专利名称：散热型覆晶封装结构及其应用的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种覆晶(flip-Chip)封装结构，特别是关于一种散热型覆晶封装结构。
背景技术：
覆晶封装也称为「倒晶封装」，是芯片封装技术的一种。此封装技术有别于过去的芯片封装，主要在于以往是将芯片贴附在垫片(chip pad)上，再用打线法(wire bonding)将芯片与基板上的连结点连接，而覆晶封装是将芯片的连接点沉积成凸块 (bump)，然后将芯片翻转(flip)过来使凸块与基板上的连结点直接连结。覆晶封装可以达到低讯号干扰、电性佳、最低连接电路损耗及有效率的散热途径。应用于微细间距(fine pitch)、高频或输入输出(I/O)脚数很多时，覆晶技术就可以展现其优点。未来电子产品持续朝向轻薄短小、高速、高脚数发展，以导线架为基础的传统封装将渐不适用，其应用范围也将局限于低阶/低单价的产品。在未来覆晶封装的发展趋势上， 依然会朝着高脚数、细间距的目标前进。因此，需要有散热能力较高的覆晶封装结构。
发明内容
本发明的目的之一，在于提出一种散热型覆晶封装结构及其应用。根据本发明，一种散热型覆晶封装结构包含具有引脚的导线架，具有凸块及晶背金属的芯片置于该导线架下方，该凸块在该芯片的上表面与该引脚电性连接，该晶背金属在该芯片的下表面，以及包覆该芯片及该导线架的封装胶体，裸露出该晶背金属。根据本发明，若将该覆晶封装结构应用于电路板上，则将该芯片的凸块及引脚与电路板的金属电性连接，以及将该芯片的晶背金属与电路板上的导热材料热接触。根据本发明，芯片的热能可以通过晶背金属向外部传导，散热效果较佳。
图1是本发明所使用的芯片结构；图2是本发明的第一实施例；图3是本发明的第二实施例；以及图4是图2的实施例的应用示意图。
具体实施例下面结合说明书附图对本发明的具体实施方式
做详细描述。图1是本发明所使用的芯片结构，芯片10的连接点有凸块12供电性连接外部电路。除了凸块12之外，芯片10的背面贴附一晶背金属14，用以将芯片10的热能往外部传导。本申请文件中，所述“晶背金属”即为置于芯片背面的金属，主要用于散热，因此要求该金属的热传导系数高，散热效果好，也可称之为“散热金属”；常见的，该晶背金属可以是银、锡等等，后续不再赘述。图2是本发明的第一实施例，其包含具有多个引脚162的导线架16，以及封装胶体 18包覆凸块12、芯片10的部分区域以及导线架16的部份区域。芯片10不需要像现有的覆晶封装被翻转，而是直接倒置于导线架16下，引脚162和凸块12形成电性连接，但是还是与现有的覆晶封装一样具有低讯号干扰、电性佳、最低连接电路损耗及有效率的散热途径等优点。晶背金属14裸露于封装胶体18外，使芯片10直接向外部环境散热，因此具有更好的散热效果。在此实施例中，导线架16的引脚162仅部分被封装胶体18包覆，另部分形成外引脚。图3是本发明的第二实施例。与图2的实施例相同，芯片10倒置于导线架16下， 引脚162和凸块12形成电性连接，晶背金属14裸露于封装胶体20外。但是本实施例的导线架16完全被封装胶体20包覆，因此无外引脚延伸到封装胶体20外，只有裸露出引脚162 的部分下表面164。图4是图2的实施例的应用示意图。将图2的覆晶封装置于电路板22上，芯片10 通过凸块12及引脚162与电路板22的金属M电性连接，晶背金属14热接触电路板22上的导热材料26。可以将晶背金属14焊接导热材料沈，或将导热胶涂布在二者之间。芯片 10在工作期间，其产生的热经晶背金属14传递到导热材料沈上，因此可以使芯片10于稳定的工作温度下。在其它实施例中，电路板22上的导热材料沈可直接使用电路板22的金属24。以上，仅为本发明的较佳实施例，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
权利要求
1.一种散热型的覆晶封装结构，其特征在于，包含 具有引脚的导线架；具有凸块及晶背金属的芯片，置于该导线架下方，该凸块在该芯片的上表面与该引脚电性连接，该晶背金属在该芯片的下表面；以及包覆该芯片及该导线架的封装胶体，裸露出该晶背金属，使其可接触到外部电路板上的导热材料。
2.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征在于，该封装胶体包覆该凸块、该导线架的部份区域以及该芯片的部分区域，露出该导线架的引脚。
3.如权利要求2所述的覆晶封装结构，其特征在于，该封装胶体露出该引脚的部分下表面。
4.一种如权利要求1所述的覆晶封装结构的应用，将该覆晶封装结构应用于电路板上，其特征在于，包括将该芯片的凸块及引脚与电路板的金属电性连接，以及将该芯片的晶背金属与电路板上的导热材料热接触。
全文摘要
本发明公开一种散热型覆晶封装结构及其应用。该散热型覆晶封装结构包含芯片倒置于导线架的下方，该芯片上表面的凸块与该导线架的引脚电性连接，该芯片下表面有晶背金属裸露在封装胶体外。使用时，若将该覆晶封装结构应用于电路板上，则将该芯片的凸块及引脚与电路板的金属电性连接，以及将该芯片的晶背金属与电路板上的导热材料热接触。
文档编号H01L21/60GK102194774SQ20101012792
公开日2011年9月21日 申请日期2010年3月19日 优先权日2010年3月19日
发明者杨玉林, 董利铭 申请人:立锜科技股份有限公司