导电光学元件、触摸面板、信息输入装置、显示装置、太阳能电池和生产导电光学元件的母版的制作方法

专利名称：导电光学元件、触摸面板、信息输入装置、显示装置、太阳能电池和生产导电光学元件的母版的制作方法
技术领域：
本发明涉及导电光学元件、触摸面板、信息输入装置、显示装置、太阳能电池以及用于制造导电光学元件的母版。具体地，本发明涉及在其基体的一个主表面上设置有透明导电膜的导电光学元件。
背景技术：
近年来，用于输入信息的电阻式触摸面板已设置在包含在移动装置和蜂窝电话装置中的诸如液晶显示元件的显示装置上。电阻式触摸面板具有其中两个透明导电膜关于其间由绝缘材料(例如丙烯酸树脂)形成的间隔间相对设置的结构。透明导电膜用作触摸面板的电极并包括具有透明性的基板(例如聚合物膜)以及设置在该基板上并由诸如ITO(铟锡氧化物)的高折射率材料 (例如，大约1. 9至2. 1)形成的透明导电层。要求用作电阻式触摸面板的透明导电膜具有例如约300 Ω / □至500 Ω / 口的期望表面电阻值。此外，要求透明导电膜具有高的透射率，以避免其中设置有电阻式触摸面板的显示装置(例如液晶显示装置)的显示质量劣化。为了实现期望的表面电阻值的目的，需要构成透明导电膜的透明导电层的厚度增加到例如大约20nm至30nm。然而，如果由高折射率材料形成的透明导电层的厚度增加，则外部光在透明导电层和基板之间的界面的的反射增加，从而透明导电膜的透射率减小。因此，存在显示装置的质量会出现劣化的问题。为了解决该问题，例如，日本未审查专利申请公开No. 2003-136625已提出一种用于触摸面板的透明导电膜，其中在基板和透明导电层之间设置了防反射层。该防反射层通过将具有不同折射率的多个电介质层依次层压来形成。

发明内容
技术问题然而，关于在上述的专利文献中描述的透明导电膜，由于防反射层的反射功能的波长依赖性，在透明导电膜的透射中发生色散。因此，难以在宽范围的波长中实现高透射率。因此，本发明的目标是提供导电光学元件、触摸面板、信息输入装置、显示装置、太阳能电池以及用于制造导电光学元件的母版。技术方案为了解决上述问题，本发明是一种设置有以下的导电光学元件具有表面的基体，作为锥形凸部或凹部的结构，大量该结构以小于或等于可见光波长的微小间距配置在基体的所述表面上；以及
设置在结构上的透明导电层，其中结构的高宽比为为0.2以上且1.3以下，透明导电层具有跟随结构的表面，在结构的顶部处的透明导电层的平均层厚度Dl为SOnm以下，以及透明导电层的表面电阻在50Ω/ □以上且500Ω/ □以下的范围内。在本发明中，优选的是，主结构周期性配置成四方点阵状或准四方点阵状。这里， 四方点阵指的是正四角形状的点阵。准四方点阵指的是不同于正四角形状的点阵的扭曲的正四角形状的点阵。例如，在结构呈直线配置的情况下，准四方点阵指的是通过在直线形的配置方向 (轨迹方向)上将正四角形状的点阵拉伸成扭曲所获得的四方点阵。在结构以蜿蜒(蛇行) 方式配置的情况下，准四方点阵指的是通过基于结构的蜿蜒配置将正四角形状的点阵扭曲所获得的四方点阵。可替换地，准四方点阵指的是通过在直线形的配置方向(轨迹方向) 上将正四角形状的点阵拉伸成扭曲，并另外基于结构的蜿蜒配置进行扭曲所获得的四方点阵。在本发明中，结构优选周期性地配置成六方点阵形或准六方点阵形。这里，六方点阵指的是正六角形状的点阵。准六方点阵指的是不同于正六角形状的点阵的扭曲的正六角形状的点阵。例如，在结构呈直线配置时，准六方点阵是通过在直线形的配置方向上将正六角形状的点阵拉伸成扭曲而得到的六方点阵。在结构以蜿蜒方式配置的情况下，准六方点阵指的是通过基于结构的蜿蜒配置将正六角形状的点阵扭曲所获得的六方点阵。可替换地， 准六方点阵指的是通过在直线形的配置方向(轨迹方向)上将正六角形状的点阵拉伸成扭曲，并另外基于结构的蜿蜒配置进行扭曲所获得的六方点阵。在本发明中，椭圆不仅包括数学上定义的完全的椭圆，还包括设置有一定扭曲度的椭圆。圆形不仅包括数学上定义的完全的圆形(正圆)，还包括设置有一定扭曲度的圆形。在本发明中，优选的是，同一轨迹上的结构的配置间距Pl大于相邻两条轨迹之间的结构的配置间距P2。因此，可提高具有椭圆锥形状或椭圆椎台形状的结构的填充率，并由此可改善防反射特性。在本发明中，在各结构在基体表面上形成六方点阵图案或准六方点阵图案的情况下，比率P1/P2优选满足通过1. 00 ^ P1/P2 < 1. 2或1. 00 < P1/P2 ^ 1. 2表示的关系，更优选地满足通过1. 00 ^ P1/P2 < 1. 1或1. 00 < P1/P2 ^ 1. 1表示的关系，其中同一轨迹上的结构的配置间距设为P1，相邻两条轨迹之间的结构的配置间距设为P2。在采用上面描述的数值范围的情况下，可提高具有椭圆锥形状或椭圆椎台形状的结构的填充率，并由此可改善防反射特性。在本发明中，在各结构在基体表面上形成六方点阵图案或准六方点阵图案的情况下，优选的是，各结构是其主轴方向在轨迹延伸方向上并且以中部的倾斜比顶部和底部陡的方式形成的椭圆锥形状或椭圆椎台形状。在采用这样形状的情况下，可改善防反射特性和透射特性。在本发明中，在各结构在基体表面上形成六方点阵图案或准六方点阵图案的情况下，优选的是，结构在轨迹延伸方向上的高度或深度小于结构在轨迹列方向上的高度或深度。在不满足这样关系的情况下，需要增加轨迹延伸方向上的配置间距，因此结构在轨迹延伸方向上的填充率减小。如果填充率减小，如上面描述，则引起防反射特性劣化。在本发明中，在结构在基体表面上形成四方点阵图案或准四方点阵图案的情况下，优选的是，同一轨迹中的结构的配置间距Pi大于相邻两条轨迹之间的结构的配置间距 P2。因此，可提高具有椭圆锥形状或椭圆椎台形状的结构的填充率，并由此可改善防反射特性。在结构在基体表面上形成四方点阵图案或准四方点阵图案的情况下，比率P1/P2 优选满足通过1. 4 < P1/P2 ^ 1. 5表示的关系，其中同一轨迹中的结构的配置间距设为P1， 相邻两条轨迹之间的结构的配置间距设为P2。在采用上面描述的数值范围的情况下，可提高具有椭圆锥形状或椭圆椎台形状的结构的填充率，并由此可改善防反射特性。在结构在基体表面上形成四方点阵图案或准四方点阵图案的情况下，优选的是， 各结构是其主轴方向在轨迹延伸方向上并且以中部的倾斜比顶部和底部陡的方式所形成的椭圆锥形状或椭圆椎台形状。在采用这样的形状的情况下，可改善防反射特性和透射特性。在各结构在基体表面上形成四方点阵图案或准四方点阵图案的情况下，优选的是，结构在相对于轨迹45度的方向或大约45度的方向上的高度或深度小于结构在轨迹的列方向上的高度或深度。在不满足这样关系的情况下，需要增加在相对于轨迹45度的方向或大约45度的方向上的配置间距，因此结构在相对于轨迹45度的方向或大约45度的方向上的填充率减小。如果填充率减小，如上面描述，则引起防反射特性劣化。根据本发明的导电光学元件适合应用于信息输入元件(例如，电阻式触摸面板或电容式触摸面板)、显示装置(例如电子纸、电致发光(电致发光EL)显示元件以及液晶显示元件)、太阳能电池、电磁去噪片、光源等。在根据本发明的导电基板应用于太阳能电池的情况下，具体地，应用于例如用于染色敏化太阳能电池的光电极或相对电极的导电基板是可行的。然而，根据本发明的导电基板的应用示例不限于此，并且应用于通过使用导电基板等的各种太阳能电池是可行的。在本发明中，优选的是，以微小间距大量设置在基体上的结构构成多条轨迹行，并在相邻的三条轨迹行之间形成六方点阵图案、准六方点阵图案、四方点阵图案或准四方点阵图案。因此，可增加结构在表面上的填充密度，并由此增加关于可见光等的防反射效率， 因此可获得具有良好防反射特性和高透射率的导电光学元件。此外，在通过使用基于光学盘母版制造工艺和蚀刻工艺的组合的方法来制造光学元件的情况下，可短时间高效地制造用于制造光学元件的母版，并另外，能够对应于基体的大型化。因此，可提高光学元件的生产率。此外，在结构的微小配置不仅设置在光入射表面上，还设置在发光表面上的情况下，可进一步改善透射特性。有利效果如上所述，根据本发明，可实现具有良好防反射性能的导电光学元件。


图IA是示出根据本发明第一实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图IB是示出图IA中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图IC是沿图IB中所示的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图ID是沿图IB中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。 图IE是示出了在形成对应于图IB示出的轨迹Τ1、Τ3…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图IF是示出了在形成对应于图IB示出的轨迹Τ2、Τ4···的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图2是示出了图IA中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图3Α是图IA中示出的导电光学元件1在轨迹延伸方向上的截面图。图:3Β是图IA中示出的导电光学元件1在θ方向上的截面图。图4是示出了图IA中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图5是示出了图IA中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图6是示出了图IA中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图7是用于说明在结构的边界不清晰的情况下的结构底面的设定方法的图示。图8Α 8D是示出结构底面的椭圆率改变的情况下的底面形状的图不。图9Α是示出了具有圆锥形状或圆锥台形状的结构的配置示例的图示。图9Β是示出了具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构的配置示例的图示。图IOA是示出了用于制造导电光学元件的辊型母版(roll master)的构造示例的透视图。图IOB是示出了图IOA所示的辊型母版的局部放大平面图。图11是示出了辊型母版曝光装置的构造示例的示意图。图12A 图12C是用于说明用于制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图示。图13A 图13C是用于说明用于制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图示。图14A和图14B是用于说明用于制造根据本发明第一实施方式的导电光学元件的方法的步骤图示。图15A是示出根据本发明第二实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图15B是示出图15A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图15C是沿图15B 中所示的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图15D是沿图15Β中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。图15Ε是示出了在形成对应于图15Β示出的轨迹Τ1、Τ3…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图15F是示出了在形成对应于图15Β示出的轨迹Τ2、Τ4…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图16是示出结构的底面椭圆率改变情况下的底面形状的图示。图17Α是示出了用于制造导电光学元件的辊型母版的构造示例的透视图。图17Β 是示出图17Α所示的辊型母版的局部放大平面图。图18Α是示出根据本发明第三实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图18Β是示出图18Α中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图18C是沿图18Β 中所示的轨迹Τ1、Τ3、…截取的截面图。图18D是沿图18Β中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。图19Α是示出了用于制造导电光学元件的圆盘母版的构造示例的平面图。图19Β 是示出图19Α示所示的圆盘母版的局部放大平面图。
图20是示出圆盘母版曝光装置的构造示例的示意图。图21A是示出根据本发明第四实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图21B是示出图21A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图22A是示出了根据本发明第五实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图22B是示出了图22A中示出的导电光学元件的局部放大平面图。图22C是沿着图22B中的轨迹Tl、T3…截取的截面图。图22D是沿着图22B中的轨迹T2、T4···截取的截面图。图23是示出图22A中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图24A是示出了根据本发明第六实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图24B是示出了图24A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图24C是沿着图24B中所示的轨迹T1、T3...截取的截面图。图24D是沿着图MB中所示的轨迹Τ2、 Τ4...截取的截面图。图25是示出图24Α中所示的导电光学元件的局部放大透视图。图沈示出了根据本发明第六实施方式的导电光学元件的折射率分布的示例的曲线图。图27是示出结构的形状示例的截面图。图^A 图^C是用于说明变化点的定义的图示。图四是示出根据本发明第七实施方式的导电光学元件的构造示例的截面图。图30是示出根据本发明第八实施方式的导电光学元件的制造方法所使用的热转印形成装置的构造示例的示意图。图31Α是示出根据本发明第九实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图31Β 是示出根据本发明第九实施方式的触摸面板的构造的变形例的截面图。图32Α是示出根据本发明第十实施方式的触摸面板的构造示例的透视图。图32Β 是示出根据本发明第十实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图33是示出根据本发明第十一实施方式的液晶显示装置的构造示例的截面图。图34Α是示出根据本发明第十二实施方式的触摸面板的构造的第一示例的透视图。图34Β是示出根据本发明第十二实施方式的触摸面板的构造的第二示例的截面图。图35Α是示出比较例1 5中的反射特性的曲线图。图35Β是示出比较例1 5 中的透射特性的曲线图。图36Α是示出实施例1和2以及比较例6和7中的高宽比与表面电阻之间的关系的曲线图。图36Β是示出实施例1和2以及比较例6和7中的结构高度与表面电阻之间的关系的曲线图。图37Α是示出实施例1和2以及比较例6和7中的透射特性的曲线图。图37Β是示出实施例1和2以及比较例6和7中的反射特性的曲线图。图38Α是示出实施例1和比较例9中的透射特性的曲线图。图38Β是示出实施例 1和比较例9中的反射特性的曲线图。图39Α是示出比较例6和8中的透射特性的曲线图。图39Β是示出比较例6和8 中的反射特性的曲线图。图40Α是示出实施例3和4以及比较例11和12中的透射特性的曲线图。图40Β是示出实施例3和4以及比较例11和12中的反射特性的曲线图。图41是示出实施例5以及比较例13 16中的透射特性的曲线图。图42A是示出比较例17和18中的导电光学片的透射特性的曲线图。图42B是示出比较例17和18中的导电光学片的反射特性的曲线图。图43A是示出比较例19和20中的反射特性的曲线图。图4 是示出实施例6和比较例21中的反射特性的曲线图。图44A是示出实施例7和比较例22中的反射特性的曲线图。图44B是示出实施例8和比较例23中的反射特性的曲线图。图45A是用于说明在结构配置成六方点阵形状情况下的填充率的图示。图45B是用于说明在结构配置成四方点阵形状情况下的填充率的图示。图46是示出测试例3中的模拟结果的曲线图。图47是用于说明设置在作为凸部的结构上的透明导电层的平均层厚度Dl、D2和 D3的确定方法的示意图。图48A是示出根据本发明第十三实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图 48B是示出图48A中所示的布线区Rl在放大情况下的放大截面图。图48C是示出图48A中所示的非布线区R2在放大情况下的放大截面图。图49A是示出根据本发明第十三实施方式的触摸面板的更具体构造示例的透视图。图49B是示出第一基板的构造示例的分解透视图。图50A是示出在其两个主表面上都设置有大量凸形结构的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图50B是示出图50A中所示的第一光学层的局部放大平面图。图50C 是沿着图50B中示出的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图50D是沿着图50Β中示出的轨迹 Τ2、Τ4、…截取的截面图。图51Α是图50Β中示出的第一光学层在轨迹延伸方向上的截面图。图51Β是图 50Β中示出的第一光学层在θ方向上的截面图。图52Α是示出图50Β中所示的结构的第一形状示例的透视图。图52Β是示出图 50Β中所示的结构的第二形状示例的透视图。图53Α是示出图50Β中所示的结构的第三形状示例的透视图。图5 是示出图 50B中所示的结构的第四形状示例的透视图。图54A是示出了具有圆椎形状或圆椎台形状的结构的配置示例的图示。图54B是示出了具有椭圆椎形状或椭圆椎台形状的结构的配置示例的图示。图55A是示出在两个主表面上都设置有大量凹形结构的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图55B是示出图55A中所示的导电元件的局部放大平面图。图55C是沿着图55B中示出的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图55D是沿着图55Β中示出的轨迹Τ2、 Τ4、…截取的截面图。图56是示出在图55Β中所示的导电元件的局部放大透视图。图57Α示出用于制造具有第一光学层的的辊型母版的构造示例的透视图。图57Β 是示出图57Α中所示的辊型母版的局部放大平面图。图58是示出辊型母版曝光装置的构造示例的示意图。图59Α 图59C是用于说明用于制造根据本发明第十三实施方式的导电元件的方法示例的步骤图示。图60A 图60C是用于说明用于制造根据本发明第十三实施方式的导电元件的方法示例的步骤图示。图61A和图61B是用于说明用于制造根据本发明第十三实施方式的导电元件的方法示例的步骤图示。图62A是示出根据第十三实施方式的导电元件的轨迹的第一变形例的平面图。图 62B是示出根据第十三实施方式的导电光学元件的轨迹的第二变形例的平面图。图63是示出了根据第十三实施方式的透明导电层和导电元件的凹凸形状的变形例的截面图。图64A是示出根据本发明第十四实施方式的导电元件的布线区Rl在放大情况下的放大截面图。图64B是示出根据本发明第十四实施方式的导电元件的非布线区R2在放大情况下的放大截面图。图65A是示出了根据本发明第十五实施方式的导电元件的构造示例的示意性平面图。图65B是示出了图65A中所示的导电元件的局部放大平面图。图65C是沿着图65B 中示出的轨迹Tl、T3、…截取的截面图。图65D是沿着图65B中示出的轨迹T2、T4、…截取的截面图。图66Α是示出了根据第十六实施方式的导电元件的第一光学层的示例的示意性平面图。图66Β是示出图66Α中所示的第一光学层的局部放大平面图。图67Α是示出了根据本发明第十七实施方式的导电元件的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图67Β是示出了图67Α中所示的第一光学层的局部放大平面图。图 67C是沿着图67Β中所示的线C-C截取的截面图。图68是示出了根据本发明第十八实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图69Α是示出了根据本发明第十九实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图 69Β是示出图69Α中所示的布线区在放大情况下的放大截面图。图69C是示出图69Α中所示的非布线区在放大情况下的放大截面图。图70Α是示出了根据本发明第二十实施方式的显示装置的构造示例的截面图。图 70Β是示出图70Α中所示的布线区在放大情况下的放大截面图。图70C是示出图70Α中所示的非布线区在放大情况下的放大截面图。图71是示出根据实施例1-1至1-3以及比较例1-1的导电元件的反射特性的曲线图。图72是示出根据实施例2-1至2-3以及比较例2_1的导电元件的反射特性的曲线图。图73是示出根据实施例3-1和3-2的导电元件和根据比较例3_1的光学元件的反射特性的曲线图。图74是示出根据参照例1-1到1-3的导电元件和根据参照例1-4的光学元件的反射特性的曲线图。图75是示出根据实施例4-1和比较例4-1和4_3的导电片以及根据比较例4_2 的光学片的反射特性的曲线图。图76Α是示出根据实施例5-1至5_4的导电片和根据比较例5_1的光学片的反射特性的曲线图。图76B是示出根据实施例6-1至6-4的导电片和根据比较例6-1的光学片的反射特性的曲线图。图77A是示出根据实施例7-1至7_4的导电片和根据比较例7_1的光学片的反射特性的曲线图。图77B是示出根据实施例8-1至8-3和比较例8-1的导电片以及根据比较例8-2的光学片的反射特性的曲线图。图78A是示出根据实施例9-1至9_3和比较例9_1的导电片以及根据比较例9_2 的光学片的反射特性的曲线图。图78B是示出根据实施例10-1和10-2以及比较例10-1 的导电片以及根据比较例10-2的光学片的反射特性的曲线图。图79A是示出根据实施例11-1至11_3和比较例11_1的导电片以及根据比较例 11-2的光学片的反射特性的曲线图。图80A是示出根据实施例12-1至12-3和比较例12_1至12_3的导电片的表面电阻特性的曲线图。图80B是示出根据实施例13-1至18-3和比较例16-1至18-1的导电片的表面电阻特性的曲线图。图80C是示出根据实施例19-1至19-4的导电片的表面电阻特性的曲线图。图81A是示出根据实施例20-1、20_5和20-7以及比较例20_1的导电片的反射特性的曲线图。图81B是示出根据实施例20-2、实施例20-4和比较例20_2的导电片的反射特性的曲线图。图82A是示出根据实施例20-8和比较例20-1的导电片的反射特性的曲线图。图 82B是示出根据实施例20-8和比较例20-1的导电片的透射特性的曲线图。图83是示出根据实施例20-7和20_9以及比较例20_1的导电片的XRD频谱的曲线图。
