专利名称：气体流路结构体以及基板处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及气体流路结构体以及基板处理装置，特别是涉及一种电极可动式基板 处理装置中的气体流路结构体以及具有该气体流路结构体的基板处理装置。
背景技术：
用于对作为基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)实施等离子处理的基板处理 装置包括用于收纳晶圆且能够对内部减压的腔室(处理室)、配置在该腔室内部下部的基 座(susc印tor，载置台)、和在腔室内部与载置台相对地配置的簇射头(shower head)。基 座不仅用于载置晶圆，而且与高频电源相连接而被作为对腔室内部施加高频电力的载置电 极发挥作用，簇射头不仅用于将处理气体导入到腔室内部，而且接地从而作为对置电极发 挥作用。在该种基板处理装置中，利用高频电力对供给到腔室内部的处理气体进行激励而 产生等离子体，利用该等离子体对晶圆实施等离子处理。但是，为了使等离子体合适地分布在腔室内部的簇射头和基座之间的空间内，以 往人们开发了一种通过使基座可动、从而能够调整簇射头和基座之间的空间的高度(以下 称作“间隙”。)的基板处理装置。另外，近年，人们考虑到基板处理装置的周边的布局上的 限制，研究了 一种簇射头可动而基座不可动的基板处理装置。图4是概略地表示形成有可动簇射头的以往的基板处理装置的结构的剖视图。在图4的基板处理装置100中，在圆筒状的腔室101内部，与基座102相对地配置 的簇射头103呈外径与腔室101的内径大致相等的大致圆板状，利用未图示的升降机构，使 该簇射头103在腔室101内部像活塞那样上下移动。另外，在图4中，用实线表示下降到最 下方位置时的簇射头103，用虚线表示上升到最上方位置时的簇射头103。簇射头103包括处理气体导入系统和气体供给管107 ；上述处理气体导入系统由 气体流路104、缓冲室105、气孔106构成；上述气体供给管107与气体供给源(未图示)相 连接，该气体供给源用于将处理气体自外部供给到该处理气体导入系统中。另外，在用于吊 挂支承作为上下移动的电极的簇射头103的轴部分111的外周部，与之同轴状地配置有具 有真空隔断功能的波纹管112。如上所述，簇射头103是可上下移动的，但由于气体供给源 通常是固定不动的，所以气体供给管107需要随着簇射头103的上下移动而进行弯曲。通常，作为用于自固定的流体供给源向可动结构物供给流体的供给管公知有挠性 软管。例如，在模拟航天试验装置中，为了自真空容器向可动的门部护罩(shroud)供给液 化氮，采用挠性软管为挠性绝热配管(例如，参照专利文献1)。但是，如图5所示，挠性软管108由实施了波纹形挤轧加工的多个薄壁的金属管 109、和覆盖该金属管109周围的由金属网制成的编织层110构成，因此，该绕行软管108对 于弯曲的刚性比较高而柔软性不足。因而，在发生了很大的弯曲时，该绕行软管108容易产 生很大的应力，在将该挠性软管108应用在位移量很大的可动结构物中时，该挠性软管108 有可能过早断裂。因此，难以将挠性软管108用作在将处理气体供给到上下方向的位移量 大到例如为70mm、且频繁地上下移动的簇射头103中使用的气体供给管。
