曝光装置、曝光方法和器件制造方法

专利名称：曝光装置、曝光方法和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及经液体在基片上照射曝光光以对基片曝光的曝光装置、曝光方法和器件制造方法。此外，本发明涉及使用了液浸法的投影曝光装置中使用的光学部件和使用了该光学部件的投影曝光装置。再者，本发明涉及适合于在与液体或气体接触的环境下使用的光学部件。
背景技术：
利用将在掩模上形成的图案转印到感光性的基片上的所谓的光刻的方法来制造半导体器件或液晶显示器件。在该光刻工序中使用的曝光装置具有支撑掩模的掩模台和支撑基片的基片台，一边逐次移动掩模台和基片台，一边经投影光学系统将掩模的图案转印到基片上。近年来，为了与器件图案的进一步的高集成化相对应，希望实现投影光学系统的进一步的高解像度化。所使用的曝光波长越短，此外投影光学系统的数值孔径越大，投影光学系统的解像度越高。因此，在曝光装置中使用的曝光波长逐年缩短，投影光学系统的数值孔径也越来越增大。而且，现在主流的曝光波长是KrF准分子激光器的M8nm，而波长更短的ArF准分子激光器的193nm也正在实现实用化。此外，在进行曝光时，与解像度同样，聚焦深度(DOF)也变得重要。解像度R和聚焦深度δ分别用以下的式来表示。R = Ii1 · λ /NA ... (1)δ = ±k2 · λ/ΝΑ2 ... (2)在此，λ是曝光波长，NA是投影光学系统的数值孔径，Ic1A2是工艺系数。根据(1) 式、( 式可知，如果为了提高解像度R而缩短曝光波长λ及增大数值孔径ΝΑ，则聚焦深度 δ变窄。如果聚焦深度δ太窄，则难以使基片表面与投影光学系统的像面一致，存在曝光工作时的容限不足的危险。此外，使对于短波长化的曝光光可使用的光学部件材料受到限定。根据这样的观点，作为实质上缩短通过投影光学系统后的曝光光的波长且扩展聚焦深度的方法，例如提出了在国际公开第99/49504号公报或特开平10-303114号公报中公开的液浸法。该液浸法是下述的方法在投影光学系统的下面与基片表面之间充满水或有机溶媒等的液体以形成液浸区域，利用液体中的曝光光的波长为空气中的1/η(η是液体的折射率，通常约为1. 2 1. 6)这一点来提高解像度，同时将聚焦深度扩大约η倍。但是，如图18中示出的示意图中所示，即使在采用液浸法的曝光装置中，有时也对基片P的边缘区域E曝光。在该情况下，投影区域100的一部分伸出到基片P的外侧，曝光光也照射到保持基片P的基片台120上。在液浸曝光的情况下，形成液体的液浸区域，使其覆盖投影区域100，但在对边缘区域E曝光时，液体的液浸区域的一部分伸出到基片P的外侧，在基片台120上形成。此外，在基片台120上的基片P的周围配置各种检测构件或检测用传感器的情况下，为了使用这些检测构件或检测传感器，也有在基片台120上形成液浸区域的情况。如果在基片台120上形成液浸区域的一部分，则液体残留在基片台120上的可能性提高了，因其气化的缘故，例如放置基片P的环境(温度、湿度)发生变动或基片台120发生热变形或检测基片P的位置信息等的各种检测光的光路的环境发生变动等，存在曝光精度下降的可能性。此外，在残留的气体气化后，留下水迹，也存在成为基片P或液体等的污染的主要因素或成为各种检测的误差的主要因素的可能性。

发明内容
本发明是鉴于这样的情况而进行的，其第1目的在于提供可防止液体残留并可维持良好的曝光精度、检测精度的曝光装置、曝光方法和器件制造方法。此外，本发明的第2目的在于提供具有具备紫外激光照射耐久性的疏水性膜的光学部件和安装了该光学部件的投影曝光装置。为了解决上述的课题，本发明采用了与实施形态中示出的图1 图21对应的以下的结构。但是，对各要素所附的带有括号的符号不过是该要素的例示，不限定各要素。按照本发明的第1形态，提供下述的曝光装置(EX)经液体(1)对基片(P)照射曝光光(EL)以对基片(P)曝光，具备将图案的像投影在基片(P)上的投影光学系统(PL)；以及用于保持基片(P)的基片台(PT)，在基片台(PT)上以可更换的方式设置有其表面(30A) 的至少一部分呈疏液性的构件(30)。此外，在本发明中，提供其特征在于使用上述形态的曝光装置的器件制造方法。按照本发明，由于以可更换的方式设置在基片台上设置的疏液性的构件，故在该构件的疏液性恶化时，可与新的疏液性的构件更换。因而，可抑制液体残留，例如即使发生残留，也能顺利地回收该液体。因而，可防止因残留的液体引起的曝光精度、检测精度的恶化，可制造能发挥所希望的性能的器件。按照本发明的第2形态，提供下述的曝光方法在经投影光学系统(PL)和液体 (1)在基片(P)上照射曝光光(EL)以对上述基片(P)进行液浸曝光，用基片保持构件(30) 保持基片(P)，基片保持构件(30)在基片(P)的周围具有其表面与该基片(P)表面大致为同一面的平坦部(30A)，将保持基片(P)的基片保持构件(30)运入到基片台(PST、PT)上， 对运入到基片台(PST、PT)上的基片(P)进行液浸曝光，在液浸曝光的结束后，从基片台 (PST、PT)运出保持基片⑵的基片保持构件(30)。此外，在本发明中，提供其特征在于使用上述曝光方法的器件制造方法。按照本发明，通过对基片台与基片一起运入和运出在基片的周围具有平坦部的基片保持构件，可对基片台与基片一起容易地更换基片保持构件，例如在基片保持构件的疏液性恶化时，可容易地更换。此外，由于基片保持构件在基片的周围具有平坦部，故在与基片一起将该基片保持构件运入到基片台上对基片的边缘区域进行液浸曝光时，即使液体的液浸区域的一部分在基片的外侧伸出，也可利用平坦部维持液浸区域的形状，可在投影光学系统之下良好地保持液体的状态下进行液浸曝光而不导致液体的流出等。因而，可防止曝光精度的恶化，可制造能发挥所希望的性能的器件。按照本发明的第3形态，提供下述的曝光装置(EX)，经液体(1)对基片(P)照射曝光光(EL)以对基片(P)曝光，具备将图案的像投影在基片(P)上的投影光学系统(PL)；以及对于投影光学系统(PL)可移动的移动台(PST)，在移动台(PST)上设置有至少一部分呈疏液性的疏液性构件(30、PH、300、400、500)，该疏液性构件可更换。在本发明的第3形态的曝光装置中，由于以可更换的方式设置在移动台上设置的疏液性的构件，故在该构件的疏液性恶化时，可与新的构件更换。移动台可以是具备保持基片而移动的基片台或各种基准构件或检测传感器等的检测构件的检测系统。或者，作为移动台可具备基片台和检测台这两者。进而，作为移动台，可具备多个基片台或多个检测台。按照本发明的第4形态，提供下述步骤的曝光方法，经液体(1)对基片(P)照射曝光光(EL)以对上述基片(P)进行液浸曝光包含以下工序对基片(P)上的至少一部分供给上述液体(1)；经液体对基片(P)照射曝光光(EL)以对基片进行液浸曝光；与被供给液体的基片不同的曝光装置的部分(30、300、400、500)具有疏液性；以及根据该疏液性的恶化来更换具有该疏液性的曝光装置的部分(30、300、400、500)。在本发明的第4形态的曝光方法中，由于即使具有疏液性的曝光装置的部分因紫外光的照射而性能恶化，也可根据其恶化来更换该部分，故可防止因恶化导致的液体的残留或漏泄等。可定期地或根据对各个部分推断或观察恶化状况的结果进行上述部分的更换。按照本发明的第5形态，提供一种在投影曝光装置(EX)的基片台上安装的光学部件(650、652、6M)，上述投影曝光装置(EX)用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光学系统将掩模(M)的图案经液体(1)转印到由基片台上保持的基片(P)上，所述光学部件具备 被上述曝光束照射的光照射面(660)；利用由在光照射面(660)的表面上形成的二氧化硅、 氟化镁和氟化钙中的至少一种构成的微粒子层构成的粘接微粒子层(662)；以及利用在粘接微粒子层的表面上形成的非晶质氟树脂构成的疏水性膜(664)。本发明者在分析氟烷基硅烷与基体材料玻璃的密接性时，得知由于氟烷基硅烷末端基-CF3在化学上稳定，故在与基体材料玻璃之间不能预期氢结合或缩合反应等的化学的结合。因此，本发明者研究了不依靠化学的结合而是使分子间引力增大的方法。其结果，在下述方面取得成功通过增加与基体材料玻璃粘接的粘接层的表面积，以首尾良好的方式使附着能量增大。按照本发明的光学部件，由形成粘接微粒子层的二氧化硅(SiO2)、氟化镁 (MgF2)和氟化钙(CaF2)中的至少一种构成的微粒子层可得到与基体材料的玻璃(主要成分SiO2)的亲和性良好、与基体材料玻璃恰好的密接性。此外，在表面上产生来源于粒子的直径的凹凸。再者，由于二氧化硅等是紫外线透射率非常高的材料，故其本身的激光照射耐久性也高。因而，如果在形成了由二氧化硅(Si02)、氟化镁(MgF2)和氟化钙(CaF2)中的至少一种构成的微粒子层后形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜，则以非晶质氟树脂进入二氧化硅等的微粒子的空隙中而将其包围的方式干燥、固化。由于非晶质氟树脂本身的机械的强度高，故与基体材料密接的疏水性膜的强度高。此外，按照本发明的第6形态，提供一种在投影曝光装置的基片台(PST)上安装的光学部件(650、652、6M)，上述投影曝光装置用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光学系统(PL)将上述掩模的图案经液体(1)转印到由基片台(PST)上保持的基片上，所述光学部件具备被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接面 (668)；以及由在上述粘接面的表面上形成的非晶质氟树脂构成的疏水性膜(664)。在该形态的光学部件中，上述粘接面最好是利用氟化氢刻蚀的面。
按照第6形态的光学部件，由于在光照射面上具有由利用氟化氢刻蚀的刻蚀面构成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜，则以非晶质氟树脂进入粘接面的空隙中而将其包围的方式干燥、固化。由于非晶质氟树脂本身的机械的强度高，故与基体材料密接的疏水性膜的强度高。此外，上述形态的光学部件的上述光照射面可具有基体材料玻璃。此外，上述形态的光学部件的上述光照射面可具有在基体材料玻璃的至少一部分上形成的金属膜。按照这些光学部件，因为在光照射面上形成的疏水性膜具有激光照射耐久性，故可在长时间内维持在投影曝光装置的基片台上安装的光学部件的光照射面的疏水性。此外，在本发明中，也提供具备上述任一形态的光学部件的投影曝光装置。按照该投影曝光装置，由于在基片台上安装了能在长时间内维持光照射面的疏水性的光学部件， 故即使在重复进行液浸曝光的情况下，也能可靠地进行光学部件的光照射面上的排水。此外，按照本发明的第7形态，提供一种投影曝光装置(EX)，用曝光束(EL)照明掩模(M)，利用投影光学系统(PL)将上述掩模的图案经液体转印到由基片台(PST)保持的基片上，上述基片台上被上述曝光束照射的光照射面(660)；在上述光照射面的表面上形成的粘接微粒子层(662)；以及由在上述粘接微粒子层的表面上形成的非晶质氟树脂构成的疏水性膜(664)。按照第7形态的投影曝光装置，由于在基片台上安装的光学部件在光照射面上具有粘接微粒子层，故由非晶质氟树脂构成的疏水性膜与粘接微粒子层密接。由于非晶质氟树脂本身的机械的强度高，故与基体材料密接的疏水性膜的强度高。此外，第7形态的投影曝光装置的上述光照射面可具有基体材料玻璃。此外，第7 形态的投影曝光装置的上述光照射面可具有在基体材料玻璃的至少一部分上形成的金属膜。按照这些投影曝光装置，因为在基片台上安装的光学部件的光照射面上形成的疏水性膜具有激光照射耐久性，故可在长时间内维持在投影曝光装置的基片台上安装的光学部件的光照射面的疏水性。按照本发明的第8形态，提供一种光学部件(300、400、500、650、652、654)，具备 具有光照射面的部件主体(660)；利用从由在上述光照射面的表面上形成的二氧化硅、氟化镁和氟化钙构成的一组中选择的至少一种微粒子形成的微粒子层(662)；以及利用非晶质氟树脂形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜经微粒子层与光照射面牢固地连接，故本发明在液体或蒸汽气氛中使用的光学传感器或透镜等的用途中是极为有用的。按照本发明的第8形态，是提供一种光学部件(300、400、500、650、652、654)，具备具有光照射面的部件主体(660)；在上述光照射面的表面上利用刻蚀形成的粘接面 (668)；以及利用非晶质氟树脂在上述粘接面的表面上形成的疏水性膜(664)。由于疏水性膜经微粒子层与光照射面牢固地连接，故本发明在液体或蒸汽气氛中使用的光学传感器或透镜等的用途中是极为有用的。


