专利名称：制造液晶显示装置的方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其涉及一种制造液晶显示装置的方法。
背景技术：
直到近年来，显示装置一般使用阴极射线管(CRT)。目前，作为CRT的替代品，正在 进行努力研究以开发各种平板显示器，如液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)、场 发射显示器和电致发光显示器(ELD)。在这些平板显示器中，IXD装置具有许多优点，如高 分辨率、轻重量、薄外形、紧凑尺寸和低电压电源需求。LCD装置一般包括间隔开且彼此面对的两个基板，在这两个基板之间夹有液晶材 料。这两个基板包括彼此面对的电极，从而在电极之间施加的电压在液晶材料上产生电场。 液晶材料中的液晶分子的取向根据所产生的电场的强度而改变为所产生的电场的方向，由 此改变IXD装置的光透射率。因而，IXD装置通过改变所产生的电场的强度来显示图像。IXD装置分为透射型、反射型和透反型。透射型IXD装置使用背光，因而可在黑暗 环境中明亮地显示图像。然而，透射型LCD装置消耗太多电力。反射型LCD装置使用诸如 阳光这样的外部光代替背光，因而能降低功耗。然而，反射型IXD装置不能在黑暗环境或不 存在外部光的环境中使用。透反型IXD装置根据环境选择性地以透射模式或反射模式工作。因此，透反型IXD 装置具有透射型和反射型LCD装置中每一种所具有的优点。作为透反型IXD装置，为了改善视角，使用IPS(共平面切换)模式透反型IXD装置。图1是图解根据现有技术的IPS模式透反型IXD装置的阵列基板的像素区域的剖 面图，图2是图解根据现有技术的LCD装置的公共电极的断路缺陷的图片，图3是图解根据 现有技术的用于形成LCD装置的公共电极的工序的剖面图。参照图1，像素区域P包括反射区域RA和透射区域TA。尽管图中没有示出，但栅极线和数据线彼此交叉地形成在基板2上并限定像素区 域P。在基板2上形成与栅极线平行且隔开的公共线。薄膜晶体管在像素区域P中形成，并 与栅极线和数据线连接。在反射区域RA中形成反射板50，以反射外部光。反射板50未形成在透射区域TA中。在反射板50上形成像素电极70。像素电极70位于像素区域P中。在像素电极70上形成公共电极80。该公共电极具有多个开口 opl和op2，所述开 口 opl和op2均具有条形形状。开口 opl和op2包括分别位于透射和反射区域TA和RA中 的第一和第二开口 opl和op2。第一和第二开口 opl和op2在长度方向上不同。
通过9个掩模工序制造现有技术的阵列基板。所述掩模工序可以包括沉积待构图 的材料的工序、沉积光刻胶的工序、使用光掩模的曝光工序、对曝光的光刻胶进行显影的工 序、使用光刻胶蚀刻所述材料层的工序、剥离光刻胶的工序等。在所述掩模工序期间，在阵列基板中会出现一些缺陷。具体地说，参照图2，当在形 成反射板(图1的50)之后形成公共电极80时，常常会出现下述缺陷，即在相邻开口之间 的公共电极80的指部(finger portion)发生断路。参照图3，在反射区域RA中的相邻第二开口 op2之间的公共电极(图1的80)的 指部被设计为具有大约 ο μ m到大约20 μ m的宽度。在曝光工序中，穿过光掩模95的透射 部TA的光被反射板50反射，然后入射到与光掩模95的阻挡部BA对应的一部分光刻胶层 91上，但是该光本来不应该入射于其上。在曝光工序之后，对光刻胶层91进行显影，以形成光刻胶图案，在显影工序中，移 除曝光的光刻胶层91。然后，使用光刻胶图案对层79进行蚀刻，以形成公共电极80。通过 蚀刻工序，形成了公共电极80。然而，如上所述，由于反射板50的反射，在阻挡部BA下面且在反射区域RA中的所 述一部分光刻胶层91被无意中曝光。因此，在显影工序中，在阻挡部BA下面的所述一部分 光刻胶层91被无意中移除，因而在蚀刻工序中，位于所述被无意中移除的那部分光刻胶层 下面的、将变为公共电极80的指部的一部分层79被移除。因此，导致该指部发生断路。
发明内容