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S卩、挠性软管不是以能反复弯曲为前提的构件，具有偶然断裂的使用寿命。因而， 需要将其视作一年左右定期更换的零部件进行处理，在使用寿命期间存在安全隐患。另外， 不以能反复弯曲为前提的一体成型波纹管也存在与挠性软管同样的问题，难以用作将处理 气体供给到频繁地上下移动的簇射头103中的气体供给管。另一方面，也可以考虑将旋转万向接头应用于气体供给管的可动部分，但由于旋 转万向接头具有物理滑动部，所以难以避免产生微粒，因而，不能用在产生微粒会很大程度 地影响最终产品的品质的基板处理装置中。此外，也可考虑应用波纹管来代替挠性软管或旋转万向接头。由于波纹管只由通 过连结几个纵截面形状为人字形的圆环状构件(以下称作“管段(日文二 7 ) (piece) ”) 而成的金属管构成，所以对于弯曲的刚性比较低，富有柔软性。因而，即使将该波纹管用作 频繁位移且位移很大的簇射头103的位移吸收构件，也不会产生很大的应力，因此该波纹 管不会过早断裂。专利文献1 日本特开2003-137200号公报但是，即使将对于弯曲的刚性比较低、富有柔软性的波纹管用作将气体供给到上 下移动的簇射头中的供给管，若只是为了气体配管而使用波纹管，则需要留出相应的设置 空间，特别是难以确保在装设有许多设备的基板处理装置的上部单元的上表面部上的配置 空间，因而，在布局上存在问题。另外，波纹管比挠性软管等昂贵，因而也需要尽量缩短其使用长度、减少使用数量寸。
发明内容
本发明的目的在于提供一种在确保气体流路的设置空间方面不存在布局上的问 题、且能随着可动的电极移动、切实地供给气体的可靠性较高的气体流路结构体以及基板
处理装置。为了达到上述目的，第1技术方案的气体流路结构体，其是基板处理装置的气体 流路结构体，该基板处理装置包括能够对内部进行减压的处理室、配置在该处理室内且用 于载置被处理基板的载置电极、以及与该载置电极相对地配置的对置电极，该基板处理装 置对借助气体流路供给到上述载置电极和上述对置电极之间的处理气体进行激励而产生 等离子体，利用该等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理，该气体流路结构体其特 征在于，该气体流路结构体包括支承构件，其以使上述载置电极和对置电极中的一方能 相对于另一方移动的方式，对该上述载置电极和上述对置电极中的上述一方进行支承；第 1位移吸收压力隔壁，其为环状，在该支承构件贯穿上述处理室壁面的贯穿部处吸收上述 电极相对于上述壁面的位移，该第1位移吸收压力隔壁与上述支承构件同轴状地配置在该 支承构件的外周部，以密封上述处理室内而使该处理室内免受上述支承构件的周边气氛影 响；以及第2位移吸收压力隔壁，其为环状，与该第1位移吸收压力隔壁同轴状地配置在该 第1位移吸收压力隔壁的外周部，利用上述第1位移吸收压力隔壁和上述第2位移吸收压 力隔壁形成环状的第1气体流路。第2技术方案的气体流路结构体根据第1技术方案所述的气体流路结构体，其特 征在于，在上述第2位移吸收压力隔壁的外周部以与该第2位移吸收压力隔壁同轴状的方式设有环状的第3或更多的位移吸收压力隔壁，在上述第2位移吸收压力隔壁的外侧形成 有被彼此相邻的位移吸收压力隔壁相互夹持而成的环状的第2或更多的气体流路。第3技术方案的气体流路结构体根据第1或第2技术方案所述的气体流路结构 体，其特征在于，与上述第1位移吸收压力隔壁的外周部相对地设有引导构件，该引导构件 用于限制上述第1位移吸收压力隔壁被向与该第1位移吸收压力隔壁的长度方向正交的方 向压曲。第4技术方案的气体流路结构体根据第1 3技术方案中的任一项所述的气体流 路结构体，其特征在于，上述位移吸收压力隔壁的截面形状是圆形、椭圆形或矩形。第5技术方案的气体流路结构体根据第1 4技术方案中的任意一项所述的气体 流路结构体，其特征在于，上述位移吸收压力隔壁是波纹管。