图1是示出本发明的曝光装置的一实施形态的概略结构图。图2是示出液体供给机构和液体回收机构的概略平面图。图3是基片台的平面图。
图4是示出保持了基片的状态的基片台的平面图。图5是基片台的剖面图。图6是示出各构件对基片台可装卸的示意图。图7(a) (d)是示出本发明的曝光装置的工作的一例的示意图。图8(a) (d)是示出本发明的曝光装置的工作的一例的示意图。图9是示出运送到运送装置上的基片保持构件的平面图。图10是示出基片台的另一实施形态的剖面图。图11(a)和(b)是示出本发明的曝光装置的另一实施形态的概略结构图。图12(a)和(b)是示出基片保持构件的另一实施形态的图。图13(a) (d)是示出本发明的曝光装置的工作的另一例的示意图。图14是示出本发明的曝光装置的另一实施形态的概略结构图。图15是示出本发明的曝光装置的另一实施形态的概略结构图。图16是示出本发明的曝光装置的另一实施形态的概略结构图。图17是示出半导体器件的制造工序的一例的流程图。图18是用于说明以前的课题的示意图。图19是示出在与实施形态有关的晶片台上安装的光学部件的图。图20是在与实施形态有关的晶片台上安装的光学部件的结构图。图21是在与实施形态有关的晶片台上安装的光学部件的结构图。
具体实施例方式以下，一边参照附图，一边说明本发明的曝光装置，但本发明不限定于此。<第1实施形态>图1是示出本发明的曝光装置的一实施形态的概略结构图。在图1中，曝光装置 EX具备支撑掩模M的掩模台MST ；经基片架PT支撑基片P的基片台PST ；用曝光光EL照明由掩模台MST支撑的掩模M的照明光学系统IL ；将用曝光光EL照明的掩模M的图案像投影到由基片台PST支撑的基片P上以进行曝光的投影光学系统PL ；以及总括地控制曝光装置EX整体的工作的控制装置C0NT。为了在实质上缩短曝光波长以提高解像度的同时实质上扩展聚焦深度，将液浸法应用于本实施形态的曝光装置EX。该液浸曝光装置具备向基片P供给液体1的液体供给机构10和回收基片P上的液体1的液体回收机构20。在本实施形态中，使用纯水作为液体1。至少在将掩模M的图案像转印到基片P上的期间内，曝光装置EX利用从液体供给机构10供给的液体1在包含投影光学系统PL的投影区域ARl的基片P上的至少一部分(局部地)上形成液浸区域AR2。具体地说，对于曝光装置EX来说，在投影光学系统PL的前端部的光学元件2与基片P的表面(曝光面)之间充满液体1，经该投影光学系统PL与基片 P之间的液体1和投影光学系统PL将掩模M的图案像投影到基片P上，对基片P曝光。在此，在本实施形态中，作为曝光装置EX，以一边在扫描方向上的彼此不同的方向 (反方向)上同步地移动掩模M和基片P、一边在基片P上对在掩模M上形成的图案曝光的扫描型曝光装置(所谓扫描步进器)的情况为例来说明。在以下的说明中，将与投影光学系统PL的光轴AX —致的方向定为Z轴方向，将在与Z轴方向垂直的平面内掩模M和基片P的同步移动方向(扫描方向)定为X轴方向，将与Z轴方向和X轴方向垂直的方向(非扫描方向)定为Y轴方向。此外，分别将以X轴、Y轴和Z轴为中心进行的旋转(倾斜)方向定为ΘΧ、ΘΥ、ΘΖ方向。再有，这里所谓的「基片」包含在半导体晶片上涂敷了作为感光性材料的光刻胶的基片，「掩模」包含在基片上形成了缩小投影的器件图案的中间掩模。照明光学系统IL是用曝光光EL照明由掩模台MST支撑的掩模M的光学系统，具有曝光用光源；使从曝光用光源射出的光束的照度变得均勻的光积分器(均质器)；对来自光积分器的曝光光EL进行聚光的聚光透镜；中继透镜系统；以及将由曝光光EL产生的掩模M上的照明区域设定为狭缝状的可变视野光圈等。利用照明光学系统IL并用均勻的照度分布的曝光光EL照明掩模M上的规定的照明区域。作为从照明光学系统IL射出的曝光光EL，例如可使用从水银灯射出的亮线(g线、h线、i线)和KrF准分子激光(波长M8nm) 等的远紫外光(DUV光)或ArF准分子激光(波长193nm)和F2激光(波长157nm)等的真空紫外光(VUV光)等。在本实施形态中使用ArF准分子激光。如上所述，本实施形态中的液体1是纯水，即使曝光光EL是ArF准分子激光也能透过。此外，纯水也能透过亮线(g线、 h线、i线)和KrF准分子激光(波长M8nm)等的远紫外光(DUV光)。掩模台MST —边支撑掩模M、一边能在与投影光学系统PL的光轴AX垂直的平面内、即XY平面内作2维移动，此外，在ΘΖ方向上可进行微小旋转。利用直线电机等的掩模台驱动装置MSTD来驱动掩模台MST。利用控制装置CONT来控制掩模台驱动装置MSTD。在掩模台MST上设置移动镜50。此外，在与移动镜50对置的位置上设置激光干涉计51。利用激光干涉计51实时地检测掩模台MST上的掩模M的2维方向的位置和旋转角，将检测结果输出给控制装置C0NT。控制装置CONT通过根据激光干涉计51的检测结果驱动掩模台驱动装置MSTD，进行由掩模台MST支撑的掩模M的定位。投影光学系统PL将掩模M的图案以规定的投影倍率β投影到基片P上并进行曝光。投影光学系统PL由包含在基片P—侧的前端部上设置的光学元件(透镜)2的多个光学元件构成，用镜筒Hi支撑这些光学元件。在本实施形态中，投影光学系统PL是投影倍率 β例如为1/4或1/5的缩小系统。再有，投影光学系统PL可以是等倍系统和放大系统的任一种。此外，投影光学系统PL可以是不包含折射元件的反射系统、不包含反射元件的折射系统、包含折射元件和反射元件的反射折射系统的任一种。此外，本实施形态的投影光学系统PL的前端部的光学元件2对于镜筒1 以可装卸(更换)的方式来设置，液浸区域AR2 的液体1与光学元件2接触。用萤石形成光学元件2。由于水与萤石的亲和性高，故可使液体1与光学元件2的液体接触面加的大致整个面密接。即，在本实施形态中，由于将与光学元件2的液体接触面加的亲和性高的水作为液体1来供给，故光学元件2的液体接触面加与液体1的密接性高，能用液体1可靠地充满光学元件2与基片P之间的光路。再有，光学元件2的材料也可以是与水的亲和性高的石英。此外，也可对光学元件2的液体接触面加进行亲水化(亲液化)处理，进一步提高与液体1的亲和性。此外，由于镜筒Hi的前端附近与液体(水)1 相接，故用Ti (钛)等的具有抗锈性能的金属至少形成前端附近。基片台PST支撑基片P，具备经基片架PT保持基片P的Z台52 ；支撑Z台52的 XY台53 ；以及支撑XY台53的基座M。基片架PT保持基片P，设置在基片台PST (Z台52) 上。利用直线电机等的基片台驱动装置PSTD来驱动基片台PST。利用控制装置CONT来控制基片台驱动装置PSTD。通过驱动Z台52来控制由基片架PT保持的基片P的Z轴方向上的位置(聚焦位置)和θ X、θ Y方向上的位置。此外，通过驱动XY台53来控制基片P的 XY方向上的位置(与投影光学系统PL的像面实质上平行的方向的位置)。S卩，Z台52控制基片P的聚焦位置和倾斜角，用自动聚焦方式和自动矫正方式使基片P的表面与投影光学系统PL的像面重合，XY台53进行基片P的X轴方向和Y轴方向的定位。再有，当然可与Z台一体地设置，XY台。再有，作为自动聚焦、矫正检测系统的结构，可使用例如在特开平8-37149号公报中公开的结构。在基片台PST (基片架PT)上设置与基片台PST —起相对于投影光学系统PL移动的移动镜阳。此外，在与移动镜55对置的位置上设置激光干涉计56。利用激光干涉计56 实时地检测基片台PST (基片架PT)上的基片P的2维方向的位置和旋转角，将检测结果输出给控制装置C0NT。控制装置CONT通过根据激光干涉计56的检测结果驱动基片台驱动装置PSTD，进行由基片台PST支撑的基片P的定位。在基片台PST(基片架PT)的附近上方配置了检测基片P上的对准标记或在基片台PST (基片架PT)上设置的基准标记(后述)的基片对准系统350。此外，在掩模台MST 的附近，设置了使用与曝光光EL为同一的波长的光经掩模M和投影光学系统PL检测基片台PST (基片架PT)上的的基准标记的掩模对准系统360。再有，作为基片对准系统350的结构，可使用在特开平4-65603号公报(对应的美国专利第5，493，403号)中公开的结构，作为掩模对准系统360的结构，可使用在特开平7-176468号公报(对应的美国专利第 5，646，413号)中公开的结构。在基片架PT上设置了包围由该基片架PT保持的基片P的板构件30。板构件30 是与基片架PT分开的构件，设置成对于基片架PT可装卸、可更换。板构件30具有与由基片架PT保持的基片P的表面大致为同一面的平坦面(平坦部)30A。在由基片架PT保持的基片P的周围配置了平坦面30A。再者，在基片架PT上并在板构件30的外侧设置了具有与板构件30的平坦面30A大致为同一面的平坦面32A的第2板构件32。第2板构件32 也设置成对于基片架PT可装卸、可更换。向基片P供给规定的液体1的液体供给机构10具备可供给液体1的第1液体供给部11和第2液体供给部12 ；经在第1液体供给部11中具有流路的供给管IlA连接的、 具有向基片P供给从该第1液体供给部11送出的液体1的供给口 13A的第1供给构件13 ； 以及经在第2液体供给部12中具有流路的供给管12A连接的、具有向基片P供给从该第2 液体供给部12送出的液体1的供给口 14A的第2供给构件14。接近于基片P的表面配置了第1、第2供给构件13、14，设置在基片P的面方向上互不相同的位置上。具体地说，液体供给机构10的第1供给构件13相对于投影区域ARl扫描方向的一侧(-X侧)，第2供给构件14相对于投影区域ARl设置在扫描方向的另一侧(+X侧)。第1、第2液体供给部11、12分别具备容纳液体1的容器和加压泵等(都未图示)， 分别经供给管11A、12A和供给构件13、14向基片P供给液体1。此外，利用控制装置CONT 来控制第1、第2液体供给部11、12的液体供给工作，控制装置CONT可独立地控制由第1、 第2液体供给部11、12对于基片P上的每单位时间的液体供给量。此外，第1、第2液体供给部11、12分别具有液体的温度调整机构，利用该温度调整机构，可向基片P供给与容纳装置的箱体内的温度大致相同的温度(例如23°C)的液体1。再有，曝光装置EX不一定需要具备第1、第2液体供给部11、12的容器、加压泵、温度调整机构，也可代替使用设置曝光装置EX的工厂等的设备。液体回收机构20回收基片P上的液体1，具备具有接近于基片P的表面配置的回收口 23A、24A的第1、第2回收构件23、24 ；以及分别经在该第1、第2回收构件23、24中具有流路的回收管21A、22A连接的第1、第2液体回收部21、22。第1、第2液体回收部21、 22具备例如真空泵等的真空系统(吸引装置)、气液分离器和容纳回收的液体1的容器等 (都未图示)，经第1、第2回收构件23J4和回收管21A、22A回收基片P上的液体1。