因此，本发明涉及一种基本上克服了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个 或多个问题的制造液晶显示装置的方法。本发明的一个优点是提供一种能防止公共电极断路的制造液晶显示装置的方法。在下面的描述中将列出本发明的额外特征和优点，这些特征和优点的一部分将从 下面的描述变得显而易见的，或者可从本发明的实践领会到。通过所撰写的说明书、权利要 求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。为了获得这些和其它的优点并根据本发明的目的，如这里具体表示和广义描述 的，制造透反型液晶显示装置的方法包括在基板上形成栅极线和数据线，在该栅极线和数 据线间具有栅极绝缘层，所述栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，该像素区域包括 开关区域、反射区域和透射区域；形成与所述开关区域对应并与所述栅极线和数据线连接 的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层；在所述反射区域中的所述第一钝化 层上形成反射板；在所述反射板上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成与所述薄膜 晶体管的漏极电极连接的像素电极；在所述像素电极上形成第三钝化层；在所述第三钝化 层上形成透明导电材料层；在所述透明导电材料层上形成反射防止层；和对所述反射防止 层和所述透明导电材料层进行构图，以形成包括多个开口并由所述透明导电材料形成的公 共电极。应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性 的，意在对要求保护的内容提供进一步的解释。
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附解了本发明的实施方式 并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中图1是图解根据现有技术的IPS模式透反型IXD装置的阵列基板的像素区域的剖 面图；图2是图解根据现有技术的LCD装置的公共电极的断路缺陷的图片；图3是图解根据现有技术的用于形成LCD装置的公共电极的工序的剖面图；图4A到4P是图解根据本发明一个实施方式的制造用于IXD装置的阵列基板的方 法的剖面图；图5是图解通过根据本发明所述实施方式的方法形成的公共电极的图片。
具体实施例方式现在将详细描述附图中所示的本发明的优选实施方式。图4A到4P是图解根据本发明一个实施方式的制造LCD装置的阵列基板的方法的 剖面图。在图中，在阵列基板中限定像素区域P、开关区域TrA、反射区域RA和透射区域TA。 开关区域TrA、反射区域RA和透射区域TA位于像素区域P中。参照图4A，在基板101上形成第一金属层。可通过沉积包括但并不限于铝(Al)、 铝合金(例如AlNcOJ^ (Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼合金和铬(Cr)的金属材料中的至少一种， 形成所述第一金属层。接下来进行掩模工序，该掩膜工序例如包括在第一金属层上形成光刻胶层、使用 包括阻挡部和透射部的光掩模对该光刻胶层进行曝光、对该光刻胶层进行显影、使用显影 的光刻胶层蚀刻第一金属层、剥离光刻胶层等。通过该掩模工序，对第一金属层进行构图， 以形成栅极线(没有示出)、公共线106和栅极电极108。公共线106与栅极线平行且间隔 开，栅极电极108形成在开关区域TrA中并与栅极线连接。如图中所示，第一金属层可以使用上述材料之一以单层结构形成，并且可替代地， 也可使用至少两种上述材料以多层结构形成。公共线106可包括延伸到反射区域RA中的部分，该延伸部分可用作第一存储电极。参照图4B，在具有栅极电极108的基板101上形成栅极绝缘层110。栅极绝缘层 110可由包括但并不限于氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。在栅极绝 缘层Iio上顺序地形成本征非晶硅层111和非本征非晶硅层114。可通过替换反应气体，在 一装置(例如化学气相沉积(CVD)装置)的同一室(没有示出)中顺序地形成栅极绝缘层 110、本征非晶硅层111和非本征非晶硅层114。然后，在非本征非晶硅层114上形成第二金属层145。