为了达到上述目的，第6技术方案的基板处理装置包括能够对内部进行减压的 处理室、配置在该处理室内且用于载置被处理基板的载置电极、以及与该载置电极相对地 配置的对置电极，该基板处理装置对被供给到上述载置电极和上述对置电极之间的处理气 体进行激励而产生等离子体，利用该等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理，其特 征在于，该基板处理装置具有用于将处理气体供给到上述载置电极和上述对置电极之间的 气体流路结构体，该气体流路结构体是第1 5技术方案中的任一项所述的气体流路结构 体。采用第1技术方案的气体流路结构体以及第6技术方案的基板处理装置，气体流 路结构体包括支承构件，其以使载置电极和对置电极中的一方能相对于另一方移动的方 式，对该载置电极和对置电极中的一方进行支承；第1位移吸收压力隔壁，其为环状，在该 支承构件贯穿处理室壁面的贯穿部处吸收电极相对于壁面的位移，与支承构件同轴状地配 置在支承构件的外周部，从而密封处理室内以使该处理室内免受支承构件的周边气氛影 响；第2位移吸收压力隔壁，其为环状，与第1位移吸收压力隔壁同轴状地配置在第1位移 吸收压力隔壁的外周部，利用第1位移吸收压力隔壁和第2位移吸收压力隔壁形成环状的 第1气体流路，因此，能够在处理室内设置随着电极的移动而吸收该电极的位移的气体流 路。由此，在确保气体流路的设置位置方面不存在布局上的问题，且能够切实地吸收可动的 电极的位移，稳定地供给气体，并能提高作为气体流路结构体的可靠性。采用第2技术方案的气体流路结构体，由于在第2位移吸收压力隔壁的外周部以 与第2位移吸收压力隔壁同轴状的方式设置环状的第3或更多的位移吸收压力隔壁，并在 第2位移吸收压力隔壁的外侧形成由彼此相邻的位移吸收压力隔壁相互夹持而成的环状 的第2或更多的气体流路，因此，能够将该气体流路结构体应用于使用多个系统的处理气 体的基板处理装置中。采用第3技术方案的气体流路结构体，由于与第1位移吸收压力隔壁的外周部相 对地设置引导构件，因此，能够抑制被暴露在内侧大气、外侧真空中的第1位移吸收隔壁的 压曲。上述引导构件用于限制上述第1位移吸收压力隔壁被向与该第1位移吸收压力隔壁 的长度方向正交的方向压曲。采用第4技术方案的气体流路结构体，由于位移吸收压力隔壁的截面形状为圆 形、椭圆形或矩形，因此，能够加大所应用的位移吸收压力隔壁的变化(variation)。采用第5技术方案的气体流路结构体，由于将波纹管用作位移吸收压力隔壁，因此，能够随着可动的电极的移动来吸收该电极的位移，能够切实地供给气体，提高作为气体 流路结构体的可靠性，且能极力减少微粒。
图1是概略地表示具有本发明的实施方式的气体流路结构体的基板处理装置的 结构的剖视图。图2是图1中的第1波纹管(第2波纹管与之相同)的局部放大图。图3是概略地表示本发明的实施方式的变形例的结构的剖视图。图4是概略地表示形成有可动簇射头的以往的基板处理装置的结构的剖视图。图5是挠性软管的局部放大图。
具体实施例方式下面，参照
本发明的实施方式。图1是概略地表示具有本发明的实施方式的气体流路结构体的基板处理装置的 结构的剖视图。该基板处理装置用于对晶圆实施干法蚀刻处理。在图1中，基板处理装置10具有用于收纳例如直径为300mm的晶圆W的圆筒状的 腔室11 (处理室)，在该腔室11内部的图中下部的位置上配置有用于载置半导体器件用的 晶圆W的圆板形状的基座12(载置电极)，腔室11的图中上端被可开闭的圆板状的盖部13覆盖。利用TMP (Turbo Molecular Pump,涡轮分子泵)以及 DP (Dry Pump，干式泵)(两 者均未图示)等对腔室11内进行减压，另外，利用可变压力控制阀(未图示)控制腔室11 内部的压力。另外，由于即使在半导体器件上附着有纳米等级的微粒，也还是会导致缺陷， 所以在干法蚀刻处理之前要先对腔室11内部实施清洗处理来去除微粒。