专利名称：发光二极管封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。
背景技术：
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括一个反射杯结构，所述反射杯常设于基板的上方，发光二极管放置于反射杯中。这种发光二极管封装结构中基板与反射杯之间容易形成缝隙，水汽和灰尘容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而影响该发光二极管封装结构的寿命，甚至造成发光二极管的失效。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种密封性更好的发光二极管封装结构及其制造方法。 一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述基板包括第一表面、相对的第二表面及两相对侧面。所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，且自第一表面沿两相对侧面延伸至第二表面，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆盖所述电极位于基板侧面的部分。所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述反射杯。一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤
提供两基片，每一基片具有相对的外表面和接合面，所述两基片上对应位置处形成有贯穿外表面和接合面的多条通孔，在该通孔靠近接合面的开口两侧均形成阶梯结构；
在基片的表面上形成电极，所述电极覆盖所述外表面、所述通孔和阶梯结构的内壁表
面；
将两基片的接合面相贴合，并使得所述电极对应电连接，形成基板，所述两基片的外表面分别为所述基板的上表面和下表面；
将发光二极管芯片固定于基板上表面，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接； 在所述基板的上表面形成反射杯，该反射杯向下延伸，填满所述通孔；
于反射杯内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片；
沿通孔切割，得到发光二极管封装结构。上述发光二极管封装结构中，由于所述反射杯向下延伸覆盖基板侧面的电极，能够增加外界的水汽和灰尘进入该封装体的路径距离，有效的阻挡外界的水汽和灰尘渗透进该封装体内。同时由于基板侧面的电极被反射杯覆盖，还能起到保护电极不被氧化的作用。
图I是本发明一实施方式提供的一种发光二极管封装结构示意图。图2是本发明提供的一种发光二极管封装结构的制造方法流程图。图3至图9是本发明提供的发光二极管封装结构的制造方法示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述基板包括第一表面、相对的第二表面及两相对侧面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，且自第一表面沿两相对侧面延伸至第二表面，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于，所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆盖所述电极位于基板侧面的部分，所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述反射杯。
2.槽，所述电极延伸至该凹槽的内壁，所述反射杯填满凹槽。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述凹槽的延伸方向与该第一表面平行。
4.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述发光二极管芯片采用覆晶方式或通过金属导线与所述电极电连接。
5.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供形成有电极的基板，基板上形成贯穿基板上表面和下表面的通孔，电极从上表面沿通孔内壁表面延伸至下表面； 将发光二极管芯片固定于基板上表面，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接； 在所述基板的上表面形成反射杯，该反射杯向下延伸，填满所述通孔； 于反射杯内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片； 沿通孔切割，得到发光二极管封装结构。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于在所述提供形成有电极的基板的步骤中，该通孔内进一步形成较通孔尺寸大的凹槽。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述提供形成有电极的基板的步骤分为如下三个步骤， 提供两基片，每一基片具有相对的外表面和接合面，所述两基片上对应位置处形成有贯穿外表面和接合面的多条通孔，在该通孔靠近接合面的开口两侧均形成阶梯结构； 在基片的表面上形成电极，所述电极覆盖所述外表面、所述通孔和阶梯结构的内壁表面； 将两基片的接合面相贴合，并使得所述电极对应电连接，形成基板，所述两基片的外表面分别为所述基板的上表面和下表面。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于在所述提供两基片的步骤之后，先将两基片贴合形成基板，再将电极形成在带有凹槽的所述基板上。
9.如权利要求7或8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述基片为硅晶圆，两基片通过晶圆键合技术贴合成为一块基板。
10.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于所述反射杯通过注塑成型或传递模塑成型的方法形成。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括基板、电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述基板包括第一表面、相对的第二表面及两相对侧面。所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，且自第一表面沿两相对侧面延伸至第二表面，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接。所述反射杯位于所述基板的第一表面，且向下延伸覆盖所述电极位于基板侧面的部分。所述封装层覆盖所述发光二极管芯片，并填满所述反射杯。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
文档编号H01L33/60GK102738373SQ20111008960
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月11日 优先权日2011年4月11日
发明者蔡明达, 陈靖中 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司