专利名称：一种薄膜条形结构、太阳能电池及其制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体工艺，特别涉及一种新型、高效率、低成本的薄膜条形结构、太阳能电池的制造方法。
背景技术：
薄膜条形结构用一层薄膜制备成半导体器件，其用半导体材料极少，因此较容易降低成本。对于薄膜条形结构的典型应用-薄膜太阳能电池，它不仅是一种高效能源产品，而且也可作为一种新型的建筑材料，更容易实现与建筑的完美结合。在国际市场硅原材料持续紧张的背景下，薄膜太阳能电池已成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。目前，已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池。由于薄膜太阳能电池用料少、工艺简单、能耗低，成本有一定优势，因此得到了较快的发展。
如图I、图2所示，为现有技术的一种薄膜太阳能电池结构及将太阳能转化为电能的示意图。从图I可以看出，现有技术在晶圆的厚度方向上形成的薄膜太阳能电池结构200，其电极230分别在电池基板210的两侧，两电极230之间的区域为进光区220，电池基板210内为PN结。图2为图I所示的薄膜太阳能电池结构200在AA’方向的视图，可以看出，当电池基板210受光后，PN结中，N型半导体的空穴240往P型区移动，而P型区中的电子241往N型区移动，从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。对于其上制作了大量薄膜条形结构的晶圆，其表面覆盖了大面积的薄膜，在分离出薄膜条形结构时，很容易使得表面的薄膜受到破坏，划片后边缘的薄膜与衬底分层等可靠性问题。并且分离条形结构时的划片操作容易造成不规则的裂纹破坏条形结构的半导体基板。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷，特别是解决对晶圆上形成的表面覆盖大面积薄膜的条形结构进行分离的问题。为达到上述目的，本发明一方面提出一种薄膜条形结构的制作方法，所述方法包括提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面；在所述第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔；从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间；以及从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构，其中，所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜条形结构的半导体基板。本发明另一方面还提出一种薄膜条形结构，所述结构包括半导体基板，所述半导体基板包括第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面；位于所述半导体基板的第三表面上的第一结构，以及位于第四表面上的第二结构；以及位于所述半导体基板第一表面和第二表面上的侧墙，其中，在所述半导体基板的端面边缘上具有凹痕或分离孔缺口。本发明再一方面还提出一种薄膜条形结构阵列，所述阵列包括多个薄膜条形结构，相邻的两个基板在第一表面或第二表面上由一个基片相连接；在所述基板两端的第一表面或第二表面上具有用于分离的凹痕或分离孔的缺口。优选地，所述多个基板竖直排列，使其第一表面和第二表面分别共面；所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面或第二表面的外侧；每个基板的第二表面与其一侧相邻基板的第二表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第一表面与其另一侧相邻基板的第一表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反。优选地，所述多个基板水平排列，使其第三表面和第四表面分别共面； 所述基片，形成在相邻的所述基板相对的两个表面上并可弯曲地连接所述相邻的 两个基板。本发明再一方面还提出一种太阳能电池，其中包括上述所述的薄膜条形结构，或者上述所述的薄膜条形结构阵列。通过本发明的制造方法，利用分离孔引导对薄膜条形结构的分离，不会对薄膜条形结构的基板及其表面的薄膜产生破坏。对于本发明制造方法制作的薄膜太阳能电池，有效地利用了衬底(或晶圆)的厚度，增大电极的有效面积，并将电极与进光面设置在同一侦牝从而能够有效减小复合距离，缩短电极之间的距离，减小载流子的复合电流，提高发电效率。本发明的电池结构，在半导体基板的侧壁形成了绝缘层，一方面，减少载流子在侧壁部分的复合，进一步提高发电效率，另一方面，绝缘层上还可形成与电极相连接的导电层并隔离导电层，防止了两电极可能的短路，通过导电层实现电池阵列中各个结构间为并联，减小了连接电阻，提高了发电效率。