利用控制装置CONT来控制第1、第2液体回收部21、22的液体回收工作。控制装置CONT可独立地控制由第1、第2液体回收部21、22的每单位时间的液体回收量。再有，曝光装置EX不一定需要具备第1、第2液体回收部21、22的真空系统、气液分离器、容器，也可代替使用设置曝光装置EX的工厂等的设备。图2是示出液体供给机构10和液体回收机构20的概略结构的平面图。如图2中所示，将投影光学系统PL的投影区域ARl设定为以Y轴方向(非扫描方向)定为长度方向的狭缝状(矩形)，在基片P的一部分上形成充满液体1的液浸区域AR2，使其包含投影区域 ARl。而且，用于形成投影区域ARl的液浸区域AR2的液体供给机构10的第1供给构件13 相对于投影区域ARl设置在扫描方向的一侧(-X侧)，第2供给构件14设置在另一侧(+X 侧)。将第1、第2供给构件13、14分别形成为平面视图上呈大致圆弧状，将其供给口 13A、14A的Y轴方向上的尺寸设定为至少比投影区域ARl的Y轴方向上的尺寸大。而且，将形成为平面视图上呈大致圆弧状供给口 13A、14A配置成在扫描方向(X轴方向)上夹住投影区域AR1。液体供给机构10经第1、第2供给构件13、14的供给口 13A、14A在投影区域 ARl的两侧同时供给液体1。液体回收机构20的第1、第2回收构件23J4分别具有连续地形成为圆弧状使之朝向基片P的表面的回收口 23A、24A。而且，利用配置成彼此相对的第1、第2回收构件23、 24形成了大致圆环状的回收口。将第1、第2回收构件23J4各自的回收口 23A、24A配置成包围液体供给机构10的第1、第2供给构件13、14和投影区域AR1。以下述的方式供给从第1、第2供给构件13、14的供给口 13A、14A向基片P供给的液体1，使其在投影光学系统PL的前端部(光学元件2、的下端面与基片P之间润湿扩展。 此外，由相对于投影区域ARl配置在该第1、第2供给构件13、14外侧的第1、第2回收构件 23,24的回收口 23A、24A回收相对于投影区域ARl流到第1、第2供给构件13、14的外侧的液体1。在本实施形态中，在对基片P进行扫描曝光时，将在扫描方向上从投影区域ARl的跟前供给的每单位时间的液体供给量设定为比在其相反一侧供给的液体供给量多。例如， 在一边在+X方向上移动基片P、一边进行曝光处理的情况下，控制装置CONT使对于投影区域ARl来自-X—侧(即供给口 13A)的液体量比来自+X—侧(即供给口 14A)的液体量多，另一方面，在一边在-χ方向上移动基片P、一边进行曝光处理的情况下，使对于投影区域ARl来自+X—侧的液体量比来自-X—侧的液体量多。此外，在扫描方向上，将在投影区域ARl的跟前的每单位时间的液体回收量设定为比在其相反一侧的液体回收量少。例如， 在+X方向上移动了基片P时，使对于投影区域ARl来自+X—侧(即回收口 24A)的回收量比来自-X—侧(即回收口 23A)的回收量多。再有，在基片P(基片台PST)上用于局部地形成液浸区域AR2的机构不限于上述， 也可采用例如在美国专利公开第2004/020782号公报或国际公开第2004/055803号公报中公开了的机构，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。图3是从上方看基片架PT的平面图，图4是从上方看保持了基片P的基片架PT的平面图。在图3和图4中，在平面视图为矩形的基片架PT的互相垂直的2个边缘部配置了移动镜55。此外，在基片架PT的大致中央部形成了凹部31，在该凹部31中配置了构成基片架PT的一部分的基片托PH，基片P由基片托PH来保持。在基片P(基片托PH)的周围， 设置了具有与基片P的表面大致为同一面的平坦面30A的板构件30。板构件30是环状构件，配置成包围基片托PH(基片P)。利用例如聚四氟乙烯(特富隆(登录商标))那样的氟化物等的具有疏液性的材料形成板构件30。由于在基片P的周围设置了具有与基片P表面大致为同一面的平坦面30A的板构件30，故即使在对基片P的边缘区域E进行液浸曝光时，在投影光学系统PL的像面一侧也能良好地形成液浸区域AR2。再有，如果能以用液体1充满投影光学系统PL的像面一侧的光路空间的方式形成液浸区域AR2，则在基片P的表面与板构件30的平坦面30A中可存在台阶差，例如，在Z方向上，可使平坦面30A比基片P的表面低。如图1、3和4中所示，在基片架PT上的板构件30 (基片托PH)的外侧设置了第2 板构件32。第2板构件32具有与基片P的表面或板构件30的平坦面30A大致为同一面的平坦面32A，设置成覆盖基片托PH(基片P)和板构件30以外的基片架PT的上面的大致整个区域。也利用例如聚四氟乙烯等的具有疏液性的材料形成了第2板构件32。再有，板构件30的平坦面30A表面中的液体1的接触角和第2板构件32的平坦面32A表面中的液体1的接触角在照射曝光光EL前的初始状态下，分别大于等于110°。此外，在第2板构件32的规定的位置上形成了多个开口部32K、32L、32N。在开口部32K中配置了基准构件300。在基准构件300中以规定的位置关系设置了利用基片对准系统350检测的基准标记PFM和利用掩模对准系统360检测的基准标记MFM。此外，基准构件300的上面301A大致成为平坦面，可作为聚焦、矫正检测系统的基准面来使用。再者，将基准构件300的上面301A设置成与基片P表面、板构件30的表面(平坦面)30A和第2板构件32的表面(平坦面)32A为大致同一面。此外，将基准构件300形成为在平面视图中呈矩形，在开口部32K中配置的基准构件300与第2板构件32之间形成间隙K。在本实施形态中，间隙K例如约为0. 3mm。作为光传感器，在开口部32L中配置了照度不勻传感器400。照度不勻传感器例如在特开昭57-117238号公报(对应的美国专利第4，465，368号)中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。 照度不勻传感器400的上板401的上面401A大致成为平坦面，设置成与基片P表面、板构件30的表面30A和第2板构件32的表面32A为大致同一面。在照度不勻传感器400的上面401A中设置了可通过光的针孔部470。用铬等遮光性材料覆盖了光透过性的上板401的上面401A中针孔部470以外的部分。此外，将照度不勻传感器400(上板401)形成为在平面视图中呈矩形，在开口部32L中配置的照度不勻传感器400(上板401)与第2板构件32之间形成间隙L。在本实施形态中，间隙L例如约为0. 3mm。在开口部32N中配置了空间像检测传感器500。空间像检测传感器500例如在特开2002-14005号公报(对应的美国专利公开2002/0041377号)中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。 空间像检测传感器500的上板501的上面501A大致成为平坦面，可作为聚焦、矫正检测系统的基准面来使用。而且，设置成与基片P表面、板构件30的表面30A和第2板构件32的表面32A为大致同一面。在空间像检测传感器500的上面501A中设置了可通过光的狭缝部570。用铬等遮光性材料覆盖了光透过性的上板501的上面501A中狭缝部570以外的部分。此外，将空间像检测传感器500(上板501)形成为在平面视图中呈矩形，在空间像检测传感器500(上板501)与开口部32N之间形成间隙N。在本实施形态中，间隙N与基片P 的外形的制造公差为同等程度，例如约为0. 3mm。这样，保持基片P的基片架PT的上面在整个面上大致为同一面。再有，如果能以用液体1充满投影光学系统PL的像面一侧的光路空间的方式形成液浸区域AR2，则在板构件30的平坦面30A与第2板构件32的表面32A与基准构件300的上面301A与照度不勻传感器400的上面401A与空间像检测传感器500的上面501A之间彼此可存在台阶差。此外，虽然未图示，但在基片架PT中也设置了照射量传感器(照度传感器)，配置在第2板构件32中形成的开口部中。照射量传感器例如在特开平11-16816号公报(对应的美国专利公开2002/0061469号)中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。再有，在基片架PT上安装的检测器不限于上述的传感器，可根据需要按照各种检测器。例如，可在基片架PT上配置波面像差检测器。波面像差检测器例如在国际公开 99/60361号公报(对应的欧洲专利公开1，079，223号公报)或美国专利第6，650，399号中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。当然，也可不在基片架PT上安装检测器。此外，将板构件30中以圆环状形成的平坦面30A的宽度形成为至少比投影区域 ARl大(参照图4)。因此，在对基片P的边缘区域E曝光时，曝光光EL不会照射到第2板构件32上。由此，可抑制起因于曝光光的照射的第2板构件32的疏液性的恶化，可使第2 板构件32的更换频度少于板构件30的更换频度。再者，最好将平坦面30A的宽度形成得比在投影光学系统PL的像面一侧形成的液浸区域AR2大。由此，在对基片P的边缘区域E 进行液浸曝光时，由于在板构件30的平坦面30A上配置液浸区域AR2不在第2板构件32 上配置液浸区域AR2，故可防止液浸区域AR2的液体1侵入到作为板构件30与第2板构件 32的间隙的间隙G中的不良情况。再有，板构件30的平坦面30A的宽度不限定于此，当然也可比液浸区域AR2小。如图3和作为保持基片P的基片架PT的主要部分放大剖面图的图5中所示，构成基片架PT的一部分的基片托PH具备大致圆环状的周壁部33 ；在该周壁部33的内侧的基座部35上设置的、支撑基片P的多个支撑部34 ；以及在支撑部34之间配置的、用于吸附保持基片P的多个吸引口 41。在周壁部33的内侧一样地配置了支撑部34和吸引口 41。再有，在图5中，周壁部33的上端面具有比较宽的宽度，但实际上只有约1 2mm的宽度。此外，在基座部35上设置了配置由升降基片P的销钉构件构成的升降构件70的孔部71。在本实施形态中，在3个部位上设置了升降构件70。利用未图示的驱动装置来升降升降构件 70，控制装置CONT经驱动装置控制升降构件70的升降工作。此外，如图5中所示，在基片架PT上面中与板构件30的下面对置的位置上设置了多个用于对于基片架PT吸附保持该板构件30的吸附孔72。再者，在基片架PT中，在多个位置(在此是3个部位)上设置了由对于基片架PT升降板构件30的销钉构件构成的升降构件74。利用未图示的驱动装置来升降升降构件74，控制装置CONT经驱动装置控制升降构件74的升降工作(参照图7(d))。再者，虽然未图示，但在基片架PT上面中与第2板构件32的下面对置的位置上设置了多个用于对于基片架PT吸附保持该第2板构件32的吸附孔。再者，在基片架PT中，在多个位置上设置了对于基片架PT升降第2板构件32的升降构件。再有，由于如前面所述，第2板构件32的更换频度少，故也可不将其吸附保持在基片架PT上，而是利用螺钉拧紧等来固定，用手动方式进行更换作业。此外，也可不使第2板构件32成为能更换的构件。但是，在使用基准构件300或照度不勻传感器400等时，在对第2板构件32照射了曝光光EL或与曝光光为同一波长的光的情况下，存在第2板构件32的表面的疏液性恶化的危险，存在与板构件30同样的更换频度为必要的可能性。此外，如图4和图5中所示，在由基片托PH(基片架PT)保持的基片P的侧面PB 与板构件30之间形成了规定的间隙A。在图5中，在基片架PT的凹部31内部配置了保持基片P的基片托PH。在凹部31 中配置了基片托PH时，将基片架PT形成为该基片托PH的上端面34A比基片架PT的对于板构件30和第2板构件32的放置面PTa高。在构成基片托PH的一部分的大致圆板状的基座部35上设置了周壁部33和支撑部34。支撑部34各自的剖面为梯形，由多个支撑部 34的上端面34A保持基片P的背面PC。此外，周壁部33的上面33A为平坦面。周壁部33 的高度比支撑部34的高度低。在基片P与周壁部33之间形成了间隙B。间隙B比板构件 30与基片P的侧面PB之间的间隙A小。此外，在凹部31的内侧面36与对置于该内侧面36 的基片托PH的侧面37之间形成了间隙C。在此，将基片托PH的直径形成得比基片P的直径小，间隙A比间隙C小。再有，在本实施形态中，在基片P中未形成位置对准用的缺口部 (定位边、定位槽)，基片P大致呈圆形，由于在其全部的圆周上间隙A为0. Imm 1. Omm,在本实施形态中约为0. 3mm，故可防止液体的流入。再有，在基片P中形成缺口部的情况下，根据该缺口部在板构件30或周壁部33中设置凸起部等使板构件30或周壁部33成为与缺口部对应的形状即可。通过这样做，即使在基片P的缺口部中，在基片P与板构件30之间也能确保间隙A。在板构件30的内侧形成了内侧台阶部30D，利用该内侧台阶部30D形成了与基片下面PC的边缘部对置的支撑面30S。板构件30可利用支撑面30S支撑基片下面PC的边缘部。在此，如图5中所示，在由基片托PH保持的基片下面PC的边缘部与由基片架PT的放置面PTa保持的板构件30的支撑面30S之间形成间隙D。由此，可避免因板构件30 (支撑面30S)与基片下面PC的边缘部接触而使该基片P的边缘部向上侧翘曲的不良情况的发生。
