专利名称：钝化层及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体芯片制造领域，具体的讲是涉及一种形成于半导体基底之上、 并且覆盖半导体基底之中的金属线上的钝化层及其制造方法。
背景技术：
在半导体器件制造过程中，器件表面的钝化是关键技术之一。对半导体器件表面 进行钝化可以减少器件氧化层中的各种电荷，增强半导体芯片对离子沾污的阻挡能力，保 护半导体芯片内部器件的互连以及半导体芯片表面的电特性，防止半导体芯片器件受到机 械损伤和化学损伤。在半导体芯片钝化层的制造过程中，常采用沉积、溅射等方法，由于各 层材料的杨氏模量和热胀系数的差异，以及相应温度变化都会使薄膜内部的应力发生变 化，从而使芯片内部产生空洞、裂纹或者脱落等现象，引起半导体芯片内部的结构变形或者 互连导线短路或断路，造成半导体芯片性能变差或者失效，使半导体芯片的良品率降低。钝化层的种类和结构对于互连内部形成的应力及应力释放的快慢影响很大。在 CMOS技术中，双嵌式互连线通常使用金属铜作为导电材料，CMOS器件中的金属铜互连层表 面覆盖有钝化层。如图1所示，现有技术半导体芯片的钝化层一般由依次沉积在金属线30 上的二氧化硅层20和氮氧化硅层10组成。所述的二氧化硅层20可用高密摄氏度等离子 化学气相沉积(HDPCVD)工艺或等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成，用于缓冲氮氧 化硅层10的应力。由于二氧化硅层20和氮氧化硅层10的杨氏模量和热胀系数的差异，上 述工艺的二氧化硅层20和氮氧化硅层10均对金属线30施加收缩应力，使钝化层与金属线 30之间的粘合性变差，甚至会把金属线30拔出，则金属线30与钝化层之间就会产生空洞、 裂纹或者脱落现象，即降低了半导体芯片的良品率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，克服以上不足，提供一种可以提高半导体芯片的 良品率的钝化层。为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是一种钝化层，包括形成于半导体基 底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线的非晶硅层，以及依次形成于所述非晶硅层之 上的二氧化硅层和氮氧化硅层。作为优选方案，所述的金属线为铜线。作为优选方案，所述非晶硅层的厚度为600A- 1400A。作为优选方案，所述二氧化硅层的厚度为3000A- 5000A。作为优选方案，所述氮氧化硅层的厚度为3000A - 5000A。本发明所要解决的另一技术问题是，提供一种钝化层的制造方法。包括以下步 骤SOl在半导体基底上沉积非晶硅层，所述的非晶硅层覆盖半导体基底及半导体基 底之中的金属线；
S02在上述的非晶硅层上沉积二氧化硅层；S03在上述的二氧化硅层上沉积氮氧化硅层。作为优选方案，在上述钝化层的制造方法中，所述的非晶硅层、二氧化硅层和氮氧 化硅层均采用等离子增强化学气相沉积工艺生成。作为优选方案，在上述钝化层的制造方法中，采用等离子增强化学气相沉积工艺 生成非晶硅层的工艺温度是330-370摄氏度，所用气体为硅烷和氢气。作为优选方案，在上述钝化层的制造方法中，采用等离子增强化学气相沉积工艺 生成二氧化硅层的工艺温度是380摄氏度以上、且小于400摄氏度或者是420摄氏度以下、 且大于400摄氏度，所用气体为硅酸乙酯和一氧化二氮。作为优选方案，在上述钝化层的制造方法中，采用等离子增强化学气相沉积工艺 生成氮氧化硅层的工艺温度是380摄氏度以上、且小于400摄氏度或者是420摄氏度以下、 且大于400摄氏度，所用气体为硅烷和一氧化二氮。采用上述技术方案后，本发明钝化层及其制造方法与现有技术相比，具有以下优 点本发明在二氧化硅层和金属线之间增加了由等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生 成的非晶硅层，非晶硅层和金属线有良好的接触，在非晶硅沉积的过程中，金属铜原子扩散 到Si间隙中，这样在非晶硅和金属线的交界面处Si原子周围的原子数将多余4个，Si-Si 共价键所共有的电子将同时被间隙原子所共有，从而Si-Si共价键所共有的电子数少于2 个，使得Si-Si键从饱和价键向非饱和价键转变，因此Si-Si的键能将由共价键向金属键转 变，减弱了 Si-Si的键能，促进了金属硅化物在交界处的低温形成；从而减缓金属线中金属 原子的迁移，避免了金属线的空洞产生；同时等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成 的二氧化硅部分抵消了氮氧化硅的收缩应力，从而避免了钝化层与金属线的剥离和空洞， 进而提高了半导体芯片的良品率。