具体实施例方式执行本发明的最优方式将参照附图以以下的顺序描述根据本发明的实施方式。1.第一实施方式(结构二维配置成直线形和另外的六方点阵形的示例参照图1)2.第二实施方式(结构二维配置成直线形和另外的四方点阵形的示例参照图 15)3.第三实施方式(结构二维配置成弧形和另外的六方点阵形的示例参照图18)4.第四实施方式(结构以蜿蜒方式配置的示例参照图21)5.第五实施方式(在基体表面上形成凹形结构的示例参照图22)6.第六实施方式(字母S形的折射率分布的示例参照图沈)7.第七实施方式(在导电光学元件的两个主表面上形成结构的示例参照图29)8.第八实施方式(通过热转印形成结构的示例参照图30)9.第九实施方式(应用于电阻式触摸面板的示例参照图31A和图31B)10.第十实施方式(在触摸面板的触摸表面上形成硬涂层的示例参照图32A和图 32B)11.第十一实施方式(内部触摸面板的示例参照图33)12.第十二实施方式(应用于电容式触摸面板的示例参照图34A和图34B)
13.第十三实施方式(在光学层中包含两个透明导电层的示例参照图48)
14.第十四实施方式(在光学层中还包含金属层的示例参照图64)
15.第十五实施方式(二维配置成四方点阵形的结构的示例参照图65)
16.第十六实施方式(至少两类结构的二维配置的示例参照图66)
17.第十七实施方式(结构的随机配置的示例参照图67)
18.第十八实施方式(在光学层中包含单层透明导电层的示例参照图68)
19.第十九实施方式(应用于电阻式触摸面板的示例参照图69)
20.第二十实施方式(应用于显示装置的示例参照图70)
<1.第一实施方式>[导电光学元件的构造]图IA是示出根据本发明第一实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图IB是示出图IA中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图IC是沿图IB中所示的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图ID是沿图IB中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。 图IE是示出了在形成对应于图IB示出的轨迹Τ1、Τ3…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图IF是示出了在形成对应于图IB示出的轨迹Τ2、Τ4···的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图2以及图4至图6是均示出了图IA示出的导电光学元件1的局部放大透视图。图3Α是图IA中示出的导电光学元件1在轨迹延伸方向(X方向(下文中， 也可以适宜地称为“轨迹方向”))上的截面图。图:3Β是图IA中示出的导电光学元件1在 θ方向上的截面图。导电光学元件1设置有具有彼此相对的两个主表面的基体2、作为凸部并且为了减少反射的目的以小于或等于光的波长的微小间距形成在一个主表面上的结构3、以及设置在这些结构3上的透明导电层4。在这点上，金属层(导电层)5可进一步设置在结构3 和透明导电层4之间。该导电光学元件1具有防止在图2中示出的-Z方向上穿过基体2 的光在结构3与周围空气之间的界面处反射的功能。将按以下顺序描述设置在光学元件1中的基体2、结构3、透明导电层4和金属层 5。结构3的高宽比(高度H/平均配置间距P)优选在0.2以上且1.3以下的范围内，更优选地在0. 2以上且1. 0以下的范围内。透明导电层4的平均层厚度优选在9nm以上且SOnm以下的范围内。如果结构3的高宽比小于0. 2，并且透明导电层4的平均层厚度超过80nm，则防反射特性和透射特性趋于劣化。另一方面，如果结构3的高宽比超过1. 3， 并且透明导电层4的平均层厚度小于9nm，则表面电阻趋于增大，这是因为结构3的斜面变陡且透明导电层4的平均层厚度减小。即，高宽比和平均层厚度满足上面描述的数值范围， 由此可获得宽范围的表面电阻(例如，50 Ω / 口以上且500 Ω / □以下)，另外可获得良好的防反射特性和透射特性。这里，透明导电层4的平均层厚度是结构3顶部处的透明导电层 4的平均层厚度Dl。此外，结构3的高宽比优选地在0. 2以上且1. 3以下的范围，更优选地在0. 2以上且1. 0以下的范围。如果高宽比小于0. 2，则防反射特性趋于劣化，而如果超过1. 3，导电性趋于相对于环境耐久性等劣化，这是因为斜面部分的倾斜变陡且层厚度减小。优选的是，满足由Dl > D3 > D2所表示的关系，其中结构3顶部处的透明导电层4的平均层厚度被设为D1，结构3的倾斜面处的透明导电层4的平均层厚度被设为D2，以及结构之间的透明导电层4的平均层厚度被设D3。结构3的倾斜面的平均层厚度D2优选在9nm以上且SOnm以下的范围内。在透明导电层4的平均层厚度D1、D2和D3满足上述关系，且另外透明导电层4的平均层厚度D2满足上述数值范围的情况下，可获得宽范围的表面电阻，并另外可获得良好的防反射特性和透射特性。在这点上，通过如后面描述确定平均层厚度Dl、D2和D3中的每一个，能够确认平均层厚度Dl、D2和D3是否满足上述关系。优选的是，透明导电层4具有跟随结构3的形状的表面，并且结构3顶部处的透明导电层4的平均层厚度Dl在SOnm以下的范围内。优选的是，透明导电层4具有跟随结构 3的形状的表面，并且结构3顶部处的透明导电层4的平均层厚度Dl在IOnm以上且SOnm 以下的范围内。如果超过80nm，则防反射特性趋于劣化。如果平均层厚度小于lOnm，则预定电阻的实现趋于变得困难。此外，环境耐久性趋于劣化。从获得宽范围的表面电阻并另外获得良好的防反射特性和透射特性的观点来看， 优选的是，结构3顶部处的透明导电层4的平均层厚度Dl在IOnm以上且SOnm以下的范围内，结构3的倾斜面处的透明导电层4的平均层厚度D2在9nm以上且SOnm以下的范围内， 以及结构之间的透明导电层4的平均层厚度D3在9nm以上且SOnm以下的范围内。图47是用于说明设置在作为凸部的结构上的透明导电层的平均层厚度Dl、D2和 D3的确定方法的示意图。以下将参照图47描述用于确定平均层厚度D1、D2和D3的方法。首先，在轨迹延伸方向上以包含结构3的顶部的方式切割导电光学元件1，并用 TEM对所产生的截面拍照。此后，基于所产生的TEM照片，对结构3顶部处的透明导电层4 的层厚度Dl进行测量。随后，在结构3的倾斜面的位置中，对结构3 —半高度(H/2)的位置处的层厚度D2进行测量。然后，在结构之间的凹部的位置中，对凹部深度是最大的位置处的层厚度D3进行测量。接下来，对于从导电光学元件1随机选择的10个部位重复这些层厚度D1、D2和D3的测量，并且对测量值D1、D2和D3进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度D1、D2和D3。透明导电层4的表面电阻优选在50 Ω / □以上且4，OOO Ω / □以下的范围内，更优选地在50 Ω / □以上且500 Ω / □以下的范围内。这是因为通过将表面电阻指定在上述范围内，透明导电光学元件1可用作各种触摸面板的上部电极或下部电极。这里，透明导电层 4的表面电阻基于四端子测量(JIS K 7194)来确定。透明导电层4的电阻率优选为IX 10_3 Ω · cm以下，且更优选地为6X 10_4 Ω · cm 以下。这是因为在电阻率为1 Χ ο—3 Ω · cm以下的情况下，可实现表面电阻的上述范围。结构3的平均配置间距P优选在IOOnm以上且350nm以下的范围内，更优选地在 150nm以上且320nm以下的范围内。如果平均配置间距小于lOOnm，则导电性趋向于相对于环境耐久性等劣化，这是因为斜面部分的倾斜变陡并且层厚度减小。另一方面，如果平均配置间距超过350nm，则趋于发生可见光的衍射。结构3的高度(深度)H优选在30nm以上且320nm以下的范围内，更优选地在70nm 以上且320nm以下的范围内。如果结构3的高度H小于30nm，则反射率趋于增加。如果结构3的高度H超过320nm，则实现预定电阻趋于变得困难。(基体)基体2是例如具有透明性的透明基体。用于基体2的材料的示例包括具有透明性的塑料材料和含有玻璃等作为主要成分的材料，但并不特别地局限于这些材料。对于玻璃，例如，使用碱石灰玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃和液晶玻璃(参照 THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN 编的 Kagaku Binran (化学手册)，理论化学，P. 1-537)。 对于塑料材料，从光学特性(例如，透明性、折射率和色散)，以及另外诸如抗冲击性、耐热性和耐久性的各种特性的观点来看，(甲基)丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸甲酯与乙烯基单体的共聚物，例如，其它烷基(甲基)丙烯酸酯和苯乙烯)；聚碳酸酯基树脂(例如聚碳酸酯和二甘醇二苯甲酸酯(CR-39))；热固(甲基)丙烯酸树脂(例如(溴化)双酚A类二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物以及(溴化)双酚A类一(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性单体的聚合物和共聚物)；多元酯(具体为，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯，以及不饱和聚酯)；丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚氯乙烯；聚氨酯；环氧树脂；聚丙烯酸酯；聚醚砜；聚醚酮；环烯烃聚合物(商品名ART0N、ZE0N0R)；以及环烯烃共聚物是优选的。此外，考虑耐热性也可使用芳纶基树脂。在塑料材料用作基体2的情况下，为进一步改善塑料表面的表面能、可涂布性、滑动性质、平坦度等，可设置下涂层来作为表面处理。下涂层的示例包括有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯改性聚酯和聚氨酯。此外，为了获得与下涂层的设置相同的效果，可对基体2 的表面进行电晕放电或UV照射处理。在基体2是塑料膜的情况下，可通过例如其中上述树脂被拉伸或用溶剂稀释后形成膜形状，继之进行干燥的方法来获得基体2。在这点上，基体2的厚度为例如约25μπι至 500 μ m0基体2的形状的示例包括片状、板状以及块状，但并不特别地局限于这些形状。这里，定义片包括膜。优选的是，基体2的形状根据光学装置(例如，照相机)中必须具有的预定防反射功能的部分的形状来适宜地选择。(结构)大量作为凸部的结构3配置在基体2的表面上。在为了减小反射的目的的情况下，这些结构3以小于或等于光的波长频带的短配置间距(例如以与可见光的波长相同程度的配置间距)来周期性地二维配置。这里，配置间距指的是配置间距Pl和配置间距P2。 在为了减少反射的情况下，光的波长频带是紫外光的波长频带、可见光的波长频带、红外光的波长频带等。这里，紫外光的波长频带指的是IOnm至360nm的波长频带，可见光的波长频带指的是360nm至830nm的波长频带，红外光的波长频带指的是830nm至Imm的波长频带。具体地，配置间距为IOOnm以上且;350nm以下，更优选地为150nm以上且320nm以下。 如果平均配置间距小于lOOnm，则导电性趋向于相对于环境耐久性等劣化，这是因为斜面部分的倾斜变陡且层厚度减小。另一方面，如果配置间距超过350nm，则趋于发生可见光的衍射。导电光学元件1的各结构3具有在基体2的表面上构成多行轨迹Tl、T2、T3、… (下文中，可统称为“轨迹T”)的配置形式。在本发明中，轨迹”指的是结构3排列成直线状时所排列起的部分。此外“列方向”指的是在基体2的形成面上与轨迹延伸方向(X方向) 垂直的方向。结构3以相邻的两条轨迹T的位置相对于彼此移动半个间距的方式配置。具体地， 关于相邻的两条轨迹T，一条轨迹(例如，T2)的结构3配置于在另一条轨迹(例如，Tl)中配置的结构3的中点位置(移动半个间距的位置)处。结果，如图IB中所示，关于相邻的三行轨迹(Tl至T3)，结构3以形成六方点阵图案或准六方点阵图案的方式配置，其中结构 3的中心位于各点al a7。在本第一实施方式中，六方点阵图案指的是具有正六角形状的点阵图案。此外，准六方点阵图案不同于具有正六角形状的点阵图案，并且指的是在轨迹延伸方向(X轴方向)上被拉伸成扭曲的六方点阵图案。在结构3以形成六方点阵图案的方式配置的情况下，如图IB所示，优选的是，同一轨迹(例如，Tl)上的结构3的配置间距Pl (al和a2之间的距离)大于两个相邻轨迹(例如，Tl和T2)中的结构3之间的配置间距，(即，在相对于轨迹延伸方向的士 θ方向上的结构3的配置间距Ρ2 (例如，al和a7，a2和a7之间的距离))。通过如上所述配置结构3，能够进一步提高结构3的填充密度。从形成容易的观点来看，优选的是，结构3具有椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。优选的是，这些椎体形状在顶部具有凸状曲面。优选的是，结构3具有轴对称椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。 在相邻的结构3被接合的情况下，优选的是，结构3具有接合至相邻结构3的下部除外的轴对称椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。椎体形状的示例可包括圆椎形状、圆椎台形状、椭圆椎形状和椭圆椎台形状。这里，如上所述，椎体形状是不但包括圆椎形状和圆椎台形状还包括椭圆椎形状和椭圆椎台形状的概念。在这点上，圆椎台形状指的是其中圆椎形状的顶部被切去的形状，并且椭圆椎台形状指的是其中椭圆椎形状的顶部被切去的形状。优选的是，结构3是具有其中轨迹延伸方向上的宽度大于垂直于该延伸方向的列方向上的宽度的底面的椎体形状。具体地，如图2和图4中所示，优选的是，结构3具有其底面为具有长轴和短轴的椭圆形、卵形(oval)或蛋形，以及顶部是曲面的椭圆锥形状的椎体结构。可替换地，如图5中所示，其底面为具有长轴和短轴的椭圆、卵形(oval)或蛋形，以及顶部是平坦的椭圆椎台形状的椎体结构是优选的。这是因为在采用上述形状的情况下， 可提高列方向上的填充率。从改善反射特性的观点来看，其顶部的倾斜缓和并且倾斜从中部朝向底部逐渐变陡的椎体形状(参照图4)是优选的。可替换地，从改善反射特性和透射特性的观点来看， 其中部的倾斜比底部和顶部的倾斜陡的椎体形状(参照图幻或其顶部是平坦的椎体形状 (参照图5)是优选的。在结构3具有椭圆锥或椭圆椎台形状的情况下，优选的是，其底面的长轴方向平行于轨迹的延伸方向。在图2等中，各结构3具有相同的形状。然而，结构3 的形状不局限于此。可在基体表面上形成至少两类形状的结构3。此外，结构3可与基体2 一体地形成。此外，结构3的形状可具有形状不同的顶部和底部。另外，如图2以及图4至图6中所示，优选的是，在结构3的外围的一部分或全部上设置突起部6。这是因为通过采用上述方式，即使在结构3的填充率较低的情况下，也可将反射率控制在较低的水平。具体地，如图2、图4和图5中所示，例如，突起部6设置在相邻结构3之间。可替换地，如在图6中示出，细长突起部6可设置在结构3外围的一部分或全部上。细长突起部6例如从结构3的顶部向下部延伸。突起部6的横截面形状的示例可包括三角形和四边形，但并不特定地局限于这些形状。可考虑容易形成等来选择形状。此外，结构3外围的部分或全部的表面可被粗糙化，以形成微细的凹凸。具体地，例如，相邻结构3之间的表面可被粗糙化，以形成微细的凹凸。可替换地，例如可在结构3的表面(例如， 顶部)形成小孔。结构3不局限于附图中示出的凸状，并且可由设置在基体2表面上的凹部形成。在这点上，结构3的高宽比在所有情况下不始终是相同的。各结构3可配置为具有一定的高度分布(例如，约0.2至1.3范围内的高宽比)。通过设置具有高度分布的结构 3，可减小反射特性的波长依赖性。因此，可实现具有良好防反射特性的导电光学元件1。这里，高度分布指的是具有至少两种高度(深度)的结构3设置在基体2的表面上。即，这意指具有用作基准的高度的结构3和具有不同于上述结构3的高度的高度的结构3设置在基体2的表面上。具有不同于基准的高度的结构3周期性或非周期性(随机) 地设置在基体2的表面上。周期性的方向的示例包括轨迹延伸方向和列方向。优选在结构3的外围部分上设置襟部(tail portion，裙部)3a。这是因为在制造导电光学元件的步骤中易于将结构3从模子等剥离。这里，襟部3a指的是设置在结构3的底部的外围部分上的突起部。从上述剥离特性的观点来看，襟部3a优选地具有高度从结构 3的顶部向下部逐渐减小的曲面。在这点上，襟部3a可以仅设置在结构3的外围部的一部分上。然而，从改善上述剥离特性的观点来看，襟部3a优选设置在结构3的所有外围部上。 此外，在结构3是凹部的情况下，襟部是设置在用作结构3的凹部的开口外围上的曲面。结构3的高度(深度)不被特定地限制，并且根据要透射的光的波长区域被适宜地设定。结构3的高度(深度)H优选为30nm以上且320nm以下，更优选为70nm以上且 320nm以下。如果结构3的高度H小于30nm，则反射率趋于增加。如果结构3的高度H超过320nm，则实现预定电阻趋于变得困难。此外，结构3的高宽比优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0. 2以上且1. 0以下。如果高宽比小于0. 2，则防反射特性趋于劣化，并且如果超过1. 3，则斜面部分的倾斜变陡并且层厚度减小，使得导电性趋向于相对于环境耐久性等劣化，另外，在生产复制品时剥离特性劣化。顺便地，本发明中的高宽比通过下式(1)定义。高宽比=H/P(1)其中，H:结构的高度，P:平均配置间距(平均周期)。这里，平均配置间距P由下式O)定义平均配置间距P = (Pl+P2+P3)/3 (2)其中，Pl 轨迹延伸方向上的配置间距(轨迹延伸方向上的周期)，P2:在相对于轨迹延伸方向的士 θ方向上的配置间距(其中θ = 60° -δ，这里δ优选为0° < δ ^ 11°，更优选为3°彡δ彡6° )(在θ方向上的周期)。在这点上，，结构3的高度H被设为结构3在列方向上的高度。结构3在轨迹延伸方向(X方向)上的高度小于列方向(Y方向)上的高度，并且结构3的轨迹延伸方向以外的部分的高度与列方向上的高度基本上相同。因此，亚波长结构的高度由列方向上的高度表示。然而，在结构3是凹部的情况下，上述式(1)中结构的高度H被指定为结构的深度H。优选的是，比率Ρ1/Ρ2满足由1. 00彡Ρ1/Ρ2彡1. 1或1. 00 < Ρ1/Ρ2彡1. 1表示的关系，其中同一轨迹上的结构3的配置间距被设为Ρ1，并且两个相邻轨迹之间的结构3的配置间距被设为Ρ2。在采用上述该数值范围的情况下，可以提高具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构3的填充率，从而可以改善防反射特性。
