阳极铝箔的化成方法

文档序号:6818317阅读:1217来源:国知局
专利名称:阳极铝箔的化成方法
技术领域
本发明涉及一种阳极铝箔的制造方法,尤其涉及一种阳极铝箔的化成方法。
背景技术
随着电子工业的飞速发展,铝电解电容器的应用更加广泛,性能要求也越来越高。 铝电解电容器用腐蚀化成箔是电子信息产业基础元器件类产品的电子专用材料,除了光箔 自身质量外,对于铝电解电容用铝箔,腐蚀工艺是获得高比容、高强度等优异性能的关键工 艺环节。腐蚀是化成箔制造的前道工序。腐蚀箔比容是化成箔比容的基础和关键。为获得 满意性能,腐蚀工艺多种多样,但有些工艺在获得优良性能的同时却带入了令人头痛的环 保问题(如铬酸-氢氟酸体系)。为此,人们致力于高性能环保型的腐蚀工艺开发研究。近 年来,国内以盐酸-硫酸或盐酸_硫酸_硝酸为代表的腐蚀工艺体系使腐蚀铝箔比容发生 了质的飞跃,性能得以大幅提高。一般来说,阳极铝箔的制造方法如下光箔一 > 腐蚀箔一 > 化成箔。其中,化成方 法包括前处理一 > 多级电压赋能在铝箔表面形成氧化膜一 > 反复破坏修补氧化膜,其中,多 级电压赋能和反复破坏修补是在不同的弱弱酸性槽液间进行,每次铝箔进入不同弱酸性槽 液前后都需要水洗清除铝箔表面的硼酸、磷酸等残留物,现有化成生产过程中水洗一般前 端先采用自来水进行冷却,后段再采用纯水进行清洗铝箔表面的硼酸、磷酸等残留物,为了 保证良好的清洗效果,一般需要使用热水喷淋进行清洗,浪费了热量和用水。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种阳极铝箔的化成方法,既能保证良好的清 洗效果,又能节约热量和用水,降低生产成本。本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种阳极铝箔的化成方法, 包括前处理、多级电压赋能在铝箔表面形成氧化膜、反复破坏修补氧化膜,所述多级电压赋 能和反复破坏修补是在不同浓度的弱弱酸性槽液间进行,每次铝箔进入不同弱酸性槽液前 后都需要水洗清除铝箔表面的酸液残留物,其中,所述水洗方法先用纯水进行前段冷却,再 将上述纯水直接用于后段清洗。上述的阳极铝箔的化成方法,其中,所述弱酸性槽液含有硼酸或磷酸。上述的阳极铝箔的化成方法,其中,所述多级电压赋能的级数为3 6级。本发明对比现有技术有如下的有益效果本发明提供的阳极铝箔的化成方法,直 接采用纯水进行前段冷却,并将上述加热后的纯水直接用于后段清洗,既能保证良好的清 洗效果,又能节约热量和用水,降低生产成本。
具体实施例方式下面用具体实施例对本发明作进一步的描述。
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本发明的阳极铝箔的化成方法依次包括前处理、多级电压赋能在铝箔表面形成氧 化膜、反复破坏修补氧化膜。为了从170V加到200 1000V的中高压铝箔,一般需要3 6级电压赋能,每级电压赋能是在不同浓度的弱酸性槽液间(PH值为4 7)进行,每次铝箔 进入不同弱酸性槽液前后都需要水洗清除铝箔表面的酸液残留物。此外,反复破坏修补一 般先采用烘箱使得铝箔表面氧化膜龟裂,再在硼酸溶液里进行恒电压氧化修补,铝箔进烘 箱前也要进行水洗,其中,所述水洗方法先用纯水进行前段冷却,再将上述纯水直接用于后 段清洗。本发明提供的阳极铝箔的化成方法,充分利用了前段冷却热量,一般经过前段冷 却,纯水温度可以达到40 70V,将上述纯水直接用于后段清洗,完全可以保证良好的清 洗效果,从而节约热量和用水,降低生产成本。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技 术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范 围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求
一种阳极铝箔的化成方法,包括前处理、多级电压赋能在铝箔表面形成氧化膜、反复破坏修补氧化膜,其中,所述多级电压赋能和反复破坏修补是在不同浓度的弱酸性槽液间进行,每次铝箔进入不同弱酸性槽液前后都需要水洗清除铝箔表面的酸液残留物,其特征在于,所述水洗方法先在用纯水进行前段冷却,再将上述纯水直接用于后段清洗。
2.如权利要求1所述的阳极铝箔的化成方法,其特征在于,所述弱酸性槽液含有硼酸 或磷酸。
3.如权利要求1所述的阳极铝箔的化成方法,其特征在于,所述多级电压赋能的级数 为3 6级。
全文摘要
本发明公开了一种阳极铝箔的化成方法,包括前处理、多级电压赋能在铝箔表面形成氧化膜、反复破坏修补氧化膜,所述多级电压赋能和反复破坏修补是在不同浓度的弱酸性槽液间进行,每次铝箔进入不同弱酸性槽液前后都需要水洗清除铝箔表面的酸液残留物,其中,所述水洗方法先在前段用纯水进行冷却,并将上述纯水直接用于后段清洗。本发明提供的阳极铝箔的化成方法,直接采用纯水进行前段冷却,并将上述加热后的纯水直接用于后段清洗,既能保证良好的清洗效果,又能节约热量和用水,降低生产成本。
文档编号H01G9/055GK101950689SQ201010530909
公开日2011年1月19日 申请日期2010年11月4日 优先权日2010年11月4日
发明者张光耀, 戴皓月 申请人:南通华冠电子科技有限公司
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