发光二极管封装结构的制造方法

文档序号:6958236阅读:241来源:国知局
专利名称:发光二极管封装结构的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体制程,尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
很多发光二极管(Light Emitting Diode,LED)封装结构都包括一个反射杯结构, 封装材料填充在该反射杯内。在发光二极管封装结构的制造过程中,包括一个点胶的步骤, 使用胶针将胶状的封装胶液滴入反射杯内,胶液慢慢流动铺满整个反射杯,然后经加热固化形成发光二极管封装结构。如图1和图2所示,一般胶针在给一个封装结构点胶的过程中是不移动的,将胶针定位在反射杯正上方,将胶液全部滴入反射杯内,但是由于胶液具有一定的粘性,流动性较差,且由于胶针离反射杯各边的距离往往不等,导致胶体容易从反射杯靠近胶针的边上溢出到反射杯外面及封装胶无法均勻填满,从而影响发光二极管封装结构的出光均勻性和演色性。

发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能够防止胶液溢出及未均勻填满的发光二极管封装结构的制造方法。一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤提供封装载体,该封装载体上有两个导线架,封装载体包括第一表面,该第一表面上形成有容置槽,容置槽由一底壁和一侧壁围成;将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部,并与所述两个导线架通过金属导线电性连接;使用胶针在所述容置槽内滴加封装胶液,滴加封装胶液的同时移动该胶针;固化所述封装胶液形成封装层,得到发光二极管封装结构。发光二极管封装结构的制造方法中,由于在滴加封装胶液的同时该胶针是移动的,使得胶液可以均勻的分布在容置槽内,避免封装胶液溢出到容置槽外面或涂布不均勻, 从而提高发光二极管封装结构的出光均勻性和演色性。


图1-图2是现有技术点胶方法示意图。图3是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。图4-图9是本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法示意图。主要元件符号说明发光二极管封装结构10封装载体11第一表面111第二表面112
容置槽113
底壁114
侧壁115
导线架12
发光二极管芯片13
金属导线131
封装层14
胶针20
封装胶液30
具体实施例方式以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。请参阅图3至图9,本发明实施方式提供的一种发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤。步骤S301 提供一封装载体11,该封装载体11上有两个导线架12。所述封装载体 11包括相对的第一表面111及第二表面112。该第一表面111上形成有一容置槽113。所述容置槽113由底壁114和侧壁115围成。所述底壁114和侧壁115可为一体成型或采用粘胶等方式固接,本实施方式中,所述底壁114和侧壁115 —体成型。所述封装载体11可采用高导热且电绝缘材料制成,该高导热且电绝缘材料可选自石墨、硅、陶瓷、类钻、环氧树脂或硅烷氧树脂等。所述每个导线架12 —端裸露在容置槽113的底壁114上,另一端裸露在封装载体11的第二表面112上。所述导线架12可采用金属或金属合金制成。步骤S302 将发光二极管芯片13贴设于所述容置槽113的底壁114上或导线架 12上。具体地,该发光二极管芯片13可通过粘着胶固定于容置槽113的底壁114或导线架12上。所述发光二极管芯片13通过金属导线131与所述两个导线架12电性连接。值得说明的是,该发光二极管芯片13亦可以利用覆晶(flip-chip)或共晶(eutectic)的方式电性连接所述两个导线架12。优选地,所述侧壁115能够反射发光二极管芯片13发出的光线,以控制发光二极管芯片13的出光方向。步骤S303 控制胶针20在所述容置槽113内滴加封装胶液30,覆盖住所述发光二极管芯片13和所述底壁114。滴加封装胶液30的同时移动所述胶针20,使得所述封装胶液30能够均勻的分布于所述容置槽113内。该移动的方向可以是直线,也可以是曲线,可以是沿所述金属导线131延伸的方向,也可以是沿该容置槽113较宽的方向。所述封装胶液30的材质可以为硅胶(silicone)、环氧树脂(印oxy)或其组合物。所述封装胶液30还可以包含荧光转换材料,该萤光转换材料可以为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉和氮化物基荧光粉。步骤S304 固化所述封装胶液30形成封装层14,所述封装层14可以保护发光二极管芯片13免受灰尘、水气等影响。这样就形成了所述发光二极管封装结构10。本发明实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法中,由于在滴加封装胶液的同时该胶针是移动的,使得胶液可以均勻的分布在容置槽内,避免封装胶液溢出到容置槽外面或涂布不均勻,从而提高发光二极管封装结构的出光均勻性和演色性。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种像应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤提供封装载体,该封装载体上有两个导线架,封装载体包括第一表面,该第一表面上形成有容置槽,容置槽由一底壁和一侧壁围成;将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部,并与所述两个导线架通过金属导线电性连接;使用胶针在所述容置槽内滴加封装胶液,滴加封装胶液的同时移动该胶针;固化所述封装胶液形成封装层,得到发光二极管封装结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述胶针移动方向为直线。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述胶针移动方向沿所述金属导线延伸的方向。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述胶针移动方向是沿容置槽较宽的方向。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述封装胶液的材质为硅胶、环氧树脂或其组合物。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述封装胶液包含荧光转换材料。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述萤光转换材料为石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、原硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代镓酸盐基荧光粉或氮化物基荧光粉中的一种。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述导线架位于容置槽底部,所述发光二极管芯片贴设于该导线架上。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于所述发光二极管芯片利用金属导线连接、覆晶或共晶的方式电性连接所述两个导线架。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤提供封装载体,该封装载体上有两个导线架,封装载体包括第一表面,该第一表面上形成有容置槽,容置槽由一底壁和一侧壁围成;将发光二极管芯片贴设于所述容置槽的底部,并与所述两个导线架通过金属导线电性连接;使用胶针在所述容置槽内滴加封装胶液,滴加封装胶液的同时移动该胶针;固化所述封装胶液形成封装层,得到发光二极管封装结构。
文档编号H01L33/50GK102569536SQ20101057480
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月7日 优先权日2010年12月7日
发明者孔维江 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
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