基体表面上的结构3的填充率在65%以上的范围内，优选为73%以上，更优选为 86%以上，其中上限为100%。在将填充率指定在上述范围内的情况下，可以改善防反射特性。为了提高填充率，优选地，相邻结构3的下部相互接合，或例如通过调整结构底面的椭圆率来使结构3扭曲。这里，结构3的填充率(平均填充率)是如以下所述确定的值。首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM)以顶视方式摄取导电光学元件1的表面的照片。接着，从获得的SEM照片中随机选择单位点阵Uc，并测量单位点阵Uc的配置间距Pl 和轨迹间距Tp(参照图1Β)。此外，根据图像处理测量位于单位点阵Uc中心的结构3的底面面积S。接着，通过利用测量的配置间距Ρ1、轨迹间距Tp以及底面面积S，根据下式(3) 确定填充率。±真充率=(S(hex. )/S(unit)) XlOO (3)单位点阵面积S(unit)= Ρ1Χ2Τρ单位点阵内存在的结构的底面面积S(hex. ) = 2S对于从得到的SEM照片中随机选出的10个单位点阵进行上述的填充率的计算过程。然后，将测量的值进行简单平均(算术平均)以确定填充率的平均率。该值被设为基体表面上的结构3的填充率。关于结构3彼此重叠或诸如突起部6的副结构设置在结构3之间的情况下的填充率，通过将与相对于结构3的高度的5%的高度相对应的部分设为阈值从而确定面积比的方法，来确定填充率。图7是用于说明在结构3的边界不清晰的情况下计算填充率的方法的图示。在结构3的边界不清晰的情况下，如图7所示，将对应于结构3的高度h的5% (= (d/h) X 100) 的部分设为基于截面SEM观察的阈值，以高度h换算结构3的直径并确定填充率。在结构 3的底面是椭圆形的情况下，对其长轴和短轴进行同样的处理。图8是示出了结构3的底面的椭圆率改变的情况下的底面形状的图示。图8A 图8D示出的椭圆的椭圆率分别为100%、110%、120%和141%。通过以如上所述改变椭圆率，能够改变基体表面上的结构3的填充率。在结构3形成为准六方点阵图案的情况下，结构的底面的椭圆率e优选为100%< e < 150%。这是因为，通过采用上述范围，能够改善结构3的填充率并且能够得到良好的防反射特性。这里，在结构底面在轨迹方向(X方向)上的直径被设为a，而与轨迹方向垂直的列方向(Y方向)上的直径被设为b的情况下，椭圆率e定义为(a/b)X100。在这点上，结构 3的直径a和b为如下确定的值。通过使用扫描电子显微镜(SEM，扫描电子显微镜)以顶视方式摄取导电光学元件1的表面的照片，然后从得到的SEM照片中随机抽取10个结构3。 接着，测量各个抽取的结构3的底面的直径a和b。随后，将各测量值a和b进行简单的平均(算术平均)以确定直径a和b的平均值。这些值被设为结构3的直径a和b。图9A示出了具有圆锥形状或圆锥台形状的结构3的配置示例。图9B示出了具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构3的配置示例。如图9A和图9B所示，结构3优选为以其下部相互重叠的方式相互接合。具体地，结构3的下部优选接合到具有彼此相邻关系的结构3的下部的一部分或全部。更具体地，结构3的下部优选在轨迹方向、在θ方向、或在这两个方向上相互接合。更具体地，结构3的下部优选在轨迹方向、在θ方向、或在这两个方向上相互接合。图9A和图9B均示出了具有彼此相邻关系的结构3的下部的全部被接合的示例。通过如上所述接合结构3，能够提高结构3的填充率。优选的是，针对考虑到使用环境中的光的波长频带中的折射率，使等于或小于光路长度最大值的四分之一的部分相互接合。因此，能够得到良好的防反射特性。如图9B所示，在具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构3的下部相互接合的情况下，例如，接合部的高度以接合部a、接合部b以及接合部c的顺序依次减小。具体地，第一接合部a通过使同一轨迹中的相邻结构3的下部相互重叠来形成，另外，第二接合部2通过使相邻轨迹中的相邻结构3的下部相互重叠来形成。交叉部c形成在第一接合部a与第二接合部b的交叉点处。交叉部c的位置低于例如第一接合部a和第二接合部b的位置。在具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构3的下部相互接合的情况下，其高度以例如接合部 a、接合部b以及交叉部c的顺序依次减小。直径2r与配置间距Pl的比率((2r/Pl) X100)为85%以上，优选为90%以上，更优选为95%以上。这是因为，通过采用上述范围，能够提高结构3的填充率并且能够改善防反射特性。当比率((2r/Pl) X100)增大并且结构3的重叠变得过大时，防反射特性趋于劣化。因此，优选的是，以考虑到在使用环境下的光的波长频带中的折射率时，使等于或小于光路长度最大值的四分之一的部分相互接合的方式，来设定比率((2r/Pl)X100)的上限。 这里，配置间距Pl是结构3在轨迹方向上的配置间距，并且直径2r是结构底面在轨迹方向上的直径。在这点上，在结构的底面为圆形的情况下，直径2r指的是直径，而在结构的底面为椭圆形的情况下，直径2r指的是长轴。(透明导电层)透明导电层4优选含有透明氧化物半导体作为主要成分。对于透明氧化物半导体，例如，可使用二元化合物(如Sn02、h02、Zn0和CdO)、含有构成二元化合物的元素的Sn、 IruSi和Cd中的至少一种元素的三元化合物、以及多成分(复合)氧化物。构成透明导电层4的材料的示例包括IT0an203、Sr^2 铟锡氧化物)、AZO (A1203、ZnO 掺铝氧化锌)、SZ0、 FTO (掺氟氧化锡)、&1 (氧化锡)、GZ0 (掺镓氧化锌)和IZO (Ιη203、Ζη0 铟锌氧化物)，并且从高可靠性、低电阻率等的观点来看ITO是优选的。从改善导电性的观点来看，构成透明导电层4的材料优选具有结晶性。具体地，从改善导电性的观点来看，构成透明导电层4的材料优选处于无定形和多晶体的混合态。通过例如X射线衍射法(X射线衍射XRD)能够确认构成透明导电层4的材料是否具有结晶性。透明导电层4优选跟随结构3的表面形状形成，并且结构3和透明导电层4的表面形状几乎为相似的形状。这是因为由透明导电层 4的形成抑制了折射率分布的变化，从而可保持良好的防反射特性和/或透射特性。(金属层)金属层(导电层)5优选设置为透明导电层4的下层。这是因为可减小电阻率且可减小透明导电层4的厚度，或在仅通过透明导电层4导电性达不到满足需要值的情况下， 可补充导电性。金属层5的层厚度不被特别地限制，并选择为例如几纳米的量级。金属层5 具有高的导电性，因此用几纳米的层厚度就能够获得满足需要的表面电阻。此外，在层厚度为几纳米量级的情况下，几乎不施加由于金属层5引起的诸如吸收和反射的光学影响。对于构成金属层5的材料，优选使用具有高导电性的金属系材料。这种材料的示例包括Ag、 Al、Cu、Ti、Nb以及含杂质硅，并且考虑到导电性的程度、使用的历史记录等，Ag是优选的。可仅通过金属层5确保表面电阻。然而，在厚度非常小的情况下，金属层5的结构呈现岛状， 并变得难以确保连续性。在此情况下，形成用作金属层5上的层的透明导电层4对于将岛状金属层5电气连接是重要的。(辊型母版的结构)图10示出了用于制造具有上述结构的导电光学元件的辊型母版的结构示例。如图10所示，辊型母版11具有例如大量由凹部形成的结构13以与诸如可见光的光的波长同程度的间距配置在母版12的表面上的结构。母版12具有圆柱状或圆筒状形状。对于母版 12的材料，例如，可使用玻璃，但不特定地限于此材料。使用下文描述的辊型母版曝光装置， 以二维图案空间连接的方式，以轨迹为基础将极性反转格式器信号(polarityinversion formatter signal)与记录单元的旋转控制器同步以生成信号，以合适的馈送间距以CAV 来进行图案化。因此，能够记录六方点阵图案或准六方点阵图案。通过适当地设置极性反转格式器信号的频率和辊的旋转数，在期望的记录区域形成具有一致空间频率的点阵图案。[导电光学元件的制造方法]接下来，将参照图11 图14描述制造具有上述构造的导电光学元件的方法。用于制造根据第一实施方式的导电光学元件的方法包括在母版上形成抗蚀层的抗蚀剂形成步骤、通过使用辊型母版曝光装置在抗蚀层上形成蛾眼图案的潜像的曝光步骤以及对设置有潜像的抗蚀层进行显影的显影步骤。此外，包括通过使用等离子体蚀刻制作辊型母版的蚀刻步骤、从紫外线固化树脂制作复制基体的复制步骤、以及在复制基体上形成透明导电层的层形成步骤。[曝光装置的构造]首先，将参照图11描述在蛾眼图案曝光步骤中使用的辊型母版曝光装置的构造。 该辊型母版曝光装置基于光盘记录装置来构造。激光源21是使作为层应用到用作记录介质的母版12的表面的抗蚀剂曝光的光源，并发出具有例如波长λ的记录用激光15。从激光源21发出的激光15在作为平行光束的状态下时沿直线传播，并进入电光调制器(Ε0Μ 电光调制器)22。透过电光调制器22的激光15被反射镜23反射并被导向到调制光学系统25。反射镜23由偏光分束器(polarization beam splitter)形成并具有反射一种偏光分量和透过另一种偏光分量的功能。透过反射镜23的偏光分量被光电二极管M接收， 并且根据接收到的光信号控制电光调制器22，以对激光15进行相位调制。在调制光学系统25中，激光15通过会聚透镜沈会聚在由玻璃(Sit)》等组成的声光调制器(Α0Μ 声光调制器)27上。在激光15由声光调制器27进行强度调制成发散后， 通过透镜观被转换成平行光束。从调制光学系统25发出的激光15在反射镜31处反射并以水平和平行方式导向至移动光学台32上。移动光学台32设置有扩束器33和物镜34。导向移动光学台32的激光15由扩束器33成形为期望的光束形状，之后经过物镜34施加到母版12上的抗蚀层上。母版12放置在连接到主轴马达35的转台36上。然后，在母版12旋转且另外激光在母版12的高度方向上移动时，将激光15间歇地施加至抗蚀层，以进行抗蚀层的曝光步骤。形成的潜像具有其长轴在圆周方向上的基本椭圆形状。通过移动光学台32在由箭头R表示的方向上的移动来执行激光15的移动。
曝光装置设置有用于在抗蚀层上形成潜像的控制机构37，该潜像对应于图IB所示的六方点阵图案或准六方点阵图案的二维图案。控制机构37设置有格式器四和驱动器 30。格式器四设置有极性反转部。该极性反转部控制向抗蚀层施加激光15的定时。驱动器30接收来自极性反转部的输出并控制声光调制器27。在该辊型母版曝光装置中，以二维图案空间连接的方式，在各个轨迹中将极性反转格式器信号与记录单元的旋转控制器同步以生成信号，且由声光调制器27进行强度调制。可以通过以恒定的角速度(CAV)、适当的旋转数、适当的调制频率以及适当的馈送间距执行图案化，来记录六方点阵图案或准六方点阵图案。例如，如图IOB所示，为了指定圆周方向上的周期为315nm，并且指定在相对于圆周方向约60°的方向(约-60°的方向)上的周期为300nm，将馈送间距指定为251nm足以(毕达哥拉斯定理，Pythagorean theorem)。 通过改变辊的旋转数(例如，1800rpm、900rpm、450rpm以及225rpm)来改变极性反转格式器信号的频率。例如，极性反转格式器信号的频率37. 70MHz、18. 85MHz、9. 34MHz以及4. 7IMHz 分别对应于辊的旋转数1，800rpm、900rpm、450rpm以及225rpm。通过使用移动光学台32上的扩束器(BEX) 33使远紫外激光的光束直径增大5倍并将穿过具有0. 9的数值孔径(NA) 的物镜34的该激光施加到母版12上的抗蚀层以形成微小的潜像，而在期望的记录区域中获得具有一致的空间频率的准六方点阵图案(在圆周方向上的周期315nm，在相对于圆周方向约60°的方向(约-60°的方向)上的周期300nm)。(抗蚀层形成步骤)首先，如图12A所示，制备圆柱形的母版12。该母版12例如为玻璃母版。接着，如图12B所示，在母版12的表面上形成抗蚀层14。对于用于抗蚀层14的材料，可使用例如有机抗蚀剂和无机抗蚀剂中的任一种。对于有机抗蚀剂，例如可使用酚醛清漆抗蚀剂或化学放大型抗蚀剂。此外，对于无机抗蚀剂，可使用例如由一种或至少两种过渡金属形成的金属化合物。(曝光步骤)接着，如图12C所示，使用上述的辊型母版曝光装置，使母版12旋转并且另外将激光(曝光光束)15施加至抗蚀层14。此时，在激光15在母版12的高度方向(与圆柱形或圆筒形母版12的中心轴方向平行的方向)上移动时，将激光15间歇地施加至抗蚀层14，从而对抗蚀层14的整个表面进行曝光。以这种方式，依照激光15的焦点的潜像16以与可见光的波长相同程度的间距形成在抗蚀层14的整个表面上。例如，潜像16被配置为在母版的表面上形成多行轨迹，并另外形成六方点阵图案或准六方点阵图案。例如，潜像16具有其长轴方向为轨迹延伸方向的椭圆形状。(显影步骤)接着，在母版12旋转时，在抗蚀层14上滴加显影剂以对抗蚀层14进行显影处理， 如图13A所示。如图所示，在抗蚀层14由正型抗蚀剂形成的情况下，与未曝光部分相比，用激光15进行曝光的曝光部分对显影液具有较高的溶解速率。因此，在抗蚀层14上形成了对应于潜像(曝光部分)16的图案。(蚀刻步骤)接着，在形成在母版12上的抗蚀层14的图案(抗蚀图案)用作掩模时，对母版12 的表面进行辊型蚀刻处理。以这种方式，如图13B所示，可以得到具有其长轴方向在轨迹延伸方向的椭圆锥形状或椭圆锥台形状的凹部，即结构13。对于蚀刻处理，例如，执行干蚀刻。 此时，例如，可通过交替地进行蚀刻处理和打磨(ashing)处理来形成具有锥体形状的结构 13的图案。此外，能够制造具有抗蚀层14的厚度3倍以上(选择比3以上)的深度的玻璃母版。对于干蚀刻，通过利用蚀刻装置的等离子蚀刻是优选的。因此，获得了具有包括其深度在约30nm 约320nm范围内的凹部的六方点阵图案或准六方点阵图案的辊型母版11。(复制步骤)接着，使涂覆有转印材料的诸如片状的基体2与辊型母版11紧密附着，在通过施加紫外光固化时，执行剥离。以此方式，如图13C所示，多个作为凸部的结构形成在基体2 的主表面上，从而制造了由蛾眼紫外线固化复制片构成的导电光学元件1。转印材料由例如紫外线固化材料和引发剂形成，并且必要时含有填料、功能性添加剂等。紫外线固化材料由例如单官能团单体、双官能团单体或多官能团单体形成，具体地，由下列材料的一种或多种下列材料的混合物组成。单官能团单体的示例包括羧酸(丙烯酸)、羟基化合物(2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯以及4-羟丁基丙烯酸酯)、烷基、酯环族化合物(异丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、十八烷基丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯和环己基丙烯酸酯)、及其他官能团单体O-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氢化糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、 苯氧基乙基丙烯酸酯、N, N- 二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N, N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N， N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯吡咯烷酮、2_(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羟基丙基丙烯酸酯、2_(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2， 4，6_三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6_三溴苯氧基)乙烷基丙烯酸酯以及2-乙基己基丙烯酸酯)。双官能团单体的示例可包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基二烯丙基醚和氨基甲酸丙烯酸酯。多官能团单体的示例可包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯以及二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。引发剂的示例可包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-酮。对于填料，例如，可使用无机微粒和有机微粒中的任一种。无机微粒的示例可包括 SiO2、TiO2、ZrO2, SnO2、Al2O3等的金属氧化物微粒。功能性添加剂的示例可包括均化剂(leveling agent)、表面控制剂和消泡剂。基体2的材料的示例包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纤维素双乙酸酯、纤维素三乙酸酯、纤维素乙酸丁酸酯、聚酯、 聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃。用于模制基体2的方法不被特定限制。可采用注射成型体、挤出体或浇注体。如需要，可对基体的表面进行诸如电晕处理的表面处理。(金属层形成步骤)接下来，如图14A中所示，如需要，在设置有结构3的基体2的凹凸表面上形成金属层。对于用于形成金属层的方法，例如，除诸如热CVD、等离子CVD和光CVD的CVD法(化学气相沉积(化学气相沉积法)通过使用化学反应从气相沉积薄层的技术)之外，还可使用PVD法(物理气相沉积(物理气相沉积法)在真空中通过将物理蒸发材料聚集在基体上来形成薄层的技术)，例如，真空蒸发、等离子辅助蒸发、溅射和离子电镀。(导电层形成步骤)接下来，如图14B中所示，在设置有结构3的基体2的凹凸表面上形成透明导电层。对于用于形成导电层的方法，例如，除诸如热CVD、等离子CVD和光CVD的CVD法(化学气相沉积(化学气相沉积法)通过使用化学反应从气相沉积薄层的技术)之外，还可使用 PVD法(物理气相沉积(物理气相沉积法)在真空中通过将物理蒸发材料聚集在基体上来形成薄层的技术)，例如，真空蒸发、等离子辅助蒸发、溅射和离子电镀。根据第一实施方式，可提供一种具有非常高的透射率、反射光减少并且反射减少的导电光学元件1。防反射功能通过在表面上形成多个结构3来实现，因此减少了波长依赖性。角度依赖性比光学层类的透明导电层低。不使用多层光学层，使用纳米压印技术，并且采用高产量的层结构，因此可实现良好的高生产率和低成本。<2.第二实施方式>[导电光学元件的构造]图15A是示出根据本发明第二实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图15B是示出图15A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图15C是沿图15B 中所示的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图15D是沿图15Β中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。