专利名称：沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试图形及其形成方法
技术领域：
本发明属于半导体生产工艺方法，尤其涉及多晶硅回刻技术。
背景技术：
在沟槽填充工艺中，获得多晶硅(POLY)回刻后沟槽的台阶深度等参数，对于比如沟槽功率场效应管(TRENCH POWER M0S)等电子器件的制程监控至关重要。获得台阶深度的做法之一是切片。具体来说，就是从多个晶圆(wafer)中拿出一个，沿与沟槽垂直的方向将其切开，再通过显微镜等相关仪器获得沟槽的深度。另一个常规做法是通过监测测试图形实现。简单地说，是在制造过程中相对于正常制造区域形成测试区域。该测试区域具有与正常制造区域相同的沟槽，通过测试测试区 域中该沟槽的相关参数(比如深度)来获得所需要的参数。测试图形，亦即凹槽的宽度如果太小，则可能无法使台阶仪获得正确的扫描参数，太宽又可能因多晶硅在凹槽内的填充特性造成侧壁高而中间低无法获取正确的结果。因此，受测试图形宽度的限制，当前的测试图形无法太宽，却又在当前宽度下有可能使台阶仪未获得正确的扫描参数。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，以有效解决上述问题。根据本发明，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面，其中，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90°的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明所述的测试图形，优选地，所述预定角度等于或大于10°。更优选地，所述预定角度等于或大于30°。本发明所述的测试图形，优选地，所述沟槽的宽度在O. 18微米到O. 36微米之间。更优选地，所述沟槽的宽度在O. 2微米到O. 35微米之间。本发明所述的测试图形，优选地，所述沟槽的深度在O. 98微米到2. 02微米之间。更优选地，所述沟槽的深度在I微米到2微米之间。本发明还提供一种形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，包括在衬底上形成沟槽，所述沟槽包括底面和从底面延伸出的两个侧面，其中，以使所述沟槽的纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90°的预定角度的方式在所述衬底上形成所述沟槽。本发明所述的形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，优选地，所述预定角度等于或大于10°以上。更优选地，所述预定角度等于或大于30°。本发明所述的形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，优选地，所述沟槽的宽度在O. 18微米到O. 36微米之间。更优选地，所述沟槽的宽度在O. 2微米到
O.35微米之间。
本发明所述的形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，优选地，所述沟槽的深度在O. 98微米到2. 02微米之间。更优选地，所述沟槽的深度在I微米到2微米之间。本发明所述的形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，优选地，在所述硅衬底上形成多个所述沟槽。根据本发明，在可以保持常规技术中沟槽的宽度不变的情况下，使得台阶扫描设备获得更长的扫描长度，从而更准确地获得扫描参数。
图I为常规的测试图形的俯视图的示意；
图2为图I所示的测试图形在A-A处的剖视图的示意；
图3为台阶仪对图I所示的测试图形的扫描结果；
图4为沟槽宽度增加后的测试图形示意；
图5为图4所示的测试图形在A-A处的剖视图的示意；
图6为台阶仪对图4所示的测试图形的扫描结果；
图7为根据本发明的测试图形的俯视图的示意；
图8为图7所示的测试图形在A-A处的剖视图的示意；以及 图9为台阶仪对图7所示的测试图形的扫描结果。
具体实施例方式以下将结合附图进一步阐述本发明。需要说明的是，附图仅用于示意，并不就此限定所示意的部件的大小、比例等，且在附图中相同的标号表示相同或相似的部件。图I为常规的测试图形的俯视示意图。图I所示意的测试图形以刻蚀的方式形成在硅衬底的测试区域，在进行了多晶硅的回刻之后，由台阶扫描仪对该测试区域的测试图形进行扫描，以确定该测试区域的深度。如图所示，常规的测试图形为凹形沟槽，多个沟槽10设置在硅衬底I上。图2为图I在A-A处的剖视的示意图。如图所示意，该沟槽具有宽度12和深度11，而生长在沟槽中的多晶硅的深度为H。使台阶仪扫过图I和2中所示意的沟槽，以获得多晶硅与沟槽之间的深度差H1。图3为台阶扫描设备(如台阶仪)对所示意的常规测试图形的测试结果，可以看出这种常规测试的结果因沟槽宽度的原因不够明确，可参考性不大。图4是将沟槽宽度变大后的测试图形示意。和图I所示的测试图形相比，图4所示的沟槽宽度增大。但在沟槽宽度增大的情况下，由于多晶硅在凹槽内的填充特性，其会生长成侧壁高而中间低，这一点在图5中可清楚地看出，图5中的50即生长的多晶硅。图5是图4在A-A处的剖视的示意图。这种情况下，台阶仪无法获取正确的测试结果。图6给出了台阶仪对图4所示的沟槽的测试结果。图7为根据本发明的测试图形的俯视图的示意。图8为图7所示的测试图形在A-A处的剖视示意。以下说明，请同时结合图7和图8。如图所示，根据本发明的测试图形，亦即沟槽14被设置在硅衬底I上。每个沟槽包括底面140，以及从底面延伸出的两个侧面，亦即第一侧面141和第二侧面142。如图所示，测试图形中的沟槽被形成在硅衬底上，且沟槽的纵长方向(图中所示意的L方向)与晶片划片槽的纵长方向(图中所示意的X方向)之间形成非90°的预定角度a。根据本发明，该预定角度α等于或大于10°，优选等于或大于30°，再优选为30°。根据本发明，沟槽的宽度12在O. 18微米到O. 36微米之间，优选在在O. 2微米到O. 35微米之间；沟槽的深度11优选在I微米到2微米之间，但误差在±0. 05微米内也是可以的，比如深度在O. 98微米到2. 02微米之间等。如图所示，沟槽的宽度可以保持与常规技术中沟槽的宽度一致，亦即，图7中沟槽的宽度与图I所示的沟槽的宽度大小相同。