专利名称：一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池制备技术，尤其涉及一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法。
背景技术：
近年来，由于能源与环境日趋紧张的问题，促使了太阳能电池光伏行业的飞速发展。降低生产成本、提高太阳能电池的效率是目前研究的重中之重。在生产过程中由于设备或者工艺问题，各个工序都会产生不合格的产品，如果这些不合格产品不进行处理，直接报废会对公司造成很大损失，从而增加生产成本。这就需要我们制定相应的工艺来补救，使其合格，以降低生产成本。在PECVD晶体硅镀膜工序中经常出现表面附着的像彩虹一样色彩斑斓的氮化硅膜的不良片，我们称之为“彩虹片”。“彩虹片”这种不良片利用一般的腐蚀处理液很难将晶体硅表面的氮化硅“彩虹”泡掉，致使很多晶体硅片子成为废品，造成了浪费，增加了生产成本。
发明内容
本发明的目的就是解决现有技术中存在的上述问题，提供一种晶体硅镀膜后不良片的处理液及其处理方法，采用该处理液和处理方法能很好的去除晶体硅镀膜后不良片上的氮化硅“彩虹”，使之成为合格产品。为实现上述目的，本发明采用的技术解决方案是一种晶体硅镀膜后不良片的处理液，其是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2% 30%的氢氟酸水溶液。一种采用上述处理液处理晶体硅镀膜后不良片的处理方法，其包括以下步骤1) 在制绒槽中配置上述所述的处理液；幻将制绒槽内的处理液升温到30 70°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡5 30min，然后将其取出水洗、烘干。由于本发明采取了上述方案，晶体硅镀膜后的不良片置于升温到30 70°C的处理液中，不良片上的氮化硅“彩虹”完全被处理液腐蚀掉，使废片成为合格产品，降低了晶体硅片的报废率，节约了生产成本。
具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明做进一步描述。实施例1，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到70°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡25min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例2，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为30%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2)将制绒槽内处理液升温到30°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡5min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例3，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为8%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到50°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡15min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例4，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为5%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到60°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡23min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例5，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为3%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到40°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡30min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例6，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为14%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到65°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡13min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例7，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为10%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到45°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡lOmin， 然后将其取出水洗、烘干。实施例8，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为20%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到35°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡7min， 然后将其取出水洗、烘干。实施例9，本实施例的处理液是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为15%的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2) 将制绒槽内处理液升温到70°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡^min， 然后将其取出水洗、烘干。
权利要求
1.一种晶体硅镀膜后不良片的处理液，其特征在于其是由浓度为50%的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2% 30%的氢氟酸水溶液。
2.一种采用权利要求1所述的处理液处理晶体硅镀膜后不良片的处理方法，其特征在于其包括以下步骤1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；幻将制绒槽内的处理液升温到30 70°C ；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡5 30min，然后将其取出水洗、烘干。
全文摘要
本发明公开了一种晶体硅镀膜后不良片的处理液和处理方法，处理液是由浓度为50％的氢氟酸水溶液与去离子水配制成的浓度为2％～30％的氢氟酸水溶液。其处理方法是1)在制绒槽中配置上述所述的处理液；2)将制绒槽内的处理液升温到30～70℃；3)将晶体硅镀膜后的不良片放入该制绒槽中，浸泡5～30min，然后将其取出水洗、烘干。晶体硅镀膜后的不良片置于升温到30～70℃的处理液中，不良片上的氮化硅“彩虹”完全被处理液腐蚀掉，使废片成为合格产品，降低了晶体硅片的报废率，节约了生产成本。
文档编号H01L21/306GK102163549SQ20111002862
公开日2011年8月24日 申请日期2011年1月27日 优先权日2011年1月27日
发明者张东, 杨建国, 殷志涛, 田娜, 许颖 申请人:巨力新能源股份有限公司