可通过沉积包括但并不限于 铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼合金和铬(Cr)的金属材料中的至少一种，来形成所述第二金属层。如图中所示，第二金属层145可以使用上述材料之一以单层结构形成，并且可替 换地，也可使用至少两种上述材料以多层结构形成。然后，在第二金属层145上形成光刻胶层，使用光掩模(例如包括阻挡部、透射部和半透射部的半色调或光衍射掩模)对其进行曝光，并显影，由此形成具有第一厚度的第 一光刻胶图案191a和具有小于第一厚度的第二厚度的第二光刻胶图案191b。参照图4C，使用第一光刻胶图案191a和第二光刻胶图案191b蚀刻第二金属层 125、非本征非晶硅层114和本征非晶硅层111。通过蚀刻工序，形成与栅极线交叉以限定像 素区域P的数据线130，并形成与数据线130连接的金属图案131以及非本征非晶硅图案 115和本征非晶硅的有源层112。金属图案131、非本征非晶硅图案115和有源层112在平 面上具有大致相同的形状。此外，通过蚀刻工序，形成在数据线130下面的第一和第二虚拟图案113和117。 第一和第二虚拟图案113和117分别由本征非晶硅和非本征非晶硅形成。然后，进行灰化工序，以移除第二光刻胶图案191b。通过该灰化工序，减小了第一 光刻胶图案191a的厚度，但第一光刻胶图案191a仍保留在数据线130和金属图案131上。参照图4D，使用第一光刻胶图案191a作为蚀刻掩模，对金属图案131和非本征非 晶硅图案115进行干蚀刻工序。通过该干蚀刻工序，形成彼此间隔开的源极和漏极电极133 和136、以及在该源极和漏极电极133和136下面的欧姆接触层116。源极电极133与数据 线130连接。此外，源极和漏极电极133和136之间的有源层112被暴露出来。漏极电极136可如此形成，即一部分漏极电极136与公共线106的所述延伸部分 重叠，并用作第二存储电极。漏极电极136和公共线106彼此重叠的部分通过彼此之间的 栅极绝缘层110，而形成第一存储电容！MgCl。可替换地，可不形成该第一存储电容器 MgCl。有源层112和欧姆接触层116形成半导体层120。栅极电极108、栅极绝缘层110、 半导体层120以及源极和漏极电极133和136形成薄膜晶体管Tr。参照图4E，执行剥离处理以去除源极和漏极电极133和136以及数据线130上的 第一光刻胶图案191a。参照图4F，在具有源极和漏极电极133和136的基板101上形成第一钝化层140。 第一钝化层140可由包括但并不限于氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。然后，在第一钝化层140上形成包括但并不限于苯并环丁烯(BCB)和感光丙烯 (photo acrylic)的有机绝缘材料，使用包括用于调整曝光强度的半透射部的光掩模对其 进行曝光，并显影。通过这些工序，形成第二钝化层143，第二钝化层143的与反射区域RA 对应的表面可以大致具有多角的不均勻形状。该多角的不均勻形状可以表示矩形的上升和 下降部分进行交替。第二钝化层143的与透射部分TA对应的表面可以具有均勻形状。第一钝化层140可用于防止当第二钝化层143直接接触有源层112时可能发生的 薄膜晶体管Tr的特性恶化。然而，应当理解，可省略第一钝化层140。参照图4G，进行热处理，使得反射区域RA中的第二钝化层143的表面大致具有弯 曲的不均勻形状。弯曲的不均勻形状可以表示平滑的弯曲上升和下降部分进行交替。透射 区域TA中的第二钝化层143的表面可以不管是否进行热处理，仍是均勻的。参照图4H，在第二钝化层143上形成第三钝化层147。由于其下面的第二钝化层 143的弯曲的不均勻形状，反射区域RA的第三钝化层147具有弯曲的不均勻形状。第三钝 化层147可由包括但并不限于氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。
