专利名称：单晶硅切片中的清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种用于单晶硅的切片设备，特别是涉及一种单晶硅的切片清洗
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背景技术硅片加工工艺流程一般经过晶体生长、切断、外径滚磨、平边、切片、倒角、研磨、腐 蚀、抛光、清洗、包装等阶段，在切边结束后，要将硅片上的胶水和砂浆清除，首先要将切好 的晶棒摆放在脱胶架上，利用高温水脱胶。传统的脱胶架两侧没有开槽，无法用钢尺固定硅 片，在加热过程中，由于胶水软化，硅片可能会倒下，导致硅片的损伤。
发明内容本实用新型的目的就是主要用于固定硅片，防止加热时间过长，硅片倒下导致硅 片的损伤。为此，本实用新型在支架两侧开槽，支架两侧的槽是对称的。清洗脱胶时，将切 好的晶棒摆放于支架上，再用钢尺放在支架两侧槽内，主要是放在晶棒头尾两侧，以固定住 硅片，防止脱胶时胶软化，硅片倒下导致硅片损伤。此技术的改进不仅防止了由于晶棒脱胶时加热时间不够而产生的崩边、硅落等情 况，更大大提高了清洗工作人员的工作效率，便于操作，降低了事故损耗。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。图1、脱胶支架整体示意图；图2、原脱胶支架的俯视图；图3、原脱胶支架的侧立面图；图4、本实用新型的俯视图。图5、本实用新型的正立面图图6、本实用新型的侧立面图附图中1是支架，1-1是支架两侧槽内，2是晶棒，3是钢尺。
具体实施方式
清洗脱胶时，将切好的晶棒(2)摆放于支架(1)上，再用钢尺(3)放在支架两侧槽 内(1-1)，主要是放在晶棒(2)头尾两侧(1-1)，以固定住硅片，防止脱胶时胶软化，硅片倒 下导致硅片损伤。
权利要求1.一种单晶硅切片中的清洗装置，由支架、晶棒、钢尺等组成，其特征在于在支架两侧 开槽。
2.根据权利要求1所述的单晶硅切片中的清洗装置，其特征在于支架两侧的槽是对称的。
专利摘要本实用新型涉及一种单晶硅的切片清洗装置，在支架两侧开槽，清洗脱胶时，将切好的晶棒摆放于支架上，再用钢尺放在支架两侧槽内，主要是放在晶棒头尾两侧，以固定住硅片，防止脱胶时胶软化，硅片倒下导致硅片损伤。
文档编号H01L21/00GK201862609SQ20102055716
公开日2011年6月15日 申请日期2010年10月9日 优先权日2010年10月9日
发明者殷国庆 申请人:常州益鑫新能源科技有限公司