专利名称：基板处理装置、基板运送装置以及基板处理装置的控制方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置、基板运送装置以及基板处理装置的控制方法。
背景技术：
在制造半导体器件时，对半导体晶片依次反复进行各种薄膜的成膜处理、改质处理、氧化扩散处理、退火处理、蚀刻处理等，由此在半导体晶片上制作由多层膜组成的半导体器件。作为这样的制造半导体器件的制造装置有被称作集群工具(Cluster Tool)的基板处理装置。在该基板处理装置中，将用于进行各种处理的多个单晶片制程(Single wafer)处理室与一个运送室连接起来，在各个处理室内依次进行对半导体晶片的处理，由此能够在一个基板处理装置中进行各种处理。在这样的基板处理装置中，在处理室之间的半导体晶片的移动是通过设置在运送室的运送臂的伸缩动作以及旋转动作等来进行的。通常，该运送臂具有静电吸盘(Electrostatic Chuck)，半导体晶片被运送臂的静电吸盘吸附而被运送。在先技术文献专利文献专利文献I :日本专利文献特开2002-280438号公报；专利文献2 :日本专利文献特开2004-119635号公报。
发明内容
发明所要解决的问题但是，当半导体晶片在处理室之间等移动时，通过向静电吸盘的电极施加电压来使半导体晶片成为被运送臂上的静电吸盘吸附的状态，但是存在以下情况由于长时间通过静电吸盘进行吸附，半导体晶片不容易从运送臂分离而产生过度吸附。因此，期待具有不容易发生过度吸附的运送臂的基板处理装置、基板运送装置以及基板处理装置的控制方法。另外，在集群工具型的基板处理装置中，吞吐量的提高直接关系到所制造的半导体器件的制造成本的下降，因此特别期待吞吐量的提高，还期待基板处理装置工作时省电等。用于解决问题的手段本发明的第一方式提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运算臂进行所述基板的运送；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂的动作处于停止时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。本发明的第二方式提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂为了进行所述基板的运送能够进行伸缩动作以及旋转动作；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行所述伸缩动作时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行所述旋转动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。本发明的第三方式提供一种基板处理装置的控制方法，其中，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂进行所述基板的运送，所述控制方法包括将所述基板载放到所述运送臂上的工序；第一移动工序，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，并通过该运送臂移动所述基板；解除工序，在所述第一移动工序之后，解除由所述运送臂的所述静电吸盘进行的吸附；以及第二移动工序，在所述解除工序之后，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，并通过该运送臂移动所述基板。本发明的第四方式提供一种基板处理装置的控制方法，其中，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂进行所述基板的运送，所述控制方法包括将所述基板载放到所述运送臂上的工序；第一移动工序，不使所述静电吸盘吸附所述基板，并通过所述运送臂伸缩来移动所述基板；旋转工序，在所述第一移动工序之后，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，该运送臂不伸缩而是通过旋转来移动所述基板；解除工序，在所述旋转工序之后，解除由所述运送臂的所述静电吸盘进行的吸附；以及第二移动工序，在所述解除工序之后，不使所述静电吸盘吸附所述基板，并通过所述运送臂伸缩来移动所述基板。
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I是第一实施方式中的基板处理装置的构成2是运送臂的俯视3是运送臂的截面放大4是基板处理装置的比较例的控制方法的时序图(I)；
5是第一实施方式中的基板处理装置的控制方法的时序6是第一实施方式中的基板处理装置的控制方法的说明图(I) 7是第一实施方式中的基板处理装置的控制方法的说明图(2) 8是第一实施方式中的基板处理装置的控制方法的说明图(3) 9是基板处理装置的比较例的控制方法的时序图(2)；
10是第二实施方式中的基板处理装置的控制方法的时序图； 11是基板处理装置的比较例的控制方法的时序图(3)；
12是第三实施方式中的基板处理装置的控制方法的时序图13是第四实施方式中的基板处理装置的控制方法的时序图；图14是第五实施方式中的基板处理装置的控制方法的时序图。
具体实施例方式根据本发明的实施方式，能够提供在具有能够通过静电吸盘吸附半导体晶片的运送臂的基板处理装置中，能够尽可能防止发生过度吸附以及粘附的基板处理装置、基板运送装置以及基板处理装置的控制方法。由此能够使晶片容易从运送臂分离，并能够防止设备的损伤。并且，能够提供能够提高吞吐量，并能够在基板处理装置工作时省电的基板处理装置、基板运送装置以及基板处理装置的控制方法。即，能够缩短向运送臂的静电吸盘施加电压的时间，实现省电。另外，存在不需要施加反向电压的情况，能够进一步实现省电。以下，参照附图来对实施方式进行说明，所述实施方式并不是对本发明的限定而只是示例。在随附的所有附图中，对于相同或者相应的构件或者部件标注了相同或者相应的附图标记，并省略重复的说明。另外，附图不以表示构件或者部件之间的互相对比为目的，因此，具体的尺寸，应该参照以下的非限定性的实施方式，由本领域技术人员决定。〔第一实施方式〕(基板处理装置)对第一实施方式进行说明。本实施方式是被称为集群工具的基板处理装置，即具有多个处理室和与多个处理室连接的运送室的、对半导体晶片等基板进行处理的基板处理装置。