此外，在第2板构件32的内侧形成了内侧台阶部32D，在板构件30的外侧形成了外侧台阶部30F，使其与第2板构件32的内侧台阶部32D的形状相对应。由此，成为在第2 板构件32的一部分上放置板构件30的一部分的状态。此外，在板构件30的外侧面与第2 板构件32的内侧面之间形成规定的间隙G。本实施形态中的间隙G例如约为0. 3mm,由于用表面具有疏液性的聚四氟乙烯制的板构件30和第2板构件32来夹住，故即使在板构件 30与第2板构件32的边界上形成了液浸区域，也可防止液体对间隙G的侵入。在作为基片P的曝光面的表面PA上涂敷了光刻胶(感光材料)90。在本实施形态中，感光材料90是ArF准分子激光器用的感光材料(例如，东京应化工业株式会社制 TARF-P6100)，具有疏液性(疏水性)，其接触角约为70 80°。此外，在本实施形态中，对基片P的侧面PB进行了疏液处理(疏水处理)。具体地说，在基片P的侧面PB上也涂敷了具有疏液性的上述感光材料90。由此，可防止来自表面呈疏液性的板构件30与基片P侧面PB的间隙A的液体的侵入。再者，在基片P的背面PB 上也涂敷上述感光材料90，进行了疏液处理。在本实施形态中，在基片架PT中，放置面PTa和内侧面36具有疏液性。再者，在基片托PH的一部分上也进行疏液处理，呈疏液性。在本实施形态中，基片托PH中周壁部33 的上面33A和侧面37具有疏液性。作为基片架PT和基片托PH的疏液处理，例如涂敷氟树脂材料或丙烯酸树脂材料等的疏液性材料或粘贴由上述疏液性材料构成的薄膜。作为用于使之呈疏液性的疏液性材料，可疏液非溶解性的材料。再有，也可用具有疏液性的材料(氟树脂等)形成基片架PT和基片托PH的整体。利用吸引装置40使由基片托PH的周壁部33包围的第1空间38呈负压。吸引装置40具备在基片托PH的基座部35上面设置的多个吸引口 41 ；包含在基片架PT外部设置的真空泵的真空部42 ；以及在基座部35内部形成的、连接多个吸引口 41的每一个与真空部42的流路43。分别在基座部35上面中支撑部34以外的多个规定位置上设置了吸引口 41。吸引装置40通过吸引在周壁部33、基座部35与由支撑部34支撑的基片P之间形成的第1空间38内部的气体(空气)使该第1空间38呈负压，将基片P吸附保持在支撑部34上。再有，由于基片P的背面PC与周壁部33上面33A的间隙B很微小，故维持了第 1空间38的负压。此外，流入到凹部31的内侧面36与基片托PH的侧面37之间的第2空间39中的液体1被回收部60回收。在本实施形态中，回收部60具有可容纳液体1的容器61 ；以及在基片架PT内部设置的、连接空间39与外部的容器61的流路62。而且，在该流路62的内壁面上也进行了疏液处理。再有，也可在基片台PST(基片架PT)中暂时地保持流入到空间 39中的液体，在规定的定时将其排出到与基片台PST分开地设置的外部容器等中。在基片架PT中形成了连接凹部31的内侧面36与基片托PH的侧面37之间的第 2空间39与基片架PT外部的空间(大气空间)的流路45。气体(空气)可经流路45在第2空间39和基片架PT外部流通，将第2空间39的气压大致设定为大气压。如图6中所示，基片托PH、板构件30和第2板构件32是独立的部件，设置成对于基片架PT可装卸。而且，对基片架PT中与基片托PH的接触面57进行疏液处理，使其呈疏液性，同时也对作为对于基片架PT的接触面的基片托PH的背面58进行疏液处理，使其具有疏液性。作为对于接触面57或背面58的疏液处理，如上所述，可涂敷氟树脂材料或丙烯酸树脂材料等的疏液性材料等来进行。其次，一边参照图7和图8的示意图，一边说明使用具有上述的结构的曝光装置EX 对基片P曝光的方法。如图7(a)中所示，由基片架PT的放置面PTa吸附保持板构件30，同时也由基片架 PT的放置面PTa吸附保持第2板构件32。而且，利用运送臂(运送装置)80将作为曝光处理对象的基片P运入到基片架PT上。此时，升降构件70上升，运送臂80将基片P交给上升了的升降构件70。再有，升降构件74未上升。升降构件70保持由从运送臂80交给的基片P并使其下降。如图7(b)中所示，在板构件30的内侧配置基片P，由基片架PT(基片托PH)来保持。然后，如图7(c)中所示，控制装置CONT利用液体供给机构10和液体回收机构20进行液体1的供给和回收，在由基片架PT保持的基片P与投影光学系统PL之间形成液体1的液浸区域AR2。然后，控制装置CONT经投影光学系统PL和液体1对基片P照射曝光光EL，一边移动支撑了基片P的基片台PST，一边进行液浸曝光。通过对基片P的边缘区域E曝光，曝光光EL照射到板构件30的平坦面30A上，由于该曝光光EL的照射的缘故，存在平坦面30A的疏液性恶化的可能性。如果平坦面30A的疏液性恶化，则在平坦面30A上配置的液浸区域AR2的液体1容易残留，产生引起放置了基片P的环境变动等的不良情况。因此，控制装置CONT根据板构件30 (平坦面30A)的疏液性的恶化，将该疏液性恶化了的板构件30与新的(充分地具有疏液性)板构件30更换。具体地说，在液浸曝光处理的结束后，在使用液体回收机构20等回收了在基片P 上或平坦面30A上残留的液体1后，如图7 (d)中所示，控制装置CONT在解除了对于板构件 30的吸附保持后，使升降构件74上升。此时，也解除由基片托PH进行的基片P的吸附保持。升降构件74在支撑了板构件30的下面的状态下上升。再有，此时，升降构件70未上升。由此，板构件30离开基片架PT。此时，由于板构件30的支撑面30S支撑了基片下面 PC的边缘部，故基片P与板构件30 —起上升，离开基片架PT。这样，构成对于基片架PT装卸板构件30的装卸机构的升降构件74可与基片P—起从基片架PT取下板构件30。然后， 运送臂80进入利用升降构件74上升了的板构件30与基片架PT之间，支撑板构件30的下面。然后，运送臂80从基片架PT (基片台PST)运出保持了基片P的板构件30。已运出的板构件30与新的板构件30更换。然后，如图8 (a)中所示，控制装置CONT 使用运送臂80将保持了作为曝光处理对象的基片P的新的板构件30运入到基片架PT (基片台PST)上。此时，升降构件74上升，运送臂80将保持了基片P的板构件30交给上升了的升降构件74。再有，升降构件70未上升。升降构件74保持由从运送臂80交给的基片P 并使其下降。由此，如图8(b)中所示，在板构件30的内侧配置保持了基片P的板构件30， 由基片架PT(基片托PH)来保持。然后，如图8(c)中所示，控制装置CONT利用液体供给机构10和液体回收机构20进行液体1的供给和回收，在由基片架PT保持的基片P与投影光学系统PL之间形成液体1的液浸区域AR2。然后，控制装置CONT经投影光学系统PL和液体1对基片P照射曝光光EL，一边移动支撑了基片P的基片台PST，一边进行液浸曝光。然后，在板构件30的疏液性还未恶化时，在液浸曝光的结束后，在使用液体回收机构20等回收了在基片P上或板构件30的平坦面30Α等上残留的液体1后，控制装置CONT 在解除了对于基片P的吸附保持后，如图8(d)中所示，使升降构件70上升。此时，板构件 30由基片架PT进行了吸附保持。升降构件70在支撑了基片P的下面的状态下上升。再有，此时，升降构件74不上升。由此，基片P从基片架PT离开。然后，运送臂80进入利用升降构件70上升了的基片P与基片架PT之间，支撑基片P的下面。然后，运送臂80从基片架PT(基片台PST)运出基片P。再有，作为运送臂80，可分别地设置用于运送板构件30的运送臂和用于运送基片 P的运送臂，但如图9中所示，通过将运送臂80的支撑面80Α形成得较大，可与基片P和板构件30这两者接触，由于可支撑基片P和板构件30这两者，故可用1个运送臂80运送基片P和板构件30这两者。如以上已说明的那样，由于设置成可更换在基片架PT上设置的疏液性的板构件 30、32，故在该板构件30、32的疏液性恶化了时，只通过与新的板构件30、32更换，就可维持基片架PT上的疏液性。在为了使基片架PT上的板构件30、32的上面呈疏液性而涂敷疏液性材料或用疏液性材料形成板构件30、32的情况下，如果照射曝光光，则有时其疏液性恶化。特别是在使用氟树脂作为疏液性材料、使用紫外光作为曝光光的情况下，该板构件30、32的疏液性容易恶化(容易亲液化)。于是，液体容易残留在板构件30、32上。对次，在本实施形态中，在板构件30、32的疏液性恶化了时，与新的板构件30、32更换。因而，可抑制液体1残留在基片架PT上，例如即使残留，也可使用液体回收机构20 等顺利地回收该液体1。因而，可防止起因于残留的液体1的曝光精度的恶化，制造出具有所需性能的器件。此外，通过与基片P —起相对基片架PT运入和运出在基片P的周围具有平坦面 30Α的板构件30，可容易地与基片P —起对基片架PT更换板构件30。此外，由于板构件30 在基片P的周围具有平坦面30Α，故在与基片P —起将该板构件30运入到基片架PT上对基片P的边缘区域E进行液浸曝光时，即使液体1的液浸区域AR2的一部分在基片P的外侧伸出，也可利用平坦面30Α维持液浸区域AR2的形状，可在投影光学系统PL的像面一侧良好地保持液体1的状态下进行液浸曝光而不导致液体1的流出等。而且，由于在板构件30的内侧设置内侧台阶部30D，形成支撑面30S，可支撑基片下面PC的边缘部，故只保持并移动板构件30，就可与该板构件30 —起也移动基片P。此外， 由于因内侧台阶部30D的缘故，在板构件30与基片P之间的间隙中，在剖面视图中形成弯曲的角部，故即使假定液体1侵入到板构件30与基片P之间的间隙A中，弯曲的角部也起到密封部的功能，可防止该液体1侵入到基片P的背面PC —侧或基片台PST (基片托PH) 内部的不良情况。再者，由于对基片P的侧面PB也进行了疏液处理，故可更良好地防止来自基片P的侧面PB与板构件30之间的间隙A的液体1的侵入。此外，通过使基片P的背面PC和与其对置的周壁部33的上面33Α呈疏液性，可防止液体1经间隙B侵入到第1空间38中的不良情况。因而，可避免液体1流入到吸引口 41 中的不良情况的发生，可在良好地吸附保持基片P的状态下进行曝光处理。