然后，形成第三金属层并在掩模工序中对其进行构图，以在反射区域RA中形成反 射板150。反射板150可由具有高反射属性的金属材料形成，包括但并不限于铝(Al)和铝 合金(例如AlNd)。反射板150也可具有弯曲的不均勻形状。第三钝化层147可用于提高反射板150的粘接性。换句话说，因为反射板150粘 接到无机绝缘材料上要好于粘接到有机绝缘材料上，所以在第二钝化层143与反射板150 之间形成第三钝化层147。然而，应当理解，可省略第三钝化层147。参照图41，在具有反射板150的基板101上形成包括但并不限于苯并环丁烯 (BCB)和感光丙烯的有机绝缘材料，并在掩模工序中对其进行构图，以在反射区域RA中形 成第四钝化层155。第四钝化层155大致具有均勻表面。通过在反射区域RA中形成第四钝 化层155，在反射和透射区域RA和TA之间形成台阶。根据该构造，反射和透射区域RA和 TA的液晶层之间的厚度不同。此外，因为第四钝化层155覆盖其下面的不均勻形状，从而该 不均勻形状不会作用于将在第四钝化层巧5上方形成的组件，所以该不均勻形状不会对将 在第四钝化层巧5上方形成的组件造成影响。在反射模式中，外部光穿过反射区域RA中的液晶层，然后被反射板150反射，然后 再次穿过液晶层，然后到达用户。这样，在反射模式中，光穿过液晶层两次。然而，在透射模 式中，从背光单元发射的光穿过透射区域TA中的液晶层，然后到达用户。这样，在透射模式 中，光穿过液晶层一次。因此，反射模式和透射模式之间产生光的相位差。为了补偿该相位 差，透射区域TA中的液晶层的厚度要求大约为反射区域RA中的液晶层厚度的两倍。为此， 可以在反射区域RA中形成第四钝化层155，从而获得反射和透射区域RA和TA的液晶层之 间的上述厚度关系。参照图4J，在具有第四钝化层155的基板101上形成第五钝化层158。第五钝化 层158可由包括但并不限于氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成。然后，进行掩模工序，以形成暴露漏极电极136的漏极接触孔159。为此，在该掩模 工序中对漏极电极136上方的层进行构图，例如第一到第五钝化层。参照图4K，在第五钝化层158上形成第一透明导电材料层，其包括但并不限于氧 化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)，并对其进行构图，以在像素区域P中 形成像素电极162。像素电极162形成在反射和透射区域RA和TA的上方。第五钝化层158可用于提高像素电极162的粘接性。然而，应当理解，可省略第五 钝化层158。在形成像素电极162的工序中，可在其中形成有像素电极162且公共线106与像 素电极162重叠的区域处，形成暴露公共线106的公共接触孔(没有示出)。公共线106可 通过该公共接触孔接触将在之后形成的公共电极(图4P的170)。在该情形中，可在像素 电极162中形成与该公共接触孔对应的辅助孔(没有示出)，该辅助孔具有比公共接触孔 大的面积。换句话说，在平面图中，该公共接触孔位于辅助孔内。该构造可用于防止可能通 过该公共接触孔在像素电极162与公共电极170之间发生的短路。然而，当在位于像素电 极162外部且在公共线106上方的区域中形成公共接触孔时，可以不在像素电极162中形 成辅助孔。参照图4L，在像素电极162上形成第六钝化层165。第六钝化层165可由无机绝 缘材料形成，其包括但并不限于氧化硅(SiO2)和氮化硅断队)。
然后，进行用于对第六钝化层165进行构图的掩模工序，以在第六钝化层165中形 成暴露公共线106的公共接触孔(没有示出)。此外，形成暴露栅极线端部的栅极焊盘接触 孔(没有示出)和暴露数据线130端部的数据焊盘接触孔(没有示出)。如上所述，当公共 接触孔穿过像素电极162而形成时，第六钝化层165中的公共接触孔位于辅助接触孔内。参照图4M，在第六钝化层165上形成第二透明导电材料层168。第二透明导电材 料可以包括但并不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)。然后，在第二透明导电材料层168上形成反射防止层180。反射防止层180用于防 止光通过。反射防止层180可由具有良好光吸收属性的材料形成，并使用不与透明导电材 材料反应的蚀刻溶液对其进行蚀刻，或者使用不与透明导电材料反应的反应气体对其进行 干蚀刻。例如，该材料包括但并不限于钼(Mo)和黑树脂。然后，在反射防止层180上形成第二光刻胶层193。然后，在第二光刻胶层193上方形成光掩模197，并进行曝光工序。光掩模197可 包括阻挡部B和透射部T。