本发明附加的方面和优点将在下面的描述部分中给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图I为现有技术的薄膜太阳能电池结构的示意图；图2为图I所示的薄膜太阳能电池结构在AA’方向的视图；图3为根据本发明实施例的薄膜条形结构的制造方法的流程图；图4为根据本发明实施例的薄膜条形结构的平面视图；图5a、6a、7a、8a、9a、10a和Ila为根据本发明实施例的薄膜条形结构的各个制造阶段沿着图4中所示的A-A’截线截取的剖面图；图5b、6b、7b、8b、9b、10b和Ilb为根据本发明实施例的薄膜条形结构的各个制造阶段沿着图4中所示的1-1’截线截取的剖面图；图12a为根据本发明实施例的薄膜条形结构沿着分离孔分离条形结构后的平面视图12b为根据本发明实施例的薄膜条形结构沿着分离孔分离条形结构后沿着图12a的1-1’截线截取的截面视图；图13a为从图12a切除左右两侧多余晶圆之后形成的结构的平面视图；图13b为沿着图13a所示A-A’截线的截面视图；图14为图13b所示的结构沿着左右两侧拉伸张开后的截面视图；图15为图14所示的结构切除连接条形结构之间的连接薄膜之后的截面视图；以及图16为根据本发明实施例的薄膜太阳能电池的结构及工作原理图。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。如图3所示，为本发明实施例的形成薄膜条形结构的方法的流程图，包括以下步骤步骤S101，提供半导体衬底，所述半导体衬底101具有第二掺杂类型或者无掺杂，所述半导体衬底101包括第一表面101-1和与其相对的第二表面101-2，参考图4、5。在本发明的一个实施例中，半导体衬底101为单晶硅、单晶锗或单晶锗硅，优选地，表面101-1、101-2的晶向为〈110>或〈112>，在另外的实施例中，半导体衬底101还可以为多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、III-V或II-VI化合物半导体及其组合。当所述半导体衬底101具有第二掺杂类型时，所述第二掺杂类型可以为P型掺杂或n型掺杂，在一个本发明的实施例中，可以选择P型晶圆或者n型晶圆，在其他实施例中，可通过在半导体衬底进行所需掺杂配置来形成。其中，该半导体衬底的厚度可为0. 2-5mm。步骤S102，从所述第一表面101-1刻蚀半导体衬底101形成至少两个第一沟槽125，以及从所述第二表面101-2刻蚀半导体衬底101形成至少一个第二沟槽126，每个所述第二沟槽126位于相邻的两个所述第一沟槽125之间，并且在第一表面101-1和/或第二表面101-2上形成至少一排分离孔如图9a和图9b所示。本发明的一个实施例的实现步骤如图4-9所示。在半导体衬底101为单晶半导体材料的情况下，与第一沟槽125和第二沟槽126侧壁垂直的方向上半导体衬底101的晶向优选为〈111〉，而半导体衬底第一和第二表面的晶向优选为〈110〉或〈112〉。具体来说，首先，如图4(俯视图)、图5a(AA’截面视图)和图5b(ll’截面视图)所示，在半导体衬底101的第一表面101-1、第二表面101-2及侧面上形成绝缘层100，例如氮化物层(Si3N4等)，在该实施例中该绝缘层100为氮化物材料，具有刻蚀阻挡层以及绝缘层的作用，接着在绝缘层100上形成带图形的光刻胶110 (或光阻)，其中该光刻胶110的图形与需要刻蚀的至少两个第一沟槽、分离孔相对应。其中，优选地，所述第一沟槽等间距排列，分离孔位于第一沟槽末端的两侧，排列成行并与第一沟槽相交或垂直。如图4所示，为本发明实施例的淀积了绝缘层100和带图形的光刻胶110的硅晶片的俯视图，硅晶片的晶向如图所示，形成带图形的光刻胶110可用公知的方法实现。如图5a和图5b所示，为本发明实施例图4所示的淀积了绝缘层100和带图形的光刻胶110的硅晶片的A-A’和1-1’剖面图。优选地，光刻胶110上形成的图形具有平行的条形光刻胶开口(图4、5a)和与在与条形光刻胶开口相垂直的方向上排列的多列孔状光刻胶开口(图4、5b),从光刻胶开口中暴露出绝缘层100。接着刻蚀从光刻胶开口暴露出来的绝缘层100至半导体衬底101后形成第一开口 121和第二开口 122，第二开口 122对应分离孔的位置，去除带图形的光刻胶110，从而形成构图的绝缘层120，如图6a和图6b所示。如图7a、图7b所示，为本发明实施例的去除半导体衬底第一表面光刻胶后对第二表面的绝缘层100形成图形化的光刻胶130的示意图。而后，参照图8a和图8b，刻蚀氮化物层100至半导体衬底101后，在半导体衬底的第二表面上的绝缘层100上形成与第二沟槽对应的第三开口 123和以及和分离孔对应的第四开口 124，每个第三开口 123的位置位于两个第一开口 121之间，每个第四开口 124的位置与第二开口 122关于半导体衬底101基本上呈镜像对称，在其他实施例中也可以只在半导体衬底的一侧形成分离孔，同样可以实现本发明的目的。去除带图形的光刻胶130，从而形成构图的绝缘层120。作为本发明的一个优选实施例，每个第一开口 121和每个第三开口 123之间的间隔相等，以使后续步骤中形成第二沟槽到两侧的第一沟槽的距离相等，从而能够有效提高生产效率，降低成本。