图15Ε是示出了在形成对应于图15Β示出的轨迹Τ1、Τ3…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。图15F是示出了在形成对应于图15Β示出的轨迹Τ2、Τ4…的潜像时所使用的激光的调制波形的示意图。根据第二实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1的不同之处在于，关于相邻的三条轨迹，各结构3构成四方点阵图案或准四方点阵图案。在本发明中，准四方点阵图案不同于正四方点阵图案，并指的是在轨迹延伸方向(X方向)上被拉伸成扭曲的四方点阵图案。结构3的高度(深度)Η优选为30nm以上且320nm以下，更优选为70nm以上且 320nm以下。如果结构3的高度H小于30nm，则反射率趋于增加。如果结构3的高度H超过320nm，则实现预定电阻趋于变得困难。此外，结构3的高宽比优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0. 2以上且1. 0以下。如果高宽比小于0. 2，则防反射特性趋于劣化，而如果超过1. 3，则斜面部分的倾斜变陡并且层厚度减小，因此导电性趋于相对于环境耐久性等劣化，另外，在复制品的生产中剥离特性劣化。此外，各结构3的高宽比不是在所有的情况下始终是相同的。各结构3可配置成具有一定的高度分布。同一轨迹上的结构3的配置间距Pl优选大于两个相邻轨迹之间的结构3的配置间距P2。此外，比率P1/P2优选满足由1.0<P1/P2< 1. 5表示的关系，其中同一轨迹上的结构3的配置间距被设为P1，并且两个相邻轨迹之间的结构3的配置间距被设为P2。在采用上述该数值范围的情况下，可以提高具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的结构3的填充率，从而可以改善防反射特性。另外，结构3在相对于轨迹的45度方向或大约45度方向上的高度或深度优选小于结构3在轨迹延伸方向上的高度或深度。在相对于轨迹延伸方向歪斜的结构3的配置方向(θ方向)上的高度Η2优选小于结构3在轨迹延伸方向上的高度HI。S卩，结构3的高度Hl和H2优选满足由Hl > H2所表示的关系。图16是示出结构3的底面椭圆率改变下的底面形状的图示。椭圆31、32和33的椭圆率分别为100%、163. 3%和141%。可通过如上所述改变椭圆率来改变结构3在基体表面上的填充率。在结构3构成四方点阵或准四方点阵图案的情况下，结构底面的椭圆率e 优选满足e < 180%。这是因为通过采用该范围，可提高结构3的填充率，并且可获得良好的防反射特性。基体表面上的结构3的填充率在65%以上，优选73%以上，更优选86%以上的范围内，其中上限为100%。在填充率指定到上述范围内的情况下，可改善防反射特性。这里，结构3的填充率(平均填充率)是如下面描述确定的值。首先，通过使用扫描电子显微镜(SEM 扫描电子显微镜)以顶视方式摄取导电光学元件1的表面的照片。接着，从获得的SEM照片中随机选择单位点阵Uc，并测量单位点阵Uc的配置间距Pl和轨迹间距Tp (参照图15B)。此外，根据图像处理测量包含在单位点阵Uc中的四个结构3中的任一个的底面面积S。接着，通过利用测量的配置间距P1、轨迹间距Tp以及底面面积S，根据下式(4)确定填充率。填充率=(S(tetra)/S(unit))XlOO(2)单位点阵面积:S(unit)= 2X ((PlXTp) X (1/2)) = PlXTp单位点阵内存在的结构的底面面积S(tetra) =S对于从得到的SEM照片中随机选出的10个单位点阵进行上述的填充率的计算过程。然后，将测量的值进行简单的平均(算术平均)以确定填充率的平均率。该值被设为基体表面上的结构3的填充率。直径2r与配置间距Pl的比率((2r/Pl) X100)为64%以上，优选为69%以上，更优选为73%以上。这是因为，通过采用上述范围，能够提高结构3的填充率并且能够改善防反射特性。这里，配置间距Pl是轨迹方向上的结构3的配置间距，以及直径2r是结构底面在轨迹方向上的直径。在这点上，在结构的底面为圆形的情况下，直径2r指的是直径，而在结构的底面为椭圆形的情况下，直径2r指的是长轴。(辊型母版的结构)图17示出了用于制造具有上述结构的导电光学元件的辊型母版的结构示例。该辊型母版与第一实施方式的母版的不同之处在于，凹形结构13在其表面上构成四方点阵图案或准四方点阵图案。使用辊型母版曝光装置，以二维图案空间连接的方式，在各个轨迹中将极性反转格式器信号与记录单元的旋转控制器同步以生成信号的同时，以合适的馈送间距以CAV来进行图案化。由此，能够记录四方点阵图案或准四方点阵图案。优选地，通过适宜地设定极性反转格式器信号的频率和辊的旋转数，并通过应用激光，能够在母版12上的抗蚀剂的期望记录区域中形成具有一致的空间频率的点阵图案。
<3.第三实施方式>[导电光学元件的构造]图18A是示出根据本发明第三实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图18B是示出图18A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图18C是沿图18B 中所示的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图18D是沿图18Β中所示的轨迹Τ2、Τ4、…截取的截面图。根据第三实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1的不同之处在于，轨迹T具有圆弧状形状，并且结构3配置在圆弧状形状中。如图18Β所示，关于相邻的三行轨迹(Tl Τ3)，结构3以形成结构3的中心位于各点al a7的准六方点阵图案配置。这里，准六方点阵图案不同于正六方点阵图案，其意指沿着轨迹T的圆弧形状扭曲的六方点阵图案。可替换地，准六方点阵图案不同于正六方点阵图案并且意指沿着轨迹T的圆弧形状扭曲并还在轨迹延伸方向(X轴方向)上被拉伸成扭曲的六方点阵图案。除了上述的导电光学元件1的构造之外，其构造与第一实施方式中的相同，故省略对其的描述。[圆盘母版的构造]图19A和图19B示出了用于制造具有上述构造的导电光学元件的圆盘母版的构造示例。如图19A和图19B所示，圆盘母版41具有大量作为凹部的结构43配置在圆盘形母版42的表面上的构造。这些结构43以小于或等于导电光学元件1的使用环境中的光的波长频段的间距(例如，以与可见光的波长相同程度的间距)而周期性地二维配置。结构43 配置在同心圆状或螺旋状的轨迹上。除了上述的圆盘母版41的构造外，其构造与第一实施方式中的辊型母版11的构造相同，故省略对其的描述。[导电光学元件的制造方法]首先，将参照图20描述用于制造具有上述构造的圆盘母版41的曝光装置。移动光学台32设置有扩束器33、反射镜38和物镜34。引导至移动光学台32的激光15通过扩束器33成形为期望的光束形状，然后通过反射镜38和物镜34施加到圆盘形母版42上的抗蚀层。母版42放置在连接至主轴马达35的转台(未示出)上。随后，在母版42旋转并且此外激光15在母版42的旋转的径向方向上移动时，向母版42上的抗蚀层间歇地施加激光，从而来执行抗蚀层的曝光步骤。所形成的潜像具有在圆周方向上具有长轴的基本椭圆形状。通过在由箭头R指示的方向移动移动光学台32来执行激光15的移动。图20示出的曝光装置设置有控制机构37，用于在抗蚀层上形成图18所示的由六方点阵或准六方点阵的二维图案组成的潜像。控制机构37设置有格式器四和驱动器30。 格式器四设置有极性反转单元。该极性反转单元控制向抗蚀层施加激光15的定时。驱动器30接收来自极性反转部的输出并控制声光调制器27。控制机构37基于轨迹使由AOM 27执行的激光15的强度调制、主轴马达35的驱动旋转速度、以及移动光学台32的移动速度同步。以恒定的角速度(CVA)控制母版42的旋转。此外，以由主轴马达35提供的适当的母版42的旋转数、由AOM 27提供的适当的激光强度的调制频率、以及由移动光学台32提供的适当的激光15的馈送间距来执行图案化。由此，在抗蚀层上形成六方点阵图案或准六方点阵图案的潜像。此外，以使空间频率(潜像的图案密度:P1 :330, P2 :300nm;或Pl :315nm，P2 275nm;或Pl :300nm, P2 :265nm)变得一致的方式，逐渐改变极性反转单元的控制信号。更具体地，在向抗蚀层施加激光15的周期基于各轨迹变化时进行曝光，并且由控制机构37以各轨迹T上的Pl变为约330nm(或315nm，300nm)的方式来执行激光15的频率调制。艮口， 以使激光的施加周期随着轨迹位置变得远离圆盘形母版42的中心而变短的方式，来执行调制控制。由此，能够在整个基体上形成空间频率一致的纳米图案。以下将描述用于制造根据本发明第三实施方式的导电光学元件的方法的示例。首先，除了通过使用具有上述结构的曝光装置来对形成在圆盘形母版上的抗蚀层进行曝光之外，以类似于第一实施方式的方式来制造圆盘母版41。随后，使该圆盘母版41 与例如涂覆有紫外线固化树脂的丙烯酸树脂片紧密接触，并且施加紫外线以固化紫外线固化树脂。之后，将基体2从圆盘母版41剥离。以这种方式，获得了多个结构配置在其表面的圆盘形光学元件。然后，在设置有多个结构3的光学元件的凹凸表面上形成透明导电层 4。以这种方式，获得了圆盘形导电光学元件1。接下来，从该圆盘形导电光学元件1切割具有预定形状(如，矩形)的导电光学元件1.因此，制造了期望的导电光学元件1。根据第三实施方式，由于在结构3以直线形状配置的情况下，因此可获得呈现出高生产率和具有良好防反射特性的导电光学元件1。<4.第四实施方式〉图21A是示出根据本发明第四实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图21B是示出图21A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。根据第四实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1的不同之处在于，结构3配置在蜿蜒的轨迹(以下称为摆动轨迹)上。基体2上的各轨迹的摆动优选为彼此同步。即，摆动优选为同步的摆动。在如上所述摆动同步的情况下，能够保持六方点阵或准六方点阵的单元点阵形状，且能够保持高水平的填充率。摆动轨迹的波形的示例可包括正弦波和三角波。摆动轨迹的波形不局限于周期性波形，也可以是非周期性波形。摆动轨迹的摆动振幅选择为例如约士 10 μ m。关于第四实施方式，上述描述之外的细节与第一实施方式中的那些相同。根据第四实施方式，由于结构3配置在摆动轨迹上，所以能够抑制外观上的不均勻的发生。<5.第五实施方式>图22A是示出了根据本发明的第五实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图22B是示出了图22A中示出的导电光学元件的局部放大平面图。图22C是沿着图22B中的轨迹T1、T3...截取的截面图。图22D是沿着图22Β中的轨迹Τ2、Τ4...截取的截面图。图23是图22Α示出的导电光学元件的局部放大透视图。根据第五实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1的不同之处在于，在基体的表面上配置了大量作为凹部的结构3。该结构3的形状是对应于将第一实施方式中的结构3的凸形反转的凹形。这这点上，在结构3被指定为上述的凹部的情况下， 由凹部构成的结构3的开口部(凹部的入口部)定义为下部，基体2在深度方向的最下部 (凹部的最深部)定义为顶部。即，基于作为非实体空间的结构3来定义顶部和下部。此外，在第五实施方式中，由于结构3为凹部，所以结构3的高度，在式(1)等中为结构3的深度H。关于本第五实施方式，上述描述之外的细节与第一实施方式中的那些相同。在本第五实施方式中，第一实施方式中结构3的凸形被反转，以形成凹形。因此， 可获得与第一实施方式相同的效果。<6.第六实施方式>图24A是示出了根据本发明的第六实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。图24B是示出了图24A中所示的导电光学元件的局部放大平面图。图24C是沿着图MB中所示的轨迹Tl、T3...截取的截面图。图24D是沿着图MB中所示的轨迹T2、 T4...截取的截面图。图25是图24A示出的导电光学元件的局部放大透视图。导电光学元件1设置有基体2、设置在该基体2的表面上的多个结构3、以及设置在这些结构3上的透明导电层4。该结构3是椎体形状的凸部。相邻结构3的下部以其下部相互重叠的方式彼此接合。优选的是，在相邻结构3中，相互相邻的最近的结构3配置在轨迹方向上。这是因为以稍后描述的制造方法易于将相互邻近的最近结构3配置在这样的位置。该导电光学元件1具有防止入射到设置有结构3的基体表面上的光反射的功能。此后，如在图24A中所示，基体2主表面中相互正交的两个轴称为X轴和Y轴，并且垂直于基体2的一个主表面的轴称为Z轴。此外，在结构3之间存在空隙部加的情况下，优选的是， 在该空隙部加中设置微细的凹凸形状。这是因为通过设置这样的微细凹凸形状能够进一步减小导电光学元件1的反射率。图沈示出了根据本发明第一实施方式的导电光学元件的折射率分布的示例。如在图沈中示出，结构3在深度方向(图24A中的-Z轴)上的有效折射率朝向基体2逐渐增加，并另外以绘制成字母S形曲线的方式变化。即，折射率分布具有一个拐点。该拐点对应于结构3侧面的形状。通过如上所述改变有效折射率，边界变得对于光不明确。因此，减少了反射光并且可改善导电光学元件1的防反射特性。优选的是，有效折射率在深度方向上的变化单调增加。这里，字母S形包括字母S的反转形状，即，字母Z形。此外，深度方向上的有效折射率的变化优选在结构3的顶部侧和基体侧中的至少一个大于有效折射率的斜率的平均值，更优选的是，在结构3的顶部侧和基体侧的变化陡于上述平均值。因此，能够获得良好的防反射特性。结构3的下部接合至具有彼此相邻关系的结构3的下部的一部分或全部。可通过如上所述使结构的下部相互接合来将结构3深度方向上有效折射率的变化平滑。结果，折射率分布可具有字母S形。另外，通过使结构的下部相互接合可增加结构的填充率。顺便， 在图MB中，全部的相邻结构3接合时的接合部分的位置通过黑圈“·”的标记表示。具体地，在全部的相邻结构3之间，同一轨迹上的相邻结构3之间(例如，在al和a2之间)或在相邻轨迹上的结构3之间(例如，在al和a7之间、在a2和a7之间)形成接合部分。为了实现平滑的折射率分布并获得良好的防反射特性，优选在全部的相邻结构3之间形成接合部分。为了通过稍后描述的制造方法容易地形成接合部分，优选在同一轨迹中相互相邻的结构3之间形成接合部分。在结构3以六方点阵图案或准六方点阵图案周期性配置的情况下，例如，结构3以根据6-折对称的方位角接合。优选的是，结构3以其下部相互重叠的方式接合。在结构3以这样方式接合的情况下，可获得字母S形的折射率分布，并另外可提高结构3的填充率。优选的是，关于结构， 考虑到使用环境中的光的波长频带中的折射率，使等于或小于光路长度最大值的四分之一的部分相互接合。因此，可获得良好的防反射特性。对于用于结构3的材料，例如，含有由通过紫外线或电子束固化的电离辐射固化树脂或通过加热固化的热固性树脂的材料作为主要成分是优选的，而含有由通过紫外线固化的紫外线固化树脂的材料是更优选的。图27是示出了结构的形状的示例的放大截面图。优选的是，结构3的侧表面朝向基体2逐渐扩大，并另外，以绘制成图沈中示出的字母S形曲线的平方根形的方式变化。在采用这样的侧面形状的情况下，能够获得良好的防反射特性，并另外可改善结构3的可转印性。结构3的顶部3t是例如平面形状或在接近末端时变得细长的凸形状。在结构3的顶部3t是平面形状的情况下，优选的是，结构顶部的平面的面积^与单位点阵的面积S的面积比(St/S)随着结构3高度增加而减小。因此，可改善导电光学元件1的防反射特性。 这里，单位点阵是例如六方点阵或准六方点阵。优选的是，结构底面的面积比(结构底面的面积Sb与单位点阵的面积S的面积比(Sb/S))接近顶部3t的面积比。优选的是，在结构3除了顶部3t和下部北之外的侧面上具有至少一组在从结构 3的顶部3t朝向下部北的方向上依此顺序的第一变化点1 和第二变化点此。因此，在深度方向(在图24A中的-Z轴方向)上的结构3的有效折射率可具有一个拐点。这里，第一变化点1 和第二变化点1 被定义为如下所述。如图28A和图28B所示，在通过从结构3的顶部3t朝向下部北以不连续的方式接合多个平滑的曲面来形成结构3的顶部3t与下部北之间的侧面的情况下，接合部分用作变化点。这些变化点与拐点相一致。确切地说，在接合点处不可能执行微分。然而，这里， 这种用作极限的拐点也被称为拐点。在结构3具有上述曲面的情况下，优选的是，在结构3 从顶部3t朝向下部北的倾斜经过第一变化点1 后变得更平缓，而接着在经过第二变化点 1 后变陡峭。如图28C所示，在通过从结构3的顶部3t朝向下部北以连续方式接合多个平滑曲面来形成结构3的顶部3t与下部北之间的侧面的情况下，变化点被定义为如下所述。如图28C所示，在曲线上与存在在结构的侧面的两个变化点处的各自切线相交的点最接近的点被称为变化点。优选的是，结构3在其顶部3t和下部北之间的侧面上具有一个台阶U。在包括这样的一个台阶M的情况下，可实现上述的折射率分布。即，深度方向上的结构3的折射率可朝向基体2逐渐增加，并另外以绘制成字母S形曲线的方式变化。台阶的示例包括倾斜台阶和平行台阶，并且倾斜台阶是优选的。这是因为在台阶M被指定为倾斜台阶的情况下，与台阶M被指定为平行台阶的情况下相比，可转印性变得良好。倾斜台阶指的是不平行于基体表面，并以侧面随着从结构3的顶部接近下部被扩大的方式倾斜的台阶。平行台阶指的是平行于基体表面的台阶。这里，台阶^是通过上面描述的第一变化点1 和第二变化点1 限定的部分。在这点上，指定台阶M不包括顶部3t 的平面，也不包括结构之间的曲面或平面。从容易形成的观点来看，优选的是，接合到相邻结构3的下部除外，结构3具有轴对称椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。椎体形状的示例可包括圆椎形状、圆椎台形状、椭圆椎形状和椭圆椎台形状。这里，如上所述，锥体形状是不但包括圆锥形状和圆锥台形状还包括椭圆锥形状和椭圆锥台形状的概念。在这点上，圆锥台形状指的是圆锥形状的顶部被切去的形状，而椭圆锥台形状指的是椭圆锥形状的顶部被切去的形状。就此而论，结构3的全部形状不限于这些形状。只需要深度方向上的结构3的有效折射率朝向基体2逐渐增加，并另外以具有字母S形的方式变化。此外，椎体形状不仅包括完整椎体形状，也包括如上所述在侧表面上具有台阶M的椎体形状。具有椭圆锥形状的结构3为具有其底面为具有长轴和短轴的椭圆形、卵形、或蛋形，以及顶部是随着接近末端变窄和变细的凸形的锥体形状结构的结构。具有椭圆锥台形状的结构3为具有其底面为具有长轴和短轴的椭圆形、卵形、或蛋形，以及顶部是平坦表面的锥体形状结构的结构。在结构3被指定为椭圆锥形状或椭圆锥台形状时，结构3优选地这样设置在基体的表面上，使结构3的底面的长轴方向对应于轨迹延伸方向(X轴方向)。结构3的横截面积在结构3的深度方向上以对应于上面描述的折射率分布的方式变化。结构3的横截面积优选在结构3的深度方向上单调增加。这里，结构3的横截面积指的是平行于结构3配置在其上的基体表面的切割表面的面积。优选地，结构3的横截面积在深度方向上以不同深度位置的结构3的横截面积比对应于在相关位置的上面描述的有效折射率分布的方式变化。通过使用如下所述通过形状转印制造的母版获得具有台阶的上述结构3。即，在母版制作的蚀刻步骤中，合适地调整蚀刻处理和灰化处理的处理时间，并由此制作其中台阶形成在结构(凹部)的侧面上的母版。根据本第六实施方式，结构3具有椎体形状，并且该结构3的有效折射率在深度方向上朝向基体2逐渐增加，并另外以绘制成具有字母S形的曲线的方式变化。因此，通过结构3的形状效应，边界变得对于光不清晰，因此可减少反射光。因此，可获得良好的防反射特性。具体地，在结构3高度较大的情况下，获得良好的防反射特性。此外，由于相邻结构 3的下部以下部相互重叠的方式接合，因此可提高结构3的填充率，并另外使结构3的形成变得容易。优选的是，结构3的有效折射率分布在深度方向上以成为字母S形的方式变化，并另外结构设置在(准)六方点阵或(准)四方点阵的配置中。此外，优选的是，每个结构3 都具有轴对称结构或通过在轨迹方向上将轴对称结构拉伸或收缩所制作的结构。