如双面黏贴胶带、硅氧树脂黏着剂、丙烯酸类黏着剂等。本发明之防护薄膜组件，通常的制造方法是在防护薄膜组件框架的上端面隔着防护薄膜贴合用接合剂层铺设防护薄膜，又通常会在下端面设置初縮遮罩贴附用接合剂层，并在该初縮遮罩贴附用接合剂层的下端面以可剥离的方式贴附脱模层。在此，设置于防护薄膜组件框架上端面的防护薄膜贴附用接合剂层，若有必要会用溶媒稀释，然后涂布在防护薄膜组件框架上端面，加热使其干燥硬化，便可形成。此时，接合剂的涂布方法可采用例如刷毛涂布、喷涂、自动分注器等方法。本发明使用的初縮遮罩接合剂保护用垫片，材质并无特别限制。可使用例如PET、PTFE、PFA、PE、PC、PVC、PP等材质。权利要求一种光刻用防护薄膜组件，其在光刻用防护薄膜组件框架上设置多个通气孔，并以防尘用过滤器覆盖该通气孔，其特征为在该框架的通气孔部位上设置锪削加工部，且将该锪削加工部的壁面加工成推拔状。2.如权利要求1所述的光刻用防护薄膜组件，其中，设置在框架上的该通气孔以及该锪削加工部，是在框架的各边上至少设置1处。3.如权利要求1或2所述的光刻用防护薄膜组件，其中，该推拔状加工的倾斜面角度从与框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度。4.如权利要求1或2所述的光刻用防护薄膜组件，其中，该锪削加工部为圆形。5.如权利要求1或2所述的光刻用防护薄膜组件，其中，该锪削加工部为椭圆形。6.如权利要求1或2所述的光刻用防护薄膜组件，其中，该锪削加工部为矩形。全文摘要本发明所欲解决的技术问题为从防护薄膜组件内部空间尽量减少在防护薄膜组件与遮罩的密闭空间内于曝光时引起不良情况的物质。为解决上述问题，本发明提供一种光刻用防护薄膜组件，其在光刻用防护薄膜组件框架(1)上设置多个通气孔(2)，并用防尘用过滤器(3)覆盖该通气孔，其特征为在该框架的通气孔部位上设置锪削加工部(4)，且将该锪削加工部的壁面加工为推拔形状。设置在框架上的通气孔以及锪削加工部在框架的各边上至少设置(1)处，推拔状加工的倾斜面角度从与框架面垂直的方向量起大于90度而小于180度，锪削加工部为圆形或椭圆形，再者锪削加工部可横跨多个通气孔。文档编号H01L21/027GK101788761SQ20101010020公开日2010年7月28日申请日期2010年1月25日优先权日2009年1月27日发明者永田爱彦申请人:信越化学工业株式会社