专利名称：发光二极管的封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光电组件，特别是涉及一种发光二极管的封装结构。
背景技术：
发光二极管(light emitting diode，LED)与传统灯泡比较具有较大的优势，例如体积小、寿命长、省电、无水银污染等特性。因此，随着发光效率不断地提升，发光二极管在某些领域已渐渐取代日光灯与白热灯泡。举例来说，需要高速反应的扫描仪光源、液晶显示器的背光源、汽车的仪表板照明光源、交通号志灯以及一般的照明装置等都已应用发光二极管。现有发光二极管通常使用聚邻苯二甲酰胺(PPA)树脂或聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)做为封装材料。封装制程通常是以射出成型、转移成型或铸造方式完成。固化环氧树脂封胶具有相对高的硬度，其提供刮伤与磨耗阻力、高刚性、及高初始光传导性。然而，这些封装材料在短波长光线的照射下容易黄化或改变材料特性，进而降低反射杯壳之反射率以及降低组件之发光效率。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种适用于短波长组件的发光二极管的封装结构。一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，所述发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片， 该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，发光二极管芯片容置于该容置空间内。与现有技术相比，本发明的发光二极管的封装结构通过玻璃封装体与硅基板配合封置发光二极管芯片，玻璃封装体卡合于硅基板上，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，同时能够适用于发光二极管高功率或发出短波长光线的工作环境。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1为本发明第一实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。图2为图1中的发光二极管的封装结构沿II-II线剖视图。图3为图1中的发光二极管的封装结构沿III-III线剖视图。图4为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料一配合使用示意图。图5为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。图6为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。
图7为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。图8为图1中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料另一配合使用示意图。图9为本发明第二实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。图10为本发明第三实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。图11为本发明第四实施例的发光二极管的封装结构的封装体的立体图。图12为图11中发光二极管的封装结构的封装体沿XII-XII线剖视图。图13为本发明第五实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图。图14为本发明第六实施例的发光二极管的封装结构的封装体的剖面示意图。图15为本发明第七实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。图16为本发明第八实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。图17为本发明第九实施例的发光二极管的封装结构的正面示意图。图18为图17中发光二极管的封装结构的封装体沿XVIII-XVIII剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。图19为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的一配合使用示意图。图20为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。图21为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。图22为图17中的发光二极管的封装结构的封装体与荧光材料的另一配合使用示意图。图23为本发明第十实施例的发光二极管的封装结构的封装体的结构示意图。图M为本发明第十一实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。图25为本发明第十二实施例的发光二极管的封装结构的剖面示意图，为清楚，将封装体与基板分离显示。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在该硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，该玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，该硅基板具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，其特征在于所述发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，所述发光二极管芯片容置于该容置空间内。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述发光二极管还包括一稳压二极体设置于第一表面上、并与所述发光二极管芯片电性相连。
3.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述第一表面向下凹陷形成有一碗状凹陷部，所述发光二极管芯片容置于该凹陷部内，该硅基板的第一表面上沿凹陷部的开口处周缘向下凹陷形成一台阶部，所述玻璃封装体承载于该台阶部上，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。
5.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体呈板状、 球形拱状体、椭球形拱状体或长条拱形体。
6.如权利要求4所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体的入、出光面为平面、波浪面或拱形曲面。
7.如权利要求3所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述第二表面向上凹陷形成有另一碗状凹陷部，所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片容置于该凹陷部内， 该硅基板的第二表面上沿凹陷部的开口处周缘向上凹陷形成一台阶部，所述发光二极管还包括另一玻璃封装体承载于该台阶部上，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
8.如权利要求7所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述硅基板上形成有贯通孔连通所述二凹陷部，其中该第一表面之凹陷部包含一电极结构，并且所述电极结构自该第一表面通过该贯通孔延伸至该第二表面之凹陷部。
9.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于该第一表面向下凹陷形成有一环状凹槽，该凹槽围绕所述发光二极管芯片设置，所述玻璃封装体具有一开口部，该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的凹槽内，以与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片。
10.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述第二表面向上凹陷形成有另一环状凹槽，所述发光二极管还包括另一发光二极管芯片装置于第二表面上，该另一凹槽围绕另一发光二极管芯片设置，所述发光二极管还包括另一中空玻璃封装体，该另一中空玻璃封装体具有一开口部，该开口部呈环状并对应卡置于该硅基板的另一凹槽内以与该硅基板配合封置另一发光二极管芯片。
11.如权利要求9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体具有一供发光二极管发出的光线射入该玻璃封装体的入光面及一供发光二极管发出的光线射出该玻璃封装体的出光面。
12.如权利要求11所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体的入、出光面均为曲面，且该玻璃封装体的入、出光面均沿远离发光二极管芯片的方向向外拱起。
13.如权利要求12所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体的厚度由正对发光二极管芯片的中央向该玻璃封装体周缘逐渐减小或该玻璃封装体的厚度均ο
14.如权利要求3或9所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述玻璃封装体包含均勻的荧光材料，其中所述荧光材料为石榴石(garnet)结构的化合物、硫化物 (sulfide)、磷化物(phosphate)、氮化物(nitride)、氮氧化物(oxynitride)、硅酸盐类 (silicate)、砷化物、硒化物以及碲化物中的至少一种。
15.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片所发出的光线的波长范围在330 450纳米之间。
16.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片与所述玻璃封装体之间存在间隙。
全文摘要
一种发光二极管的封装结构包括一硅基板、贴设在硅基板上的一发光二极管芯片，及一玻璃封装体，玻璃封装体盖罩于所述发光二极管芯片上，硅基板具有一第一表面及与第一表面相对的一第二表面，发光二极管芯片设置于该第一表面上，所述玻璃封装体卡合于所述硅基板的第一表面上，并与该硅基板配合封置所述发光二极管芯片，该玻璃封装体与硅基板之间形成一容置空间，发光二极管芯片容置于该容置空间内。与现有技术相比，本发明的发光二极管的封装结构通过玻璃封装体与硅基板配合封置发光二极管芯片，玻璃封装体卡合于硅基板上，配合稳固，且能够使得发光二极管芯片与封装体相分隔设置，同时能够适用于发光二极管高功率或发出短波长光线的工作环境。
文档编号H01L33/48GK102244178SQ201010169688
公开日2011年11月16日 申请日期2010年5月14日 优先权日2010年5月14日
发明者曾文良, 林志勇, 谢明村, 陈隆欣 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司