专利名称：螺旋状电感的地屏蔽结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及射频器件的结构设计领域，特别是涉及一种螺旋状电感的地屏蔽结构。
背景技术：
射频片上电感是射频集成电路的重要元件之一，广泛应用在压控振荡器、低噪声放大器等射频电路模块中。传统的射频片上电感呈螺旋状结构，如图1所示，由于存在高频下的趋肤效应、邻近效应以及硅衬底中存在的涡流损耗影响，导致传统片上螺旋电感在高频下的品质因数比较低，很难满足电路应用的需要。为了屏蔽高频下衬底对螺旋电感的影响，可以在电感与衬底之间添加屏蔽结构， 传统的屏蔽结构呈发散状，由于发散状的屏蔽结构与电感的螺旋状结构不一致，两者不能很好的重合，因此屏蔽效果不理想。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种螺旋状电感的地屏蔽结构，它可以提高电感在高频下的品质因数。为解决上述技术问题，本发明的螺旋状电感的地屏蔽结构，呈与电感结构相一致的平面螺旋状，中间任意处断开，形成不相连的两部分，这两部分分别接地，且两部分的内、 外圈之间保持连接。所述地屏蔽结构的图形可以由射频集成电路工艺中的任意低阻层形成。本发明的螺旋状电感的地屏蔽结构，通过将电感的地屏蔽结构设计为与电感的结构相似的螺旋结构，从而有效地降低了高频下衬底涡流效应对电感的影响，显著地提高了高频下电感的品质因数。
图1是传统射频片上电感的结构示意图；图2是本发明的螺旋状地屏蔽结构示意图；图3是传统的无屏蔽结构电感与添加了本发明的螺旋状地屏蔽结构的电感的品质因数仿真结果对比图。
具体实施例方式为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下本发明的螺旋状电感的地屏蔽结构，设置在射频片上电感和硅衬底之间，其结构与电感的结构相似，均呈螺旋状，如图2所示，该螺旋状地屏蔽结构中间断开，形成为左、右不相连的两个部分，两部分的内圈和外圈之间保持连接，且左、右两部分分别接地，以避免在屏蔽结构中形成感应电流，影响电感的品质因数。该地屏蔽结构的断开处可以位于其螺旋结构的任意位置，且内、外圈的断开处也可以不一致。地屏蔽结构的图形可以由射频集成电路工艺中的任意低阻层形成，图形宽度可以和电感的宽度相同，也可以不同；地屏蔽结构内圈和外圈的图形宽度可以相同，也可以不同。利用电磁场仿真程序，对传统的未添加屏蔽结构的电感与添加了本发明的螺旋状地屏蔽结构的电感两者的品质因数进行仿真(仿真频率范围为IOOMHz 20GHz)，得到如图3所示的仿真结果，从图中可以看出，传统无屏蔽结构电感的Q值(品质因数)，其峰值为11.3(频率3. 4GHz)；而添加了本发明的地屏蔽结构的电感，其Q值的峰值为14.2(频率 4. IGHz)，Q值约提高了 25. 7%。由此可见，在螺旋电感和衬底之间添加了螺旋状的地屏蔽结构后，可以充分屏蔽衬底涡流损耗对电感Q值的影响，显著提高高频下电感的品质因数。
权利要求
1.一种螺旋状电感的地屏蔽结构，用于屏蔽硅衬底对螺旋电感的影响，其特征在于，该地屏蔽结构呈平面螺旋状，中间断开为不相连的两部分，两部分分别接地，且两部分的内、 外圈之间相互连接。
2.如权利要求1所述的地屏蔽结构，其特征在于，该地屏蔽结构由射频集成电路工艺中的低阻层形成。
全文摘要
本发明公开了一种螺旋状电感的地屏蔽结构，用于屏蔽硅衬底对螺旋电感的影响，该地屏蔽结构呈平面螺旋状，中间断开为不相连的两部分，两部分分别接地，且两部分的内、外圈之间保持连接。本发明通过将电感的地屏蔽结构设计为与电感的结构相似的螺旋状结构，使地屏蔽结构可以与电感重合，从而有效地降低了高频下衬底涡流效应对电感的影响，显著提高了高频下电感的品质因数。
文档编号H01L23/64GK102412227SQ201110213470
公开日2012年4月11日 申请日期2011年7月28日 优先权日2011年7月28日
发明者周天舒 申请人:上海华虹Nec电子有限公司