另外，优选的是，相邻结构3在基体附近接合。在采用这样构造的情况下，可制造更容易生产的高性能防反射结构。在通过使用基于光盘母版的加工处理与蚀刻处理相结合的方法，来生产导电光学元件1的情况下，与通过使用电子束曝光生产导电光学元件1的情况相比，母版制作处理所需要的时间(曝光时间)显著减少。因此，可显著改善导电光学元件1的生产率。在结构3顶部的形状不被指定为尖锐，而是指定为平坦表面形状时，可改善导电光学元件1的耐久性。此外，可改善结构3相对于辊型母版11的剥离性质。在结构3的台阶被指定为倾斜台阶的情况下，与采用平行台阶的情况相比，可改善可转印性。<7.第七实施方式〉图四是示出了根据本发明第七实施方式的导电光学元件的构造示例的示意性平面图。如图四中示出，根据第七实施方式的导电光学元件1与第一实施方式的导电光学元件1的不同之处在于，结构3进一步设置在与设置有结构3的一个主表面相对的另一主表面(第二主表面)上。导电光学元件1的两个主表面上的结构3的配置图案和高宽比等不必是相同的， 而可以根据期望的特性选择不同的配置图案和高宽比。例如，一个主表面的配置图案可被指定为准六方点阵图案，而另一个主表面的配置图案可被指定为准四方点阵图案。在第七实施方式中，由于在基体2的两个主表面上都设置了多个结构3，所以可以赋予导电光学元件1的光入射表面和光出射表面防止光反射的功能。因此，能够进一步提高光透射特性。<8.第八实施方式〉除多个结构通过热转印形成在基体表面上之外，第八实施方式不同于第一实施方式。在这点上，在第八实施方式中，通过相同的参考标号表示与第一实施方式相同的部位， 并将其说明省略。图30是示出热转印形成装置的构造示例的示意图。如图30中示出，该层压转印形成装置740具有通过加热辊741和冷却辊742旋转的压纹带(emboss belt) 743,以及通过与加热辊741和冷却辊742相对设置的两个压力辊744旋转的平坦带745。在这点上，基体2在被赋予形状之前可插入表面上具有多个凹部743A的压纹带743与不具有三维形状的平坦带745之间。接下来，将描述具有上述构造的热转印形成装置的操作。起初，使压纹带743和平坦带745旋转，并且基体2在被赋予形状之前从加热辊 741侧插入压纹带743和平坦带745之间。因此，由于加热辊741加热，基体2的一个主表面被熔融片刻，并且凹部743A的形状被转印到基体2的一个主表面。此后，通过冷却辊42 使凹部743A的形状转印到的基体2的表面冷却，使得表面形状固定。即，在基体2的一个主表面上形成多个结构12。以这种方式，可获得基体表面上设置有多个结构3的基体2。<9.第九实施方式>图31A是示出了根据本发明第九实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。该触摸面板是所谓的电阻式触摸面板。对于电阻式触摸面板，采用模拟电阻式触摸面板或数字电阻式触摸面板。如在图31A中示出，用作信息输入装置的触摸面板50设置有第一导电基板51，其具有用于输入信息的触摸表面(输入表面)；以及与该第一导电基板51相对的第二导电基板52。优选的是，触摸面板50在第一导电基板51的触摸侧的表面上进一步设置有硬涂层或防污性硬涂层。此外，如需要，可进一步在触摸面板50上设置前面板。该触摸面板50通过其间的粘合层53粘附到例如显示装置M。对于显示装置，可使用各种显示装置，例如液晶显示器、CRT(阴极射线管)显示器、等离子显示器(等离子显示面板PDP)、电致发光(电致发光EL)显示器以及表面传导电子发射显示器(表面传导电子发射显示器SED)。根据第一到第六实施方式的导电光学元件1中的任何一个用作第一导电基板51 和第二导电基板51中的至少一个。在根据第一到第六实施方式的导电光学元件1中的任何一个用作第一导电基板51和第二导电基板51两者的情况下，根据相同实施方式或不同实施方式的导电光学元件1可用作两个导电基板。结构3设置在第一导电基板51和第二导电基板51的彼此相对的两个表面中的至少一个上。从防反射特性和透射特性的观点来看，结构3优选设置在两个表面上。优选的是，在第一导电基板51的触摸侧的表面上设置单层或多层防反射层。这是因为可减小反射率并可改善可视性。(变形例)图31B是示出了根据本发明第九实施方式的触摸面板的变形例的截面图。如图 31B中示出，根据第七实施方式的导电光学元件1用作第一导电基板51和第二导电基板52 中的至少一个。多个结构3设置在第一导电基板51和第二导电基板51的彼此相对的两个表面中的至少一个上。此外，多个结构3设置在第一导电基板51的触摸侧的表面和第二导电基板 52的显示装置M侧的表面中的至少一个上。从防反射特性和透射特性的观点来看，结构3 优选设置在两个表面上。在第九实施方式中，导电光学元件1用作第一导电基板51和第二导电基板51中的至少一个，使得可获得具有良好的防反射特性和透射特性的触摸面板50。因此，可改善触摸面板50的可视性。具体地，可改善触摸面板50在户外的可视性。<10.第十实施方式>图32A是示出了根据本发明第十实施方式的触摸面板的构造示例的透视图。图 32B是示出了根据本发明第十实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。根据第十实施方式的触摸面板与根据第九实施方式的触摸面板的不同之处在于，进一步提供设置在触摸表面上的硬涂层7。触摸面板50设置有第一导电基板51，其具有用于输入信息的触摸表面(输入表面)；以及与该第一导电基板51相对的第二导电基板52。第一导电基板51和第二导电基板52通过设置在它们外围部分之间的粘合层55相互粘合。对于粘合层55，例如使用粘合浆和粘合带。优选的是，为硬涂层7的表面提供防污性质。该触摸面板50通过其间的粘合层53粘合到例如显示装置54。对于用于粘合层53的材料，例如可使用丙烯类、橡胶类或硅类的粘合剂。从透明性的观点来看，丙烯酸粘合剂是优选的。在第十实施方式中，硬涂层7设置在第一导电基板51触摸侧的表面上，因此可改善触摸面板50的触摸表面的耐擦伤伤。<11.第i^一实施方式〉图33是示出了根据本发明第十一实施方式的液晶显示装置的构造示例的截面图。如图33中示出，根据第十一实施方式的液晶显示装置70设置有具有第一和第二主表面的液晶面板(液晶层)71、设置在第一主表面上的第一偏光器72、设置在第二主表面上的第二偏光器73以及设置在液晶面板71与第一偏光器72之间的触摸面板50。触摸面板50 是液晶显示器一体型触摸面板(所谓的内触摸面板)。多个结构3可直接设置在第一偏光器72的表面上。在第一偏光器72在表面上设置有保护层，例如TAC(三乙酰纤维素)膜的情况下，多个结构3优选直接设置在保护层上。在多个结构3设置在偏光器72上的情况下， 可进一步减小液晶显示装置70的厚度。(液晶面板)
对于液晶面板71，可使用具有诸如扭曲向列(扭曲向列TN)模式、超扭曲向列 (超扭曲向列STN)模式、垂直配向(垂直配向VA)模式、面内切换(面内切换IPS)模式、 光学补偿双折射(光学补偿双折射0CB)模式、铁电液晶(铁电液晶FLC)模式、高分子分散型液晶(高分子分散型液晶PDLC)模式及相变宾主(相变宾主PCGH)模式的显示模式的液晶面板。(偏光器)第一偏光器72和第二偏光器73用其间的粘合层74和75以其透射轴相互正交的方式粘合到液晶面板71的第一和第二主表面。第一偏光器72和第二偏光器73仅透过入射光中正交偏光分量中的一种，并通过吸收阻止另一分量。对于第一偏光器72和第二偏光器73，例如可使用通过在聚乙烯醇(PVA)类膜上在单轴方向上配置碘复合物或二色性染料所制作的第一偏光器72和第二偏光器73。优选的是，在第一偏光器72和第二偏光器73的两个表面上设置诸如三醋酸纤维素(TAC)膜的保护层。(触摸面板)根据第九到第十二实施方式中的任何一个的触摸面板可用作触摸面板50。在第十一实施方式的构造中，偏光器72被液晶面板71和触摸面板50共用，因此可改善光学特性。<12.第十二实施方式>图34A是示出了根据本发明第十二实施方式的触摸面板的构造示例的透视图。图 34B是示出了根据本发明第十二实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。根据本第十二实施方式的触摸面板50是所谓的电容式触摸面板，并且至少在其的表面上和其内部之一设置大量结构3。该触摸面板50通过其间的粘合剂53粘合到例如显示装置M。(第一构造示例)如图34A中示出，根据第一构造示例的触摸面板50设置有基体2、设置在该基体2 上的透明导电层4、以及保护层9。大量结构3以小于或等于可见光波长的微小间距配置在基体2和保护层9中的至少一个上。在这点上，图34A示出了其中大量结构3配置在基体2 表面上的示例。电容式触摸面板可以是表面型电容式触摸面板、内部型电容式触摸面板和投影型电容式触摸面板中的任何一种。在诸如布线层的周围构件设置在基体2的周围部分中的情况下，大量结构3优选设置在基体2的周围部分中，与在上面描述的第十二实施方式相同。这是因为可提高诸如布线层的周围构件与基体2之间的粘合性。保护层9是含有电介质(例如SiO2)作为主要成分的电介质层。透明导电层4根据触摸面板50的系统具有不同的构造。例如，在触摸面板50是表面型电容式触摸面板或内部型电容式触摸面板的情况下，透明导电层4是具有几乎一样的层厚度的薄膜。在触摸面板50是投影型电容式触摸面板的情况下，导电层4是例如以预定间距配置的点阵形状的透明电极图案，并以相对的方式配置。对于透明导电层4的材料，可使用与上述第一实施方式相同的材料。上面描述除外的其他细节与第九实施方式中的那些相同，并且因此将其描述省略。(第二构造示例)如图34B中示出，根据第二构造示例的触摸面板50与第一构造示例中的触摸面板 50的不同之处在于，大量结构3以小于或等于可见光波长的微小间距配置在保护层9的表面上，即配置在触摸表面上而不是触摸面板50的内部。在这点上，大量结构3可进一步设置在粘合到显示装置53的侧面的背面上。在第十二实施方式中，大量结构3设置在电容式触摸面板50的表面和内部中的至少一方上。因此，可获得与第八实施方式中相同的效果。<13.第十三实施方式>[触摸面板的构造]图48A是示出了根据本发明第十三实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。如图48A中示出，用作信息输入装置的触摸面板210设置在显示装置212的显示表面上。应用触摸面板210的显示装置212不被特别地限制。示例包括各种显示装置，例如液晶显示器、CRT (阴极射线管)显示器、等离子显示器(等离子显示面板PDP)、电致发光(电致发光EL)显示器以及表面传导电子发射显示器(表面传导电子发射显示器SED)。触摸面板210是所谓的投影型电容式触摸面板，并设置有导电元件11。导电元件 211设置有光学层201和以彼此隔开预定距离设置在该光学层中的第一透明导电层205和第二透明导电层206。第一透明导电层205是例如具有预定图案的X电极(第一电极)。第二透明导电层206是例如具有预定图案的Y电极(第二电极)。这些X电极和Y电极具有例如相互正交的关系。光学层201的折射率η在例如1. 2以上且1. 7以下的范围内。透明导电层4的表面电阻优选在50Ω/ □以上且4000Ω/ □以下的范围内，更优选在50 Ω / □以上且500 Ω / □以下的范围内。这是因为通过将表面电阻指定在上述范围内透明导电光学元件1可用作电容式触摸面板的上部电极或下部电极。这里，透明导电层 4的表面电阻基于四端子测量(JIS Κ7194)确定。透明导电层4的电阻率优选为1Χ10_3Ω · cm以下。这是因为在电阻率为 1 X 10_3 Ω · cm以下的情况下，可实现上述范围的表面电阻。图48B是示出图48A中所示的布线区Rl在放大情况下的放大截面图。图48C是示出图48A中所示的非布线区R2在放大情况下的放大截面图。第一透明导电层205具有彼此同步的第一波阵面Sl和第二波阵面S2。第一波阵面Sl和第二波阵面S2的平均波长 λ 1小于或等于可见光的波长。第一波阵面Sl和第二波阵面S2的振动的平均幅度优选为不同。第一波阵面Sl的振动的平均幅度Al优选小于第二波阵面S2的振动的平均幅度Bi。 以包含振动幅度变为最大的位置的方式在一个方向上切割第一波阵面Sl和第二波阵面S2 时的横截面形状是例如三角波形的形状、正弦波形的形状、二次曲线或二次曲线的一部分重复的波形的形状、或另外近似的形状。二次曲线的示例包括圆、椭圆和抛物线。在布线区Rl中，第一波阵面Sl的振动的平均幅度Al与第一波阵面Sl的平均波长入1的比率(Al/λ )优选为0.2以上且1.3以下，更优选为0.2以上且1.0以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第二波阵面S2的振动的平均幅度Bl与第二波阵面S2的平均波长λ 1的比率(Bi/ λ 1)优选为 0.2以上且1.3以下，更优选为0.2以上且1.0以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第一透明导电层205的平均层厚度为 80nm以下。如果超过80nm，则反射率趋于增加。这里，平均波长λ 1、第一波阵面Sl的振动的平均幅度Al、第二波阵面S2的振动的平均幅度Bi、比率(Al/λ)和比率(Bi/λ)如下面描述来确定。首先，以包含第一透明导电层205的第一波阵面Sl或第二波阵面S2的振动幅度变为最大的位置Cl和C2的方式， 在一个方向上切割导电元件211。用透射电子显微镜(TEM 透射电子显微镜)摄取所产生的横截面的照片。随后，第一波阵面Sl或第二波阵面S2的波长λ 1、第一波阵面Sl的振动幅度Al和第二波阵面S2的振动幅度Bl根据所得到的TEM照片来确定。对从导电元件211 随机选择的10个部位重复这些测量，并且对测量值进行简单平均(算术平均)，以确定平均波长λ 1、第一波阵面Sl的振动的平均幅度Al和第二波阵面S2的振动的平均幅度Bi。 然后，通过使用这些平均波长λ 1、振动的平均幅度Al和振动的平均幅度Bl确定比率(Al/ 入)禾口比率(Bl/入)。平均层厚度指的是最大层厚度的平均值，并如下面所述来具体地确定。以包含第一透明导电层205的第一波阵面Sl或第二波阵面S2的振动幅度变为最大的位置Cll和 C12的方式，在一个方向上切割导电元件211。用透射电子显微镜(TEM)摄取所产生的横截面的照片。随后，根据所得到的TEM照片来测量层厚度变为最大的位置(例如，位置Cl)处的第一透明导电层205的层厚度。对从第一透明导电层205随机选择的10个部位重复这些测量，并且对测量值进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度。第二透明导电层206具有彼此同步的第三波阵面S3和第四波阵面S4。第三波阵面S3和第四波阵面S4的平均波长λ 2小于或等于可见光的波长。以包含振动幅度变为最大的位置的方式在一个方向上切割第三波阵面S3和第四波阵面S4时的横截面形状是例如三角波形的形状、正弦波形的形状、二次曲线或二次曲线的一部分重复的波形的形状、或另外近似的形状。二次曲线的示例包括圆、椭圆和抛物线。在布线区Rl中，第三波阵面S3的振动的平均幅度Α2与第三波阵面S3的平均波长λ 2的比率(Α2/λ2)优选为0.2以上且1.3以下，更优选为0.2以上且1.0以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第四波阵面S4的振动的平均幅度Β2与第四波阵面S4的平均波长λ 2的比率(Β2/ λ 2)优选为 0.2以上且1.3以下，更优选为0.2以上且1.0以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第二透明导电层206的平均层厚度优选为SOnm以下。如果超过80nm，则反射率趋于增加。这里，第三波阵面S3和第四波阵面S4的平均波长λ 2以与用于上面描述的第一波阵面Sl和第二波阵面S2的平均波长λ 1相同的方式来确定。此外，第三波阵面S3的振动的平均幅度Α2和第四波阵面S4的振动的平均幅度Α2以与用于上面描述的第一波阵面 Sl的振动的平均幅度Al和第二波阵面的振动的平均幅度Bl相同的方式来确定。此外，第二透明导电层206的平均层厚度以与用于第一透明导电层205的平均层厚度相同的方式来确定。光学层201设置有具有第一凹凸面Sl和第四凹凸面S4的第一光学层202、具有第二凹凸面S2的第二光学层203以及具有第三凹凸面S3的第三光学层204。第一透明导电层205设置在第一凹凸面Sl和第二凹凸面S2之间。第二透明导电层206设置在第三凹凸面S3和第四凹凸面S4之间。可替换地，光学层1可具有其中仅包含作为凹凸面的第一凹凸面Sl和第二凹凸面S2，并且第一透明导电层205设置在该第一凹凸面Sl和该第二凹凸面S2之间的构造。第一凹凸面Sl通过以小于或等于可见光波长的平均间距配置大量第一结构20 来形成。第二凹凸面S2通过以小于或等于可见光波长的平均间距配置大量第二结构203a 来形成。第一结构20 和第二结构203a设置在导电元件211的面内方向中的相对位置处。 第一结构20 和第二结构203a具有例如凹状或凸状的形状。例如，第一结构20 和第二结构203a中的一个结构形成为凸状，而另一结构形成为凹状。图58B和图58C示出其中第一结构20 形成为凸状，而第二结构203a形成为凹状的示例。例如，第一结构20 和第二结构203a形成在在导电元件211的面内方向中的相对位置处，并且第一结构20 朝向作为第二结构203a的凹部突起。在这点上，第一结构20 和第二结构203a形状的结合不限于上述的示例，还可以是两个结构都指定为凸状或凹状。在布线区Rl中，第一结构20 的高宽比(平均高度或平均深度Hll/平均配置间距Pl)优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0.2以上且1.0以下。在布线区Rl中，第二结构203a的高宽比(平均高度或平均深度H12/平均配置间距Pl)优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0. 2以上且1. 0以下。第一透明导电层205在第一结构20 顶部的平均层厚度优选为SOnm以下。如果超过80nm， 则反射率趋于增加。优选满足由Dl > D3 > D2表示的关系，其中第一结构20 顶部的第一透明导电层205的层厚度被设为D1，第一结构20 倾斜面的第一透明导电层205的层厚度被设为D2，并且第一结构层之间的第一透明导电层205的层厚度被设为D3。这里，平均配置间距Pl、平均高度或平均深度Hl 1、平均高度或平均深度H12、高宽比(H11/P1)和高宽比(H12/P1)如下所述来确定。首先，以包括第一结构20 的顶部的方式切割导电元件211，并用透射电子显微镜(TEM)摄取所产生的横截面的照片。此后，基于所产生的TEM照片，确定第一结构20 或第二结构203a的配置间距P201、第一结构20 的高度或深度Hll和第二结构203a的高度或深度H12。对从导电元件211随机选择的10 个部位重复这些测量，并且对测量值进行简单平均(算术平均)，以确定平均配置间距P1、 平均高度或平均深度Hll和平均高度或平均深度H12。接下来，使用这些平均配置间距P1、 平均高度或平均深度Hll和平均高度或平均深度H12并由此确定高宽比(H11/P1)和高宽比(H12/P2)。平均层厚度指的是最大层厚度的平均值，并如以下具体的描述来确定。首先，以包括第一结构20 的顶部的方式来切割导电元件211。用透射电子显微镜(TEM)来摄取所产生的横截面的照片。随后，基于所产生的TEM照片，测量第一透明导电层205在第一结构 202a顶部Cl的层厚度。对从导电元件211随机选择的10个部位重复这些测量，并且对测量值进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度。第三凹凸面S3通过以小于或等于可见光波长的间距配置大量第三结构20 来形成。第四凹凸面S4通过以小于或等于可见光波长的间距配置大量第四结构202b来形成。 第三结构20 和第四结构202b设置在导电元件211的面内方向中的相对位置。第三结构 20 和第四结构202b具有例如凹状或凸状的形状。例如，第三结构20 和第四结构202b 中的一个结构被形成为凸状，而另一结构被形成为凸状。图58B和图58C示出其中第三结构20 形成为凸状而第四结构202b形成为凹状的示例。例如，第一结构20 和第二结构 203a形成在导电元件201的面内方向中的相对位置处，并且第一结构20 朝向作为第二结构203a的凹部突起。在这点上，第一结构20 和第二结构203a形状的结合不限于上述的示例，还可以是两个结构都指定为凸状或凹状。