而后，为节省制造时间和降低制造成本，以绝缘层120为掩膜，从第一开口 121、和第三开口 123同时对由开口暴露的半导体衬底101进行各向异性刻蚀，最终停止于半导体衬底101相对侧的绝缘层上，以形成开口方向相反的第一沟槽125和第二沟槽126，以及与此同时，对第二开口 122和第四开口 124的刻蚀形成第一分离孔127和第二分离孔128 (参见图9b)。当第一沟槽125和第二沟槽之间126的半导体衬底101形成薄膜条形结构的半导体基板150，所述半导体基板150的厚度为大约5-120 u m，宽度为大约0. 2_5mm，所述厚度为属于同一基板150的、相邻沟槽125、126的侧壁所对应的表面之间的距离，所述宽度为第一表面101-1和第二表面101-2之间的距离，如图9a所示。如图9b所示，所述分离孔形状可以是圆形、矩形、多边形，其大小为1-20微米，由于分离孔127的直径较小，因此在刻蚀沟槽时对分离孔127的刻蚀不会导致半导体衬底被刻穿而是仅仅形成一个锥形的凹坑。具体地，可采用干法刻蚀，例如RIE，或湿法刻蚀来各向异性刻蚀半导体衬底形成第一沟槽125和第二沟槽126。特别地，当所述衬底包含单晶材料时，例如单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合时，可以利用湿法刻蚀，例如采用氢氧化钾(K0H)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺-邻苯二酚(EDP)等溶剂进行刻蚀，这样形成的第一沟槽和第二沟槽，其侧壁所对应的表面的晶向为〈111〉。第一沟槽125和第二沟槽126之间的距离(即半导体衬底101水平方向的宽度)决定了薄膜条形结构的厚度，从而本方法用光刻来控制薄膜条形结构的厚度。薄膜条形结构的厚度为10-120微米。另外，在本发明的实施例中，在刻蚀第一沟槽和第二沟槽之后，无需去除绝缘层120。为了提高制造太阳能电池器件的光电转换效率，在刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽后可以对所述第一沟槽和/或第二沟槽的侧壁进行绒面化处理，例如可以采用反应离子刻蚀或各向同性酸刻蚀形成凸凹不平的沟槽侧壁，增加陷光效果。另外，在本发明中，第一沟槽125和第二沟槽126的深度可小于或等于半导体衬底101的厚度，例如可以只刻蚀一部分半导体衬底，即第一沟槽125和第二沟槽126的底部没有暴露出相对侧的绝缘层120，同样也可实现本发明的目的。上述形成第一沟槽125和126的方法为本发明的一个实施例，当然本领域技术人员还可以选择其他方法形成，这些达到与本发明等同效果的方法均应包含在本发明的保护范围之内。步骤S103，至少在第一沟槽的侧壁上形成第一结构160，如图IOa和图IOb所示。所述第一结构160可以为多层结构，在本发明的一个实施例中，第一结构160包括第一半导体层160-1和第一电极层160-2，所述第一半导体层具有第一掺杂类型，所述第一掺杂类型与第二掺杂类型相反，就是说当第一类型的掺杂为P型时，第二类型的掺杂为n型，第一类型的掺杂为n型时，第二类型的掺杂为p型。所述第一半导体层160-1可以通过掺杂离子扩散的方法，在第一沟槽125侧壁内形成具有第二掺杂类型的第一半导体层160-1 ;还可以通过在所述结构上沉积具有第二掺杂类型的第一半导体层160-1来形成，而后还可以进一步进行扩散，此实施例中，所述第一半导体层160-1可以是非晶态硅a-Si、多晶硅poly-Si、单晶硅或其组合。特别地，也可以覆盖整个第一沟槽125形成所述第一结构160。在本发明的另一个实施例中，还可以在形成第一半导体层160-1之前，至少在所述第一沟槽125的侧壁形成第一本征非晶态娃层i-a-Si,第一本征非晶态娃层为未掺杂的 非晶态硅，厚度为大约1-lOnm，在此实施例中，第一半导体层160-1为具有第二掺杂类型的非晶态娃a-Si,厚度为大约10-50nm。形成第一半导体层160-1后，在其上形成第一电极层160-2。作为本发明的一个优选实施例，淀积透明导电氧化物TCO(Transparent Conductive Oxide)以形成第一电极层160-2，以便减少电阻和增加电池发电效率。作为本发明的一个优选实施例，在淀积时，温度控制在550°C以下。作为本发明的一个优选实施例，TCO为SnO2和ZnO，其他的实施例中，TCO 还可以为 ln203、HO, CdO, Cd2SnO4, FTO, AZO 或其组合。步骤S104，至少在第二沟槽126的侧壁上形成第二结构170，如图IIa和图IIb所示。所述第二结构170可以为一层或多层结构。在本发明的一个实施例中，所述第二结构170为一层结构，其包括第二电极170-2，这可通过覆盖第二沟槽来形成。在本发明的另一个实施例中，所述第二结构170为多层结构，第二结构170可以包括具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1和第二电极层170-2，所述第二半导体层170-1可以通过掺杂离子扩散的方法，在第二沟槽126侧壁内具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1 ;还可以通过在所述结构上沉积第二掺杂类型的第二半导体层170-1来形成，而后还可以进一步进行扩散，此实施例中，所述第二半导体层170-1可以是非晶态硅a-Si、多晶硅poly-Si、单晶硅或其组合。特别地，也可以覆盖整个第二沟槽126形成所述第二结构170。