专利名称：含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和应用的制作方法
技术领域：
本发明属于光电材料技术领域，具体的说是涉及一种含咔唑的有机半导体材料及其制备方法和应用。
背景技术：
随着信息时代的发展，具有高效、节能、轻质的有机电致发光平板显示器(OLEDs)及大面积白光照明越来越受到人们的关注。OLED技术被全球的科学家关注，相关的企业和实验室都在进行这项技术的研发。作为一种新型的LED技术，具有主动发光、轻、薄、对比度好、能耗低、可制成柔性器件等特点的有机电致发光器件对材料提出了较高的要求。1987年,美国Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。而要实现全色显示及照明等应用目的，发光器件必须具有一定的效率和寿命。目前高效、稳定的电致蓝光、白光器件比较少，尤其是高能量的蓝光的效率和寿命都还比较低。在OLED制作及实际工作时，会受到热的作用，此时对于一些热稳定性差的有机材料，易受到这些热的作用诱使膜层产生结晶型态或薄膜的其它形态发生变化(如玻璃化转变)，如此将会改变有机材料原本的物理性质,进而造成OLED亮度、效率衰退等现象，如此反复地受热作用变化，材料易老化，其制成的器件寿命必然降低。因此选择具有高热稳定性的主体材料对提升器件的寿命是一个很重要的因素。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种双极性传输和热稳定性高的含咔唑的有机半导体材料。本发明的另一目的在于提供一种工艺简单、产率高、安全性高、易于操作和控制的含咔唑的有机半导体材料制备方法。本发明进一步的目的在于提供上述含咔唑的有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下一种含咔唑的有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)
权利要求
1.一种含咔唑的有机半导体材料，其分子结构通式为下述(I)
2.一种含咔唑的有机半导体材料制备方法，包括如下步骤 获取如下结构式表示的化合物A，其中，R为-F、-CN或-NO2,
3.根据权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于所述正丁基锂、化合物A和二苯基氯化膦三反应物的摩尔比为2 : I : 2 2. 2 : I : 2. 2。
4.根据权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于所述化合物A与正丁基锂反应的时间为I 5小时。
5.根据权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于在所述20°C 25°C下继续反应的时间为3 12小时。
6.根据权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于所述氧化剂为H2O2。
7.根据权利要求6所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于所述H2O2与所述中间产物的摩尔比为100 : I 160 : I。
8.根据权利要求2所述的含咔唑的有机半导体材料制备方法，其特征在于所述有机溶剂为四氢呋喃、苯、环己烷、乙醚中的至少一种。
9.根据权利要求I所述的含咔唑的有机半导体材料在有机电致发光器、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、有机光存储器、有机非线性材料或/和有机激光器中的应用。
全文摘要
本发明公开了一种含咔唑的有机半导体材料及其制备方法与应用。该含咔唑的有机半导体材料为分子结构通式(I)表示的聚合物，通式(I)中，R为-F、-CN或-NO2。本发明含咔唑的有机半导体材料具有优良的双极性传输和高热稳定性的特性，以及具有良好的溶解性和成膜性，从而扩展了其应用范围。通过光谱测试得知，该含咔唑的有机半导体材料的最大发光波长在蓝光范围、具有高的三线态能级。该含咔唑的有机半导体材料制备方法只需通过控制反应条件以及反应物的用量即可获得，工艺简单，易于操作和控制，安全性高和产物的得率高，降低了生产成本，适合于工业化生产。
文档编号H01L51/54GK102924519SQ20111022685
公开日2013年2月13日 申请日期2011年8月9日 优先权日2011年8月9日
发明者周明杰, 王平, 梁禄生, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司