专利名称：Led芯片的制造方法
技术领域：
本发明设计一种LED芯片的制造方法，特别是一种具有荧光粉的LED芯片的制造方法。
背景技术：
LED产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。然而通常LED高功率产品为获得所需要的亮度与颜色，一般会采用不同颜色的荧光粉与特定的发光芯片来作混合搭配。一般而言，荧光粉是在封装过程中掺入LED的封装胶内的，需要耗费一定的人力、物力及时间。对于LED产业下游的厂商而言，更希望能省去上述步骤以简化封装过程。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种可简化封装步骤的LED芯片及其制造方法。一种LED芯片的制造方法，该制造方法包括步骤提供基底；在基底上形成荧光粉层及与荧光粉层连接的多个间隔设置的电极；提供半导体晶圆，该晶圆包括第一半导体层、第二半导体层及发光半导体层，将基底与晶圆接合，使基底上的电极与晶圆的第一半导体层电连接；移除基底；及切割晶圆成LED芯片。带有荧光粉的LED芯片，能简化LED产业下游厂商的封装过程。并且，本发明的制作方法简单，有利于降低生产成本。
图I是本发明LED芯片制造方法的第一步骤。
图2是本发明LED芯片制造方法的第二步骤。图3是本发明LED芯片制造方法的第三步骤。图4是本发明LED芯片制造方法的第四步骤。图5是本发明LED芯片制造方法的第五步骤。图6是本发明LED芯片制造方法的第六步骤。图7是本发明LED芯片制造方法的第七步骤。图8是本发明制造完成的LED芯片的示意图。图9是本发明的LED芯片的第二实施例的示意图。图10是本发明的LED芯片的第三实施例的示意图。主要元件符号说明
~I基底—
20_导电层_
21’电极
30I荧光粉层^
权利要求
1.一种LED芯片的制造方法，该制造方法包括步骤 提供基底； 在基底上形成荧光粉层及与荧光粉层连接的多个间隔设置的电极； 提供半导体晶圆，该晶圆包括第一半导体层、第二半导体层及发光半导体层，将基底与晶圆接合，使基底上的电极与晶圆的第一半导体层电连接； 移除基底；及 切割晶圆成LED芯片。
2.如权利要求I所述的LED芯片的制造方法，其特征在于该多个电极可由一形成在基底上的导电层通过微影技术形成。
3.如权利要求2所述的LED芯片的制造方法，其特征在于相邻电极之间留有空隙。
4.如权利要求3所述的LED芯片的制造方法，其特征在于该荧光粉层填满该电极之间留有的空隙。
5.如权利要求4所述的LED芯片的制造方法，其特征在于该荧光粉层可通过印刷(printing)、涂布(coating)或注塑(molding)等技术形成。
6.如权利要求5所述的LED芯片的制造方法，其特征在于该荧光粉层的厚度和该多个电极的厚度相等。
7.如权利要求I所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述第一半导体层为N型半导体层，所述发光半导体层为P-N界面半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，第二半导体层形成多个通过间隙隔开的不连续区域，多个导电块设置于该N型半导体层上并位于间隙之间。
8.如权利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于该多个导电块还可以设置在该N型半导体层相对于P-N界面半导体层的另一侧。
9.如权利要求I所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述晶圆还可包括基板。
10.如权利要求7所述的LED芯片的制造方法，其特征在于半导体晶圆与基底组合时，基底倒置向下，其荧光粉层与电极面向半导体晶圆的P型半导体层及多个电块接合。
11.如权利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于半导体晶圆与基底组合时，基底倒置向下，其荧光粉层面向半导体晶圆的P型半导体层且该电极在P型半导体层的侧面与其接触。
12.如权利要求10所述的LED芯片的制造方法，其特征在于半导体晶圆与基底组合后，基底上的相邻两个电极分别与晶圆上的P型半导体层的一个区域及与该区域相邻的导电块连接，形成第一电极和第二电极。
全文摘要
一种LED芯片的制造方法，该制造方法包括步骤提供基底；在基底上形成荧光粉层及与荧光粉层连接的多个间隔设置的电极；提供半导体晶圆，该晶圆包括第一半导体层、第二半导体层及发光半导体层，将基底与晶圆接合，使基底上的电极与晶圆的第一半导体层电连接；移除基底；及切割晶圆成LED芯片。带有荧光粉的LED芯片，能简化LED产业下游厂商的封装过程。并且，本发明的制作方法简单，有利于降低生产成本。
文档编号H01L33/00GK102903797SQ20111021013
公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月26日 优先权日2011年7月26日
发明者张超雄, 林厚德 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司