在本发明的再一个实施例中，还可以在形成第二半导体层170-1之前，至少在所述第二沟槽126的侧壁形成第二本征非晶态硅层i-a-Si，第二本征非晶态硅层为未掺杂的非晶态硅，厚度为大约1-lOnm，在此实施例中，第二半导体层170-1为具有第二掺杂类型的非晶态娃a-Si,厚度为大约10-50nm。在形成第二半导体层170-1后，在其上形成第二电极层170-2，同样，第二电极层170-2可以由任意导电材料形成，比如金属材料，作为本发明的一个优选实施例，淀积透明导电氧化物TCO(Transparent Conductive Oxide)以形成第二电极层170-2,以便减少电阻和增加电池发电效率。作为本发明的一个优选实施例，在淀积时，温度控制在550°C以下。作为本发明的一个优选实施例，TCO为SnO2和ZnO，其他的实施例中，TCO还可以为ln203、IT0、Cd0、Cd2Sn04、FT0、AZ0或其组合。当第二结构170作为太阳能电池的背光面时优选采用铝或银作为第二电极层170-2，以增加入射光线在太阳能电池内的反射，增加转换效率。S105,从所述分离孔127和/或分离孔128分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体基板以形成薄膜太阳能电池结构，其中，所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜条形结构的半导体基板，所述第一结构、第二结构或其组合为所述薄膜条形结构的感应面。首先，用激光束、其它切割工具或者夹持工具沿所述第一分离孔127和/或第二分离孔128切掉或掰折边缘的晶圆，如图12a、图13a所示，为本发明实施例的除去边缘晶圆后的俯视图。如图12b和图13b所示，为本发明实施例的除去边缘晶圆后的1-1’剖面图和A-A’剖面图。由于分离孔的引导，晶圆上的应力会集中在分离孔的排列方向上，因此晶圆会沿着分离孔排列方向裂开，对表面覆盖薄膜的晶圆的分离变得容易，不会破坏表面的多层薄膜结构和薄膜条形结构的半导体基板。在分离所述薄膜条形结构之后，在薄膜条形结构两端呈现半个分离孔形状的缺口 140。如图13a和13b所示的薄膜条形结构竖直排列形成薄膜条形结构阵列，其中多个薄膜条形结构的第一表面和第二表面共面，相邻的薄膜条形结构的半导体基板在第一表面或第二表面上由包含所述绝缘层的基片120相连接。 而后，从第一沟槽和第二沟槽切割或沿着薄膜条形结构的横向方向拉伸该半导体衬底形成薄膜条形结构阵列，其中第一结构覆盖的第一沟槽部分形成该薄膜条形结构的第一结构，第二结构覆盖的第二沟槽部分形成该薄膜条形结构的第二结构，第一结构、第二结构或其组合为该薄膜条形结构的感应面。如图14所示，为拉伸后形成的平面状态的一块薄膜条形结构阵列的示意图(沿A-A’剖面)，这样形成的多个薄膜条形结构190的第三表面和第四表面分别共面，并且连接相邻薄膜条形结构190的基片120被弯曲，相邻的基片120的弯曲曲率相反。如图15所示，为切除弯曲的基片后形成的分离的多块薄膜条形结构190的示意图(沿A-A’剖面)，在该薄膜条形结构的一个与A-A’剖面平行的端面，包含有半个分离孔的缺口 140 (如图12b所示)。上文描述通过刻蚀沟槽的同时形成分离孔来实现薄膜条形结构从半导体衬底上分离的方案。在本发明的另一个实施例中，也可以在刻蚀沟槽之前对半导体衬底上预定要分离薄膜条形结构的位置刻划预留的划痕。优选地，在半导体衬底为单晶硅的情况下，通过机械刀具分别在将形成薄膜条形结构的两端分别沿着〈111〉晶向的方向划出至少一条
10-20微米深的划痕。优选地，在半导体衬底的两侧对称地形成划痕。也可以用激光设备在将形成薄膜条形结构的两端分别形成沿着〈111〉晶向的方向排列的多个凹坑。如果已经预先形成分离孔或凹痕，则在后续刻蚀半导体衬底形成沟槽时，不需要构图用于形成分离孔的第二开口和第四开口。图16为通过上述步骤形成的典型薄膜条形结构-太阳能电池的结构及工作原理图，当阳光照射到太阳能电池时，在硅或半导体基板150中产生电子和空穴，电子和空穴被pn结电场分离，扩散到终端Tl和T2，最终在终端的Tl和T2间形成约0. 3至0. 8V的电压，从而实现太阳光能向电能的转换。光照射通常从第一结构160进入薄膜太阳能电池结构，但由于薄膜太阳能电池结构的厚度薄，也可选择从第二结构170进入。用这种方法形成的薄膜太阳能电池结构的厚度由第一沟槽和第二沟槽之间的距离决定(图9a)，也就是用光刻控制，用现有光刻技术能容易达到很薄的厚度，如5 y m。同时此厚度也决定了第一结构和第二结构之间的距离。另外，用这种方法形成的薄膜太阳能电池结构的宽度由沟槽的深度决定，最深可以为该半导体衬底的厚度(图9a)。与图I中现有技术对比，用本发明的这种方法形成的薄膜太阳能电池结构的第一结构和第二结构之间的距离由相邻沟槽之间的距离决定，与半导体晶圆的厚度无关，所以第一结构和第二结构之间的距离能大大缩短，而且此方法可以用厚的半导体衬底(比如l_5mm)来实现宽的薄膜太阳能电池结构，同时不会增加第一结构和第二结构之间的距离，不会影响发电效率。采用厚的半导体衬底，和薄的半导体衬底相比，这种方法能进一步降低薄膜太阳能电池结构的单位面积成本。薄膜太阳能结构在平行于A-A’剖面的端面留有半个分离孔的缺口，在制造过程中，采用分离孔引导裂缝的导向，避免了对衬底表面薄膜和条形结构的破坏，提高产率。