阻挡部B的位置与其中形成包括多个指部的公共电极170的区 域相对应，透射部T的位置与其中形成公共电极170的各指部之间的开口(图4P的opl和 op2)的区域相对应。在附图中，显示出使用了当进行显影工序时移除其曝光部分的正型光刻胶层193。 然而，应当理解，可使用当进行显影工序时移除其未曝光部分的负型光刻胶层，并且在这种 情形中，透射部T和阻挡部B的位置改变。因为在第二光刻胶层193下方和反射板150上方形成反射防止层180，所以当进 行曝光工序时，从曝光装置发射并穿过透射部T的光入射到第二光刻胶层193上并与第二 光刻胶层193反应，且穿过第二光刻胶层193的光到达反射防止层180且大部分被反射防 止层180吸收。因此，防止光到达反射板150并防止被反射板150反射回到第二光刻胶层 193。因此，在第二光刻胶层193上形成与光掩模197的图案基本相同的曝光图案。换 句话说，通过使用反射防止层180，防止了在现有技术中的无意中入射到阻挡部下面的部分 上的光。因此，可防止由于无意中曝光导致的公共电极170的指部的断路。参照图4N，对第二光刻胶层193进行显影工序，以形成光刻胶图案194。参照图40，可以首先蚀刻反射防止层180，以移除通过光刻胶图案194暴露的部分 的反射防止层180。通过该首次蚀刻，暴露出第二透明导电材料层168。使用可不影响第二 透明导电材料层168的第一蚀刻溶液进行该首次蚀刻。然后，使用第二蚀刻溶液对第二透明导电材料层168进行第二蚀刻。通过该第二 蚀刻，形成公共电极170。公共电极170包括多个开口 opl和op2以及在开口 opl和op2之 间的多个指部。第一开口 opl形成在透射区域TA中，第二开口 op2形成在反射区域RA中。 此外，可形成对应于薄膜晶体管Tr的第三开口 op3。代替上述湿蚀刻，可通过干蚀刻对反射防止层180进行蚀刻。当使用干蚀刻时，用 于干蚀刻的反应气体不与第二透明导电材料反应。彼此重叠的像素电极162和公共电极170的部分可通过在其间具有第六钝化层 165而形成第二存储电容器。参照图4P，进行剥离工序，以移除光刻胶图案194，然后例如使用第一蚀刻溶液移除残留在公共电极170的反射防止层180。通过上述工序，可制造根据该实施方式的用于IXD装置的阵列基板。通过将该阵 列基板结合到相对基板并在其间形成液晶层，可制造LCD装置。图5是图解通过根据本发明所述实施方式的方法形成的公共电极的图像。参照图5，显示出公共电极170的指部中不具有断路。此外，该指部以理想的均勻 宽度延伸，在侧面不具有凹陷。然而，在现有技术中，指部具有断路。此外，指部在侧面具有一些凹陷且以不均勻 宽度崎岖延伸。这导致在像素电极与公共电极之间产生的边缘电场的变形。此外，电场集 中在凹陷附近，由于该集中的电场导致的超载可导致其他断路。然而，因为本实施方式的公共电极170的指部以均勻宽度平滑形成，所以可稳定 地产生边缘电场，可防止现有技术中的由于集中的电场导致的断路。如上所述，根据本发明所述实施方式，可有效防止公共电极的断路，并可形成稳定 的电场。因此可提高生产效率。在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本发明可进行各种修改和变化，这对于 本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求及其等价物 范围内的本发明的修改和变化。
权利要求
1.一种制造透反型液晶显示装置的方法，所述方法包括在基板上形成栅极线和数据线，在该栅极线和数据线间具有栅极绝缘层，所述栅极线 和数据线彼此交叉以限定像素区域，该像素区域包括开关区域、反射区域和透射区域； 形成与所述开关区域对应并与所述栅极线和数据线连接的薄膜晶体管； 在所述薄膜晶体管上形成第一钝化层； 在所述反射区域中的所述第一钝化层上形成反射板； 在所述反射板上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成与所述薄膜晶体管的漏极电极连接的像素电极； 在所述像素电极上形成第三钝化层； 在所述第三钝化层上形成透明导电材料层； 在所述透明导电材料层上形成反射防止层；和对所述反射防止层和所述透明导电材料层进行构图，以形成包括多个开口并由所述透 明导电材料形成的公共电极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述透明导电材料层和所述反射防止层并其 进行构图包括 在所述反射防止层上形成光刻胶层； 使用光掩模曝光所述光刻胶层；显影所述曝光的光刻胶层，以形成暴露与所述开口对应的所述反射防止层的光刻胶图案；移除暴露的反射防止层，以暴露其下面的所述透明导电材料层； 移除暴露的透明导电材料层，以形成包括所述开口的所述公共电极； 进行剥离以移除所述光刻胶图案；和 移除所述公共电极上的所述反射防止层。