在运送室中，设置有通过静电吸盘(ESC :Electrostatic Chuck)吸附半导体晶片的运送臂，并且能够通过运送臂在各个处理室之间或者在处理室与进片室之间移动作为基板的半导体晶片。基于图I来说明本实施方式中的基板处理装置。本实施方式中的基板处理装置包括大气运送室10、共用运送室20、4个单晶片制程处理室41、42、43、44、以及控制部50。此外，大气运送室10以及共用运送室20是具有作为基板运送装置的功能的运送室，也将大气运送室10以及共用运送室20称作基板运送装置。共用运送室20呈近似六边形的形状，在相当于近似六边形的边的部分连接有4个处理室41、42、43、44。另外，在共用运送室20和大气运送室10之间设置有两个进片室31 以及32。在共用运送室20和各个处理室41、42、43、44之间设置有阀门61、62、63、64，各个处理室41、42、43、44能够与共用运送室20隔断。另外，在共用运送室20与各个进片室31 以及32之间，设置有阀门65以及66，各个进片室31以及32与大气运送室10之间设置有阀门67以及68。此外，未图示的真空泵被连接到共用运送室20，能够对共用运送室20进行真空排气，另外，未图示的真空泵被连接到进片室31以及32，能够独立地对进片室31以及32进行排气。另外，在大气运送室10的、与设置有两个进片室31以及32的一侧相反的一侧连接有三个导入端口(port) 12A、12B、12C，在所述导入端口设置有能够容纳多个半导体晶片的盒。在大气运送室10内设置有送入侧运送机构16，其具有用于保持半导体晶片W的两个运送臂16A以及16B，通过运送臂16A以及16B进行伸缩、旋转、升降以及直线移动等动作，能够取出容纳在导入端口 12A、12B、12C的盒中的半导体晶片W，并将其移动到进片室31 以及32中的任一个的内部。在共用运送室20内设置有运送机构80，其具有用于保持半导体晶片W的两个运送臂80A以及80B，运送臂80A或者80B通过进行伸缩动作以及旋转动作等，能够使半导体晶片W在各个处理室41、42、43、44之间移动、从进片室31或者32的内部向各个处理室41、
42、43、44移动、以及从各个处理室41、42、43、44向进片室31或者32的内部移动。具体地说，通过运送臂80A以及80B能够使半导体晶片W从进片室31或者32向各个处理室41、42、43、44移动，并在各个处理室41、42、43、44中对半导体晶片W进行处理。 由于在处理室41、42、43、44中分别独立地进行半导体晶片W的处理，因此通过运送臂80A 以及80B使半导体晶片W在处理室41、42、43、44之间移动以进行处理。在各处理室41、42、
43、44中的对于半导体晶片W的处理结束之后，通过运送臂80A或者80B将半导体晶片W从处理室41、42、43、44移动到进片室31或者32，进而，完成了基板处理的半导体晶片W通过大气运送室10中的送入侧运送机构16的运送臂16A或者16B被容纳到导入端口 12A、12B、 12C的盒内。此外，半导体晶片W被载放在运送臂80A或者80B上。换言之，半导体晶片W被放置在运送臂80A或者80B上，在没有通过静电吸盘进行吸附的状态下，成为通过重力被载放的状态。另外，对于送入侧运送机构16中的运送臂16A或者16B的动作、运送机构80中的运送臂80A以及80B、处理室41、42、43、44中的半导体晶片的处理、阀门61、62、63、64、65、 66、67、68、以及进片室31或者32的排气等的控制，是在控制部50中进行的。此外，为了通过静电吸盘进行吸附而进行的对静电吸盘的电极82和83的(后述)之间的电压施加也是通过控制部50来控制的。关于通过控制部50控制的电压施加与运送臂80A以及80B的动作的关系(定时)在后面叙述。接下来，基于图2以及图3来对本实施方式中的运送臂80A进行说明。图3是在图2中的虚线3A-3B处切断的截面扩大图。运送臂80A具有分成二叉的、用于载放半导体晶片W的U字形的前端部分。运送臂80A的主体部81通过氧化铝等陶瓷材料形成，并具有用于载放半导体晶片W的U字形的前端部分。在该U字形的前端部分具有用于进行静电吸附的、由金属材料形成的电极82以及83，在电极82以及83的表面上形成有由聚酰亚胺等构成的绝缘体层84以及85。另外，在运送臂80A的主体部81的吸附半导体晶片W的吸附面侧设置有由含有硅化合物的硅系橡胶构成的O形环86，从而被构成为半导体晶片W不与主体部81直接接触。此外，运送臂80B、以及送入侧运送机构16的运送臂16A以及16B也被同样地构成。(比较例的基板处理装置的控制方法)接下来，基于图4对上述的基板处理装置的比较例的控制方法进行说明。图4的
(a)是示出在运送臂上是否存在半导体晶片的图、图4的(b)是示出施加在静电吸盘的电极间的电压的图、图4的(C)是示出运送臂的动作状态、即示出运送臂是在动作中还是停止中的状态的图、图4的(d)是示出由静电吸盘施加的运送臂和半导体晶片之间的吸附力的图。起初，在t0时刻，运送臂通过静电吸盘吸附半导体晶片。具体地说，打开载放有半导体晶片的处理室与共用运送室之间的阀门，在运送臂的U字形的前端部分插入半导体晶片的下部之后，向设置在运送臂上的静电吸盘的电极间施加用于吸附的电压VI。由此，半导体晶片被运送臂吸附。因此，在to时刻，半导体晶片被运送臂吸附，成为半导体晶片被放置在运送臂上的状态。接下来，从t0时刻至tl时刻，运送臂进行伸缩动作以及旋转动作。具体地说，通过运送臂的收缩，被放置在运送臂的U字形的前端部分的半导体晶片从处理室移动到共用运送室内。之后，通过运送臂的旋转，半导体晶片移动到共用运送室内的、没有载放半导体晶片的下一个处理室的附近。接下来，在向下一个处理室内移动半导体晶片之前，半导体晶片的移动成为停止状态，即，从tl时刻至t2时刻，在共用运送室内运送臂的动作成为停止状态。在该状态下， 维持在静电吸盘的电极间施加Vl的电压的状态，吸附力上升。接下来，从t2时刻至t3时刻，运送臂进行伸缩动作。具体地说，通过运送臂的伸出，放置在运送臂的U字形的前端部分的半导体晶片从共用运送室移动到处理室内。接下来，将半导体晶片载放到下一个处理室内的预定的位置。即，使半导体晶片移动到预定的位置之后，在t3时刻将施加到静电吸盘的电极间的电压设置为0V，由此解除由静电吸盘施加的吸附力，半导体晶片被载放到下一个处理室内的预定的位置。如上所述，能够在处理室之间移动半导体晶片。但是，在该方法中，如图4的(d) 所示，如果长时间在电极间施加电压VI，则运送臂的静电吸盘与半导体晶片之间的吸附力具有逐渐提高的倾向，施加电压的时间越长，就越成为过度吸附的状态。在这样的过度吸附状态下，不容易将半导体晶片从运送臂分离。尤其，在运送臂与半导体晶片之间所夹的O形环是含有硅化合物的橡胶等的情况下，存在运送臂经由O形环与半导体晶片粘附的情况，不容易将半导体晶片从运送臂分离。(通过本发明的一个实施方式实施的基板处理装置的控制方法)接下来，基于图5，对使用了图I所示的基板处理装置的本发明的一个实施方式中的基板处理装置的控制方法进行说明。图5的(a)是示出在运送臂80A上是否存在半导体晶片W的图、图5的(b)是示出在静电吸盘的电极82和83之间施加的电压的图、图5的