本发明通过利用衬底的厚度，在衬底厚度方向所在的平面上形成电极，并将太阳能电池的电极和进光面设置在同一侧，从而能够有效减小复合距离，缩短电极之间的距离，减小体复合电流，提高发电效率。并且，本发明的结构在电池基板的两侧具有绝缘层，可以进一步减少载流子在侧面的复合，提闻发电效率。进而，通过切割所形成的条形结构，还形成了一种新的薄膜条形结构，如图15所 示。该结构包括半导体基板150，所述半导体基板150具有第二掺杂类型，所述半导体基板150包括第三表面150-1和与其相对的第四表面150-2 ;位于所述半导体基板的第三表面150-1上的第一结构160，以及位于第四表面150-2上的第二结构170，所述第一结构160、第二结构170或其组合为薄膜条形结构的感应面；位于半导体基板150两侧及所述第三表面150-1和第四表面150-2之间的侧墙，位于平行于图示剖面的该结构的端面的分离孔缺口。在一个实施例中，所述侧墙包括绝缘层120,优选地,所述侧墙还可以进一步包括绝缘层120上的导电层180，其中所述导电层180-1与第一电极层160-2相连接，所述导电层180-2与第二电极层170-2相连接，所述导电层180-1还可以与所述第一电极160-2为一体结构，所述导电层180-2还可以与所述第二电极170-2为一体结构，由TCO材料形成。所述绝缘层120的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。在本发明的一个实施例中，所述半导体基板为单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe，优选地，所述第三表面和第四表面的晶向为〈111〉，与第三表面垂直的面的晶向为〈110〉或〈112〉。在其他实施例中，所述半导体基板还可以为多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、III-V或
II-VI化合物半导体及其组合。所述半导体基板具有第二掺杂类型，所述第二掺杂类型可以为P型掺杂或n型掺杂。所述半导体基板第三表面与第四表面间的厚度为大约5-120 iim，基板的宽度为大约0. 2-5mm。所述第一结构160可以为多层结构，在本发明的一个实施例中，第一结构160包括具有第二掺杂类型的第一半导体层160-1和第一电极层160-2，所述第一半导体层160-1可以是非晶态硅a-Si、多晶硅poly-Si、单晶硅或其组合。在另一个实施例中，第一结构160包括具有第二掺杂类型的第一半导体层160-1、第一电极层160-2以及位于第一半导体层160-1和半导体基板150之间的第一本征非晶态娃层i-a-Si,所述第一半导体层160-1为非晶态娃a-Si,厚度为大约10-50nm,所述第一本征非晶态娃层的厚度为大约l-10nm。所述第二结构170可以为一层或多层结构。在本发明的一个实施例中，所述第二结构170为一层结构，包括第二电极层170-2。在本发明的另一个实施例中，所述第二结构170为多层结构，第二结构170包括具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1和第二电极层170-2,所述第二半导体层170-1可以是非晶态娃a_Si、多晶娃poly-Si、单晶娃或其组合。在另一个实施例中，第二结构170包括具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1、第二电极层170-2以及位于第二半导体层170-1和半导体基板150之间的第二本征非晶态硅层i-a-Si,所述第二半导体层170-1为非晶态娃a_Si,厚度为大约10-50nm,所述第二本征非晶态硅层的厚度为大约l-10nm。以上所述的第一和第二电极层优选由TCO材料形成，所述TCO为Sn02、In203、Zn0、ITO、CdO, Cd2SnO4, FTO, AZO 或其组合。所述第二掺杂类型和第二掺杂类型互为相反的掺杂类型，就是说当第二掺杂类型为P型时，第二掺杂类型为n型，第二掺杂类型为n型时，第二掺杂类型为p型。以上已经根据本发明的另一个实施例描述了本发明的薄膜条形结构，所述结构中包含了绝缘层，其一方面隔离了第一、第二电极层，防止短路，另一方面还能够减少光激发的载流子在侧面的复合，从而提高发电效率。并且，在优选的实施例中，在所述绝缘层上还包含了导电层，所述导电层和电极为一体结构，并且所述导电层并未阻挡进光面，这样可以增加电极的导电性，减少薄膜太阳能电池的电阻，进而提高发电效率。在结构垂直于条形结 构的长度方向的端面留有从半导体衬底上分离薄膜条形结构留下的半个分离孔的缺口，在制造过程中，采用分离孔或凹痕引导裂纹，避免了对薄膜条形结构的基板和表面薄膜的破坏，提高产率。此外，通过组合上述薄膜条形结构，本发明还形成了一种薄膜条形结构阵列，参考图14，所述阵列包括多个上述薄膜条形结构190，其中每两个所述薄膜条形结构相并联，参考图14。可以通过上述方法形成多个上述的薄膜条形结构190，而后将相邻的两个所述薄膜条形结构190的第一电极层160-2由导电层180-1相连接，以及将第二电极层170-2由导电层180-2相连接，从而形成由多个薄膜条形结构并联形成的薄膜条形结构阵列，所述导电层180-1、180_2为任意导电材料，在本发明的一个实施例中，导电层180-1、180-2可以在形成第一、第二电极层时一并形成，即导电层180-1与第一电极层160-2具有一体的结构，导电层180-2与第二电极层170-2具有一体的结构，在其他的实施例中，也可以是分开形成。