基座12借助第1匹配器15与第1高频电源14相连接、且借助第2匹配器17与 第2高频电源16相连接，第1高频电源14对基座12施加频率比较低的、例如3. 2MHz的高 频电力即偏压电力，第2高频电源16对基座12施加频率比较高的、例如40MHz的高频电力 即等离子产生电力。然后，基座12对腔室11内部施加等离子产生电力。在基座12的上部配置有在内部具有静电电极18的静电吸盘(chuck) 19。静电吸 盘19由圆板状的陶瓷构件构成，静电电极18与直流电源20相连接。在对静电电极18施 加正的直流电压时，在晶圆W的面对静电吸盘19 一侧的面(以下称作“背面”)上产生负电 位，从而在静电电极18以及晶圆W的背面之间产生电位差，利用由该电位差引发的库仑力 或约翰逊 拉别克(Johnson Rahbeck)力将晶圆W吸附保持在静电吸盘19上。另外，在基座12上围着被吸附保持的晶圆W地载置有环状构件即聚集环(focus ring) 21 聚集环22由导体、例如与构成晶圆W的材料相同的单晶硅构成。由于聚集环21 由导体构成，因此，等离子体的分布区域不仅限于晶圆W上而且扩大到该聚集环21上，从而 将晶圆W的周缘部上的等离子体密度保持成与该晶圆W的中央部上的等离子体密度相同的 程度。由此，能够保持对整个晶圆W表面实施的干法蚀刻处理的均勻性。在基座12的图中上部，以与基座12相对的方式配置有簇射头22。簇射头22包 括具有很多气孔23的导电的上部电极24、吊挂支承能装卸的该上部电极24的冷却板25、和进一步吊挂支承该冷却板25的作为支承构件的轴26。上部电极24接地，从而其被作为 相对于向腔室11内部施加的等离子产生电力的接地电极(对置电极)发挥作用。上部电 极24的外径与腔室11的内径大致相同，并且上部电极24配置在腔室11内部，与腔室11 间隙配合。轴26贯穿盖部13 (壁面)，并且该轴26的上部与配置在基板处理装置10上方的 升降机构(未图示)相连接。该升降机构使轴26沿图中的上下方向移动，在升降机构使轴 26上下移动的过程中，具有上部电极24的簇射头22在腔室11内像活塞那样上下移动。由 此，能够调整位于簇射头22和基座12之间的空间的高度，即，能够调整簇射头22和基座12 之间的间隙。簇射头22的沿图中上下方向的移动量的最大值例如为70mm。轴26可能与盖部13摩擦，从而可能成为微粒的产生源。因而，用作为第1位移吸 收隔壁的第1波纹管31覆盖轴26的外周表面。轴26呈圆柱状，圆筒状的第1波纹管31 与轴26呈同心圆状地配置。第1波纹管31的图中上方的一端与盖部13的下表面接合，图 中下方的一端与簇射头22的冷却板25的上表面接合。由此，在轴26贯穿盖部13的贯穿 部处吸收电极相对于盖部13 (壁面)的位移，从而将轴26的周边气氛和腔室11内密封起 来，保持腔室11内部与大气的隔绝状态。在第1波纹管31的外周部，与该第1波纹管31相邻且与该第1波纹管31呈同心 圆状地配置有呈圆形截面的第2波纹管32，该第2波纹管32作为第2位移吸收压力隔壁。 第2波纹管32具有将与第1波纹管31之间的规定空隙包括在内的直径。第2波纹管32 的图中上方的一端与盖部13的下表面接合，图中下方的一端与簇射头22的冷却板25的上 表面接合。第1波纹管31与第2波纹管32之间的间隙构成气体流路35。气体流路35借 助贯穿盖部13的处理气体供给管36与气体供给系统(未图示)相连接。另外，气体流路 35借助气孔38与冷却板25内部的缓冲室29连通。缓冲室29利用多个气孔23与腔室11 的内部连通。处理气体自气体供给系统起经由处理气体供给管36流入由第1波纹管31和 第2波纹管32形成的气体流路35，之后经由气孔38流入冷却板25内部的缓冲室29，经由 多个气孔23被导入到腔室11的内部。