(c)是示出运送臂80A的动作状态的图、即示出运送臂80A是在动作中还是在停止中的状态的图、图5的(d)是示出通过静电吸盘施加的运送臂和半导体晶片之间的吸附力的图。起初，在t0时刻，通过静电吸盘吸附半导体晶片W。具体地说，如图6所示，打开载放有半导体晶片W的处理室41与共用运送室20之间的阀门61，在运送臂80A的U字形的前端部分插入半导体晶片W的下部之后，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极82与 83之间施加用于使静电吸盘吸附半导体晶片W的电压VI。由此，半导体晶片W被静电吸盘吸附。因此，在t0时刻，半导体晶片W被运送臂80A吸附。接下来，从t0时刻至tl时刻，运送臂80A进行伸缩动作以及旋转(回转)动作 (第一移动工序以及旋转工序)。具体地说，通过运送臂80A的收缩，放置在运送臂80的U 字形的前端部分的半导体晶片从处理室81移动到共用运送室20内。之后，如图7所示，通过运送臂80A进行旋转动作，半导体晶片W移动到共用运送室20内的、没有载放半导体晶片W的下一个处理室42的附近。接下来，在向下一个处理室42内移动半导体晶片W之前，半导体晶片W的移动成为停止状态，即，从tl时刻至t2时刻，在共用运送室20内运送臂80A的动作成为停止状态。在该状态下，停止向电极82与83的电极间施加用于吸附的电压(解除工序)。S卩，在 tl时刻，在电极82与83之间施加的电压被从Vl设置为0V，因此从tl时刻至t2时刻的期间，静电吸盘吸附半导体晶片W的吸附力下降。即便在该状态下，半导体晶片W通过重力也维持载放在运送臂80A上的状态。接下来，从t2时刻至t3时刻，运送臂80A进行伸缩动作。具体地说，通过运送臂 80A的伸出，放置在运送臂80A的U字形的前端部分的半导体晶片W从共用运送室20移动到处理室42内。这时，再次在运送臂80A的电极82与83之间施加电压VI，半导体晶片W 被运送臂80A吸附(第二移动工序)。接下来，将半导体晶片W载放到下一个处理室42内的预定的位置。S卩，如图8所示，在t3时刻使半导体晶片移动到预定的位置之后，通过将在静电吸盘的电极间施加的电压设置为OV来解除通过静电吸盘进行的吸附，半导体晶片W被载放到下一个处理室42内的预定的位置。如上所述，能够在本实施方式的基板处理装置中的处理室之间移动半导体晶片W。 在本实施方式中的基板处理装置的控制方法中，在运送臂80A进行动作的时间以外，即除了从t0时刻到tl时刻以及从t2时刻到t3时刻以外，在电极82与83之间施加的电压为 0V。换言之，从tl时刻到t2时刻，解除由静电吸盘进行的吸附，能够防止运送臂80A和半导体晶片W之间的过度吸附。即，仅在运送臂80A进行动作的时间在电极82与83之间施加电压VI，吸附半导体晶片W的时间短，因此吸附力上升的少。从而，能够防止发生过度吸附。另外，在运送臂80A不进行动作的时间、即从tl时刻到t2时刻，在电极82与83 之间没有施加电压VI，因此在此期间不消耗电能，从而能够实现省电、降低成本。〔第二实施方式〕接下来，对第二实施方式进行说明。本实施方式是在第一实施方式的基板处理装置中，去除由静电吸盘的残留电荷导致的吸附力的情况的基板处理装置的控制方法。(比较例的基板处理装置的控制方法)基于图9说明基板处理装置的比较例的控制方法。在该控制方法中进行静电吸附的去除。图9的(a)是示出在运送臂上是否存在半导体晶片的图，图9的(b)是示出为了使静电吸盘吸附而施加于静电吸盘的电极间的电压的施加状态的图，图9的(C)是示出为了去除由静电吸盘导致的残留吸附而施加于静电吸盘的电极间的电压的施加状态的图，图 9的⑷是示出运送臂的状态、即运送臂是伸出状态还是缩回状态的图，图9的(e)是示出运送臂是否正在进行旋转动作的图，图9的(f)是示出用于在起初载放有半导体晶片的处理室(以下记作“处理室A”)中使半导体晶片上下运动的销的上下位置的图，图9的(g) 是示出用于在接下来载放半导体晶片的处理室(以下记作“处理室B”)中使半导体晶片上下运动的销的上下位置的图，图9的(h)是示出由静电吸盘施加的运送臂和半导体晶片之间的吸附力的图。起初，从tlO时刻到til时刻，运送臂向最初载放有半导体晶片的处理室A进行伸出动作。这时，运送臂上没有载放半导体晶片，在运送臂的静电吸盘的电极间没有施加电压。此外，在处理室A中，用于在处理室A中使半导体晶片升起的销已经上升，半导体晶片处于被抬起的状态。由此，在til时刻，运送臂是伸出的状态，成为如下状态在处理室A内，运送臂的U字形的前端部分插入到半导体晶片的下侧。接下来，从til时刻到tl2时刻，处理室A内的销下降，由此使半导体晶片被载放到运送臂的U字形的前端部分。接下来，从tl2时刻到tl3时刻，向设置在运送臂上的静电吸盘的电极间施加用于通过静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片被运送臂的静电吸盘吸附，进而，运送臂通过进行缩回动作来使导体晶片从处理室A移动到共用运送室。接下来，从tl3时刻到tl4时刻，运送臂进行旋转动作使半导体晶片移动到处理室 B的附近。接下来，从tl4时刻到tl5时刻，运送臂向处理室B内进行伸出动作，由此使半导体晶片移动到处理室B内。接下来，在tl5时刻，切断施加于运送臂的静电吸盘的电极间的电压VI，并且，从 tl5时刻到tl6时刻，向电极间施加与从tl2时刻到tl5时刻施加到电极间的电压反向的电压V2，由此去除残留在运送臂中的半导体晶片和静电吸盘的电荷，从而可靠地解除吸附力。接下来，从tl6时刻到tl7时刻，用于升起处理室B内的半导体晶片的销上升，从而抬起被载放在运送臂上的半导体晶片。接下来，从tl7时刻到tl8时刻，运送臂进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室B移动到共用运送室。接下来，从tl8时刻到tl9时刻，处理室B内的销下降，半导体晶片被载放到处理室B的预定的位置。如上所述，能够将半导体晶片从处理室A移动到处理室B。