以该薄膜条形结构为太阳能电池为例，上述由薄膜条形结构连接形成的阵列，所述结构中包含了绝缘层，其一方面隔离了第一、第二电极层，防止短路，另一方面还能够减少光激发的载流子在侧面的复合，从而提高发电效率。并且，在优选的实施例中，在所述绝缘层上还包含了导电层，所述导电层和电极为一体结构，并且所述导电层并未阻挡进光面，这样可以增加电极的导电性，减少薄膜太阳能电池结构间的连接电阻，进而提高发电效率。此外，通过拉伸所形成的条形结构，还形成了一种新的薄膜条形结构阵列，如图14所示。多个薄膜条形结构190，所述条形结构190包括具有第二掺杂类型的半导体基板150，所述半导体基板150具有第三表面150-1和与其相对的第四表面150-2，位于平行于图示剖面的该结构的端面的分离孔缺口，以及位于第三表面150-1上的第一结构160和位于第四表面150-2上的第二结构170，所述第一结构150包括具有第一掺杂类型的第一半导体层160-1和第一电极层160-2，所述第二结构170包括第二电极层170-2，所述第一掺杂类型与第二掺杂类型相反，所述第一结构160、第二结构170或其组合为所述薄膜条形结构190的感应面。所述薄膜条形结构190还包括多个可弯曲绝缘层120，所述可弯曲绝缘层120形成在相邻半导体基板150相对的两个表面上并连接所述相邻基板150，其中相邻所述可弯曲绝缘层120的弯曲曲率相反；以及与所述多个可弯曲绝缘层相匹配的多个第一导电层180-1和第二导电层180-2，所述第一导电层180-1和第二导电层180-2位于绝缘层120的两侧，所述第一导电层180-1连接相邻两个薄膜条形结构190的第一电极层160-2，以及所述第二导电层180-2连接相邻两个薄膜条形结构190的第二电极层170-2。所述阵列可以采用上述薄膜条形结构的实施例所述的方法并在步骤S105中进行拉伸后形成本发明实施例的薄膜条形阵列，在拉伸后，所述半导体基板150基本在同一个水平面上，而绝缘层成为弯曲绝缘层120，从连接相邻的两个基板150相对的表面连接相邻的两个基板150，也可以通过其他方法来实现。在一个优选的实施例中，第一导电层180-1和第二导电层180-1可以在形成第一、第二电极层时一并形成，即第一导电层与第一电极层具有一体的结构，第二导电层与第二电极层具有一体的结构，第一和第二电极层优选由TCO 材料形成，所述 TCO 为 Sn02、In2O3> ZnO、ITO、CdO, Cd2SnO4, FTO, AZO 或其组合。在本发明所述条形结构阵列的实施例中，所述半导体基板为单晶Si、单晶Ge、单 晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、III-V或II-VI化合物半导体及其组合。优选的实施例中，所述半导体基板为单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe时，所述半导体基板的第三表面的晶向可以为〈111〉，与第三表面垂直的面的晶向为〈110〉或〈112〉。所述半导体基板第三表面与第四表面间的厚度为大约5-120 iim，半导体基板的宽度为大约0. 2-5_，其中所述厚度为第三表面与第四表面间的距离，所述宽度为半导体基板的两可弯曲绝缘层内侧之间的距离。所述第一结构160可以为多层结构，在本发明的一个实施例中，第一结构160包括具有第一掺杂类型的第一半导体层160-1和第一电极层160-2，所述第一半导体层160-1可以是非晶态硅a-Si、多晶硅poly-Si、单晶硅或其组合。在另一个实施例中，第一结构160包括具有第一掺杂类型的第一半导体层160-1、第一电极层160-2以及位于第一半导体层160-1和半导体基板150之间的第一本征非晶态娃层i-a-Si,所述第一半导体层160-1为非晶态娃a-Si,厚度为大约10-50nm,所述第一本征非晶态娃层的厚度为大约l-10nm。所述第二结构170可以为一层或多层结构。在本发明的一个实施例中，所述第二结构170为一层结构，包括第二电极层170-2。在本发明的另一个实施例中，所述第二结构170为多层结构，第二结构170包括具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1和第二电极层170-2,所述第二半导体层170-1可以是非晶态娃a_Si、多晶娃poly-Si、单晶娃或其组合。在另一个实施例中，第二结构170包括具有第二掺杂类型的第二半导体层170-1、第二电极层170-2以及位于第二半导体层170-1和半导体基板150之间的第二本征非晶态硅层i-a-Si,所述第二半导体层170-1为非晶态娃a_Si,厚度为大约10-50nm,所述第二本征非晶态硅层的厚度为大约l-10nm。所述第一掺杂类型与第二掺杂类型互为相反类型的掺杂，就是说当第二掺杂类型为P型时，第一掺杂类型为n型，第二掺杂类型为n型时，第一掺杂类型为p型。上文所述形成分离孔的步骤与刻蚀形成沟槽的步骤同时通过刻蚀形成，但是该分离孔也可以在形成沟槽的步骤之前形成，例如通过直接在半导体衬底上进行激光打孔而形成。