此外，在本实施形态中，通过对可对于基片架PT装卸的基片托PH的背面58或基片架PT中与基片托PH的接触面57进行疏液处理，即使在液体1流入到第2空间39中的情况下，也可抑制液体1对于基片托PH的背面58与Z台52的接触面57之间的流入。因而，可防止基片托PH的背面58或基片架PT的接触面57中的锈蚀的发生等。此外，如果液体1流入到基片托PH的背面58与基片架PT的接触面57之间，则产生基片托PH与Z台52 粘接而难以分离的状况，但通过使其呈疏液性而容易分离。此外，作为用于对基片架PT装卸板构件30的装卸机构，由于设置了作为升降装置的升降构件74及作为吸附保持板构件30的吸附保持装置的吸附孔72，故可顺利地进行板构件30的更换作业，可在基片架PT上良好地保持更换后的新的板构件30。此外，通过在第2板构件32的内侧形成内侧台阶部32D，在板构件30的外侧形成外侧台阶部30F，由于在板构件30与第2板构件32之间的间隙中在剖面视图中也形成弯曲的角部，故即使液体1从间隙G侵入，弯曲的角部也起到密封部的功能，可防止液体1到达基片架PT内部的不良情况。此外，由于用第2板构件32的内侧台阶部32D支撑板构件30的外侧台阶部30F， 故如果用基片架PT吸附保持第2板构件32，则因板构件30由第2板构件32来支撑，故可不由基片架PT来保持。因此，如图10中示出的示意图那样，可在基片架PT中与板构件30 对置的区域中形成空间部(槽)130，可谋求基片架PT(基片台PST)的轻量化。此外，由于是在用板构件30保持了基片P的状态下用运送臂80运送的结构，故用板构件30支撑基片P的比较宽的区域。因而，即使例如基片P的尺寸较大，通过在用板构件30保持了的状态下来运送，也可抑制基片P的挠曲(翘曲)。再有，在第2板构件32的平坦面32Α的疏液性恶化、更换第2板构件32的情况下， 由于第2板构件32支撑板构件30，故可在基片P的液浸曝光结束后使用运送臂80 —起运出基片P和板构件30。在该情况下，也可与升降构件74同样地设置用于升降第2板构件32 的升降构件。此外，也可分别运出和运入板构件30和第2板构件32而不设置第2板构件 32的内侧台阶部32D。在该情况下，可再设置用于运出和运入第2板构件32的运送机构。再有，如上所述，根据平坦面30Α、32Α的疏液性的恶化来决定板构件30、32的更换的定时。作为更换板构件30、32的定时，例如可按每规定基片处理片数或每规定时间间隔等预先确定的规定间隔更换板构件30、32。或者，可利用实验或模拟预先求出曝光光EL的照射量(照射时间、照度)与板构件30、32的疏液性水平的关系，根据该已求出的结果，设定更换板构件30、32的定时。例如可通过用显微镜或目视来观察平坦面30Α、32Α等、在评价面上垂下液滴，用目视或显微镜观察液滴的状态、或测定液滴的接触角来进行疏液性的恶化的评价。通过用与曝光光等的紫外线的累积照射量的关系预先在控制装置CONT中记录了这样的评价，根据该关系，控制装置CONT可决定板构件30、32等的寿命、即更换时间(时期)。此外，曝光装置EX使用可检测在投影光学系统PL的一侧照射的曝光光EL的强度的积分传感器(未图示)，可求出对板构件30、32照射的曝光光EL的累积照射量。由于控制装置CONT根据使用激光干涉计56检测的基片台PST的位置信息和使用积分传感器检测的曝光光EL的强度信息，可检测对板构件30或第2板构件32照射的曝光光EL的强度与照射时间(照射脉冲数)，故根据该检测结果可求出对板构件30或第2板构件32照射的曝光光EL的累积照射量。再有，检测曝光光EL的强度的积分传感器，例如在美国专利第 5，728，495号公报或美国专利第5，591，958号公报中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。在本实施形态中，控制装置CONT根据板构件30、32的上面30Α、32Α中的液体的接触角来判断是否需要更换板构件30、32。例如，根据板构件30、32的使用时间或紫外光的累积照射量等，在推断为液体的接触角下降到小于等于规定角度(例如100° )的情况下，判断为必须更换板构件30、32。或者，根据板构件30、32的使用时间或紫外光的累积照射量等，在推断为板构件30、32的表面30A、32A中的液体1的接触角比初始状态下降了大于等于规定角度(例如10° )的情况下，判断为必须更换板构件30、32。再有，也可不用曝光装置EX的控制装置CONT来判断板构件30、32等的疏液性的恶化，例如将设置了曝光装置EX的工厂等的主计算机和曝光装置EX连接成可交换各种数据，用该主计算机来判断。此外，在液体回收机构20的液体回收能力高的情况下，由于存在即使板构件30、 32的疏液性恶化也可充分地回收液体的可能性，因此在决定板构件30、32等的更换时期时，也可以考虑液体回收机构20的液体回收能力与疏液性的恶化(接触角的下降)的关系。此外，由于疏液性的恶化的速度或恶化的程度不仅随曝光光EL的照射时间而不同，而且随付与疏液性的材料、液体、曝光波长温度等的要素而不同，故最好与这些要素一起准备评价数据。关于以下所述的被赋予疏液性的其它的构件的更换时期，也是同样的。再有，在本实施形态中，利用作为疏液性材料的聚四氟乙烯形成板构件30、32，但当然也可利用其它的具有疏液性的材料来形成。此外，也可例如用规定的金属等形成板构件30、32，在该金属制的板构件30的表面上涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等的氟化物)。此外，作为疏液性材料的覆盖区域，可涂敷在板构件30、32的全部表面，也可只涂敷例如平坦面30A等必须有疏液性的一部分的区域。当然，可用不同的构件设置板构件30和第2板构件32，也可使用不同的疏液性材料来涂敷。此外，板构件30和第2板构件32的全部的表面没有必要以均勻的水平具有疏液性，可部分地设置疏液性强的部分。此外，板构件30和第2板构件32的全部的表面没有必要具有同样的疏液性的恶化耐久性，与其它的部分相比，可强化曝光光的照射量多的部分的恶化耐久性。例如，板构件30的表面的恶化耐久性最好比第2板构件32的表面的恶化耐久性强。在本实施形态中，说明了在更换板构件30时与基片P —起运出板构件30，当然也可对于基片架PT只运入和运出板构件30。此外，在本实施形态中可使用升降构件74和运送臂80来更换板构件30，但升降构件74或能运送板构件30的运送臂80不是必须的，操作者可用手动来更换板构件30。此外，在上述的实施形态中，分别一体地设置了板构件30和第2板构件32，但也可分割该板构件30和第2板构件32，可部分地更换。由此，也可频繁地只更换疏液性的恶化剧烈的部分。或者，也可将板构件30和第2板构件32作为一个板构件来形成，保持在基片架PT上。再有，在本实施形态中，从图5可明白，基片托PH和基片架PT可装卸，但也可与基片架PT —体地设置基片托PH。再有，在本实施形态中，在基片P的表面PA、侧面PB和背面PC的整个面上为了进行疏液处理而涂敷了感光材料90，但也可以是只对形成间隙A的区域、即基片P的侧面PB和形成间隙B的区域、即基片P的背面PC中与周壁部33的上面33A对置的区域进行疏液处理的结构。再者，如果间隙A充分小，此外为了进行疏液处理而涂敷的材料的疏液性(接触角)充分大，则由于液体1经间隙A流入到第2空间39中的可能性进一步降低，故也可以是不对形成间隙B的基片P的背面PC进行疏液处理而只对基片P的侧面PB进行疏液处理的结构。当然，也可使用对表面PA、侧面PB和背面PC全都未进行疏液处理的基片P。再有，在本实施形态中，周壁部33的高度比支撑部34的高度低、在基片P的背面 PC与周壁部33的上面33A之间形成了间隙B，但基片P的背面PC与周壁部33的上面33A 也可接触。在本实施形态中，作为基片P的侧面PB和背面PC的疏液处理，涂敷了具有疏液性的感光材料90，但也可涂敷感光材料90以外的具有疏液性(疏水性)的规定的材料。例如，有时在作为基片P的曝光面的表面PA上涂敷的感光材料90的上层涂敷称为顶部涂层的保护层(保护感光材料90使之不受液体的影响的膜)，而该顶部涂层的形成材料(例如氟树脂材料)例如以接触角约110°具有疏液性(疏水性)。因而，也可在基片P的侧面PB 和背面PC上涂敷该顶部涂层形成材料。当然，也可涂敷感光材料90或顶部涂层形成用材料以外的具有疏液性的材料。此外，在本实施形态中，作为基片架PT或基片托PH的疏液处理，涂敷氟树脂材料或丙烯酸树脂材料等，但也可在基片架PT或基片托PH上涂敷上述感光材料或顶部涂层形成材料，相反，也可在基片P的侧面PB或背面PC上涂敷在基片台PST或基片托PH的疏液处理中使用的材料。为了防止液浸区域AR2的液体1浸透到感光材料90中而设置上述顶部涂层的情况较多，但例如即使在顶部涂层上形成液体1的附着痕迹(所谓水迹)，通过在液浸曝光后除去该顶部涂层，也可在与顶部涂层一起除去了水迹后进行显影处理等的规定的工艺处理。在此，在由氟树脂材料形成顶部涂层的情况下，可使用氟类溶剂来除去。由此，不需要用于除去水迹的装置(例如水迹除去用基片清洗装置)等，用由溶剂除去顶部涂层这样的简易的方式，就可在除去了水迹后良好地进行规定的工艺处理。再有，在上述的实施形态中，用真空吸附方式在基片架PT上保持了板构件30、32， 但也可使用电磁夹持机构等其它的夹持机构。〈第2实施形态〉其次，说明本发明的其它的实施形态。在以下的说明中，对于与上述的实施形态为同一或同等的结构部分附以同一符号，简化或省略其说明。图11是示出对基片架PT(基片台PST)装卸的基片托PH的图，图11(a)是侧剖面图，图11(b)是从上方看取下了基片托PH后的基片架PT的平面图。如图11中所示，基片架PT在其上面(对于基片托PH的保持面)具备可嵌合基片托PH的凹部157 ；在凹部157内部设置的、吸附保持在凹部157中配置的基片托PH的多个真空吸附孔158 ；以及在凹部157内部设置的后述的流路159。通过将基片托PH嵌合到凹部157中，对基片架PT和基片托PH进行定位。真空吸附孔158构成了保持在凹部157 中配置的基片托PH的夹持机构的一部分，连接到未图示的真空装置上。利用控制装置CONT 来控制真空装置的驱动。控制装置CONT控制真空装置，经真空吸附孔158进行基片架PT 的对于基片托PH的吸附保持和解除保持。通过解除保持，可进行基片托PH与基片架PT的分离，可更换基片托PH。再有，在此，说明了基片架PT对基片托PH进行真空吸附保持，但也可利用电磁夹持机构等其它的夹持机构来保持基片托PH和解除基片托PH的保持。此外，在此，说明了使用凹部157进行基片架PT和基片托PH的定位，但例如也可作成以光学的方式检测基片托 PH和基片架PT的位置关系、根据该检测结果对于基片架PT将基片托PH定位在规定的位置上的结构。此外，基片托PH具有用于配置基片P的凹部150 ；以及与在凹部157中配置的基片P的表面大致为同一面的平坦面30A。在基片P的周围以环状设置了平坦面30A。在平坦面30A的周围，形成了比该平坦面30A高的侧壁部151。在平坦面30A的周围连续地以环状形成了侧壁部151，在该侧壁部151的内侧(基片P上或平坦面30A上)可保持液体1。例如利用聚四氟乙烯等具有疏液性的材料形成了基片托PH。再有，也可例如用规定的金属形成基片托PH，在该金属制的基片托PH中至少对于平坦面30A涂敷具有疏液性的疏液性材料(聚四氟乙烯等)。当然，也可在金属制的基片托PH的表面的整个区域中涂敷疏液性材料。运送臂80可运送从基片架PT取下的基片托PH。例如，运送臂80从基片架PT (基片台PST)运出(卸载)保持进行了曝光处理后的基片P的基片托PH，在将基片托PH与另外的基片托PH进行了更换后，将该基片托PH运入(装载)到基片架PT上。