(通过本发明的一个实施方式实施的基板处理装置的控制方法)接下来，基于图10，对使用了图I所示的基板处理装置的本发明的一个实施方式中的基板处理装置的控制方法进行说明。图10的(a)是示出在运送臂80A上是否存在半导体晶片W的图，图10的(b)是示出施加于静电吸盘的电极82和83之间的、用于使静电吸盘进行吸附的电压的施加状态的图，图10的(c)是示出为了去除由静电吸盘导致的残留吸附而施加于电极82和83之间的电压的状态的图，图10的(d)是示出运送臂80A的状态、 即运送臂80A是伸出状态还是缩回状态的图，图10的(e)是示出运送臂80A是否正在进行旋转动作的图，图10的(f)是示出用于在处理室41中使半导体晶片W上下运动的未图示的销的上下位置的图，图10的(g)是示出用于在处理室42中使半导体晶片W上下运动的未图示的销的上下位置的图，图10的(h)是示出由静电吸盘施加的运送臂80A和半导体晶片W的吸附力的图。本实施方式的基板处理装置的控制方法是仅在运送臂80A进行旋转动作时进行通过静电吸盘的吸附。即，在运送臂80A的动作中，由于在运送臂80A的旋转动作中，离心力作用于半导体晶片W，因此，旋转动作的情况与伸缩动作的情况相比需要向半导体晶片W施加更强的力。因此，在运送臂80A上载放了半导体晶片W的状态下，即便在不通过静电吸盘进行吸附也能够进行伸缩动作的情况下，在旋转动作中也需要通过静电吸盘进行吸附。起初，从t20时刻到t21时刻，运送臂80A向处理室41进行伸出动作。这时，运送臂80A上没有载放半导体晶片，施加于运送臂80A的静电吸盘的电极82和83之间的电压是0V。此外，在处理室41中，用于升起半导体晶片W的未图示的销上升，由此半导体晶片W被抬起到销上。接下来，在t21时刻，运送臂80A是伸出的状态，成为如下状态在处理室 41内，运送臂80A的U字形的前端部分插入到半导体晶片W的下侧。具体地说，成为如图6 所示的状态。接下来，从t21时刻到t22时刻，处理室41内的未图示的销下降，由此半导体晶片 W被载放到运送臂80A的U字形的前端部分。接下来，从t22时刻到t23时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使半导体晶片W 从处理室41移动到共用运送室20的(第一移动工序)。接下来，从t23时刻到t24时刻，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极82和 83之间施加用于由静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片W吸附于静电吸盘。并且，在对所述静电吸盘的各电极施加电压Vl之后，运送臂80A进行旋转动作，使半导体晶片 W移动到处理室42的附近(旋转工序)。具体地说，如图7所示进行旋转动作。接下来，在t24时刻，切断施加于运送臂80A的静电吸盘的电极82和83之间的、 用于使静电吸盘进行吸附的电压Vl (解除工序)，在电极间施加OV的电压。另外，从t24时刻到t25时刻，在电极82和83之间施加与从t23时刻到t24时刻的期间所施加的电压Vl 极性相反的电压V2，由此可靠地解除运送臂80A的静电吸盘对半导体晶片W的吸附，同时， 运送臂80A进行伸向处理室42内的动作，由此使半导体晶片W移动到处理室42内(第二移动工序)。具体地说，成为如图8所示的状态。此外，在该状态下，半导体晶片W通过重力维持载放在运送臂80A上的状态。接下来，从t25时刻到t26时刻，处理室42内的未图示的销上升，从而抬起被载放在运送臂80A上的半导体晶片W。接下来，从t26时刻到t27时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室42移动到共用运送室20。接下来，从t27时刻到t28时刻，处理室42内的未图示的销下降，半导体晶片W被载放到处理室42的预定的位置。如上所述，能够将半导体晶片W从处理室41移动到处理室42。在本实施方式中，由于同时进行运送臂80A的伸缩动作以及用于可靠地解除静电吸附的反向电压的施加，因此能够在短时间内使半导体晶片W在处理室间移动，能够提高吞吐量。即，在如比较例的控制方法(图9)所示的情况下，需要从tl4时刻至tl6时刻的时间，在本实施方式中，能够缩短到从t24时刻至t25时刻，能够提高吞吐量。另外，在比较例的控制方法(图9)所示的情况下，通过静电吸盘被吸附着的时间是从tl2时刻至tl5时刻， 与此相对，在本实施方式中，通过静电吸盘被吸附着的时间能够缩短到从t23时刻至t24时刻，能够防止半导体晶片W的过度吸附，并且，能够实现省电。此外，图9所示的从tlO时刻到tl4时刻和图10所示的从t20时刻到t24时刻是相同的时间，图9所示的从tl6时刻到 tl9时刻和图10所示的从t25时刻到t28时刻是相同的时间。〔第三实施方式〕接下来，对第三实施方式进行说明。本实施方式与第二实施方式不同，是如下情况的基板处理装置的控制方法在第一实施方式的基板处理装置中，在半导体晶片的运送中需要等待时间，并且不施加用于去除静电吸盘的吸附力的反向电压。(比较例的基板处理装置的控制方法)
基于图11说明基板处理装置的比较例的控制方法。在该控制方法中进行静电吸附的去除。图11的(a)是示出在运送臂上是否存在半导体晶片的图，图11的(b)是示出施加于静电吸盘的电极间的电压的图，图11的(C)是示出运送臂的状态、即运送臂是伸出状态还是缩回状态的图，图11的(d)是示出运送臂是否正在进行旋转动作的图，图11的
(e)是示出用于在起初载放有半导体晶片的处理室(以下记作“处理室A”)中使半导体晶片上下运动的销的上下位置的图，图11的(f)是示出用于在接下来载放半导体晶片的处理室(以下记作“处理室B”)中使半导体晶片上下运动的销的上下位置的图，图11的(g)是示出由静电吸盘施加的运送臂和半导体晶片之间的吸附力的图。起初，从t30时刻到t31时刻，运送臂朝向起初载放有半导体晶片的处理室A进行伸出动作。这时，运送臂上没有载放半导体晶片，施加于运送臂的静电吸盘的电极间的电压是0V。此外，在处理室A中，用于在处理室A中升起半导体晶片的销已经上升，半导体晶片处于被抬起的状态。因此，在t31时刻，运送臂是伸出的状态，成为如下状态运送臂的U字形的前端部分插入到在处理室A内由所述销所抬起的半导体晶片的下侧。接下来，从t31时刻到t32时刻，处理室A内的销下降，由此半导体晶片被载放到运送臂的U字形的前端部分。