为了便于从半导体晶圆上将条形结构分离下来，除了上文所述的刻蚀分离孔的方法之外，还可以在半导体衬底中刻蚀形成沟槽之前，在半导体衬底上要形成的条形结构两端的位置处(即上述分离孔排列的位置处)通过划片装置预先划出至少两条平行的浅凹痕。由于在形成半导体衬底中形成沟槽之前，半导体衬底的机械强度较高，划出浅凹痕不会导致半导体衬底的不规则裂缝。该浅凹痕可以形成的半导体衬底的一侧或者对称地形成在半导体衬底的两侧。优选地，在要形成的条形结构的一端形成至少两条凹痕以增加应力集中和裂缝导向的效果。在形成条形结构后，将条形结构从半导体衬底上分离下来的步骤中，无论采用激光切割、机械切割或夹持工具分离的方法，应力会集中在预留的凹痕处，不会导致条形结构和表面薄膜的破坏，因此提高成品率。优选地，所述形成凹痕的步骤在所述半导体衬底上形成绝缘层120和光刻胶110之前完成，以避免对半导体衬底上形成的绝缘膜和光刻胶造成破坏。也把形成凹痕的方案与形成分离孔的方案相结合，即在形成绝缘层120和光刻胶110之前形成凹痕，并且后续在半导体衬底上形成分离孔，以增加应力集中的效果。以上述条形结构阵列为太阳能电池阵列为例，在上述的电池阵列中，在基板的侧壁具有可弯曲绝缘层，可以减小光激发的载流子在基板侧壁的复合，提高发电效率，还可以隔离第一和第二电极层，防止电极短路造成的失效，此外，基板的侧壁部分的绝缘层上还形 成了导电层，这样可以减少电池结构间的连接电阻，增加了电池阵列的导电性，进一步提高发电效率。尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。
权利要求
1.一种薄膜条形结构的制作方法，所述方法包括 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与其相对的第二表面； 在所述第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔； 从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间；以及 从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构，其中，所述第一沟槽和第二沟槽之间的半导体衬底形成所述薄膜条形结构的半导体基板。
2.根据权利要求I所述的方法，其中所述刻蚀半导体衬底的步骤包括在所述第一和 第二表面上形成绝缘层；刻蚀所述第一表面上的绝缘层形成暴露第一表面的至少两个第一开口，以及刻蚀所述第二表面上的绝缘层形成暴露第二表面的至少一个第三开口，每个所述第三开口位于相邻的两个所述第一开口之间，并且刻蚀所述第一表面和/或第二表面上的绝缘层，形成暴露第一表面和/或第二表面的第二开口和/或第四开口；以绝缘层为掩膜刻蚀由所述第一开口、第三开口、第二开口和/或第四开口暴露的半导体衬底，以分别形成第一沟槽、第二沟槽、第一分离孔和/或第二分离孔。
3.根据权利要求I所述的方法，其中在刻蚀第一沟槽和第二沟槽之前，用刀具或激光或刻蚀形成所述凹痕或分离孔。
4.根据权利要求I或2所述的方法，其中所述凹痕或分离孔排列的方向与所述第一沟槽或第二沟槽相交。
5.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一分离孔和/或第二分离孔的形状为圆形、矩形或多边形，其大小为1-20微米。
6.根据权利要求I所述的方法，其中在刻蚀半导体衬底的步骤之后还包括至少在所述第一沟槽的侧壁形成具有第一掺杂类型的第一半导体层，以及在所述第一半导体层上形成第一电极层；以及 至少在所述第二沟槽的侧壁形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，以及在所述第二半导体层上形成第二电极层，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述形成第一半导体层的步骤包括通过扩散至少在所述第一沟槽侧壁内形成具有第一掺杂类型的第一半导体层； 所述形成第二半导体层的步骤包括通过扩散至少在所述第二沟槽侧壁内形成具有第二掺杂类型的第二半导体层。
8.根据权利要求6所述的方法，其中 所述形成第一半导体层的步骤包括至少在所述第一沟槽的侧壁沉积具有第一掺杂类型的第一半导体层； 所述形成第二半导体层的步骤包括至少在所述第二沟槽的侧壁沉积具有第二掺杂类型的第二半导体层。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一或第二电极层由金属或TCO材料形成，所述 TCO 包括Sn02、ln203、ZnO, ITO、CdO, Cd2SnO4, FTO, AZO 或其组合。
10.根据权利要求I中任一项所述的方法，其中所述第一沟槽和第二沟槽的深度小于或等于所述半导体衬底的厚度，所述凹痕或分离孔的深度小于所述半导体衬底的厚度。
11.根据权利要求I所述的方法，其中所述半导体基板的厚度为5-120μπι，宽度为O.2-5mm，其中所述厚度为属于同一基板的、相邻沟槽的侧壁所对应的表面之间的距离，所述宽度为所述第一表面和第二表面之间的距离。
12.根据权利要求I所述的方法，其中所述半导体衬底为单晶Si、单晶Ge或单晶SiGe，所述第一或第二沟槽的侧壁所对应的半导体衬底的表面晶向为〈111〉; 所述第一表面的晶向为〈110〉或〈112〉； 形成所述第一沟槽和第二沟槽的方法包括各向异性刻蚀。