在布线区Rl中，第三结构20 的高宽比 (平均高度或平均深度H21/平均配置间距P2)优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0. 2以上且1. 0以下。第四结构202b的高宽比(平均高度或平均深度H22/平均配置间距P2) 优选为0. 2以上且1. 3以下，更优选为0. 2以上且1. 0以下。在布线区Rl中，第二透明导电层206在第三结构20 顶部的平均层厚度优选为SOnm以下。如果超过80nm，则反射率趋于增加。优选满足由Dl > D3 > D2表示的关系，其中第二透明导电层206在第三结构20 顶部的层厚度被设为D1，第二透明导电层206在第三结构20 倾斜面的层厚度被设为D2， 并且第二透明导电层206在第二结构层之间的层厚度被设为D3。这里，第三结构20 和第四结构202b的平均配置间距P2以与用于上面描述的第一结构20 或第二结构203a的平均配置间距Pl相同的方式来确定。此外，第三结构20 的平均高度或平均深度H21和第四结构202b平均高度或平均深度H22以与用于上面描述的第一结构20 的平均高度或平均深度Hll和第二结构203a的平均高度或平均深度H12 相同的方式来确定。此外，第二透明导电层206的平均层厚度以与用于第一透明导电层205 的平均层厚度相同的方式来确定。图49A是示出了根据本发明第十三实施方式的触摸面板的更具体构造示例的透视图。该触摸面板210是ITO网格系统的投影型电容式触摸面板，并设置有堆叠的第一基板204和第一基板202。图49B是示出第一基板的构造示例的分解透视图。在这点上，第一基板202具有与第一基板204几乎相同的构造，因此，将省略分解透视图的描述。在第一基板204的两个主表面中与第一基板202相对的一个主表面上，第一区域Rl和第二区域R2交替地重复设定，并且第二区域R2与相邻的第一区域Rl相互分离。第一基板204的第一区域Rl通过使在X轴方向上重复的预定形状的单位区域Cl 相互连接来形成，第二区域R2通过使在X轴方向上重复的预定形状的单位区域C2相互连接来形成。第一基板202的第一区域Rl通过使在Y轴方向上重复的预定形状的单位区域 Cl相互连接来形成，第二区域R2通过使在Y轴方向上重复的预定形状的单位区域C2相互连接来形成。单位区域Cl和单位区域C2的形状示例包括钻石形状(菱形形状)、三角形形状和四边形形状，但并不限于这些形状。在第一区域Rl中，例如，大量结构以小于或等于可见光波长的配置间距配置，并且透明导电层以岛状等等不连续地设置。另一方面，第二区域R2是未设置有结构的平坦表面状，并连续设置有透明导电层。因此，由透明导电层形成的多个水平(X)电极(第一电极)206配置在第一基板204的两个主表面中与第一基板202相对的主表面上。此外，由透明导电层形成的多个垂直(Y)电极(第二电极)205配置在第一基板202的两个主表面中与第一基板204相对的主表面上。水平电极206和垂直电极205具有与第二区域R2相同的形状。第一基板204的水平电极206和第一基板202的垂直电极205具有彼此正交的关系。在其中第一基板204和第一基板202堆叠的状态下，第一基板204的第一区域Rl和第一基板202的第二区域R2堆叠，并且第一基板204的第二区域R2和第一基板202的第一区域Rl堆叠。(第一光学层)(第一示例)图50A是示出两个主表面上都设置有大量凸形结构的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图50B是示出图50A中所示的第一光学层的局部放大平面图。图50C是沿着图50B中示出的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图50D是沿着图50Β中示出的轨迹Τ2、 Τ4、…截取的截面图。图51Α是图50Β中示出的第一光学层在轨迹延伸方向(X方向(下文中可适宜地称为轨迹方向))上的截面图。图51Β是图50Β中示出的第一光学层在θ方向上的截面图。图52Α至图5 是示出图50Β中示出的结构的形状示例的透视图。第一光学层202设置有具有第一主表面和第二主表面的基体202c、设置在第一主表面上的大量第一结构20 和设置在第二主表面上的大量第二结构202b。第一结构20 和第二结构202b具有例如凸状。(基体)基体202c是例如具有透明性的透明基体。基体202c的材料的示例包括具有透明性的塑料材料和含有玻璃等作为主要成分的材料，但并不特别低限于这些材料。对于玻璃，例如，使用碱石灰玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃和液晶玻璃(参照 THE CHEMICAL SOCIETY OF JAPAN 编的 Kagaku Binran (化学手册)，理论化学，P. 1-537)。 对于塑料材料，从光学特性(例如，透明性、折射率和色散，以及另外诸如抗冲击性、耐热性和耐久性的各种特性的观点来看，(甲基)丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和甲基丙烯酸甲酯与乙烯基单体的共聚物，例如，其它烷基(甲基)丙烯酸酯和苯乙烯)；聚碳酸酯基树脂(例如聚碳酸酯和二甘醇二苯甲酸酯(CR-39))；热固(甲基)丙烯酸树脂(例如(溴化)双酚A类二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物以及(溴化)双酚A类一(甲基)丙烯酸酯的聚氨酯改性单体的聚合物和共聚物)；多元酯(具体为，聚对苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯，以及不饱和聚酯)；丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚氯乙烯；聚氨酯；环氧树脂；聚丙烯酸酯；聚醚砜；聚醚酮；环烯烃聚合物(商品名ART0N、ZE0N0R)；以及环烯烃共聚物是优选的。此外，考虑耐热性也可使用芳纶基树脂。在塑料材料用作基体2的情况下，为进一步改善塑料表面的表面能、可涂布性、滑动性质、平坦度等，可设置下涂层来作为表面处理。下涂层的示例包括有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯改性聚酯和聚氨酯。此外，为了获得与下涂层的设置相同的效果，可对基体 202c的表面进行电晕放电或UV照射处理。在基体202c是塑料膜的情况下，可通过例如其中上述树脂被拉伸或用溶剂稀释后形成膜形状，继之进行干燥的方法来获得基体202c。在这点上，基体202c的厚度根据导电元件211的使用来适宜地选择并且为例如约25 μ m至500 μ m。基体202c的形状示例包括片状、板状以及块状，但并不特别地局限于这些形状。 这里，定义片包括膜。(结构)大量具有例如凸状的第一结构20 配置在基体202c的第一主表面上。大量具有例如凸状的第一结构20 配置在基体202c的第二主表面上。这些第一结构20 和第二结构202b以小于或等于光波长频带的短平均配置间距(例如在为了减少反射的情况下，以与可见光波长相同程度的平均配置间距)周期性二维配置。在为了减少反射的情况下，光的波长频带是紫外光的波长频带、可见光的波长频带、红外光的波长频带等。这里，紫外光的波长频带指的是IOnm至360nm的波长频带，可见光的波长频带指的是360nm至830nm的波长频带，红外光的波长频带指的是830nm至Imm的波长频带。具体地，第一结构加的平均配置间距优选在IOOnm以上且320nm以下的范围内，更优选在IOOnm以上且320nm以下的范围内，并进一步优选在IlOnm以上且^Onm以下的范围内。如果配置间距小于180nm， 则第一结构20 的生产趋于变得困难。另一方面，如果配置间距超过350nm，则趋于发生可见光的衍射。第一结构20 和第二结构202b除形成在基体202c的不同表面之外是相同的。因此，下面将仅描述第一结构20加。第一光学层202的各第一结构20 具有在基体202c的表面上构成多行轨迹Tl、 T2、T3、···(下文中，可统称为“轨迹Τ”)的配置形式。在本发明中，轨迹指的是第一结构 20 排列成直线状时所排列起的部分。此外，列方向指的是在基体202c的形成表面上与轨迹延伸方向(X方向)正交的方向。第一结构20 以相邻的两条轨迹T的位置相对于彼此移动半个间距的方式配置。 具体地，关于相邻的两条轨迹T，一条轨迹(例如，T2)的第一结构20 配置于在另一条轨迹(例如，Tl)中配置的第一结构20 的中点位置(移动半个间距的位置)处。结果，如图50B中所示，关于相邻的三条轨迹线(Tl至T3)，第一结构20 以形成六方点阵图案或准六方点阵图案的方式配置，其中第一结构20 的中心位于各点al a7。在本实施方式中，六方点阵图案指的是具有正六角形状的点阵图案。此外，准六方点阵图案不同于具有正六角形状的点阵图案，并且指的是在轨迹延伸方向(X轴方向)上被拉伸成扭曲的六方点阵图案。此外，结构不限于构成准六方点阵图案和六方点阵图案，并可构成其它图案，例如四方点阵图案和随机凹凸面。在第一结构20 以形成准六方点阵图案的方式配置的情况下，如图50B中示出， 优选的是，同一轨迹(例如，Tl)上的第一结构20 的配置间距Pl (al和a2之间的距离) 大于两个相邻轨迹(例如，Tl和T2)中的第一结构20 之间的配置间距，(即，在相对于轨迹延伸方向的士 θ方向上的第一结构20 的配置间距p2(例如，al和a7，a2和a7之间的距离))。通过如上所述配置第一结构20 ，能够进一步提高第一结构20 的填充密度。从形成容易的观点来看，优选的是，第一结构20 具有椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。优选的是，第一结构20 具有轴对称椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。在相邻的第一结构20 被接合的情况下，优选的是，第一结构20 具有接合至相邻第一结构20 的下部除外的轴对称椎体形状或其中椎体形状在轨迹方向上被拉伸或收缩的椎体形状。椎体形状的示例可包括圆椎形状、圆椎台形状、椭圆椎形状和椭圆椎台形状。这里，如上所述，椎体形状是不但包括圆椎形状和圆椎台形状还包括椭圆椎形状和椭圆椎台形状的概念。在这点上，圆椎台形状指的是其中圆椎形状的顶部被切去的形状，并且椭圆椎台形状指的是其中椭圆椎形状的顶部被切去的形状。优选的是，第一结构20 是具有其中轨迹延伸方向上的宽度大于垂直于该延伸方向的列方向上的宽度的底面的椎体形状。具体地，如图52A和图52B中示出，优选的是， 第一结构20 具有其底面为具有长轴和短轴的椭圆形、卵形或蛋形，以及顶部是曲面的椭圆锥形状的椎体结构。可替换地，如图53A中示出，其底面为具有长轴和短轴的椭圆、卵形或蛋形，以及顶部是平坦的椭圆椎台形状的椎体结构是优选的。这是因为在采用上述形状的情况下，可改善列方向上的填充率。
从改善反射特性的观点来看，其顶部的倾斜缓和并且倾斜从中部朝向底面逐渐变陡的椎体形状(参照图52B)是优选的。可替换地，从改善反射特性和透射特性的观点来看， 其中部的倾斜比底部和顶部的倾斜陡的椎体形状(参照图52A)或其顶部是平坦的椎体形状(参照图52A)是优选的。在第一结构20 具有椭圆锥或椭圆椎台形状的情况下，优选的是，其底面的长轴方向平行于轨迹的延伸方向。在图52A到图53B中，各第一结构20 具有相同的形状。然而，第一结构20 的形状不局限于此。可在基体表面上设置至少两类形状的第一结构20加。此外，第一结构20 可与基体202c —体地设置。另外，如图52A到图5 中示出，优选的是，在第一结构20 的外围的一部分或全部上设置突起部202d。这是因为通过采用上述方式，即使在第一结构20 的填充率较低的情况下，也可将反射率控制在较低的水平。具体地，如图52A到图53B中示出，例如，突起部202d设置在相邻第一结构20 之间。可替换地，如图53B中示出，细长突起部20 可设置在第一结构20 外围的一部分或全部上。细长突起部20 例如从第一结构20 的顶部朝向下部延伸。突起部20 的横截面形状的示例可包括三角形和四边形，但并不特定地局限于这些形状。可考虑容易形成等来选择形状。此外，第一结构20 外围的部分或全部的表面可被粗糙化，以形成微细的凹凸。具体地，例如，相邻第一结构20 之间的表面可被粗糙化，以形成微细的凹凸。可替换地，例如可在第一结构20 顶部的表面中形成小孔。第一结构20 在轨迹延伸方向上的高度Hl优选小于第一结构20 在列方向上的高度H2。即，第一结构20 的高度Hl和H2优选满足由Hl <H2表示的关系。这是因为如果第一结构20 以满足由Hl彡H2表示的关系的方式配置，则需要增加轨迹延伸方向上的配置间距P201，由此减小了第一结构20 在轨迹延伸方向上的的填充率。如果如上所述减小填充率，则引起反射特性减小。在这点上，第一结构20 的高宽比在所有情况下不始终是相同的。各第一结构 20 可配置为具有一定的高度分布。通过设置具有高度分布的第一结构20 ，可减小反射特性的波长依赖性。因此，可实现具有良好防反射特性的导电光学元件211。这里，高度分布指的是具有至少两种高度(深度)的第一结构20 设置在基体 202c的表面上。即，这意指具有用作基准的高度的第一结构20 和具有不同于上述第一结构20 高度的第一结构20 设置在基体202c的表面上。例如，具有不同于基准的高度的第一结构20 周期性或非周期性(随机)地设置在基体202c的表面上。周期性的方向的示例包括轨迹延伸方向和列方向。优选在在第一结构20 的外围部分上设置襟部202d。这是因为在制造导电光学元件的步骤中，易于将第一结构202d从模子等剥离。这里，襟部202d指的是设置在第一结构20 的底面的外围部分上的突起部。从上述剥离特性的观点来看，襟部202c优选地具有高度从第一结构20 的顶部向下部逐渐减小的曲面。在这点上，襟部202d可仅设置在第一结构20 的外围部的一部分上。然而，从改善上述剥离特性的观点来看，襟部202d优选设置在第一结构20 的所有外围部上。此外，在第一结构20 是凹部的情况下，襟部是设置在用作第一结构20 的凹部的开口外围上的曲面。在第一结构20 以形成六方点阵图案或准六方点阵图案方式配置的情况下，第一结构20 的高度H被设为第一结构20 在列方向上的高度。第一结构20 在轨迹延伸方向(X方向)上的高度小于列方向(Y方向)上的高度，第一结构20 的轨迹延伸方向上以外的部分的高度与列方向上的高度近似相同。因此，由列方向上的高度表示亚波长结构的高度。比率P1/P2优选满足由1.00彡pl/p2彡1. 2或1. 00 < pl/p2彡1.2表示的关系， 更优选满足由1. 00 ^ P1/P2 < 1. 1或1. 00 < P1/P2 ^ 1. 1表示的关系，其中同一轨迹上的第一结构20 的配置间距被设为P1，并且两个相邻轨迹之间的第一结构20 的配置间距被设为P2。在采用上述该数值范围的情况下，可以提高具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的第一结构20 的填充率，从而可以改善防反射特性。基体表面上的第一结构20 的填充率在65%以上的范围内，优选为73%以上，更优选为86%以上，其中上限为100%。在将填充率指定在上述范围内的情况下，可以改善防反射特性。为了提高填充率，优选地，相邻第一结构20 的下部相互接合，或例如通过调整结构底面的椭圆率来使第一结构20 扭曲。图54A示出了具有圆椎形状或圆椎台形状的第一结构20 的配置示例。图54B 示出了具有椭圆椎形状或椭圆椎台形状的第一结构20 的配置示例。如图54A和图54B 中示出，第一结构20 优选以其下部相互重叠的方式接合。具体地，第一结构20 的下部优选接合到具有彼此相邻关系的第一结构20 的下部的一部分或全部。更具体地，第一结构20 的下部优选在轨迹方向、在θ方向、或在这两个方向上相互接合。更具体地，第一结构20 的下部优选在轨迹方向、在θ方向，或在这两个方向上相互接合。在图54Α和图 54Β中，示出了具有彼此相邻关系的的第一结构20 的下部的全部被接合的示例。通过如上所述接合第一结构20 ，能够提高第一结构20 的填充率。优选的是，针对考虑到在使用环境下的光的波长频带中的折射率时的光路长度的最大值，第一结构的1/4以下的部分相互接合。因此，能够得到良好的防反射特性。如图54B中示出，第一接合部a通过使使同一轨迹中的相邻第一结构20 的下部相互重叠来形成，另外，第二接合部b通过使相邻轨迹中的相邻第一结构20 的下部相互重叠来形成。交叉部c形成在第一接合部a与第二接合部b的交叉点处。交叉部c的位置低于例如第一接合部a和第二接合部b的位置。在具有圆锥形状或圆锥台形状的第一结构 202a的下部相互接合的情况下，其高度以例如接合部a、接合部b以及交叉部c的顺序依次减小。直径2r与配置间距Pl的比率((2r/Pl)X100)为85 %以上，优选为90 %以上， 更优选为95%以上。这是因为，通过采用上述范围，能够提高第一结构20 的填充率并且能够改善防反射特性。如果比率((2r/Pl)X100)增大并且第一结构20 的重叠变得过大时，防反射特性趋于劣化。因此，优选的是，以考虑到在使用环境下的光的波长频带中的折射率时，具有光路长度的最大值的1/4以下的部分相互接合的方式，来设定比率G2r/ PD X 100)的上限值。这里，配置间距Pl是第一结构20 在轨迹方向上的配置间距，并且直径2r是第一结构底面在轨迹方向上的直径。在这点上，在第一结构底面为圆形的情况下，直径2r指的是直径，而在第一结构底面为椭圆形的情况下，直径2r指的是长轴。(第二示例)图55A是示出在两个主表面上都设置有大量凹形结构的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图55B是示出图55A中所示的导电元件的局部放大平面图。图55C是沿着图55B中示出的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图55D是沿着图55Β中示出的轨迹Τ2、T4、…截取的截面图。图56是示出在图55B中示出的导电元件的局部放大透视图。第二构造示例与第一构造示例的不同之处在于，第一结构20 和第二结构202b 是凹形。在第一结构20 和第二结构202b如上所述被指定为凹形的情况下，具有凹形的第一结构20 和第二结构202b的开口部(凹部的入口部)定义为下部，并且基体202c在深度方向上的最下部(凹部的最深部)定义为顶部。即，基于作为非实体空间的第一结构 202a和第二结构202b来定义顶部和下部。(透明导电层)构成第一透明导电层205和第二透明导电层206的材料示例包括铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZ0(A1203、ZnO))、SZ0、掺氟氧化锡(FTO)、氧化锡 (SnO2)、掺镓氧化锌(GZO)、铟锌氧化物(ΙΖ0(Ιη203、Ζη0))和金属氧化物。具体地，从高可靠性、低电阻率等的观点来看，铟锡氧化物(ITO)是优选的。构成第一透明导电层205和第二透明导电层206的材料优选处于无定形和多晶体的混合态。第一透明导电层205的平均层厚度优选为SOnm以下。第二透明导电层206的平均层厚度优选为80nm以下。在本说明书中，第一透明导电层205的平均层厚度是在第一结构20 顶部的第一透明导电层205的平均层厚度，如上所述。此外，第二透明导电层206 的平均层厚度是第二结构203a顶部的第二透明导电层206的平均层厚度，如上所述。[辊型母版的结构]图57A示出用于制造具有上述结构的第一光学层的的辊型母版的结构示例。图 57B是示出图57A中所示的辊型母版的局部放大平面图。辊型母版301具有例如其中大量形成为凹部的结构302以小于或等于诸如可见光的光的波长的间距配置在辊表面上的构造。 辊型母版301具有圆柱状或圆筒状形状。对于辊型母版301的材料，例如，可使用玻璃，但不特定地限于此材料。使用下文描述的辊型母版曝光装置，以二维图案空间连接的方式，以轨迹为基础将极性反转格式器信号与记录单元的旋转控制器同步以生成信号，以合适的馈送间距以CAV来进行图案化。因此，能够记录六方点阵图案或准六方点阵图案。通过适当地设置极性反转格式器信号的频率和辊的旋转数，在期望的记录区域形成具有一致空间频率的点阵图案。[曝光装置的构造]图58是示出了用于制造辊型母版的辊型母版曝光装置的构造示例的示意图。该辊型母版曝光装置基于光盘记录装置来构造。激光源221是使作为层应用到用作记录介质的辊型母版301的表面的抗蚀剂曝光的光源，并且发出具有例如波长λ = 266nm的记录用激光304。