3.根据权利要求2所述的方法，其中通过使用不与所述透明导电材料层反应的第一蚀 刻溶液的湿蚀刻，或者使用不与所述透明导电材料层反应的反应气体的干蚀刻，来移除所 述反射防止层。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述反射防止层由具有非反射以及吸收光并阻止 光通过的属性的材料形成。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述反射防止层由钼(Mo)或黑树脂形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述反射区域中的所述第一钝化层的表面具有弯 曲的不均勻形状，所述透射区域中的所述第一钝化层的表面具有均勻形状。
7.根据权利要求6所述的方法，其中由于所述反射区域中的所述第一钝化层的所述弯 曲的不均勻形状，所述反射板的表面具有所述弯曲的不均勻形状。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一和第二钝化层每个都由有机绝缘材料形 成，所述第三钝化层由无机绝缘材料形成。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在所述薄膜晶体管与所述第一钝化层之间形成由无机绝缘材料形成的第四钝化层； 在所述第一钝化层与所述反射板之间形成由无机绝缘材料形成的第五钝化层；和 在所述第二钝化层与所述像素电极之间形成由无机绝缘材料形成的第六钝化层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极线包括形成穿过所述像素区域并 与所述栅极线平行间隔开的公共线，且形成所述薄膜晶体管包括形成与所述公共线重叠的 所述漏极电极的端部，并在其间设置所述栅极绝缘层，以形成存储电容器。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第三钝化层包括暴露所述公共线的公共接 触孔，所述公共电极通过所述公共接触孔接触所述公共线。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述开口包括第一和第二开口，所述第一开口形 成在所述透射区域中并在第一方向上延伸，所述第二开口形成在所述反射区域中并在第二 方向上延伸。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述开口进一步包括对应于所述薄膜晶体管的第三开口。
全文摘要
一种制造透反型液晶显示装置的方法，包括在基板上形成其间具有栅极绝缘层的栅极线和数据线，所述栅极线和数据线彼此交叉以限定包括开关区域、反射区域和透射区域的像素区域；形成与开关区域对应并与栅极线和数据线连接的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第一钝化层；在反射区域中的第一钝化层上形成反射板；在所述反射板上形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成与所述薄膜晶体管的漏极电极连接的像素电极；在所述像素电极上形成第三钝化层；在所述第三钝化层上形成透明导电材料层；在所述透明导电材料层上形成反射防止层；和对所述反射防止层和透明导电材料层进行构图，以形成包括多个开口并由所述透明导电材料形成的公共电极。
文档编号H01L21/77GK102096250SQ20101028377
公开日2011年6月15日 申请日期2010年9月14日 优先权日2009年12月14日
发明者李种会, 林宰亨, 金东国 申请人:乐金显示有限公司