13.一种薄膜条形结构，所述结构包括 半导体基板，所述半导体基板包括第一表面和与其相对的第二表面，以及第三表面和与其相对的第四表面； 位于所述半导体基板的第三表面上的第一结构，以及位于第四表面上的第二结构；以及 位于所述半导体基板第一表面和第二表面上的侧墙， 其中，在所述半导体基板的端面边缘上具有凹痕或分离孔缺口。
14.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，其中所述基板第三表面上的第一结构包括第一半导体层和第一电极层，所述第一半导体层具有第一掺杂类型； 所述基板第四表面上的第二结构包括第二半导体层和具有第二掺杂类型的第二电极层，所述第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
15.根据权利要求13或14所述的薄膜条形结构，其中所述第一结构包括具有第一掺杂类型的第一半导体层和第一电极层； 所述第二结构包括具有第二掺杂类型的第二半导体层和第二电极层，所述第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。
16.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，其中所述侧墙包括绝缘层。
17.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，其中所述侧墙包括绝缘层和其上的导电层，其中所述导电层与第一或第二电极层相连接。
18.根据权利要求14或17所述的薄膜条形结构，其中所述导电层、第一和第二电极由金属或 TCO 材料形成，所述 TCO 包括Sn02、In2O3> ZnO, ITO、CdO, Cd2SnO4, FTO, AZO 或其组八口 ο
19.根据权利要求16或17所述的薄膜条形结构，其中形成所述绝缘层的材料包括氮化娃、氧化娃、氮氧化娃、Ti02、HfO2> ZrO2> Al2O3或其组合。
20.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，所述半导体基板为单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、III-V或II-VI化合物半导体及其组合。
21.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，其中所述半导体基板为单晶Si、单晶Ge或单晶SiGe，所述半导体基板第三表面的晶向为〈111〉； 与所述半导体基板的所述第三表面垂直的面的晶向为〈110〉或〈112〉。
22.根据权利要求13所述的薄膜条形结构，其中所述半导体基板厚度为大约5-120 μ m，宽度为大约O. 2-5mm，其中所述厚度为所述第三表面与第四表面间的距离，所述宽度为所述半导体基板的两所述侧墙内侧之间的距离。
23.一种薄膜条形结构阵列，所述阵列包括多个权利要求14至25所述的薄膜条形结构，其中 相邻的两个基板在第一表面或第二表面上由一个基片相连接； 在所述基板两端的第一表面或第二表面上具有用于分离的凹痕或分离孔的缺口。
24.根据权利要求23所述的薄膜条形结构阵列，其中所述多个基板竖直排列，使其第一表面和第二表面分别共面； 所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面或第二表面的外侧； 其中每个基板的第二表面与其一侧相邻基板的第二表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第一表面与其另一侧相邻基板的第一表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反。
25.根据权利要求23所述的薄膜条形结构阵列，其中所述多个基板水平排列，使其第三表面和第四表面分别共面； 所述基片，形成在相邻的所述基板相对的两个表面上并可弯曲地连接所述相邻的两个基板。
26.—种太阳能电池，其中包括权利要求13-22中的任何一项所述的薄膜条形结构，或者权利要求23-25中的任何一项所述的薄膜条形结构阵列。
全文摘要
本发明提出一种薄膜条形结构和制作方法以及薄膜条形结构阵列。该薄膜条形结构的制造方法包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面上形成至少一条凹痕或一排分离孔；从所述第一表面刻蚀半导体衬底形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二表面刻蚀半导体衬底形成至少一个第二沟槽；以及从所述凹痕或分离孔分离所述半导体衬底，从所述第一沟槽和第二沟槽切割或拉伸所述半导体衬底以形成薄膜条形结构。通过本发明能够有效减少从半导体衬底上分离薄膜条形结构时对条形结构和薄膜的破坏，提高产率。本发明所提出的薄膜条形结构和制作方法还可节省半导体用料和降低制造成本。
文档编号H01L31/042GK102832116SQ20111015762
公开日2012年12月19日 申请日期2011年6月13日 优先权日2011年6月13日
发明者朱慧珑, 骆志炯, 尹海洲 申请人:聚日(苏州)科技有限公司