图2是图1中的第1波纹管(也适用于第2波纹管)的局部放大图。在图2中， 左半部分表示截面，右半部分表示侧面。在图2中，第1波纹管31由金属管构成，该金属管通过沿长度方向连结许多个纵 截面(沿长度方向的截面)形状为人字形的圆环状构件(以下称作“管段(日文二 7 ) (piece) ”)31a而成。在各管段31a中，通过对成形为锥状的2个金属圆环板31b的末端之 间进行焊接而将它们接合起来。即、只有人字形的顶部被焊接部31c接合，因此相对于图中 箭头A方向的伸缩的刚性低，富有柔软性，从而沿箭头A方向容易伸缩。另外，由于各管段 31a的与长度方向垂直的截面为圆环形状、且各管段31a由金属构成，因此第1波纹管31基 本不会发生扭转。返回到图1，在使簇射头22沿上下方向移动时，使未图示的升降机构工作。通过使 升降机构工作，使与轴26相连结的簇射头22相对于基座12的相对位置发生变化，但是用 于形成气体流路35的第1波纹管31以及第2波纹管32分别随着簇射头22的上下方向的 移动而进行伸缩，从而吸收相对位置的变化。结果，即使簇射头22沿图中的上下方向移动， 气体流路35也能始终与处理气体导入系统相连接而供给处理气体。
上述基板处理装置10的各构成零件的动作、例如第1高频电源14、第2高频电源 16的动作，由基板处理装置10所具有的控制部(未图示)的CPU依据与干法蚀刻处理相应 的程序进行控制。在该种结构的基板处理装置10中，首先为了使等离子体适当分布，驱动升降机构 (未图示)而使轴26沿图1中的上下方向移动，从而调整基座12与簇射头22之间的间隙。 接着，经由处理气体供给管36将处理气体供给到腔室11内。处理气体供给管36内流动的 处理气体在例如被设在处理气体供给管36上的过滤器去除微粒后，流入气体流路35，之后 经由冷却板25内部的缓冲室29以及气孔23而流入腔室11内。流入到腔室11内的处理 气体被向腔室11内部施加的等离子产生电力激励而成为等离子体。等离子体中的阳离子被下述负的偏压电位向载置在基座12上的晶圆W吸引，从而 对该晶圆W实施干法蚀刻处理，上述负的偏压电位是由施加在基座12上的偏压电力引发 的。采用本实施方式，在用于支承簇射头22的轴26周围与之呈同心圆状地配置有伸 缩自如的第1波纹管31以及第2波纹管32，由该第1波纹管31以及第2波纹管32形成基 板处理装置10的用于将处理气体导入基座12与簇射头22之间的气体流路，因此容易确保 气体流路的设置空间，并能随着簇射头22的上下方向的移动，吸收簇射头22移动的位移， 由此能够稳定且切实地将处理气体供给到簇射头22内，提高了可靠性。采用本实施方式，由于在具有可上下移动的簇射头的基板处理装置中，将第1波 纹管31灵活地应用为伸缩的气体流路35的构成构件，因此，能够将使气体流路伸缩的构造 和吸收簇射头的上下移动的结构一体化，由此能够将零件件数的增加量抑制在所需的最小 程度内，该第1波纹管31是预先设置的、且被作为将腔室内空间与大气隔绝开的压力隔壁。 另外，由于将伸缩的气体流路35设在腔室内，因此也不会使腔室上方的结构变得复杂。在本实施方式中，优选应用例如内径在小100mm以上的第1波纹管31和第2波纹 管32。由此，气体流路35的导流能力比通常的气管大，从而例如能够极力地缩小第1波纹 管31与第2波纹管32之间的间隙。S卩、第1波纹管31与第2波纹管32之间的间隙的设 定较大程度地依赖于波纹管的动作边界(margin)的设计。但是，需要确保第1波纹管31 与第2波纹管32之间的间隙是能够应对妨碍压曲等垂直动作的现象的最低限度的间隙、例 如10mm左右。在本实施方式中，由于波纹管对于伸缩富有柔软性、且在伸缩时不会产生很大的 应力，因此能够防止气体流路35的过早断裂，从而提高可靠性。