此外，运送臂 80在将基片托PH运入到基片架PT上时，可只运入基片托PH，也可运入保持了曝光处理之前的基片P的基片托PH。图12是示出基片托PH的图，图12(a)是侧剖面图，图12(b)是从上方看的平面图。在图12中，基片托PH具备可保持上述的液体1的侧壁部151 ；在凹部150的底面部PHT上形成的多个凸部161 ；以及在凸部161的上端面上形成的真空吸附孔162。凸部 161的上端面是平坦面，基片托PH在用多个凸部161的上端面支撑基片P的同时，经真空吸附孔162吸附保持基片P。在此，在基片托PH的凹部150的底面部PHT的多个规定位置上分别设置了凸部161，以使基片P不挠曲。通过用凸部161支撑基片P，在基片P与基片托 PH的底面部PHT之间形成分离部164。再有，在本实施形态中，基片托PH的平面视图形状是大致圆形，但也可以是矩形。此外，在连接基片架PT与基片托PH时，基片托PH的真空吸附孔162经在基片托 PH中形成的流路162A连接到在基片架PT的上面设置的流路159(参照图11(b))上。流路 159连接到真空装置上，控制装置CONT通过驱动真空装置，经基片架PT的流路159、基片托 PH的流路162A和真空吸附孔162吸附保持由凸部161支撑的基片P。在此，在流路162A 中分别设置了由根据控制装置CONT的控制来驱动的电磁阀等构成的阀部162B，可对流路 162A的打开、关闭工作进行遥控操作。控制装置CONT在驱动了真空装置时控制阀部162B 打开流路162A，在停止了真空装置时关闭流路162A。因而，在经真空吸附孔162的对于基片P的吸引工作后，通过在停止真空装置的驱动的同时利用阀部162B关闭流路162A，维持流路162A的负压。因而，在分离了基片架PT与基片托PH时，通过使流路162A为负压，也可维持基片托PH对于基片P的吸附保持。其次，一边参照图13的示意图，一边说明具有上述的结构的曝光装置EX的工作。如图13(a)中所示，利用运送臂(运送装置)80将保持了作为曝光处理对象的基片P的基片托PH与基片P—起运入到基片架PT上。如图13(b)中所示，将基片托PH配置成与在基片架PT上设置的凹部157嵌合，保持在具有真空吸附孔158(图11)的夹持机构上。然后，控制装置CONT驱动真空装置，经流路159、流路162A和真空吸附孔162对基片P 进行真空吸附保持(再有，在图13中未图示)。此时，阀部162B打开流路162A。然后，如图13 (c)中所示，控制装置CONT利用液体供给机构10和液体回收机构20进行液体1的供给和回收，在基片架PT上经基片托PH保持的基片P与投影光学系统PL之间形成液体1的液浸区域AR2。然后，控制装置CONT经投影光学系统PL和液体1在基片P上照射曝光光 EL, 一边移动在基片架PT (基片台PST)上经基片托PH保持的基片P，一边进行液浸曝光。 此时，由于利用吸附保持了的基片P堵塞真空吸附孔162，故即使供给液体1，也不会侵入到真空吸附孔162中。此外，由于基片托PH的侧壁部151的缘故，基片P上或平坦面30A上的液体1也不会流出到基片托PH的外侧。基片P的液浸曝光结束后，控制装置CONT使用液体回收机构20 (参照图2)等回收在基片P上或平坦面30A上残留的液体1。其次，控制装置CONT解除由包含真空吸附孔 158的夹持机构进行的对于基片托PH的保持，同时使用阀部162B堵塞流路162A。然后，如图13(d)中所示，控制装置CONT利用运送臂80从基片架PT与基片P—起运出(卸载)保持了结束曝光处理的基片P的状态的基片托PH。在分离基片托PH与基片架PT时，如参照图12已说明的那样，由于利用阀部162B堵塞连接到吸附保持基片P的真空吸附孔162上的流路162A而维持了负压状态，故维持由凸部161的上端面进行的对于基片P的吸附保持。 此外，在与基片托PH —起运送基片P时，即使假定液体1残留在基片P上或平坦面30A上， 该残留的液体1也不会经流路162A流出。此外，由于残留的液体1保持在侧壁部151内部， 故也不会流出到基片托PH的外侧而在运送路径中飞散。已运出的基片托PH与新的基片托PH更换。然后，控制装置CONT使用运送臂80 将保持了作为曝光处理对象的基片P的新的基片托PH与基片P —起运入到基片架PT(基片台PST)上(参照图13)。这样，即使在本实施形态中，由于更换基片托PH，故也可用表面呈疏液性的基片托 PH保持基片P。〈第3实施形态〉但是，在上述实施形态中，说明了根据其疏液性的恶化来更换在基片P的周围具有平坦面30A的构件(板构件30、第2板构件32、基片托PH)，但优选在基片架PT上设置的板构件30、第2板构件32和基片托PH以外的构件的表面也呈疏液性，最好根据其疏液性的恶化可更换。特别是希望与液体1接触的构件的表面呈疏液性，最好根据其疏液性的恶化可更换。具体地说，在表面上形成液浸区域使用的基准构件300的结构构件、光学传感器 400,500的结构构件也可更换。图14是示出在基片架PT上设置的基准构件300的剖面图。在图14中，基准构件300具备由玻璃构成的光学构件301和在光学构件301的上面301A上形成的基准标记 MFM、PFM。基准构件300安装在基片架PT上，如上所述，配置在第2板构件32上设置的开口部32K中，露出上面301A。而且，基准构件300(光学构件301)对于基片架PT可装卸， 可更换。可在基准构件300和基片架PT上设置将基准构件300再次安装在基片架PT的规定位置上时为了对于基片架PT使基准构件300定位而互相嵌合的凹凸或雌雄构件。或者，也可在基准构件300与基片架PT中埋入磁铁和被其吸引的材料，以便能用磁力使基准构件 300对于基片架PT定位。或者，也可用真空吸引力使基准构件定位在基片架PT上。再有， 也可使用石英作为光学构件301。在基准构件300与开口部3 之间设置了例如约为0.3mm的间隙K。光学构件 301 (基准构件300)的上面301A大致为平坦面，将基片P表面、板构件30的表面30A和第 2板构件32的表面32A设置成大致为同一面。第2板构件32中的基准构件300附近的厚度减薄了，该厚度减薄了的厚度薄的部分32S中的基准构件300 —侧的端部向下方弯曲形成了弯曲部32T。此外，在基片架PT 上形成了向上方突出的壁部310。壁部310对于基准构件300与弯曲部32T相比设置在外侧，连续地形成为包围基准构件300 (弯曲部32T)。而且，弯曲部32T的外侧面32Ta与壁部 310的内侧面3IOA对置，弯曲部32T的内侧面32Tb与光学构件301 (基准构件300)的侧面 301B对置。光学构件301的侧面301B、弯曲部32T的内侧面32 和外侧面32 、壁部310 的内侧面310A和上端面310B分别是平坦面。此外，包含第2板构件32的弯曲部32T的厚度薄的部分32S与壁部310稍微地分离，在其间形成了规定的间隙。对光学构件301的上面301A、侧面301B中至少与弯曲部32T对置的区域、壁部310 的内侧面310A和上端面310B进行疏液处理，使其呈疏液性。作为疏液处理，如上所述，可涂敷氟树脂材料或丙烯酸树脂材料等的疏液性材料等来进行。此外，流入到第2板构件32的弯曲部32T(壁部310)与基准构件301之间的空间 370中的液体1由回收部380回收。在本实施形态中，回收部380具备真空系统383 ；包含可容纳液体1的容器的气液分离器381 ；以及在基片架PT内部设置的、连接空间370与气液分离器381的流路382。对流路382的内壁面也进行了疏液处理。在上述的基准构件300中，可考虑在例如在其上面301A上形成了液体1的液浸区域AR2的状态下进行基准标记检测工作的结构，而由于上面301A上呈疏液性，故在基准标记检测工作结束后，可良好地进行上面301A上的液浸区域AR2的液体1的回收，可防止液体1残留的不良情况。此外，由于光学构件301的侧面301B呈疏液性，同时与该侧面301B 对置的弯曲部32T的内侧面32Tb也呈疏液性，故液体1难以侵入到间隙K中。因此，可防止液体1侵入到空间370中的不良情况。此外，即使假定液体1侵入到空间370中，也可利用回收部380良好地回收液体1。再者，即使液体1侵入到空间370中，由于壁部310的内侧面310A和上端面310B呈疏液性，同时与该壁部310对置的第2板构件32 (弯曲部32T) 也呈疏液性，故可防止侵入到空间370中的液体1越过壁部310侵入到基片架PT内部而产生锈蚀等的不良情况。这样，壁部310具有作为防止液体1的扩散的液体扩散防止壁的功能。此外，在第2板构件32与壁部310的间隙中，利用弯曲部32T形成了在剖面视图中为弯曲的角部，由于该弯曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液体1对于基片架PT 内部的侵入。而且，由于基准构件300(光学构件301)可更换，故在其疏液性恶化了的情况下， 与板构件30同样，与新的(具有充分的疏液性的)基准构件300更换即可。再有，在使用基准构件300的情况下，由于对标记部分局部地照射检测光，故在基准构件300上预先形成了多个同一的基准标记，如果标记部分的表面的疏液性恶化了，就可使用其它的基准标记，为了降低疏液性的恶化速度，也可在每次检测中交替地使用这些标记。由此，可减少基准构件300的更换频度。由于包含使用与曝光波长为同一的检测光的基准标记MFM的部分的疏液性的恶化快，故这样做特别有效。图15是示出在基片架PT上设置的照度不勻传感器400的剖面图。在图15中，照度不勻传感器400具备由石英玻璃等构成的上板401和在上板401下设置的由石英玻璃等构成的光学元件402。在本实施形态中，一体地设置了上板401和光学元件402。在以下的说明中，将上板401和光学元件402合在一起适当地称为「光学构件404」。此外，经支撑部403在基片架PT上支撑了上板401和光学元件402。支撑部403具有包围光学构件404 的连续的壁部。照度不勻传感器400如上所述，配置在第2板构件32上设置的开口部32L 中，露出上面401A。包含上板401和光学元件402的光学构件404对于基片架PT可装卸， 可更换。可在光学构件404和基片架PT上设置将光学构件404再次安装在基片架PT的规定位置上时为了对于基片架PT使光学构件404定位而互相嵌合的凹凸或雌雄构件。或者， 也可在光学构件404与基片架PT中埋入磁铁和被其吸引的材料，以便能用磁力使光学构件 404对于基片架PT定位。或者，也可用真空吸引力使基准构件定位在基片架PT上。在上板401上设置了可通过光的针孔部470。此外，在上板401上的针孔部470以外的部分上设置了包含铬等的遮光性材料的薄膜460。在本实施形态中，在针孔部470内部也设置了由石英玻璃等构成的光学构件，由此，薄膜460与针孔部470为同一面，上面401A 成为平坦面。在光学构件404的下方配置了接受通过了针孔部470的光的光传感器450。在基片架PT上安装了光传感器450。光传感器450对控制装置CONT输出受光信号。在此，用支撑部403、基片架PT和光学构件404包围的空间405是大致密闭的空间，液体1不侵入到空间405中。再有，也可在光学构件404与光传感器450之间配置光学系统(光学元件)。在包含光学构件404和支撑部403的照度不勻传感器400与开口部32L之间，设置了例如约为0. 3mm的间隙L。照度不勻传感器400的上面401A大致为平坦面，将基片P 表面、板构件30的表面30A和第2板构件32的表面32A设置成大致为同一面。第2板构件32中的照度不勻传感器400附近的厚度减薄了，该厚度减薄了的厚度薄的部分32S中的照度不勻传感器400 —侧的端部向下方弯曲形成了弯曲部32T。此外，在基片架PT上形成了向上方突出的壁部310。壁部310对于照度不勻传感器400与弯曲部 32T相比设置在外侧，连续地形成为包围照度不勻传感器400(弯曲部32T)。