图1是现有技术钝化层结构示意图；图2是本发明钝化层结构示意图。现有技术10、氮氧化硅层，20、二氧化硅层，30、金属线。本发明1、氮氧化硅层，2、二氧化硅层，3、非晶硅层，4、金属线。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步详细描述图2中，省略了半导体芯片基底的器件层，仅以示意方式画出了金属线和钝化层 的结构。本领域技术人员可以理解，所述半导体基底中可以预先制作CMOS器件，并且可以 采用双嵌式互连工艺形成金属线。如图2所示，本发明的钝化层，包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基 底之中的金属线4上的非晶硅层3，以及依次形成于所述非晶硅层3之上的二氧化硅层2和 氮化硅层1。所述的金属线4为铜线。也就是说，所述半导体芯片的金属线4采用铜线工艺 制作。所述非晶硅层3的厚度为600入-1400A。选择该厚度范围是由于非晶硅层3是采用化学方法沉积而成的，当非晶硅层3的厚度太厚时，非晶硅层3沉积时间就会加大，从 而增大了加工成本；而当非晶硅层3的厚度太薄时，其应力不足以抵抗氮氧化硅向金属线4 的伸缩应力。所述二氧化硅层2的厚度为3000A- 5000A。选择该厚度范围是由于二氧化硅层 2是采用化学方法沉积而成的，当二氧化硅2的厚度太厚时，沉积时间就会加大，从而增大 了加工成本；而当二氧化硅2的厚度太薄时，其应力不足以抵抗氮氧化硅层1向金属线4的 伸缩应力。所述氮氧化硅层1的厚度为3 O O O入-5 O O OA。选择该厚度范围是由于氮氧化硅层 1是采用化学方法沉积而成的，当氮氧化硅的厚度太厚时，沉积时间就会加大，从而增大了 加工成本；而当氮氧化硅1的厚度太薄时，不能起到钝化的效果。根据上述钝化层的沉积厚度，本发明设定以下三种具体方案方案一非晶硅层3的厚度为600 A,二氧化硅2的厚度为5000 A，氮氧化硅1的 厚度为3400 A。方案二 非晶硅层3的厚度为1000 A,二氧化硅2的厚度为4000 A,氮氧化硅1的 厚度为4000 A0方案三非晶硅层3的厚度为1400 A,二氧化硅2的厚度为3000 A,氮氧化硅1的 厚度为4600 Ae本发明在二氧化硅层2和金属线4之间增加了由等离子增强化学气相沉积 (PECVD)工艺生成的非晶硅层3，非晶硅层3和金属线4有良好的接触，在非晶硅沉积的过 程中，金属铜原子扩散到Si间隙中，这样在非晶硅和金属线的界面层处Si原子周围的原子 数将多余4个，Si-Si共价键所共有的电子将同时被间隙原子所共有，从而Si-Si共价键所 共有的电子数少于2个，使得Si-Si键从饱和价键向非饱和价键转变，因此Si-Si的键能将 由共价键向金属键转变，减弱了 Si-Si的键能，促进了金属硅化物在界面处的低温形成，从 而减缓金属线4中金属原子的迁移，避免了金属线的空洞产生；同时等离子增强化学气相 沉积(PECVD)工艺生成的二氧化硅部分抵消了氮氧化硅的收缩应力，从而避免了钝化层与 金属线的剥离和空洞，进而提高了半导体芯片的良品率。本发明钝化层的制造方法，包括以下步骤SOl在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半 导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层3上沉积二氧化硅层2 ；S03在上述的二氧化硅层2上沉积氮氧化硅层1。上述钝化层的制造方法，所述的非晶硅层3、二氧化硅层2和氮氧化硅层1均采用 等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成。上述钝化层的制造方法，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成非晶硅 层3的工艺温度是330-370摄氏度，所用气体为硅烷(SiH4)和氢气(H2)。沉积非晶硅层3 的工艺温度设定为330-370摄氏度是因为当沉积非晶硅层3的工艺温度太高时，非晶硅的 温度会对半导体芯片金属线4产生热损伤，出现剥离脱落现象，则半导体芯片的良品率就 会下降；当沉积非晶硅层3的工艺温度太低时，由于非晶硅层3采用化学方法沉积而成，则 非晶硅的反应速率就会很慢，增加了沉积时间，因此加大了生产成本。