在本实施方式中，将第1波纹管31以及第2波纹管32的截面形状形成为圆形，但 除圆形外，例如也可以形成为椭圆形、矩形等。在本实施方式中，只有第1波纹管31作为将腔室内空间与大气隔绝开的压力隔壁 发挥作用。因而，需要使第1波纹管31比第2波纹管32更能承受“内压>>外压”这样的 压力的状态，因此需要考虑防止压曲的对策(例如设置引导构件)。因而，优选将用于防止 压曲的引导构件设在第1波纹管31的外周部。第2波纹管32用于形成气体流路35，气体流路35与腔室11内连通，因而气体流 路35被与腔室11的内部同样地被减压。因而，没有特别要求第2波纹管32要具有像隔绝 真空与大气的第1波纹管31那样的功能。另外，即使在同轴状地配置3个或更多的波纹管
8来形成多个系统的气体流路的情况下，作用在第1波纹管之外的其它波纹管上的真空应力 也不会极端地增大。在本实施方式中，将波纹管用作位移吸收隔壁，但也可以应用具有磁流体密封构 件的滑动密封构造来代替波纹管。但是，由于滑动密封构造具有滑动部，因此需要实施防止 微粒产生的对策。在本实施方式中，说明了簇射头22沿上下方向移动的情况，但本发明同样也能够 应用于在例如配置在腔室11内部下部的基座12沿上下方向移动的情况。具体而言，在基 座12沿上下方向移动、且需要自外部向该基座12供给气体的情况下，通过在将支承基座12 支承为移动状态的轴上，与该轴同轴状地配置多个波纹管，能够形成与外部的气体供给源 相连接的基板处理装置内的气体流路。图3是概略地表示本实施方式的变形例的结构的剖视图。在图3中，该基板处理装置中，将图1的基板处理装置中的处理气体供给系统以及 气体流路作为2个系统，将2个系统中的气体供给到腔室11内。在图3中，对于与图1相 同的结构标注相同的附图标记，省略对其说明。该基板处理装置50与图1中的基板处理装置的不同之处在于，在第2波纹管32 的外周部与之隔开规定间隔地设置第3波纹管33，从而将第2波纹管32与第3波纹管33 之间的间隙作为第2气体流路45。另外，将缓冲室29划分为内侧缓冲室29a和外侧缓冲室 29b，借助气孔38使第1气体流路35与内侧缓冲室29a连通，借助气孔39使第2气体流路 45与外侧缓冲室29b连通。在本种结构的基板处理装置50中，将彼此不同的2个系统中的处理气体分别经由 处理气体供给管36以及处理气体供给管46供给到第1气体流路35以及第2气体流路45 中。在处理气体供给管36以及处理气体供给管46上设有例如用于去除包含在处理气体中 的微小且微量的微粒的过滤器。第1系统的处理气体被过滤器去除了微粒后，流入气体流 路35，之后经由气孔38、缓冲室29a以及气孔23被导入到腔室11内部。并且第2系统的 处理气体被过滤器去除了微粒后，流入气体流路45，之后经由气孔39、缓冲室29b以及另一 气孔23被导入到腔室11内部。被导入到腔室11内的2个系统的处理气体被向腔室11内 部施加的等离子产生电力激励而成为等离子体。等离子体中的阳离子被下述负的偏压电位向载置在基座12上的晶圆W吸引，从而 对该晶圆W实施干法蚀刻处理，该负的偏压电位是由施加在基座12上的偏压电力引发的。在本实施方式中，与上述实施方式同样地也能容易地确保气体流路的设置空间， 并能随着簇射头22的上下方向的移动，吸收该簇射头22的位移，从而能稳定且切实地将处 理气体供给到簇射头内，因此提高了可靠性。在本实施方式中，气体流路并不限定于2个系统，也可以通过依次增加同轴状的 波纹管的数量来对应于3个系统或更多个系统的气体流路。另外，在上述本实施方式中，将实施有干法蚀刻处理的基板作为半导体器件 用的晶圆进行了说明，但实施有干法蚀刻处理的基板并不限于此，例如也可以是具有 LCD (Liquid CrystalDisplay 液晶显示器)的 FPD(Flat Panel Display 平板显示器)等玻