从激光源221发出的激光 304在作为平行光束的状态下时沿直线传播，并进入电光调制器(Ε0Μ 电光调制器)222。透过电光调制器222的激光304被反射镜223反射，并被导向到调制光学系统225。反射镜223由偏光分束器形成，并具有反射一种偏光分量和透过另一种偏光分量的功能。透过反射镜223的偏光分量被光电二极管2M接收，并且根据接收到的光信号控制电光调制器222，以对激光304进行相位调制。在调制光学系统225中，激光15通过会聚透镜2 会聚在由玻璃(Sit)》等组成的声光调制器(Α0Μ 声光调制器)227上。在激光304由声光调制器227强度调制成发散后，通过透镜2 被转换成平行光束。从调制光学系统225发出的激光304在反射镜31处反射并以水平和平行方式导向至移动光学台232上。移动光学台232设置有扩束器233和物镜234。导向移动光学台232的激光304 由扩束器233成形为期望的光束形状，之后经过物镜234施加到辊型母版301上的抗蚀层上。辊型母版301放置在连接到主轴马达235的转台236上。然后，在辊型母版301旋转且另外激光304在辊型母版304的高度方向上移动时，将激光304间歇地施加至抗蚀层，以进行抗蚀层的曝光步骤。形成的潜像具有其长轴在圆周方向上的基本椭圆形状。通过移动光学台232在由箭头R表示的方向上的移动来执行激光304的移动。曝光装置设置有用于在抗蚀层上形成潜像的控制机构237，该潜像对应于图57B 所示的抗蚀层上的六方点阵图案或准六方点阵图案的二维图案。控制机构237设置有格式器2 和驱动器230。格式器2 设置有极性反转部。该极性反转部控制向抗蚀层施加激光304的定时。驱动器230接收来自极性反转部的输出并控制声光调制器227。在该辊型母版曝光装置中，以二维图案空间连接的方式，在各个轨迹中将极性反转格式器信号与记录单元的旋转控制器同步以生成信号，且由声光调制器27进行强度调制。可通过以恒定的角速度(CAV)、适当的旋转数、适当的调制频率以及适当的馈送间距执行图案化，来记录六方点阵图案或准六方点阵图案。例如，为了指定圆周方向上的周期为 315nm，并且指定在相对于圆周方向约60°的方向(约-60°的方向)上的周期为300nm，将馈送间距指定为251nm足以(毕达哥拉斯定理)。通过改变辊的旋转数(例如，1800rpm、 900rpm、450rpm和225rpm)来改变极性反转格式器信号的频率。例如，极性反转格式器信号的频率37. 70MHz、18. 85ΜΗζ、9· 34MHz以及4. 7IMHz分别对应于辊的旋转数1，800rpm、 900rpm、450rpm以及225rpm。通过使用移动光学台232上的扩束器(BEX) 233使远紫外激光的光束直径增大5倍并将穿过具有0. 9的数值孔径(NA)的物镜234的该激光施加到辊型母版301上的抗蚀层以形成微小的潜像，而在期望的记录区域中获得具有一致空间频率的准六方点阵图案(在圆周方向上的周期315nm，在相对于圆周方向约60°的方向(约-60° 的方向)上的周期300nm)。[制造导电元件的方法]接下来，将参照图59A至图61C描述制造具有上述构造的导电元件211的方法。(抗蚀层形成步骤)首先，如图59A所示，制备圆柱形辊型母版301。该辊型母版301例如为玻璃母版。 随后，如图59B中示出，在辊型母版301的表面上形成抗蚀层303。对于抗蚀层303的材料， 可使用例如有机抗蚀剂和无机抗蚀剂中的任一种。对于有机抗蚀剂，可使用例如酚醛清漆抗蚀剂和化学放大型抗蚀剂。此外，对于无机抗蚀剂，可使用例如由一种或至少两种过渡金属形成的金属化合物。(曝光步骤)然后，如图59C所示，使用上述的辊型母版曝光装置，使辊型母版301旋转并另外将激光(曝光光束)304施加至抗蚀层303。此时，在激光304在辊型母版301的高度方向 (平行于圆柱形或圆筒形辊型母版301的中心轴的方向)上移动时，将激光304间歇地施加，从而对抗蚀层303的整个表面进行曝光。以这种方式，根据激光304的焦点的潜像305 以与可见光的波长相同程度的间距形成在抗蚀层303的整个表面上。例如，潜像305被配置为在母版的表面上形成多行轨迹，并另外形成六方点阵图案或准六方点阵图案。例如，潜像305具有其长轴方向为轨迹延伸方向的椭圆形状。(显影步骤)接着，在辊型母版301旋转时，在抗蚀层303上滴加显影剂以对抗蚀层303进行显影处理，如图60A所示。如图所示，在抗蚀层303由正型抗蚀剂形成的情况下，与未曝光部分相比，用激光304进行曝光的曝光部分对显影液具有较高的溶解速率。因此，在抗蚀层303 上形成了对应于潜像(曝光部分)305的图案。(蚀刻步骤)接着，在形成在辊型母版301上的抗蚀层303的图案(抗蚀图案)用作掩模时，对辊型母版301的表面进行辊型蚀刻处理。以这种方式，如图60B中示出，可获得具有其长轴方向在轨迹延伸方向上的椭圆椎形状或椭圆椎台形状的凹部，即结构302。对于蚀刻方法， 例如，执行干蚀刻。此时，例如，可通过交替地进行蚀刻处理和打磨处理来形成具有椎体形状的结构302的图案。此外，例如，能够制造具有抗蚀层303深度3倍以上(选择比3以上)的辊型母版，从而可增加结构302的高宽比。因此，例如，获得了具有其深度为约30nm至约320nm的凹形的六方点阵图案或准六方点阵图案的辊型母版301。(第一光学层形成步骤)接着，例如，将转印涂料施加至基体202c的一个主表面。之后，对准所产生的转印材料压辊型母版301，并另外，通过用紫外线照射等使转印材料固化。随后，从辊型母版301 剥离基体202c。以此方式，如图60C中示出，大量由凸部组成的第一结构20 形成在基体 202c的一个主表面上。接着，例如，将转印涂料施加至基体202c的另一主表面(与设置有多个结构的侧面相对的表面)。此后，对准所产生的转印材料压辊型母版301，并另外，通过用紫外线照射等使转印材料固化。随后，从辊型母版301剥离基体202c。依次方式，如图60D中示出，大量由凸部组成的第二结构202b形成在基体202c的另一主表面上。在这点上，形成第一结构20 和第二结构202b的顺序不限于该示例。第一结构20 和第二结构202b可同时形成在基体202c的两个表面上。转印材料由例如紫外线固化材料和引发剂形成，并且必要时含有填料、功能性添加剂等。紫外线固化材料由例如单官能团单体、双官能团单体或多官能团单体形成，具体地，由下列材料的一种或多种下列材料的混合组成。单官能团单体的示例包括羧酸(丙烯酸)、羟基化合物(2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯以及4-羟丁基丙烯酸酯)、烷基、酯环族化合物(异丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、十八烷基丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯和环己基丙烯酸酯)、及其他官能团单体O-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙烯基乙二醇丙烯酸酯、2-乙氧基乙基丙烯酸酯、四氢化糠基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、 苯氧基乙基丙烯酸酯、N, N- 二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N, N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺、N， N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N，N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯吡咯烷酮、2_(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羟基丙基丙烯酸酯、2_(全氟癸基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6_三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2，4，6_三溴苯氧基)乙烷基丙烯酸酯以及2-乙基己基丙烯酸酯)。双官能团单体的示例可包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基二烯丙基醚和氨基甲酸丙烯酸酯。多官能团单体的示例可包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五和六丙烯酸酯以及二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。引发剂的示例可包括2，2-二甲氧基-1，2-二苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯酮和2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-酮。对于填料，例如，可使用无机微粒和有机微粒中的任一种。无机微粒的示例可包括 SiO2, TiO2, ZrO2, SnO2^Al2O3等的金属氧化物微粒。功能性添加剂的示例可包括均化剂、表面控制剂和消泡剂。基体202c的材料的示例包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纤维素双乙酸酯、纤维素三乙酸酯、纤维素乙酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯和玻璃。用于模制基体202c的方法不被特定限制。可采用注射成型体、挤出体或浇注体。 如需要，可对基体的表面进行诸如电晕处理的表面处理。(透明导电层形成步骤)接下来，如图61A中示出，第一透明导电层205形成在基体202c的其上已形成大量第一结构20 的的一个主表面上。随后，如图61B中示出，第二透明导电层206形成在基体202c的其上已形成大量第二结构202b的另一主表面上。在形成第一透明导电层205 和/或第二透明导电层206的过程中，可在加热基体202c时执行层形成。对于用于形成第一透明导电层205和第二透明导电层206的方法，例如，除诸如热CVD、等离子CVD和光CVD 的CVD法(化学气相沉积(化学气相沉积法)通过使用化学反应从气相沉积薄层的技术) 之外，还可使用PVD法(物理气相沉积(物理气相沉积法)在真空中通过将物理蒸发材料聚集在基体上来形成薄层的技术)，例如，真空蒸发、等离子辅助蒸发、溅射和离子电镀。然后，如必要，可对第一透明导电层205和/或第二透明导电层206进行退火处理。因此，第一透明导电层205和/或第二透明导电层206被形成例如无定形和多晶体的混合态。
(透明导电层的图案化步骤)随后，通过例如光刻对第一透明导电层205和第二透明导电层206进行图案化，由此形成预定电极图案，例如X电极和Y电极图案。(第二光学层的形成步骤)然后，通过其间由粘合剂等形成的粘合层207使光学片208粘合到设置有第一透明导电层205的第一光学层202的凹凸面。以此方式，如图61C中示出，将第二光学层203 形成在第一光学层202的第一透明导电层上。(第三光学层的形成步骤)接下来，如需要，通过其间的粘合剂等使设置有第二透明导电层206的第一光学层202的凹凸面粘合到显示装置212。以此方式，将第三光学层204形成在第一光学层202 的凹凸面与显示装置212之间。因此，获得期望的导电元件211。
根据第十三实施方式，导电元件211设置有具有第一凹凸面Sl和第四凹凸面S4 的第一光学层202、具有第二凹凸面S2的第二光学层203以及具有第三凹凸面S3的第三光学层204。具有预定电极图案的第一透明导电层205设置在第一凹凸面Sl和第二凹凸面 S2之间。具有预定电极图案的第二透明导电层206设置在第三凹凸面S3和第四凹凸面S4 之间。以此方式，关于第一透明导电层205和第二透明导电层206，可减小具有布线图案的部分和没有布线图案的部分之间的反射率的差异。因此，可抑制布线图案的视觉识别。此外，不使用多层光学层，使用纳米压印技术并且采用高产量的层结构，因此可实现良好的大生产率和低成本。在通过使用基于光盘母版生产工艺和蚀刻工艺组合的方法来制作导电元件211 的情况下，可提高导电元件211的生产率，并另外，能够对应于导电元件的大型化。[变形例](第一变形例)在上面描述的第十三实施方式中，说明了轨迹具有直线形的情况。然而，轨迹的形状不限于该示例。尽管下面仅说明第一结构20 的轨迹形状，但对第二结构202b、第三结构20 和第四结构202b可采用相同的轨迹形状。图62A是示出根据第十三实施方式的导电元件的轨迹的第一变形例的平面图。该第一示例与第十三实施方式的不同之处在于，大量第一结构20 以圆弧状配置。关于相邻的三行轨迹线(Tl T3)，结构20 以形成结构20 的中心位于各点al a7的六方点阵图案或准六方点阵图案配置。图62B是示出根据第十三实施方式的导电元件的轨迹的第二变形例的平面图。该第二变形例与第十三实施方式的不同之处在于，大量第一结构20 配置在蜿蜒的轨迹(以下称为摆动轨迹)上。通过如上所述将第一结构20 配置在摆动轨迹上可抑制外观的变化发生。基体202c上的各轨迹的摆动优选为同步。即，摆动优选是同步的摆动。在如上所述摆动是同步的情况下，保持六方点阵或准六方点阵的单位点阵形状，并且填充率可保持在高水平。摆动轨迹的波形示例可包括正弦波和三角波。摆动轨迹的波形不局限于周期性波形，也可以是非周期性波形。摆动轨迹的摆动振幅选择为例如约士0.1 μ m。(第二变形例)图63是示出了根据第十三实施方式的透明导电层和导电元件的凹凸形状的变形例的截面图。第一透明导电层205的波阵面Sl (或波阵面S2)和第二透明导电层206的波阵面S3(或波阵面S4)在导电元件211面内方向中可彼此不同步，并且两个波阵面的振动变为最大的位置可彼此不同。即，第一结构20 和第二结构20 可不设置在导电元件211 面内方向上的相同位置处，而是设置在不同位置处。此外，第一透明导电层205的波阵面Sl 的波长λ 1和第二透明导电层206的波阵面S3的波长λ 2不必是相同的，并且两个层可采取不同值。此外，第一透明导电层205的波阵面Sl的振动幅度Al和第二透明导电层206 的波阵面S3的振动幅度Α2不必是相同的，并且两个层可采取不同值。另外，同样，第一透明导电层205的波阵面S2的振动幅度Bl和第二透明导电层206的波阵面S4的振动幅度 Β2不必是相同的，并且两个层可采取不同值。<14.第十四实施方式〉图64Α是示出根据本发明第十四实施方式的导电元件的布线区Rl在放大情况下的放大截面图。图64B是示出根据本发明第十四实施方式的导电元件的非布线区R2在放大情况下的放大截面图。在第十四实施方式中，与第十三实施方式相同的部位通过相同的参考标号表示并将其描述省略。由第一透明导电层205和第一金属层20 组成的层压层250 设置在第一凹凸面Sl和第二凹凸面S2之间。由第二透明导电层206和第二金属层206a组成的层压层260设置在第三凹凸面S3和第四凹凸面S4之间。图64A示出第一金属层20 和第二金属层206a两者设置其中的构造。然而，可采用其中仅设置有第一金属层20 和第二金属层206a中的一个的构造。第一层压层250具有彼此同步的第一波阵面Sl和第二波阵面S2。在布线区Rl 中，第一波阵面Sl的振动的平均幅度Al与第一波阵面Sl的平均波长λ 1的比率(Α1/λ 1) 优选为0.2以上且1.3以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第二波阵面S2的振动的平均幅度Bl与第二波阵面S2的平均波长λ 的比率(Bl/λ )优选为0.2以上且1.3以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第一透明导电层205的平均层厚度为SOnm以下。如果超过80nm，则透射率趋于劣化。第二层压层260具有彼此同步的第三波阵面S3和第四波阵面S4。第三波阵面S3 的平均幅度A2与第三波阵面S3的平均波长λ 2的比率(Α2/λ2)优选为0. 2以上且1.3 以下。如果比率小于0.2，则反射率趋于增加。如果超过1.3，则表面电阻趋于难以满足预定值。第四波阵面S4的振动的平均幅度Β2与第四波阵面S4的平均波长λ 2的比率(Β2/ λ 2)优选为0. 2以上且1. 3以下。如果比率小于0. 2，则反射率趋于增加。如果超过1. 3， 则表面电阻趋于难以满足预定值。第二透明导电层206的平均层厚度优选为SOnm以下。如果超过80nm，则透射率趋于劣化。在设置第一金属层20 和第二金属层206a的情况下，可减小电阻率，并且可减小第一透明导电层205和第二透明导电层206的厚度。此外，在仅通过第一透明导电层205 和第二透明导电层206导电率达不到满足需要的值的情况下，可补充导电率。例如，第一金属层20 设置在第一结构20 和第一透明导电层205之间的界面、 第一透明导电层205和第二结构203a之间的界面，或设置在该两个界面。此外，层压层不限于两层结构。可采用其中第一透明导电层205和第一金属层20 结合并且层压至少三层的层压结构。例如，可采用其中两个第一透明导电层205与其间金属层20 —起被层压的层压结构。例如，第二金属层206a设置在第三结构20 和第二透明导电层206之间的界面、 第二透明导电层206和第四结构202b之间的界面、或设置在该两个界面。此外，层压层不限于两层结构。可采用其中第二透明导电层206和第二金属层206a结合并且层压至少三层的层压结构。例如，可采用其中两个第二透明导电层206与其间金属层206a —起被层压的层压结构。第一金属层20 和第二金属层206a的层厚度不被特定地限制，并且被选择为例如几纳米的量级。第一金属层20 和第二金属层206a具有高的导电率，因此用几纳米的层厚度就可获得满足需要的表面电阻。此外，在层厚度为几纳米量级的情况下，几乎不施加由于第一金属层20 和第二金属层206a引起的诸如吸收和反射的光学影响。对于构成第一金属层20 和第二金属层206a的材料，优选使用具有高导电性的金属系材料。这样材料的示例包括选自由Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt以及Nb构成的组中至少一种。在这些材料中， 考虑导电性程度、使用的历史记录等^g是优选的。可仅通过第一金属层20 和第二金属层206a来确保表面电阻。然而，在厚度非常小的情况下，第一金属层20 和第二金属层 206a的结构呈现岛状，并趋于难以确保连续性。在此情况下，优选的是，通过第一透明导电层205和第二透明导电层206电气连接岛状第一金属层20 和第二金属层206a。<15.第十五实施方式>[导电元件的构造]图65A是示出了根据本发明第十五实施方式的导电元件的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图65B是示出了图65A中所示的导电元件的局部放大平面图。图65C 是沿着图65B中示出的轨迹T1、T3、…截取的截面图。图65D是沿着图65Β中示出的轨迹 Τ2、Τ4、…截取的截面图。根据第十五实施方式的导电元件211与第十三实施方式的导电元件211的不同之处在于，关于相邻的三条轨迹，第一结构20 构成四方点阵图案或准四方点阵图案。在本实施方式中，准四方点阵图案不同于正四方点阵图案，并指的是在轨迹延伸方向(X方向) 上被拉伸成扭曲的四方点阵图案。第一结构20 的高度或深度不被特定地限制，并例如为约30nm至320nm。在相对于轨迹(大约)45度方向上的间距P2为例如约IOOnm到300nm。第一结构20 的高宽比 (高度/配置间距)为例如约0. 2至1. 3。此外，第一结构20 的高宽比不是在所有的情况下始终是相同的。第一结构20 可配置成具有一定的高度分布。同一轨迹上的第一结构20 的配置间距pi优选大于两个相邻轨迹之间的第一结构20 的配置间距p2。此外，pl/p2满足优选由1.4<pl/p2< 1.5表示的关系，其中同一轨迹上的第一结构20 的配置间距被设为pl，并且两个相邻轨迹之间的第一结构20 的配置间距被设为P2。在采用上述数值范围的情况下，可以提高具有椭圆锥形状或椭圆锥台形状的第一结构20 的填充率，由此可改善防反射特性。另外，第一结构20 在相对于轨迹45度方向或大约45度方向上的高度或深度优选小于第一结构20 在轨迹延伸方向上的高度或深度。在相对于轨迹延伸方向歪斜的第一结构20 的配置方向(θ方向)上高度Η2优选小于第一结构20 在轨迹延伸方向上的高度HI。即，第一结构20 的高度Hl和H2优选满足由Hl > H2表示的关系。在第一结构20 以构成四方点阵图案或准四方点阵图案的方式配置的情况下，第一结构20 的高度H被指定为第一结构20 在延伸方向(轨迹方向)上的高度。基体表面上的第一结构20 的填充率在65%以上，优选73%以上，更优选86%以上的范围内，其中上限为100%。在填充率被指定到上述范围内的情况下，可改善防反射特性。直径2r对配置间距pl的比率((2r/pl) X100)为为64%以上，优选为69%以上， 更优选为73%以上。这是因为，通过采用上述范围，能够提高第一结构20 的填充率，并且可改善防反射特性。这里，配置间距Pl是轨迹方向上的第一结构20 的配置间距，并且直径2r是结构底面在轨迹方向上的直径。在这点上，在结构底面是圆形的情况下，直径2r指的是直径，并且在结构底面是椭圆形的情况下，直径2r指的是长轴。
