专利名称：一种在单块芯片上集成高性能器件与低功耗器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电 离场效应晶体管(IMOS)与隧穿场效应晶体管(TFET)的制造方法，属于半导体器件制造技 术领域。
背景技术：
金属-氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值摆幅(SS)定义为亚阈值区工 作条件下，漏极电流变化一个数量级时所需要的栅极电压增量，其公式为
权利要求
1.一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管与隧穿场效应晶体管的制造方法，其 特征在于具体步骤包括提供一个绝缘体上的硅衬底；第一次离子注入，形成具有第一种掺杂类型的掺杂区；第二次离子注入，形成具有第二种掺杂类型的掺杂区；淀积第一层光刻胶，并光刻形成图形；第三次离子注入，形成具有第二种掺杂类型的掺杂区；剥除第一层光刻胶；淀积第二层光刻胶，并光刻形成图形；刻蚀硅层，形成器件的源区与沟道区部分；剥除第二层光刻胶；形成第一层绝缘薄膜；形成第一层导电薄膜；刻蚀所述第一层绝缘薄膜、第一层导电薄膜形成器件的栅极结构； 淀积第三层光刻胶，并光刻形成图形；刻蚀部分所述具有第一种掺杂类型的掺杂区，形成器件隔离结构； 剥除第三层光刻胶；形成第二层绝缘薄膜，并刻蚀所述第二层绝缘薄膜形成接触孔； 形成金属接触。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为N型，所述 的第二种掺杂类型为P型。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为P型，所述 的第二种掺杂类型为N型。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一层绝缘薄膜为SiO2，或者 为 Ta205、Pr2O3> TiO2, HfO2^Al2O3 或 &02，其厚度范围为 2-20 纳米。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一层导电薄膜为TiN、TaN, RuO2, Ru、WSi合金或者为掺杂的多晶硅材料。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第二层绝缘薄膜为氧化硅或 者为氮化硅，其厚度范围为50-500纳米。
全文摘要
本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管(IMOS)与隧穿场效应晶体管(TFET)的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。
文档编号H01L21/265GK102104027SQ20101059283
公开日2011年6月22日 申请日期2010年12月17日 优先权日2010年12月17日
发明者张卫, 王鹏飞, 臧松干 申请人:复旦大学