上述钝化层的制造方法，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成二氧化 硅层2的工艺温度是380-420摄氏度，所用气体为硅酸乙酯(TEOS)和一氧化二氮(N20)。 沉积二氧化硅2的工艺温度设定为380-420摄氏度是因为当沉积二氧化硅层2的工艺温 度太高时，二氧化硅的温度会对半导体的非晶硅层1产生热损伤，非晶硅层1出现空洞、裂 纹现象，则沉积在半导体基底、并且覆盖金属线4的非晶硅层1不均勻，从而导致半导体芯 片的良品率下降；当沉积二氧化硅层2的工艺温度太低时，由于二氧化硅层2采用化学方法 沉积而成，则二氧化硅的反应速率就会很慢，增加了沉积时间，因此加大了生产成本。上述钝化层的制造方法，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成氮氧化 硅层1的工艺温度是380-420摄氏度，所用气体为硅烷(SiH4)和一氧化二氮(N20)。氮氧 化硅层1的工艺温度设定为380-420摄氏度是因为当沉积氮氧化硅层1的工艺温度太高 时，氮氧化硅的温度会对半导体基底的二氧化硅层2产生热损伤，则二氧化硅层2就会出现 空洞、裂纹现象，从而导致半导体芯片的良品率下降；当沉积氮氧化硅层1的工艺温度太低 时，由于氮氧化硅层1采用化学方法沉积而成，则氮氧化硅的反应速率就会很慢，增加了沉 积时间，因此加大了生产成本。根据以上钝化层的制造方法，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺生成非 晶硅层3、二氧化硅层2、氮氧化硅层1的工艺方法，其工艺温度设定以下三种具体方案方案一非晶硅层3的工艺温度设定为330摄氏度，二氧化硅层2的工艺温度设定 为420摄氏度，氮氧化硅层1的工艺温度设定为420摄氏度。方案二 非晶硅层3的工艺温度设定为350摄氏度，二氧化硅层2的工艺温度设定 为400摄氏度，氮氧化硅层1的工艺温度设定为400摄氏度。方案三非晶硅层3的工艺温度设定为370摄氏度，二氧化硅层2的工艺温度设定 为380摄氏度，氮氧化硅层1的工艺温度设定为380摄氏度。
权利要求
一种钝化层，其特征在于包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。
2.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述的金属线(4)为铜线。
3.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述非晶硅层(3)的厚度为 600A- 1400A。
4.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述二氧化硅层(2)的厚度为 3000A- 5000A。
5.根据权利要求1所述的钝化层，其特征在于所述氮氧化硅层(1)的厚度为 3000A- 5000A。
6.一种钝化层的制造方法，其特征在于包括以下步骤SOl在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体 基底之中的金属线⑷；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。
7.根据权利要求6所述的钝化层的制造方法，其特征在于所述的非晶硅层(3)、二氧 化硅层(2)和氮氧化硅层(1)均采用等离子增强化学气相沉积工艺生成。
8 .根据权利要求7所述的钝化层的制造方法，其特征在于采用等离子增强化学气相 沉积工艺生成非晶硅层(3)的工艺温度是330-370摄氏度，所用气体为硅烷和氢气。
9.根据权利要求7所述的钝化层的制造方法，其特征在于采用等离子增强化学气相 沉积工艺生成二氧化硅层(2)的工艺温度是380摄氏度以上、且小于400摄氏度或者是420 摄氏度以下、且大于400摄氏度，所用气体为硅酸乙酯和一氧化二氮。
10.根据权利要求7所述的钝化层的制造方法，其特征在于采用等离子增强化学气相 沉积工艺生成氮氧化硅层(1)的工艺温度是380摄氏度以上、且小于400摄氏度或者是420 摄氏度以下、且大于400摄氏度，所用气体为硅烷和一氧化二氮。
全文摘要
本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。该钝化层的制造方法包括以下步骤S01在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。本发明应用于半导体制造技术领域，可以提高半导体芯片的良品率。
文档编号H01L23/31GK101976658SQ201010297229
公开日2011年2月16日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日
发明者张伟, 曾绍海 申请人:上海集成电路研发中心有限公司