接下来，从t32到t33时刻，向设置在运送臂上的静电吸盘的电极间施加用于通过静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片被静电吸盘吸附，进而，运送臂进行缩回动作，由此使导体晶片从处理室A移动到共用运送室。接下来，从t33时刻到t34时刻，运送臂进行旋转动作，由此使半导体晶片移动到处理室B的附近。接下来，从t34时刻到t35时刻，直到处理室B等中的准备完成为止，在共用运送室内半导体晶片的移动处于停止状态，即，运送臂的动作处于停止状态。这时，维持在电极间施加Vl的电压的状态，吸附力逐渐上升。接下来，从t35时刻到t36时刻，运送臂向处理室B内进行伸出动作，由此使半导体晶片移动到处理室B内。接下来，在t36时刻，将施加于运送臂的静电吸盘的电极间的电压从Vl变为0V。 在该t36时刻，由于在将施加于静电吸盘的电极间的电压变为OV之前的一段期间，长时间施加有电压VI，因此，在此期间静电吸盘的吸附力缓缓增加。从而，即使在t36时刻将施加于电极间的电压变成0V，吸附力也不会立刻变成0，而是缓缓下降。因此，维持该状态直到 t37时刻，在t37时刻吸附力小于或等于预定的值。接下来，从t37时刻到t38时刻，用于升起处理室B内的半导体晶片的销上升，从而抬起被载放在运送臂上的半导体晶片。接下来，从t38时刻到t39时刻，运送臂进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室B移动到共用运送室。接下来，从t39时刻到t40时刻，处理室B内的销下降，半导体晶片被载放到处理室B的预定位置。如上所述，能够将半导体晶片从处理室A移动到处理室B。(通过本发明的一个实施方式实施的基板处理装置的控制方法)接下来，基于图12，对使用了图I所示的基板处理装置的本发明的一个实施方式中的基板处理装置的控制方法进行说明。图12的(a)是示出在运送臂80A上是否存在半导体晶片W的图，图12的(b)是示出施加于静电吸盘的电极82和83之间的电压的图，图 12的(c)是示出运送臂80A的状态、即运送臂80A是伸出状态还是缩回状态的图，图12的
(d)是示出运送臂80A是否正在进行旋转动作的图，图12的(e)是示出用于在处理室41中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图12的(f)是示出用于在处理室 42中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图12的(g)是示出由静电吸盘施加的运送臂80A和半导体晶片W的吸附力的图。起初，从t50时刻到t51时刻，运送臂80A朝向起初载放有半导体晶片W的处理室
41进行伸出动作。这时，运送臂80A上没有载放半导体晶片，施加于运送臂80A的静电吸盘的电极82和83之间的电压是0V。此外，在处理室41中，用于在处理室A中升起半导体晶片的未图示的销已经上升，半导体晶片W处于被抬起的状态。因此，在t51时刻，运送臂80A 是伸出的状态，成为如下状态运送臂80A的U字形的前端部分插入到在处理室41内由所述销所抬起的半导体晶片W的下侧。接下来，从t51时刻到t52时刻，处理室41内的未图示的销下降，由此半导体晶片 W被载放到运送臂80A的U字形的前端部分。接下来，从t52时刻到t53时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使半导体晶片W 从处理室41移动到共用运送室20 (第一移动工序)。接下来，从t53时刻到t54时刻，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极82、83 之间施加用于通过静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片W被静电吸盘吸附，进而，运送臂80A进行旋转动作，由此使半导体晶片W移动到处理室42的附近。具体地说，进行如图7所示的旋转动作(旋转工序)。接下来，从t54时刻到t55时刻，直到用于将半导体晶片W运入处理室42中的准备完成为止，在共用运送室20内半导体晶片W的移动处于停止状态，即，运送臂80A的动作处于停止状态。此外，在t54时刻，停止向电极82和83之间施加用于吸附的电压(解除工序)，即施加于电极间的电压成为0V，解除静电吸盘的吸附。此外，在该状态下，半导体晶片 W通过重力维持被载放在运送臂80A上的状态。接下来，从t55时刻到t56时刻，运送臂80A朝向处理室42内进行伸出动作，由此使半导体晶片W移动到处理室42内(第二移动工序)。具体地说，成为如图8所示的状态。接下来，从t56时刻到t57时刻，处理室42内的未图示的销上升，从而抬起被载放在运送臂80A上的半导体晶片W。接下来，从t57时刻到t58时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室42移动到共用运送室20。接下来，从t58时刻到t59时刻，处理室42内的未图示的销下降，半导体晶片W被载放到处理室42的预定的位置。如上所述，通过本实施方式的控制方法，能够将半导体晶片W从处理室41移动到处理室42。在本实施方式中，仅在运送臂80A进行旋转动作的时间、即从t53时刻至t54时刻的期间向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极间施加用于吸附的电压VI。由此，不会发生过度吸附，没有必要设置等待吸附力下降的时间，即如图11中所示的从t36时刻至t37时刻的期间。因此，能够提高基板处理装置的吞吐量，而且能够实现省电。此外，图11所示的从t30时刻到t36时刻与图12所示的从t50时刻到t56时刻是相同的时间，图11所示的从t37时刻到t40时刻与图12所示的从t56时刻到t59时刻是相同的时间。〔第四实施方式〕接下来，对第四实施方式进行说明。本实施方式与第三实施方式不同，是在第一实施方式的基板处理装置中，在运送臂80A的伸缩动作中也由静电吸盘进行吸附的情况的基板处理装置的控制方法。基于图13，对使用了图I所示的基板处理装置的本实施方式中的基板处理装置的控制方法进行说明。图13的(a)是示出在运送臂80A上是否存在半导体晶片W的图，图13 的(b)是示出施加于静电吸盘的电极82、83之间的电压的图，图13的(c)是示出运送臂80A 的状态、即运送臂80A是伸出状态还是缩回状态的图，图13的(d)是示出运送臂80A是否正在进行旋转动作的图，图13的(e)是示出用于在处理室41中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图13的(f)是示出用于在处理室42中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图13的(g)是示出由静电吸盘施加的运送臂80A和半导体晶片W的吸附力的图。起初，从t60时刻到t61时刻，运送臂80A朝向起初载放有半导体晶片W的处理室