而且，弯曲部 32T的外侧面32Ta与壁部310的内侧面310A对置，弯曲部32T的内侧面32Tb与照度不勻传感器400的光学构件404和支撑部403的侧面401B对置。侧面401B、弯曲部32T的内侧面32Tb和外侧面32Ta、壁部310的内侧面310A和上端面310B分别是平坦面。此外，包含第2板构件32的弯曲部32T的厚度薄的部分32S与壁部310稍微地分离，在其间形成了规定的间隙。对照度不勻传感器400的上面401A、侧面401B中至少与弯曲部32T对置的区域、 壁部310的内侧面310A和上端面310B进行疏液处理，使其呈疏液性。作为疏液处理，如上所述，可涂敷氟树脂材料或丙烯酸树脂材料等的疏液性材料等来进行。此外，流入到第2板构件32的弯曲部32T (壁部310)与照度不勻传感器400之间的空间470中的液体1由回收部480回收。在本实施形态中，回收部480具备真空系统 483 ；包含可容纳液体1的容器的气液分离器481 ；以及在基片架PT内部设置的、连接空间470与气液分离器481的流路482。对流路482的内壁面也进行了疏液处理。在上述的照度不勻传感器400中，在例如在其上面401A上形成了液体1的液浸区域AR2的状态下，在照射曝光光EL的照射区域(投影区域)内的多个位置上依次使针孔部 470移动。由于上面40IA呈疏液性，故在照度不勻检测结束后，可良好地进行上面40IA上的液浸区域AR2的液体1的回收，可防止液体1残留的不良情况。此外，由于照度不勻传感器400 (光学构件404、支撑部40 的侧面401B呈疏液性，同时与该侧面401B对置的弯曲部32T的内侧面32Tb也呈疏液性，故液体1难以侵入到间隙L中。因此，可防止液体1侵入到空间470中的不良情况。此外，即使假定液体1侵入到空间470中，也可利用回收部480 良好地回收液体1。再者，即使液体1侵入到空间470中，由于壁部310的内侧面310A和上端面310B呈疏液性，同时与该壁部310对置的第2板构件32 (弯曲部32T)也呈疏液性，故可防止侵入到空间470中的液体1越过壁部310侵入到基片架PT内部而产生锈蚀等的不良情况。此外，在第2板构件32与壁部310的间隙中，利用弯曲部32T形成了在剖面视图中为弯曲的角部，由于该弯曲的角部起到密封部的功能，故能可靠地防止液体1对于基片架PT内部的侵入。而且，由于光学构件404可更换，故与板构件30同样，在其疏液性恶化了的情况下，与新的(具有充分的疏液性的)光学构件404更换即可。再有，由于空间像检测传感器500具有与照度不勻传感器400大致同等的结构，故省略其详细的说明，但空间像检测传感器500也具有在基片架PT上经支撑部支撑的上板和由光学元件构成的光学构件，在其上面501A上设置了可通过光的狭缝部570和覆盖该狭缝部以外的部分的由遮光性材料构成的薄膜。而且，在光学构件下配置了接受通过了狭缝部 570的光的光传感器。具有狭缝部570的光学构件根据其疏液性的恶化可更换。再有，在参照上述的图14、图15已说明的实施形态中，通过使形成间隙K、L的构件表面具有疏液性来防止液体1的侵入，但不限于检测构件或传感器周围的间隙，通过使在基片架PT的上面存在的间隙同样地具有疏液性，可防止液体1对该间隙的侵入。此外， 在间隙K、L中配置由树脂等形成的密封构件，可防止液体1的侵入，也可在间隙K、L中充填液体(例如真空油或磁性流体等)使之具有液体密封剂的功能来防止液体1的侵入。在该情况下，密封用的液体最好是难以在液体1中溶出的液体。当然，也可合并使用这些防止液体侵入的对策。此外，没有必要使在基片台PST(基片架PT)上安装的全部的检测构件(基准构件 300的光学构件301、光学传感器400的上板401、光学传感器500的上板501等)的表面 (液体接触面)呈疏液性，可只使这些表面的一部分具有疏液性。此外，在上述的实施形态中，在构件表面的疏液性恶化了的情况下进行更换，但也可在更换某一个构件时，同时也更换更换时期接近的构件。此外，为了更可靠地进行液体(水)的回收，希望基片架PT的表面、即板构件30 和第2板构件32的表面、基准构件300等的表面的对于液体(水)的接触角比80°大，最好大于等于100° (上述的四氟乙烯的对于液体(水)的接触角约为110° )。此外，关于在基片P的表面上涂敷的感光材料(ArF曝光光用的光刻胶)，也希望使用对于液体(水)的接触角比80°大的材料。当然，在使用KrF准分子激光作为曝光光的情况下，希望使用对于液体的接触角比80°大的光刻胶作为KrF曝光光用的光刻胶。
在上述的具体例中例示了同时具备基片架、基准构件300、照度不勻传感器400或空间像检测传感器500等的检测工具的基片台，但也可将本发明适用于保持基片并进行曝光的台和检测用的台不在一起的曝光装置。即，本发明也可应用于具备保持晶片等的被处理基片并可移动的曝光台和备有各种基准构件或检测传感器等的检测构件的检测台的曝光装置。在该情况下，可将在上述的实施形态中在基片台PST上配置了的基准构件或各种检测传感器中的至少一部分配置在检测台上。具备曝光台和检测台的曝光装置例如在特开平11-13M00号公报中记载了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。在本实施形态中，也可适用于安装了 2个保持基片P的基片台(基片架)的双台型的曝光装置。双台型的曝光装置的结构和曝光工作，例如在特开平10-163099号和特开平 10-214783 号(对应的美国专利 6，341，007,6, 400，441,6, 549，269 和 6，590，634)、特表 2000-505958号(对应的美国专利5，969，441)或美国专利6，208，407中公开了，只要在本国际申请中指定或选择的国的法令中容许，引用这些文献的记载内容，作为本文的记载的一部分。〈第4实施形态〉图16是应用了本发明的双台型曝光装置的概略结构图。双台型曝光装置具备可在共同的基座讨上分别独立地移动的第1、第2基片台PST1、PST2。第1、第2基片台PST1、 PST2是具备用与图1 15的关系说明了的那样的结构和功能的基片台，分别具有第1、第 2基片架PT1、PT2，在第1、第2基片架ΡΤ1、ΡΤ2上分别以可更换的方式设置了板构件30和第2板构件32。此外，双台型曝光装置具有曝光工位STl和检测、更换工位ST2，在曝光工位STl上设置投影光学系统PL，在检测、更换工位ST2上安装了基片对准系统、聚焦、矫正检测系统等(在图16中未图示)。而且，在曝光工位STl中在对在第1基片架PTl上保持的基片P进行液浸曝光的期间内，在检测、更换工位ST2中对于第2基片台PST2(第2基片架 PT2)与板构件30 —起装载、卸载基片P。此外，在检测、更换工位ST2中，与曝光工位STl 中的液浸曝光并行地进行第2基片台PST2上的对于基片P的检测工作(聚焦检测工作、对准工作)，在该检测工作结束了后，第2基片台PST2移动到曝光工位ST2上，对第2基片台 PST上的基片P进行液浸曝光处理。这样，在双台型曝光装置的情况下，由于在一个台上的液浸曝光处理中，在另一个台上不仅可进行基片更换或检测处理，而且可进行板构件30的更换，故可提高曝光处理的单位时间的产量。再有，在上述的各实施形态中，说明了根据其疏液性来更换板构件30等，但在例如因某种原因损伤了或污染了的情况下等，当然也可根据疏液性的恶化以外的其它的理由来更换。例如，在板构件30等在长时间内与液体1接触的情况下，由于存在其表面的性能恶化、物质溶出从而污染液体1的可能性，故也可考虑伴随物质溶出的板构件30等的表面性能恶化来决定更换时期。在上述实施形态中，用萤石形成了光学元件2，但例如可使用该萤石的表面的结晶方位为(111)面的萤石。此外，在图1中示出的光学元件2的前端部加、即与液体1接触的部分中，可利用真空蒸镀法形成氟化镁(MgF2)膜作为由单层膜构成的防止溶解膜。〈第5实施形态〉
如在上述的第1实施形态中已说明的那样，在基片台PST上安装了构成照射量监视器、照度不勻传感器等的装置的光学部件、空间像检测装置的指标板、中间掩模的对准时使用的基准标记(基准构件)的情况下，希望这些光学部件的光照射面(液体接触面)具有疏液性。在不能完全地进行照射量监视器、照度不勻传感器等的光照射面上的排水的情况下，存在不能准确地进行光照射量或光照度的检测的危险。此外，在不能完全地进行空间像检测装置的指标板上的排水的情况下，存在由于指标板上的液体蒸发、指标板的面形状变化从而在由空间像检测装置进行的检测中产生误差的可能性。此外，在不能完全地进行基准标记上的排水的情况下，存在由于基准标记上的液体蒸发、基准标记的形状变化从而不能准确地进行中间掩模对准的可能性。因此，要求在基片台上配置的光学部件的表面在长时间内具有疏水性。在该情况下，可考虑通过在光学部件的表面上涂敷非晶质氟树脂并形成薄膜来作成光学性能高的疏水性光学薄膜。即，非晶质氟树脂是树脂中特别透明且紫外线透射率高的材料，而且，由于因树脂表面上配位的-CF3键的缘故，是在有机物中显示出最小的表面张力的树脂，故是具有优良的疏水性能的材料。但是，如果对在光学部件的表面上施加的疏水性光学薄膜在液浸状态下照射能量高的紫外激光，则薄膜吸收的微量的光的能量变换为温度，在比较短的期间内薄膜膨胀，水侵入到膜中。在该情况下，如果氟树脂薄膜与光学部件表面的密接性恶化，则膜剥离，对光学性能产生不良影响，由于疏水性能恶化，存在水滴残留在基片台上的危险。一般来说，已知如果使氟烷基硅烷那样的偶合剂与光学部件表面反应来形成粘接层并在其上形成氟树脂薄膜，则可得到密接性良好的薄膜，但按照本发明者的调查，由于氟烷基硅烷吸收紫外激光而分解，故可知不能得到激光照射后的密接性。在本实施形态中，一边参照附图，一边说明适合于在长时间内可维持疏水性的液浸型投影曝光装置的光学部件。图19是示出在晶片台上安装的光学部件的图。图20是示出在晶片台上安装的光学部件的结构的图。在图19中示出的晶片台609上安装了用于监视曝光光的照射量的照射量监视器的光入射窗(光照射面)650和用于检测曝光光的照度不勻的照度不勻传感器的光入射窗 (光照射面)652等的光学部件。此外，安装了进行投影光学系统的光学特性等的检测的空间像检测装置(AIS系统)的指标板(光照射面)6 和中间掩模的对准时使用的基准标记 (FM)(光照射面)656等的光学部件。在此，如图20中所示，利用石英玻璃660构成照射量监视器的光入射窗(光照射面)650(和照度不勻传感器的光入射窗(光照射面)652)，在其表面上形成由二氧化硅(SiO2)形成的微粒子层(粘接微粒子层)662，在微粒子层的表面上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜664。此外，利用石英玻璃和在该石英玻璃的表面上形成的铬(金属)图案构成空间像检测装置(AIS系统)的指标板肪4和基准标记(FM)656，在其表面上形成由二氧化硅 (SiO2)形成的微粒子层(粘接微粒子层)，在微粒子层的表面上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜。按照与本实施形态有关的光学部件，由形成粘接微粒子层的二氧化硅(SiO2)构成的的微粒子层与基体材料的玻璃(主要成分SiO2)的亲和性良好，可得到与基体材料的玻璃良好的密接性。此外，在表面上产生来源于粒子的直径的凹凸。再者，二氧化硅等是紫外线透射率非常高的材料，其本身的激光照射耐久性也高。在本实施形态中，在形成了由二氧化硅(SiO2)构成的微粒子层后在该微粒子层上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜。以非晶质氟树脂进入二氧化硅等的微粒子的空隙中而将其包围的方式干燥、固化。由于非晶质氟树脂本身的机械的强度高，故与基体材料密接的疏水性膜的强度高。