璃基板。
权利要求
一种气体流路结构体，其是基板处理装置的气体流路结构体，该基板处理装置包括能够对内部进行减压的处理室、配置在该处理室内且用于载置被处理基板的载置电极、以及与该载置电极相对地配置的对置电极，该基板处理装置对经由气体流路供给到上述载置电极和上述对置电极之间的处理气体进行激励而产生等离子体，利用该等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理，其特征在于，该气体流路结构体包括支承构件，其以使上述载置电极和上述对置电极中的一方能相对于另一方移动的方式，对该上述载置电极和上述对置电极中的上述一方进行支承；第1位移吸收压力隔壁，其为环状，在该支承构件贯穿上述处理室壁面的贯穿部处吸收上述电极相对于上述壁面的位移，该第1位移吸收压力隔壁与上述支承构件同轴状地配置在该支承构件的外周部，以密封上述处理室内而使该处理室内免受上述支承构件的周边气氛影响；以及第2位移吸收压力隔壁，其为环状，与该第1位移吸收压力隔壁同轴状地配置在该第1位移吸收压力隔壁的外周部；利用上述第1位移吸收压力隔壁和上述第2位移吸收压力隔壁形成环状的第1气体流路。
2.根据权利要求1所述的气体流路结构体，其特征在于，在上述第2位移吸收压力隔壁的外周部以与该第2位移吸收压力隔壁同轴状的方式设 有环状的第3或更多的位移吸收压力隔壁，在上述第2位移吸收压力隔壁的外侧形成有被 彼此相邻的位移吸收压力隔壁相互夹持而成的环状的第2或更多的气体流路。
3.根据权利要求1或2所述的气体流路结构体，其特征在于，与上述第1位移吸收压力隔壁的外周部相对地设有引导构件，该引导构件用于限制上 述第1位移吸收压力隔壁被向与该第1位移吸收压力隔壁的长度方向正交的方向压曲。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的气体流路结构体，其特征在于，上述位移吸收压力隔壁的截面形状是圆形、椭圆形或矩形。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的气体流路结构体，其特征在于，上述位移吸收压力隔壁是波纹管。
6.一种基板处理装置，其包括能够对内部进行减压的处理室、配置在该处理室内且 用于载置被处理基板的载置电极、以及与该载置电极相对地配置的对置电极，该基板处理 装置对被供给到上述载置电极和上述对置电极之间的处理气体进行激励而产生等离子体， 利用该等离子体对上述被处理基板实施等离子体处理，其特征在于，该基板处理装置具有用于将处理气体供给到上述载置电极和上述对置电极之间的气 体流路结构体，该气体流路结构体是权利要求1 5中任一项所述的气体流路结构体。
全文摘要
本发明提供一种提供在确保气体流路的设置空间方面不存在布局上的问题且能随着可动的电极移动、切实地供给气体的可靠性较高的气体流路结构体以及具有该气体流路结构体的基板处理装置。基板处理装置包括对内部减压的处理室；以使配置在处理室内的对置电极相对于载置电极移动的方式支承对置电极的轴；环状的第1波纹管，在轴贯穿处理室的壁面的贯穿部处吸收对置电极相对于壁面的位移，与轴同轴状配置在轴的外周部，密封处理室内以使处理室内免受轴的周边气氛影响；与第1波纹管同轴状地配置在第1波纹管的外周部的第2波纹管，利用第1波纹管和第2波纹管形成环状的气体流路。
文档编号H01L21/00GK101853777SQ201010102550
公开日2010年10月6日 申请日期2010年1月22日 优先权日2009年3月31日
发明者林大辅 申请人:东京毅力科创株式会社