41进行伸出动作。这时，运送臂80A上没有载放半导体晶片W，运送臂80A的静电吸盘的电极82和83之间没有施加电压。此外，在处理室41中，用于在处理室A中升起半导体晶片的未图示的销已经上升，半导体晶片W处于被该销抬起的状态。因此，在t61时刻，运送臂 80A是伸出的状态，成为如下状态在处理室41内，运送臂80A的U字形的前端部分插入到半导体晶片W的下侧。接下来，从t61时刻到t62时刻，处理室41内的未图示的销下降，由此半导体晶片 W被载放到运送臂80A的U字形的前端部分。接下来，在t63时刻，向设置在运送臂80A的电极82和83之间施加用于通过静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片W被运送臂80A的静电吸盘吸附，进而，从t62 时刻到t63时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使导体晶片W从处理室41移动到共用运送室20 (第I移动工序)。接下来，从t63时刻到t64时刻，运送臂80A进行旋转动作，使半导体晶片W移动到处理室42的附近(旋转工序)。具体地说，如图7所示进行旋转动作。接下来，从t64时刻到t65时刻，直到用于将半导体晶片W运入处理室42的准备完成为止，在共用运送室20内半导体晶片W的移动处于停止状态，即，运送臂80A的动作处于停止状态。此外，在t64时刻，停止向电极82与83之间施加用于吸附的电压(解除工序)。 即施加于电极间的电压成为0V，因此从t64到t65时刻的期间静电吸盘的吸附被解除。此外，在该状态下，半导体晶片W通过重力维持被载放在运送臂80A上的状态。接下来，在t65时刻，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极82和83之间施加电压VI，由此使半导体晶片W被运送臂80A的静电吸盘吸附，进而，从t65时刻到t66时刻， 运送臂80A向处理室42内进行伸出动作，由此使导体晶片W移动到处理室42内(第二移动工序)。具体地说，成为如图8所示的状态。此外,在t66时刻,通过将施加于电极82和 83之间的电压设置成OV来解除静电吸盘的吸附。
接下来，从t66时刻到t67时刻，处理室42内的未图示的销上升，从而被载放在运送臂80A上的半导体晶片W被抬起。接下来，从t67时刻到t68时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室42移动到共用运送室20。接下来，从t68时刻到t69时刻，处理室42内的未图示的销下降，使半导体晶片W 被载放到处理室42的预定的位置。通过以上的本实施方式的控制方法，能够将半导体晶片W从处理室41移动到处理室42。在本实施方式中，仅在半导体晶片W被放置在运送臂80A的状态下运送臂80A进行伸缩动作、旋转动作的时间，即从t62时刻到t64时刻的期间、从t65时刻到t66期时刻的期间，向运送臂80A的半导体晶片W的静电吸盘的电极间施加用于静电吸盘进行吸附的电压VI。如上所述，施加用于吸附的电压的时间短，因此不会发生过度吸附，能够提高吞吐量，并且能够实现省电。此外，图11所示的从t30时刻到t36时刻与图13所示的从t60时刻到t66时刻是相同的时间，图11所示的从t37时刻到t40时刻与图13所示的从t66时刻到t69时刻是相同的时间。在本实施方式中，虽然对从处理室41向处理室42运送半导体晶片W的情况进行了说明，但是在处理室41、42、43、44彼此之间运送半导体晶片W的情况也是同样的，另外， 在进片室31以及32与处理室41、42、43、44之间运送半导体晶片W的情况也是同样的。而且，可以使运送臂80B、送入侧运送机构16的运送臂16A以及16B也与运送臂80A同样地进行动作。〔第五实施方式〕对第五实施方式进行说明。本实施方式与第三实施方式不同，是如下的基板处理装置的控制方法在第一实施方式的基板处理装置中，在运送臂80A上保持着晶片进行等待时、以及在此之后进行伸缩动作时，不向静电吸盘的电极间施加电压而是使电极间成为开放状态，在使运送臂80A上的晶片离开运送臂80A之前，向静电吸盘的电极间施加OV的电压。图14的(a)是示出在运送臂80A上是否存在半导体晶片W的图，图14的(b)是示出施加于静电吸盘的电极82、83之间的电压的图，图14的(c)是示出运送臂80A的状态、 即运送臂80A是伸出状态还是缩回状态的图，图14的(d)是示出运送臂80A是否正在进行旋转动作的图，图14的(e)是示出用于在处理室41中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图14的(f)是示出用于在处理室42中使半导体晶片W上下动作的未图示的销的上下位置的图，图14的(g)是示出由静电吸盘施加的运送臂80A和半导体晶片W的吸附力的图。起初，从t50时刻到t51时刻，运送臂80A向起初载放有半导体晶片W的处理室41 进行伸出动作。这时，运送臂80A上没有载放半导体晶片，运送臂80A的静电吸盘的电极82 和83的电极之间施加的电压是0V。此外，在处理室41中，用于在处理室A中升起半导体晶片的未图示的销已经上升，半导体晶片W处于被抬起的状态。因此，在t51时刻，运送臂80A 是伸出的状态，成为如下状态运送臂80A的U字形的前端部分插入到在处理室41内由所述销所抬起的半导体晶片W的下侧。