此外，因为在光照射面上形成的疏水性膜具有高的激光照射耐久性，故可在长时间内维持在投影曝光装置上安装的光学部件的光照射面的疏水性。此外，按照与本实施形态有关的投影曝光装置，由于在基片台上安装了可在长时间内维持光照射面的疏水性的光学部件，故即使在重复进行液浸曝光的情况下，也能可靠地进行光学部件的光照射面上的排水。再有，在上述的实施形态中，在光学部件的光照射面上形成了由用二氧化硅 (SiO2)构成的微粒子层构成的粘接微粒子层的基础上形成了由非晶质氟树脂构成的疏水性膜，但也可在光照射面上代替二氧化硅(SiO2)形成了由氟化镁(MgF2)或氟化钙(CaF2)构成的粘接微粒子层的基础上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜。或者，可混合或层叠二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)和氟化钙(CaF2)中的任意的二种来构成粘接微粒子层，也可混合或层叠这些材料的三种来构成粘接微粒子层。即使在该情况下，与在形成了由用二氧化硅(SiO2)构成的微粒子层构成的粘接微粒子层的基础上形成了由非晶质氟树脂构成的疏水性膜的情况同样，可作成在激光照射耐久性方面优良的疏水性膜。此外，在上述的实施形态中，在光学部件(例如光入射窗650)的光照射面上形成了由用二氧化硅(SiO2)构成的微粒子层构成的粘接微粒子层的基础上形成了由非晶质氟树脂构成的疏水性膜，但也可如图21中所示，通过例如使用氟化氢(或将氟化氢溶解于水的氢氟酸)刻蚀由石英玻璃666形成的光照射面的表面来形成粘接面(刻蚀面)668，在粘接面668的表面上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜670。在该情况下，由于具有用在光照射面上使用氟化氢刻蚀了的刻蚀面构成的粘接面，故如果在粘接面上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜，则以非晶质氟树脂进入微粒子的空隙中而将其包围的方式干燥、固化。 由于非晶质氟树脂本身的机械的强度高，故与基体材料密接的疏水性膜的强度高。此外，在本实施形态中，光照射面在基体材料玻璃和基体材料玻璃的表面的一部分上具有用于形成图案的金属膜(铬等)，在其上形成了由非晶质氟树脂构成的疏水性膜， 但也可具有在基体材料玻璃和基体材料玻璃的整个面上形成的金属膜，在其上形成由非晶质氟树脂构成的疏水性膜。这样的光学部件用作在监视投影透镜的透射率等时使用的高反射片。此外，在本实施形态中，使用了以石英玻璃作为基体材料玻璃，但也可使用低膨胀的玻璃。以下，利用实施例具体地说明本实施形态的光学部件的制造方法。实施例A通过利用照射超声波的自动清洗装置清洗或通过用浸透乙醇的布等擦拭进行成膜的光学部件(石英玻璃)的光照射面的表面，将表面清洗成高度清洁的表面。其次，在光学部件的表面上滴下相当量的将平均粒径为SOnm的MgF2的微粒子稳定地分散在碱溶液中的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约150°C的干燥炉中进行1 2小时的干燥。进而在冷却到室温的光学部件上滴下相当量的溶解了非晶质氟树脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约100°C的干燥炉中进行1 2小时的干燥。利用上述的工序，制造在基体材料玻璃(石英玻璃)上具有 MgF2膜和非晶质氟树脂膜的光学部件。实施例B通过利用照射超声波的自动清洗装置清洗或通过用浸透乙醇的布等擦拭进行成膜的光学部件(石英玻璃)的光照射面的表面，将表面清洗成高度清洁的表面。其次，在光学部件的表面上滴下相当量的将平均粒径为SOnm的SW2的微粒子稳定地分散在碱溶液中的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约150°C的干燥炉中进行 1 2小时的干燥。进而在冷却到室温的光学部件上滴下相当量的溶解了非晶质氟树脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约100°C的干燥炉中进行1 2小时的干燥。利用上述的工序，制造在基体材料玻璃(石英玻璃)上具有 SiO2膜和非晶质氟树脂膜的光学部件。实施例C在将高精度地研磨到约0. 2nmRMS的粗糙度的光学部件(石英玻璃)的表面在5 秒间浸渍于稀释为5%的氢氟酸中后，用纯水洗涮氢氟酸，用浸透乙醇的布等擦拭。在该表面上滴下相当量的溶解了非晶质氟树脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约100°C的干燥炉中进行1 2小时的干燥。利用上述的工序， 制造在基体材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶质氟树脂膜的光学部件。比较例通过利用照射超声波的自动清洗装置清洗或通过用浸透乙醇的布等擦拭进行成膜的光学部件(石英玻璃)的光照射面的表面，将表面清洗成高度清洁的表面。其次，滴下相当量的溶解了非晶质氟树脂(旭硝子(株)的「寸4卜W」)的涂液，用高速旋转装置进行旋转涂敷。干燥到涂液丧失流动性为止后，从高速旋转装置取下光学部件，为了使涂液完全干燥，使其在约100°c的干燥炉中进行1 2小时的干燥。利用上述的工序，制造在基体材料玻璃(石英玻璃)上具有非晶质氟树脂膜的光学部件。(剥离测试)对于用上述的实施例A C和比较例得到的光学部件，进行了使用透明绞带的剥离测试(带测试)。关于带测试，使用宽度为18mm的二 ★ 〃 >株式会社的透明绞带，在粘贴带时，用手指用力地抹平3次，通过迅速地垂直地剥离，判断了膜的剥离的程度。将在各例子中得到的光学部件作为样品，各准备3个样品，分别进行了测试。作为评价值的基准，将在疏水层中有大于等于Φ5πιπι的剥离的情况定为「发生剥离」，将除此以外的情况定为「没有剥离」。3/3表示3个样品中都剥离了。(试验结果)实施例B 实施例C
说明书
权利要求
1.一种经液体对基片照射曝光光以对上述基片曝光的曝光装置，其特征在于 具备将图案的像投影在上述基片上的投影光学系统； 用于保持上述基片的基片台；以及在上述基片台以可装卸的方式设置、具有其表面与由该基片台保持的上述基片表面大致为同一面的平坦部的构件。
2.如权利要求1中所述的曝光装置，其特征在于 上述构件其表面的至少一部分具有疏液性。
3.如权利要求2中所述的曝光装置，其特征在于 上述构件是根据其疏液性的恶化来更换。
4.如权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于 在上述基片的周围配置了上述平坦部。
5.如权利要求1至4中任一项所述的曝光装置，其特征在于 具备用于对上述基片台装卸上述构件的装卸机构。
6.如权利要求5中所述的曝光装置，其特征在于上述装卸机构可将上述构件与上述基片一起从上述基片台取下。
7.如权利要求2或3中所述的曝光装置，其特征在于 上述构件的至少其疏液性部分由聚四氟乙烯形成。
8.一种器件制造方法，其特征在于使用权利要求1至7中任一项所述的曝光装置。
9.一种经投影光学系统和液体在基片上照射曝光光以对上述基片进行液浸曝光的曝光方法，其特征在于用基片保持构件保持上述基片，上述基片保持构件在上述基片的周围具有其表面与该基片表面大致为同一面的平坦部， 将保持上述基片的上述基片保持构件运入到基片载台上， 对运入到上述基片载台上的上述基片进行液浸曝光，在上述液浸曝光结束后，从上述基片载台运出保持上述基片的上述基片保持构件。
10.如权利要求9中所述的曝光方法，其特征在于 上述基片保持构件的平坦部的表面呈疏液性。
11.一种器件制造方法，其特征在于 使用权利要求9或10中所述的曝光方法。
12.—种经液体对基片照射曝光光以对上述基片曝光的曝光装置，其特征在于 具备将图案的像投影在上述基片上的投影光学系统； 可相对上述投影光学系统移动的移动载台；以及在上述移动载台上以可装卸的方式设置、具有使该移动载台的上面全面为大致同一面的平坦部的构件。
13.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于移动载台具有保持上述基片的基片载台和检测载台的至少一个。
14.如权利要求12或13中所述的曝光装置，其特征在于 上述移动载台具有多个载台。
15.如权利要求12至14中任一项所述的曝光装置，其特征在于 上述构件，其至少一部分具有疏液性，根据其疏液性的恶化来更换。
16.如权利要求12至15中任一项所述的曝光装置，其特征在于上述移动载台具备保持上述构件的保持部和在上述保持部上以可装卸的方式安装上述构件的吸附装置。
17.如权利要求16中所述的曝光装置，其特征在于 上述移动载台包含保持上述基片的基片载台，上述构件是具有与上述基片的背面对置的第1面和沿上述基片的表面在该基片外侧延伸的第2面的台阶状构件。
18.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于 至少上述第2面具有疏液性。
19.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于还具备具有沿上述基片的表面在上述构件外侧延伸的第3面且与上述构件嵌合的外部构件，至少上述第3面具有疏液性。
20.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于上述移动载台具备使上述构件相对上述保持部升降的升降装置。
21.如权利要求20中所述的曝光装置，其特征在于上述升降装置在上述构件支撑上述基片的状态下使上述构件从上述保持部上升。
22.如权利要求17中所述的曝光装置，其特征在于上述基片载台具有支撑上述基片的背面的缘部的支撑部、沿上述基片的表面在上述基片外侧延伸的平坦部、和与该平坦部连接且比该平坦部高的侧壁的基片托。
23.如权利要求22中所述的曝光装置，其特征在于 上述基片载台具备放置上述基片托的基片台，上述基片托与上述基片台分别具有互相连通的流路。
24.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于上述构件于至少一部分具有疏液性，该具有疏液性的部分由氟化物形成。
25.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于上述构件包含搭载于上述移动载台的光学传感器的至少一部分。
26.如权利要求25中所述的曝光装置，其特征在于 上述光学传感器的至少一部分的光照射面呈疏液性。
27.如权利要求12中所述的曝光装置，其特征在于 上述移动载台包含保持上述基片的基片载台，上述构件在由上述基片载台保持的上述基片的周围形成平坦面。
28.如权利要求27中所述的曝光装置，其特征在于由上述基片载台保持的基片的表面与其周围的平坦面大致为同一面。
29.一种器件制造方法，其特征在于使用权利要求12至18中任一项所述的曝光装置。
全文摘要
本申请公开了一种曝光装置、曝光方法和器件制造方法。曝光装置(EX)是经投影光学系统(PL)和液体(1)将曝光光(EL)照射到基片(P)上以对基片(P)进行曝光的装置。该曝光装置(EX)具有用于保持该基片(P)的基片台(PT)。将具有疏液性的平坦面(30A)的板构件(30)以可更换的方式安装到上述基片台(PT)上，以防止液体残留，维持良好的曝光精度。
文档编号H01L21/027GK102163004SQ20111008947
公开日2011年8月24日 申请日期2004年12月3日 优先权日2003年12月3日
发明者蛭川茂, 长坂博之, 高岩宏明 申请人:株式会社尼康