专利名称：切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光元件的制造方法，特别涉及一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法。
背景技术：
通常，单一的发光二极管芯片由一整块的发光二极管晶片经过切割分离而成。传统的切割工艺包括砂轮切割、金刚刀划片等。通过切割在发光二极管晶片上形成划痕，再通过裂片机将发光二极管晶片分离成若干单一的发光二极管芯片。目前一种激光切割发光二极管晶片的方法得到越来越广泛的应用。与传统切割方式相比，激光切割具有产量高、易操作、节能环保等明显优势。激光切割的原理与传统切割方式基本相同。一般所述发光二极管晶片至少包括基底、形成于基底上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层及形成于发光层上的第二半导体层。制作过程中首先在发光二极管晶片上形成槽道使得部分第一半导体层暴露以安装电极，再通过切割槽道处分离所述发光二极管晶片。然而，在采用激光切割方式切割发光二极管晶片的槽道时，会在第一半导体层出产生焦化现象。分离形成单一发光二极管芯片后，发光二极管芯片的发光层所产生的光线在其侧面会被焦化处所吸收，使得发光二极管芯片的出光效率受到影响而降低发光二极管芯片的亮度。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法，其可减少激光切割发光二极管晶片时产生的焦化影响而获得较高的出光效率。本发明提供一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法，其包括以下步骤提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片至少包括基底、形成于基底上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层及形成于发光层上的第二半导体层；形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道；在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道；通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口 ；沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成多个发光二极管芯片。本发明所述的切割分离方法，通过在第一槽道内进一步形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道，避免直接通过激光打在第一槽道内进行切割而导致在第一半导体层处产生焦化的情况。由于通过激光切割发光二极管晶片的基底时产生焦化相对发光层的出光影响较小，因此提高分离后形成的发光二极管芯片的出光效率。下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
图1是本发明一实施例的发光二极管晶片的剖面示意图，其中发光二极管晶片处于预备切割状态。图2是图1中发光二极管晶片的另一示意图，其中发光二极管晶片上进一步形成
第一槽道。图3是图2中发光二极管晶片的另一示意图，其中发光二极管晶片上进一步装置电极。图4是图3中发光二极管晶片的另一示意图，其中发光二极管晶片上进一步形成
第二槽道。图5是图4中发光二极管晶片的另一示意图，其中发光二极管晶片上经激光切割形成切口。图6是图1中发光二极管晶片经切割分离形成单一的发光二极管芯片的示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法，其包括以下步骤提供一发光二极管晶片，该发光二极管晶片至少包括基底、形成于基底上的第一半导体层、形成于第一半导体层上的发光层及形成于发光层上的第二半导体层；形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道；在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道；通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口 ；沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成多个发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一槽道通过蚀刻方式形成。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述第二槽道通过蚀刻方式形成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述发光二极管晶片还包括形成于所述第二半导体层上的透明导电层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述发光二极管晶片为氮化镓系III-V族化合物半导体。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于所述第一半导体层为N型半导体层。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于所述第二半导体层为P型半导体层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述基底的材料为蓝宝石、碳化硅或氮化镓中的一种。
9.如权利要求1所述的方法，还包括在形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道之后在第二半导体层上及第一槽道内的第一半导体层上分别形成电极的过程。
10.如权利要求1所述的方法，还包括在每一第一槽道内再形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道之后在第二半导体层上及第一槽道内的第一半导体层上分别形成电极的过程。
全文摘要
本发明提供一种切割分离发光二极管晶片形成单一发光二极管芯片的方法，其包括以下步骤提供一发光二极管晶片；通过在发光二极管晶片上形成若干由第二半导体层延伸至第一半导体层的第一槽道；在每一第一槽道内形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道；通过激光切割所述第二槽道底部处形成切口；沿所述切口将发光二极管晶片裂开形成单一发光二极管芯片。本发明所述的切割分离方法，通过在第一槽道内进一步形成由第一半导体层延伸至基底的第二槽道，避免直接通过激光打在第一槽道内进行切割而导致在第一半导体层处产生焦化的情况，从而通过激光切割时产生焦化影响相对较小，进而提高分离后形成的发光二极管芯片的出光效率。
文档编号H01L33/00GK102437254SQ201010297409
公开日2012年5月2日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日
发明者沈佳辉, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司