接下来，从t51时刻到t52时刻，处理室41内的未图示的销的下降，由此半导体晶片W被载放到运送臂80A的U字形的前端部分。接下来，从t52时刻到t53时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使半导体晶片W 从处理室41移动到共用运送室20 (第一移动工序)。接下来，从t53时刻到t54时刻，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极82、83 之间施加用于通过静电吸盘进行吸附的电压VI，由此使半导体晶片W被静电吸盘吸附。进而，运送臂80A进行旋转动作，由此使半导体晶片W移动到处理室42的附近。具体地说，进行如图7所示的旋转动作(旋转工序)。接下来，从t54时刻到t55时刻，直到用于将半导体晶片W运入处理室42的准备完成为止，在共用运送室20内半导体晶片W的移动处于停止状态，即，运送臂80A的动作处于停止状态。此外，在t54时刻，停止向电极82与83的电极间施加用于吸附的电压，将电极间开放(解除工序)。由此，各电极和半导体晶片W上积蓄的电荷(残留电荷)或者几乎维持不变，或者由于漏电而减少。也就是说，静电吸盘的吸附力或者维持在即将开放电极之前的状态，或者与在电极间施加电压OV的情况相比缓慢地减少。此外，在该状态下，半导体晶片W或者维持被运送臂80A上残留电荷的吸附力吸附的状态，或者吸附力缓缓地下降、经过一段时间之后变成通过重力被载放的状态。接下来，从t55时刻到t56时刻，运送臂80A向处理室42内进行伸出动作，由此使半导体晶片W移动到处理室42内(第二移动工序)。具体地说，成为如图8所示的状态。 此外，在t55时刻，施加于电极82与83的电压成为0V。由此，静电吸盘的各电极和半导体晶片W上积蓄的残留电荷被去除，静电吸盘的吸附力消失。由此，半导体晶片W通过重力维持被载放在运送臂80A上的状态。接下来，从t56时刻到t57时刻，处理室42内的未图示的销上升，从而被载放于运送臂80A上的半导体晶片W被该销抬起。接下来，从t57时刻到t58时刻，运送臂80A进行缩回动作，由此使U字形的前端部分从处理室42移动到共用运送室20。接下来，从t58时刻到t59时刻，处理室42内的未图示的销下降，使半导体晶片W 被载放到处理室42的预定的位置。如上所述，通过本实施方式的控制方法，能够将半导体晶片W从处理室41移动到处理室42。在本实施方式中，仅在运送臂80A进行旋转动作的期间、即从t53时刻到t54时刻的期间，向设置在运送臂80A上的静电吸盘的电极间施加用于吸附的电压VI。由此，不会发生过度吸附，没有必要设置等待吸附力下降的时间，即，图11所示的从t36时刻至t37时刻期间的时间。因此，能够提高基板处理装置的吞吐量，而且能够实现省电。此外，图11所示的从t30时刻到t36时刻与图12所示的从t50时刻到t56时刻是相同的时间，图11所示的从t37时刻到t40时刻与图12所示的从t56时刻到t59时刻是相同的时间。在本实施方式中，虽然对将半导体晶片W从处理室41运送到处理室42的情况进行了说明，但是在处理室41、42、43、44彼此之间运送半导体晶片W的情况也是同样的，另外，在进片室31以及32与处理室41、42、43、44之间运送半导体晶片W的情况也是同样的。 而且，可以使运送臂80B、送入侧运送机构16的运送臂16A以及16B也与运送臂80A同样地进行动作。以上，参照本发明的实施方式对本发明进行了说明，本发明不限于上述的实施方式，能够参考权利要求书进行各种改良或者变形。例如，在上述的实施方式中，虽然对将半导体晶片W从处理室41运送到处理室42 的情况进行了说明，但是在处理室41、42、43、44彼此之间运送半导体晶片W的情况也是同样的，另外，在进片室31以及32与处理室41、42、43、44之间运送半导体晶片W的情况也是同样的。而且，可以使运送臂80B、送入侧运送机构16的运送臂16A以及16B与也运送臂 80A同样地进行动作。另外，在本发明的本实施方式中的基板处理装置中，可以当运送臂80A以及80B 以半导体晶片W被载放于运送臂80A以及80B上的状态进行滑动动作时，向静电吸盘的电极82和83之间施加用于吸附的电压(参照图12以及13参照)，当运送臂80A以及80B进行伸缩动作时，将施加于静电吸盘的电极82和83之间的电压设为0V。其中，滑动动作是指运送臂80整体在水平方向上移动的动作。另外，为了解除静电吸盘对半导体晶片W的吸附，而向静电吸盘的电极间施加具有与使静电吸盘吸附半导体晶片W时所施加的电压的极性相反的极性的电压的情况下，仅在对于去除残留在半导体晶片和静电吸盘上的电荷来说充分长的时间，施加该具有相反的极性的电压即可。向静电吸盘的电极间施加OV的情况也是同样的，可以适当地设定施加时间。另外，也可以例如，在第一、第二、第三实施方式中，如第五实施方式中说明的那样，在半导体晶片W被载放于运送臂80A上的情况下，向静电吸盘的电极82和83之间施加 OV的工序中，开放电极82和83，然后，在将原本载放于运送臂80A上的半导体晶片W例如从运送臂80A向处理室的销上传递之前，向电极82和83之间施加0V。并且，例如，说明了运送臂80A所具有的静电吸盘是在该静电吸盘的电极82以及 83的表面上形成绝缘体层84以及85的、采用了库仑力型的静电吸盘，然而，也可以是约翰逊一拉贝克(Johnson-Rahbek)力型的静电吸盘,所述约翰逊一拉贝克力型的静电吸盘取代绝缘体层84以及85形成有具有微弱导电性的电介质层。此外，如约翰逊一拉贝克力型的静电吸盘那样，在使用仅仅通过开放电极就释放残留电荷的静电吸盘情况下，没有必要向电极间施加0V、或者施加具有相反极性的电压，在解除工序中只需要开放电极即可。另外，在上述的实施方式中，例示了包括多个单晶片制程处理室的集群工具型的基板处理装置，但是本发明不限于这样的基板处理装置，能够应用于如下基板处理装置，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂具有吸附基板的静电吸盘、并运送基板；以及控制部，所述控制部根据载放有基板的运送臂的动作状态(也包含静止)来如上所述的那样控制对静电吸盘的电极间的电压施加。本申请主张基于2009年11月9日向日本国特许厅提出申请的日本专利申请特愿第2009-256301号的优先权，其全部内容引用于此。
权利要求
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运算臂进行所述基板的运送；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂的动作处于停止时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。
2.根据权利要求I所述的基板处理装置，还包括多个处理室，所述多个处理室进行基板的处理；运送室，所述运送室与所述多个处理室连接；以及进片室，所述进片室与所述运送室连接，其中，所述运送臂被设置于所述运送室内，在所述多个处理室之间、或者在所述处理室与所述进片室之间运送所述基板。
3.根据权利要求I所述的基板处理装置，还包括大气运送室，所述大气运送室与所述进片室连接；以及导入端口，所述导入端口与所述大气运送室连接，用于设置收纳多个基板的盒，其中，所述运送臂被设置于所述大气运送室内，在所述进片室与所述导入端口之间运送所述基板。