<16.第十六实施方式>图66A是示出了根据第十六实施方式的导电元件的第一光学层的示例的示意性平面图。图66B是示出图66A中所示的第一光学层的局部放大平面图。在第十六实施方式中，与第十三实施方式相同的部位通过相同参考标号来表示，并将其描述省略。根据第十六实施方式的导电元件与第十三实施方式的导电元件的不同之处在于， 大量具有至少两种尺寸和/或形状的结构20 设置在基体表面上。具有至少两种尺寸和 /或形状的第一结构20 以例如具有相同形状和/或尺寸的第一结构20 在轨迹方向等上周期性重复的方式配置。可替换地，第一结构20 可以具有相同形状和/或尺寸的第一结构20 在基体表面上随机出现的方式配置。可替换地，第一结构20 的形状可以是不一致的。因此，抑制了衍射光并提高了可视性。顺便，在上面描述的示例中，说明了其中第一结构20 被形成为具有至少两种尺寸和/或形状的示例。第二结构203a、第三结构20 和第四结构202b被形成为具有至少两种尺寸和/或形状也是可行的。在这点上，第一结构20 、第二结构203a、第三结构20 和第四结构202b不必所有都形成为具有至少两种尺寸和/或形状，而是根据期望的光学特性，它们中的至少一个可具有至少两种尺寸和/或形状。<17.第十七实施方式>图67A是示出了根据本发明第十七实施方式的导电元件的第一光学层的构造示例的示意性平面图。图67B是示出了图67A中所示的第一光学层的局部放大平面图。图 67C是沿着图67B中所示的线C-C截取的截面图。在第十七实施方式中，与第十三实施方式相同的部位通过相同的参考标号表示，并将其描述省略。根据第十七实施方式的导电元件与第十三实施方式的导电元件的不同之处在于， 大量第一结构20 随机设置。基体表面上配置的第一结构20 不限于具有相同尺寸和/ 或形状，而是可具有至少两种不同的尺寸和/或形状。优选的是，第一结构20 二维或三维随机形成。这里，术语“二维随机”指的是在导电层211或第一光学层202的面内方向随机。此外，术语“三维随机”指的是在导电层211或第一光学层202的面内方向随机，并另外在导电层211或第一光学层202的厚度方向上随机。在这点上，第一结构20 的形状可以是不一致的。因此，抑制了衍射光并提高了可视性。顺便，在上述示例中，说明了其中第一结构20 随机形成的示例。第二结构203a、 第三结构20 和第四结构202b随机形成也是可行的。在这点上，第一结构20 、第二结构 203a、第三结构20 和第四结构202b不必所有都随机形成，而是根据期望的光学特性，它们中的至少一个可随机形成。<18.第十八实施方式>图68是示出了根据本发明第十八实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。在第十八实施方式中，与第十三实施方式相同的部位通过相同的参考标号表示，并将其描述省略。根据本第十八实施方式的该触摸面板(信息输入装置)400是所谓的表面电容式触摸面板，并设置有导电元件401。触摸面板400通过其间由粘合剂等形成的粘合层406粘合到例如显示装置212的显示表面。导电元件401设置有光学层402和设置在该光学层中的透明导电层403。显示装置212不被特定地限制，并可以是透射型、半透射型和反射型液晶显示装置中的任何一种。
光学层402设置有具有第一凹凸面Sl的第一光学层404和具有第二凹凸面S2的第二光学层405。第一光学层404设置有例如具有两个主表面的基体202c和设置在基体 202b的一个主表面上的大量结构20加。第二光学层405是含有诸如Si02的电介质作为主要成分的电介质层。例如，透明导电层403设置在第一光学层404的第一凹凸面Sl基本整个表面上。透明导电层403具有彼此同步的第一波阵面Sl和第二波阵面S2。对于透明导电层403的材料，可使用与第一实施方式中第一透明导电层205相同的材料。<19.第十九实施方式>图69A是示出了根据本发明第十九实施方式的触摸面板的构造示例的截面图。图 69B是示出图69A中所示的布线区在放大情况下的放大截面图。图69C是示出图69A中所示的非布线区在放大情况下的放大截面图。在第十九实施方式中，与第十八实施方式相同的部位通过相同的参考标号表示，并将其描述省略。该触摸面板(信息输入装置)500是所谓的数字电阻式触摸面板，并设置有第一导电元件501和与该第一导电元件501相对的第二导电元件502。第一导电元件501和第二导电元件502以彼此间隔开预定距离设置，并且空气层(介质层)503设置在两个元件之间。第一导电元件501和第二导电元件502通过设置在第一导电元件501和第二导电元件502间的外围部分之间的粘合部504彼此粘合。 对于粘合部504，例如使用粘合浆和粘合带。从改善耐划伤性的观点来看，优选的是，触摸面板500在第一导电元件501的触摸侧的表面上进一步设置有硬涂层505。优选的是，为硬涂层505的表面提供防污性质。从改善显示特性的观点来看，优选的是，触摸面板500在硬涂层505上进一步设置有防反射层507。防反射层507的示例可包括AR(防反射)层、LR(低反射)层和AG(防眩)层。给予触摸面板表面防反射功能的构造不限于此。例如，防反射功能可配置成给予硬涂层505自身。该触摸面板500通过其间的粘合层506粘合到例如显示装置212的显示表面上。对于粘合层506的材料，例如可使用丙烯类、橡胶类或硅类的粘合剂。从透明性的观点，丙烯酸粘合剂是优选的。第一导电元件501设置有具有与第二导电元件502相对的第一面向面(facing surface) S5的第一基体(第一光学层)511和设置在第一基体511的面向面S5上的第一透明导电层512。第二导电元件502设置有具有与第一导电层501相对的第二面向面S6的第二基体(第二光学层)521和设置在第二基体521的面向面S6上的第二透明导电层522。 面向面S5和面向面S6中的至少一个是以小于或等于可见光波长的间距设置有大量第一结构的凹凸面。该凹凸面与第十三实施方式中的第一凹凸面Sl或第二凹凸面S4相同。从抑制布线图案的视觉识别的观点来看，优选将面向面S5和面向面S6都指定为凹凸面。第一透明导电层512是例如具有条纹状的预定图案的X电极(第一电极)。第二透明导电层522 是例如具有条纹状、交叉阴影(Crosshatch)状等的预定图案的Y电极(第二电极)。例如， 这些X电极和Y电极以相互正交的方式配置。<20.第二十实施方式>图70A是示出了根据本发明第二十实施方式的显示装置的构造示例的截面图。图 70B是示出图70A中所示的布线区在放大情况下的放大截面图。图70C是示出图70A中所示的非布线区在放大情况下的放大截面图。在第二十实施方式中，与第十九实施方式相同的部位通过相同的参考标号表示，并将其描述省略。该显示装置600是所谓的微胶囊型电泳系统电子纸，并设置有第一导电元件601、与第一导电元件601相对设置的第二导电元件602和设置在两个元件之间的微胶囊层(介质层)603。这里，将说明其中将本发明应用于微胶囊电泳系统电子纸的示例。然而，电子纸并不限于该示例。本发明可应用于其中介质层设置在配置为彼此相对的导电元件之间的构造。这里，除固体和液体外，介质包括诸如空气的气体。此外，介质可包括诸如胶囊、颜料和微粒的构件。除微胶囊电泳系统之外可应用本发明的电子纸的示例包括扭转向列球系统、热可重写系统、调色剂显示系统、面内类电泳系统以及电子粉末和颗粒系统电子纸。微胶囊层603包括大量的微胶囊631。在微胶囊中，将其中例如分散有黑色微粒和白色微粒的透明液体(分散介质)封装。第一导电元件601设置有具有与第二导电元件602相对的第一面向面S5的第一基体(第一光学层)511和设置在第一基体511的面向面S5上的第一透明导电层611。此外，如必要，第一基体511可通过其间的诸如粘合剂的粘合层612粘合到诸如玻璃的支撑体 613。第二导电元件602设置有具有与第一导电元件601相对的第二面向面S6的第二基体(第二光学层)521和设置在第二基体521的面向面S6上的第二透明导电层621。第一透明导电层611和第二透明导电层621根据电子纸600的驱动系统被形成为预定的电极图案。驱动系统的示例包括简单矩阵驱动系统、有源矩阵驱动系统和分段驱动系统。[实施例]下面将参照实施例来具体地描述本发明，但是本发明不仅仅局限于这些实施例。将以以下顺序描述根据本发明的实施例和测试例。1.导电光学片的光学特性2.结构和光学特性或表面电阻之间的关系3.透明导电层厚度和光学特性或表面电阻之间的关系4.与其它系统的低反射导电层的比较5.结构和光学特性之间的关系6.透明导电层形状和光学特性之间的关系7.填充率、直径比和反射特性之间的关系(模拟)(高度H、配置间距P、高宽比(H/P))在下面的实施例中，导电光学片的结构的高度H、配置间距P和高宽比(H/P)如以下所述来确定。首先，用原子力显微镜(AFM 原子力显微镜)对未形成透明导电层的状态下的光学片的表面形状进行拍照。随后，根据所产生的AFM图像及其横截面轮廓来确定结构的配置间距P和高度H。然后，通过通过使用得到的配置间距P和高度H来确定高宽比(H/P)。(透明导电层的平均层厚度)在下面的实施例中，透明导电层的平均层厚度如下所述来确定。首先，在轨迹延伸方向上以包含结构的顶部的方式切割导电光学片，并用透射电子显微镜(TEM 透射电子显微镜)对其横截面拍照。基于所得到的TEM照片测量在结构顶部的透明导电层的层厚度D1。对从导电光学片随机选择的10个部位重复这些测量，并且对测量值进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度D1。所得到的平均层厚度被设为透明导电层的平均层厚度。此外，在作为凸部的结构的顶部的透明导电层的平均层厚度D1、在作为凸部的结构的倾斜面的透明导电层的平均层厚度D2以及在作为凸部的结构之间的透明导电层的平均层厚度D3如下所述来确定。首先，在轨迹延伸方向上以包含结构的顶部的方式切割导电光学片，并用TEM对所得到的横截面拍照。此后，基于所得到的TEM照片测量在结构的顶部的透明导电层的层厚度D1。随后，对结构的倾斜面的位置中为结构一半高度(H/2)的位置处的层厚度D2进行测量。然后，对结构之间的凹部位置中为凹部深度是最大的位置处的层厚度D3进行测量。 接下来，对于从导电光学片随机选择的10个部位重复这些层厚度D1、D2和D3的测量，并且对测量值D1、D2和D3进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度D1、D2和D3。此外，在作为凹部的结构的顶部的透明导电层的平均层厚度D1、在作为凹部的结构的倾斜面的透明导电层的平均层厚度D2以及在作为凹部的结构之间的透明导电层的平均层厚度D3如下所述来确定。首先，在轨迹延伸方向上以包含结构的顶部的方式切割导电光学片，并用TEM对所得到的横截面拍照。此后，基于所得到的TEM照片，测量在作为非实体空间的结构的顶部的透明导电层的层厚度D1。随后，对结构的倾斜面的位置中为结构一半高度(H/2)的位置处的层厚度D2进行测量。然后，对结构之间的凸部位置中为凸部的高度是最大的位置处的层厚度D3进行测量。接下来，对于从导电光学片随机选择的10个部位重复这些层厚度D1、 D2和D3的测量，并且对测量值D1、D2和D3进行简单平均(算术平均)，以确定平均层厚度 D1、D2 禾口 D3。<1.导电光学片的光学特性〉(比较例1)首先，制备具有126mm外直径的玻璃辊型母版。在该玻璃辊型母版的表面上以如下所述的方式形成抗蚀层。即，用稀释剂将光致抗蚀剂稀释至原来的1/10。通过经由浸渍使所得到的的稀释抗蚀剂施加到玻璃辊型母版的圆柱表面上来形成具有约70nm厚度的抗蚀层。随后，用作记录介质的玻璃辊型母版被转移到图11中示出的辊型母版曝光装置，对抗蚀层进行曝光，从而将排列成螺旋状并在相邻的三行轨迹之间构成六方点阵图案的潜像图案化在抗蚀层上。具体地，具有使上面描述的玻璃辊型母版的表面曝光的0. 50mW/m功率的激光被施加至设置有六方点阵形状的曝光图案的区域，从而形成具有凹形的六方点阵图案。在这点上，在轨迹列方向上的抗蚀层的厚度大约为lOOnm，在轨迹延伸方向上的抗蚀剂的厚度大约为lOOnm。随后，对玻璃辊型母版上的抗蚀层进行显影处理，其中通过使抗蚀层的曝光部分溶解来执行显影。具体地，未显影玻璃辊型母版被载置在显影机(尽管没有在图中示出) 的转台上，在基于转台执行旋转时将显影液滴加在玻璃辊型母版的表面上，以将表面上的抗蚀层显影。以此方式，获得其中抗蚀层具有六方点阵图案的开口的抗蚀玻璃辊。然后，使用辊蚀刻装置，并且在CHF3气体气氛中进行等离子体蚀刻。因此，在玻璃辊型母版的表面上，仅在从抗蚀层暴露的六方点阵图案的部分上进行蚀刻处理，并且不对其他区域进行蚀刻，这是因为抗蚀层用作了掩模。因此，获得了具有椭圆椎形状的凹部。基于蚀刻时间，来改变这种情况下的对图案的蚀刻量(深度)。最后，通过O2打磨来完全去除抗蚀层，从而获得具有凹形六方点阵图案的蛾眼玻璃辊型母版。各个凹部在列方向上的深度大于各个凹部在轨迹延伸方向上的深度。接着，使涂覆有紫外线固化树脂的丙烯酸树脂片与上述的蛾眼玻璃辊型母版紧密接触，并且在通过施加紫外线来进行固化的同时进行剥离。以此方式，获得了在其主表面上配置有多个结构的光学片。接着，通过溅射法在结构上形成具有平均层厚度为30nm的IZO层。以此方式，制造了期望的导电光学片。(比较例2)除在结构上形成具有ieOnm的平均层厚度的IZO层之外，导电光学片以与比较例 1中相同的方式来制造。(比较例3)首先，以与比较例1相同的方式，制造在其一个主表面上配置有多个结构的光学片。随后，以与在一个主表面上形成多个结构相同的方式，在光学片的另一主表面上形成多个结构。以此方式，制造在其两个主表面上配置有多个结构的光学片。然后，通过溅射法在一个主表面的结构上形成具有30nm的平均层厚度的IZO层，因此制造在其两个主表面上配置有多个结构的光学片。(比较例4)除省略IZO层形成的步骤之外，以与比较例1中相同的方式制造导电光学片。(比较例5)通过溅射法在平滑的丙烯片表面上形成具有30nm的平均层厚度的IZO层，从而制造了导电光学片。(形状评估)通过原子力显微镜(AEM 原子力显微镜)观察其中没有形成IZO层的状态下的光学片的表面形状。随后，基于AFM的横截面轮廓确定每个比较例中的结构的高度等。其结果在表1中示出。(表面电阻的评估)通过四端子法(JIS K 7194)测量如上所述制造的导电光学片的表面电阻。其结果在表1中示出。(反射率/透射率的评估)通过使用JASCO公司的评估装置(V-550)评估如上所述制造的导电光学片的反射率和透射率。其结果在图35A和图35B中示出。[表 1]
权利要求
1.一种导电光学元件，包括 具有表面的基体；作为锥形凸部或凹部的结构，大量所述结构以小于或等于可见光波长的微小间距配置在所述基体的所述表面上；以及设置在所述结构上的透明导电层，其中，所述结构的高宽比为0. 2以上且1. 3以下，所述透明导电层具有跟随所述结构的表面，在所述结构的顶部处的所述透明导电层的平均层厚度Dl为SOnm以下，以及所述透明导电层的表面电阻在50Ω/ □以上且500Ω/ □以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述透明导电层具有结晶性。
3.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述透明导电层含有铟锡氧化物或铟锌氧化物。
4.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述导电光学元件用于电极。
5.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，在所述结构的顶部处的所述透明导电层的平均层厚度Dl为IOnm以上且SOnm以下。
6.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构的高宽比为0.2以上1. 0以下。
7.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述透明导电层的电阻率为 1Χ10_3Ω · cm 以下。
8.根据权利要求7所述的导电光学元件，其中，所述透明导电层的电阻率为 6 X IO"4 Ω · cm 以下。
9.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构是顶部具有曲面的锥形。
10.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构是椭圆锥形或椭圆锥台形。
11.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构被配置成在所述基体的所述表面上构成多行轨迹， 所述轨迹具有直线形或圆弧形。
12.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中所述结构体被配置成在所述基体的所述表面上构成多行轨迹， 所述轨迹蜿蜒行进。
13.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述基体具有与所述表面相对的另一表面，所述导电光学元件进一步包括以小于或等于所述可见光波长的微小间距大量配置在所述基体的所述另一表面上的结构，所述结构体为锥形凸部或凹部。
14.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构被配置成在所述基体的所述表面上构成多行轨迹， 所述结构是在所述轨迹的延伸方向上具有长轴方向的椭圆锥或椭圆锥台形。
15.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构体被配置成在所述基体的所述表面上构成多行轨迹，并且形成六方点阵图案、准六方点阵图案、四方点阵图案或准四方点阵图案。
16.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，所述结构对所述基体的所述表面的填充率为65%以上。
17.根据权利要求16所述的导电光学元件，其中，所述结构对所述基体的所述表面的填充率为73%以上。
18.根据权利要求1所述的导电光学元件，其中，直径2r与配置间距Pl的比率即、1τΙ PI) XlOO 为 85% 以上。
19.根据权利要求18所述的导电光学元件，其中，所述直径2r与所述配置间距Pl的比率即(2r/Pl) X 100为90%以上。
20.一种触摸面板，所述触摸面板包括根据权利要求1至19中任一项所述的导电光学元件。
21.一种信息输入装置，所述信息输入装置包括根据权利要求1至19中任一项所述的导电光学元件。
22.—种显示装置，所述显示装置包括根据权利要求1至19中任一项所述的导电光学元件。
23.—种太阳能电池，所述太阳能电池包括根据权利要求1至19中任一项所述的导电光学元件。
24.一种用于制造导电光学元件的母版，所述母版用于制造根据权利要求1至19中任一项所述的导电光学元件，所述母版包括作为锥形凸部或凹部的转印用结构，大量所述转印用结构以小于或等于可见光波长的微小间距配置在表面上，其中，所述转印用结构的高宽比为0. 2以上且1. 3以下。
全文摘要
导电光学元件设置有具有表面的基体；作为锥形凸部或凹部的结构，大量该结构以小于或等于可见光波长的微小间距配置在基体的表面上；以及设置在结构上的透明导电层。结构的高宽比为为0.2以上且1.3以下，透明导电层具有跟随结构的表面，在结构的顶部处的透明导电层的平均层厚度D1为80nm以下，以及透明导电层的表面电阻在50Ω/□以上且500Ω/□以下的范围内。
文档编号H01B5/14GK102224437SQ201080003277
公开日2011年10月19日 申请日期2010年9月2日 优先权日2009年9月2日
发明者木村清广, 村本穣, 林部和弥, 梶谷俊一, 竹之内正树, 远藤惣铭 申请人:索尼公司