专利名称：一种超高方阻金属化薄膜的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电容器用金属化薄膜，具体地说是一种超高方阻金属化薄膜。
背景技术：
金属化薄膜是电容器的重要材料。目前市场生产的金属化薄膜种类很多，特别是 铝锌边缘加厚金属化薄膜，它的镀层结构主要是由铝锌镀层构成的中间加厚区和及位于两 侧的活动区。加厚区方阻一般为2、Ω/ □，活动区金属镀层厚度一致，方阻相同，一般为 5^10 Ω / 口。这种薄膜由于其活动区方阻均勻且金属层厚方阻大，金属层所需自愈能量较 大，自愈困难，抗电强度下降，从而易发生击穿，电容器厂家往往增加介质(光膜)厚度来增 加抗电强度，因此，加大了生产成本。而专利文献CN1753114A公开的渐变方阻金属化薄 膜，虽然其活动区即方阻渐变区的金属镀层由中间向两侧递减，使得方阻逐渐增大，抗电强 度有所提高，但是方阻大的区域的锌极易氧化，所以镀层无法镀的太薄，因此，这种结构的 金属化薄膜也难以提高其抗电强度。发明内容本实用新型的目的是针对现有技术中存在的不足之处，提供一种超高方阻金属化 薄膜，具有高耐压、自愈性好，成本低的特点，可以用于生产体积小高额定电压的电容器。为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案包括聚合物基膜，和在该基膜 上通过汽相沉淀法形成的由Ai和/或ai构成金属镀层，所述金属镀层区域在基膜宽度方 向上包括中间加厚区以及位于中间加厚区两侧的方阻渐变区；两侧基膜留边区与方阻渐变 区之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区的超高方阻区。本实用新型的一个优选方案是超高方阻区的金属镀层由金属Al构成，超高方阻 区的方阻为45 55 Ω / 口。由上述技术方案可知，本实用新型的优点在于超高方阻区镀层采用Al，镀层厚 度较薄，自愈性好，显著提高了抗电强度和自愈能力，可以降低基膜的厚度，不仅可以缩小 电容器的体积，还可以降低生产成本。并且超高方阻区镀层不易氧化，容易储存，可以用于 生产体积小额定电压高的电容器。
图1是本实用新型结构示意图。
具体实施方式
如图1所示为本实用新型在宽度方向上的结构。基膜1可以是聚丙烯、聚酯、聚苯 乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯等聚合物，厚度一般在0. 5 μ πΓ20 μ m。由Al和/或ai构成的金属 镀层通过汽相淀积法形成，先镀Al层2，再在Al层2上蒸镀Si层3形成。金属镀层自中间至两侧留边区d依次是中间加厚区a、方阻渐变区b和超高方阻区C。其中，中间加厚区a 和方阻渐变区b由Al层2和镀Si层3复合而成，超高方阻区c为镀Al层3，镀Al层3的 厚度薄，使得超高方阻区c的方阻在45 55Ω/ □范围内。 以规格为4 μ mX IOOmmX 2. 5mm的上述超高方阻金属化薄膜(“4 μ m”表示金属化 薄膜的厚度，IOOmm表示金属化薄膜的宽度，2. 5mm表示留边区d的宽度)为例加厚区a宽 度为5mm，该铝锌加厚金属层的方阻值为2 10 Ω / 口 ；方阻渐变区b宽度为35mm，Si层3的 厚度呈线性递减，方阻值从10 Ω / □线性渐变至20 Ω / 口 ；超高方阻区c的宽度为55 mm, 该区域的方阻值为45 55 Ω/□。用4μπιΧ IOOmmX 2. 5mm超高金属化膜做成的电容器的抗 电强度与6 μ mX IOOmmX 2. 5mm普通金属化膜做成的电容器的抗电强度一致，缩小电容器 的体积，降低了生产成本。
权利要求1.一种超高方阻金属化薄膜，包括聚合物基膜(1)，和在该基膜(1)上通过汽相沉淀法 形成的由Al和/或Si构成金属镀层，所述金属镀层区域在基膜宽度方向上包括中间加厚 区(a)以及位于中间加厚区(a)两侧的方阻渐变区(b)；其特征在于基膜留边区(d)与方 阻渐变区(b)之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区(b)的超高方阻区(C)。
2.根据权利要求1所述的超高方阻金属化薄膜，其特征在于超高方阻区(c)的金属 镀层由金属Al构成，超高方阻区(c)的方阻为45 55Ω/口。
专利摘要本实用新型涉及一种超高方阻金属化薄膜，包括聚合物基膜，和在该基膜上通过汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn构成金属镀层，所述金属镀层区域在基膜宽度方向上包括中间加厚区以及位于加厚区两侧的方阻渐变区；基膜留边区与方阻渐变区之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区的超高方阻区。本实用新型金属化薄膜抗电强度高，自愈能力强，可以适用于制造较高额定电压的电容器；还可以降低生产成本。
文档编号H01G4/015GK201829351SQ20102058374
公开日2011年5月11日 申请日期2010年10月30日 优先权日2010年10月30日
发明者周慧宁, 束长青, 石兆峰, 章晓红 申请人:安徽铜峰电子股份有限公司