4.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂为了进行所述基板的运送能够进行伸缩动作以及旋转动作；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行所述伸缩动作时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行所述旋转动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，还包括多个处理室，所述多个处理室进行基板的处理；运送室，所述运送室与所述多个处理室连接；以及进片室，所述进片室与所述运送室连接，其中，所述运送臂被设置于所述运送室内，在所述多个处理室之间、或者在所述处理室与所述进片室之间运送所述基板。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，还包括大气运送室，所述大气运送室与所述进片室连接；以及导入端口，所述导入端口与所述大气运送室连接，用于设置收纳多个基板的盒，其中，所述运送臂被设置于所述大气运送室内，在所述进片室与所述导入端口之间运送所述基板。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述运送臂除了所述伸缩动作以及所述旋转动作之外，还能够进行滑动动作，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行所述滑动动作时，所述控制部向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压。
8.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中，不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压是指向所述电极间施加OV的电压。
9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压是指向所述电极间施加OV的电压。
10.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中，不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压是指将所述电极间开放。
11.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压是指将所述电极间开放。
12.—种基板处理装置的控制方法，其中，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂进行所述基板的运送，所述控制方法包括将所述基板载放到所述运送臂上的工序；第一移动工序，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，并通过该运送臂移动所述基板；解除工序，在所述第一移动工序之后，解除由所述运送臂的所述静电吸盘进行的吸附；以及第二移动工序，在所述解除工序之后，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，并通过该运送臂移动所述基板。
13.一种基板处理装置的控制方法，其中，所述基板处理装置包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运送臂进行所述基板的运送，所述控制方法包括将所述基板载放到所述运送臂上的工序；第一移动工序，不使所述静电吸盘吸附所述基板，并通过所述运送臂伸缩来移动所述基板；旋转工序，在所述第一移动工序之后，通过向所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，该运送臂不伸缩而是通过旋转来移动所述基板；解除工序，在所述旋转工序之后，解除由所述运送臂的所述静电吸盘进行的吸附；以及第二移动工序，在所述解除工序之后，不使所述静电吸盘吸附所述基板，并通过所述运送臂伸缩来移动所述基板。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，还包括滑动工序，通过在所述运送臂的所述静电吸盘的电极间施加电压来使所述基板吸附于所述运送臂，所述运送臂进行滑动动作来移动所述基板。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置的控制方法，其中，在所述解除工序中，向所述静电吸盘的所述电极间施加0V。
16.根据权利要求12所述的基板处理装置的控制方法，其中，在所述解除工序中，所述静电吸盘的所述电极间被开放。
17.根据权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，其中，在所述解除工序中，向所述静电吸盘的所述电极间施加具有与在使所述静电吸盘吸附所述基板时所施加的电压的极性相反的极性的电压。
18.根据权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，其中，在所述解除工序中，向所述静电吸盘的所述电极间施加0V。
19.根据权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，其中，在所述解除工序中，所述静电吸盘的所述电极间被开放。
20.根据权利要求13所述的基板处理装置的控制方法，其中，所述解除工序包括向所述静电吸盘的所述电极间施加具有与使所述静电吸盘吸附所述基板时所施加的电压的极性相反的极性的电压的工序；以及向所述静电吸盘的所述电极间施加OV的工序。
全文摘要
提供一种基板处理装置，包括运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运算臂进行所述基板的运送；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂的动作处于停止时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。
文档编号H01L21/677GK102612739SQ20108005083
公开日2012年7月25日 申请日期2010年11月8日 优先权日2009年11月9日
发明者石沢繁, 近藤昌树 申请人:东京毅力科创株式会社