但由于图7中的沟槽，其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向之间具有α角度，从而使得台阶扫描设备(如台阶扫描仪)在沿晶片划片槽的纵长方向扫过测试图形时，对每个沟槽的扫描长度，由原来的扫描长度亦即宽度12改变为现在的扫描长度，即明显大于宽度12的长度16，从而加长了扫描长度，使得台阶扫描设备可以更准确地获得扫描参数，亦即在沟槽内所生长的多晶硅与沟槽的深度差Η1。图9为台阶仪对图7所示意的测试图形的扫描结果，可以看出，该结果清楚明了。由以上描述可以看出，根据本发明，沟槽在晶片划片槽的纵长方向的长度是大于沟槽宽度的，所以在保持沟槽常规宽度不变、不影响多晶硅生长形状的情况下，本发明所述的测试图形中的每个沟槽给 予台阶扫描设备更长的扫描长度，从而获得了清楚准确的扫描结果。根据本发明，以下简单描述形成用于沟槽台阶测试的测试图形的方法，具体包括在硅衬底上形成如图7所示意的测试图形，即多个沟槽。该沟槽包括底面140和从底面延伸出的两个侧面，亦即，第一侧面141和第二侧面142。以使所述沟槽的纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成预定角度的方式在所述衬底上形成所述沟槽。如图所示，测试图形中的沟槽14被形成在硅衬底I上，且沟槽14的纵长方向(图中所示意的L方向)与晶片划片槽的纵长方向(图中所示意的X方向)之间形成预定角度α。根据本发明，该预定角度α等于或大于10°，优选等于或大于30°，再优选为30°。根据本发明，沟槽的宽度12在O. 18微米到O. 36微米之间，优选在在O. 2微米到O. 35微米之间；沟槽的深度优选在I微米到2微米之间，但误差在±0. 05微米内也是可以的，比如深度在O. 98微米到2. 02微米之间等。在本发明的以上各示例中，术语“垂直”在本申请中不仅包括垂直，还包括误差在±10°，优选误差在±5°，更优选在±2°内的基本垂直。术语“沟槽的纵长方向”指的是沟槽沿沟槽长度的方向，“晶片划片槽的纵长方向”指的是沿晶片划片槽长度的方向。综上可见，根据本发明，在沟槽的宽度保持与常规技术中沟槽宽度一致的情况下，由于改变了沟槽的布置方向，亦即沟槽的纵长方向与晶片划片槽的纵长方向之间具有α角度，从而使得台阶扫描设备在扫过测试图形时，对每个沟槽的扫描长度由原来的宽度12改变为现在的扫描长度，亦即明显大于宽度12的长度16 (参见图7)，从而可以在不改变常规沟槽宽度的情况下加长扫描长度，使得台阶扫描设备可以更准确地获得扫描参数。但是需要说明的是，以上描述中虽是以图I所示的常规沟槽作为对比来阐述本发明的益处，但实际上，本发明所述的沟槽的宽度可以不同于常规沟槽的宽度，例如可比其略大或略小，只要沟槽可以其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90°的预定角度即可。尽管已参照上述具体实施方式
对本发明进行了详细的阐述，但本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的具体实施方式
进行修改或对部分技术特征进行等同替换，而在不脱离本发明的技术方案的精神下，其均应涵盖在本发明请求保护的技术方案范围当中。
权利要求
1.一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和自底面延伸出的两个侧面，其特征在于，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90°的预定角度的方式形成在所述衬底上的。
2.根据权利要求I所述的测试图形，其特征在于，所述预定角度等于或大于10°。
3.根据权利要求I或2所述的测试图形，其特征在于，所述预定角度等于或大于30°。
4.根据权利要求3所述的测试图形，其特征在于，所述沟槽的宽度在O.18微米到O. 36微米之间。
5.根据权利要求4所述的测试图形，其特征在于，所述沟槽的宽度在O.2微米到O. 35微米之间。
6.根据权利要求4或5所述的测试图形，其特征在于，所述沟槽的深度在O.98微米到2.02微米之间。
7.根据权利要求6所述的测试图形，其特征在于，所述沟槽的深度在I微米到2微米之间。
8.一种形成用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形的方法，包括在衬底上形成沟槽，所述沟槽包括底面和自所述底面延伸出的两个侧面，其特征在于，以使所述沟槽的纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90°的预定角度的方式在所述衬底上形成所述沟槽。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述预定角度等于或大于10°。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述预定角度等于或大于30°。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度在O.18微米到O. 36微米之间。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述沟槽的宽度在O.2微米到O. 35微米之间。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度在O.98微米到2.02微米之间。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度在I微米到2微米之间。
15.根据以上权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述硅衬底上形成多个所述沟槽。
全文摘要
本发明提供一种用于沟槽多晶硅过腐蚀台阶测试的测试图形，所述测试图形是被形成在衬底上的沟槽，所述沟槽包括底面和从所述底面延伸出的两个侧面，所述沟槽是以使其纵长方向与晶片划片槽的纵长方向形成非90o的预定角度的方式形成在所述衬底上的。本发明的测试图形，可在不改变沟槽宽度的情况下，延长台阶扫描设备的扫描长度。
文档编号H01L23/544GK102915999SQ20111022093
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月3日 优先权日2011年8月3日
发明者卞铮 申请人:无锡华润上华半导体有限公司