半导体激光装置及光装置的制作方法

专利名称：半导体激光装置及光装置的制作方法
技术领域：
本专利申请基于如下的在先申请主张优先权，并将其内容在此引用，该在先申请为JP2010-184617，半导体激光装置及光装置，2010年8月20日，Shinichiro Akiyoshi等。本发明涉及半导体激光装置及光装置，尤其涉及具备基台的半导体激光装置及光装置，其中，该基台包括高度位置不同的第一上表面及第二上表面。
背景技术：
目前，已知有在包括高度位置不同的第一上表面及第二上表面的基台上搭载多个半导体激光元件的半导体激光装置(光学装置)。这样的半导体激光装置例如在日本特开 2000-222766号公报中公开。在日本特开2000-222766号公报所记载的图7中，公开了如下所述的半导体激光装置(光学装置)，该半导体激光装置具备包括第一上表面和位于比第一上表面靠上方的第二上表面的辅助安装台(基台)；接合于第一上表面上且包括位于与第一上表面接合这一侧的相反侧(上侧)的第一发光区域的第一半导体激光芯片；接合于第二上表面上且包括位于与第二上表面接合这一侧(下侧)的第二发光区域的第二半导体激光芯片。在该光学装置中，在辅助安装台水平配置的状态下，第一半导体激光芯片的第一发光区域与第二半导体激光芯片的第二发光区域配置成在高度方向上大间距分开。并且，在日本特开 2000-222766号公报中，该半导体激光装置构成为，使用波长选择膜及反射元件将来自第一半导体激光芯片的第一发光区域的出射光与来自第二半导体激光芯片的第二发光区域的出射光反射，由此使来自第一半导体激光芯片的激光的光轴与来自第二半导体激光芯片的激光的光轴一致而成同一光轴，且在光轴上错开各激光芯片的发光区域。然而，在日本特开2000-222766号公报所公开的光学装置中，由于第一半导体激光芯片的第一发光区域的高度位置与第二半导体激光芯片的第二发光区域的高度位置大间距分开，因此将这样的结构适用于例如不使用波长选择膜及反射元件而使来自第一半导体激光芯片的激光与来自第二半导体激光芯片的激光向透镜入射的结构时，存在来自第一半导体激光芯片的激光的照射位置(光点)与来自第二半导体激光芯片的激光的照射位置在高度方向上大幅偏移这样的问题点。

发明内容
本发明的第一方面所涉及的半导体激光装置具备基台，其包括台阶部、台阶部的下侧的第一上表面、台阶部的上侧的第二上表面；第一半导体激光元件，其接合在第一上表面上，且在上侧具有第一发光区域；第二半导体激光元件，其接合在第二上表面上，且在下侧具有第二发光区域，在基台水平配置的状态下，第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。在本发明的第一方面所涉及的半导体激光装置中，如上所述，构成为在基台水平配置的状态下，与台阶部的下侧的第一上表面接合的第一半导体激光元件的上侧的第一发光区域位于比接合第二半导体激光元件的台阶部的上侧的第二上表面靠上方的位置，从而能够使第一半导体激光元件的位于上侧的第一发光区域更接近接合到第二上表面上的第二半导体激光元件的位于下侧的第二发光区域。由此，在第一半导体激光元件与第二半导体激光元件搭载在同一基板上的结构中，能够使第一半导体激光元件的第一发光区域的高度位置与第二半导体激光元件的第二发光区域的高度位置接近。其结果是，能够抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置(光点)与来自第二半导体激光元件的激光的照射位置(光点)的高度方向上的偏移变大的情况。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选在基台水平配置的状态下，第一半导体激光元件的第一发光区域与第二半导体激光元件的第二发光区域配置成位于彼此相同或相近的高度位置。若这样构成，则能够使第一发光区域的高度位置与第二发光区域的高度位置更加接近，因此在将该半导体激光装置搭载在光拾取装置等中时，能够进一步抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置与来自第二半导体激光元件的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。这种情况下，优选在基台水平配置的状态下，第一半导体激光元件的第一发光区域与第二半导体激光元件的第二发光区域配置成至少一部分的高度位置相互重叠。若这样构成，则能够使第一发光区域的高度位置与第二发光区域的高度位置可靠地接近。由此，在搭载有该半导体激光装置的光拾取装置等中，能够进一步可靠地抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置(光点)与来自第二半导体激光元件的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。在上述第一发光区域与第二发光区域配置成位于彼此相同或相近的高度位置的结构中，优选第一发光区域及第二发光区域分别沿着第一半导体激光元件的激光的出射方向及第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸，第一发光区域和所述第二发光区域配置成沿着激光的出射方向而位于彼此相同或相近的高度位置。若这样构成，则能够将第一半导体激光元件的激光的光轴与第二半导体激光元件的激光的光轴一致成大致相同的方向。在上述第一发光区域与第二发光区域位于彼此相同或相近的高度位置的半导体激光装置中，优选从第一上表面到第二上表面的台阶部的高度被调节成使在基台水平配置的状态下第一半导体激光元件的第一发光区域与第二半导体激光元件的第二发光区域位于彼此相同或相近的高度位置这样的高度。若这样构成，则仅通过调节基台的台阶部的高度，就能够进行第一发光区域和第二发光区域的高度位置的调节。由此，能够使用利用通常的制造流程而形成的通用性高的第一半导体激光元件及第二半导体激光元件，容易地制作半导体激光装置。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选第一半导体激光元件包括接近第一发光区域这一侧的第一表面、第一表面的相反侧即远离第一发光区域这一侧的第二表面，第一半导体激光元件的第二表面接合在第一上表面上。若这样构成，则由于第一半导体激光元件通过结向上方式接合到基台上，因此能够容易地将第一半导体激光元件的第一发光区域配置得比基台的第二上表面靠上方。在上述第一半导体激光元件的第二表面接合在第一上表面上的结构中，优选第二半导体激光元件包括接近第二发光区域这一侧的第三表面、第三表面的相反侧即远离第二发光区域这一侧的第四表面，第二半导体激光元件的第三表面接合在第二上表面上。若这样构成，则由于第二半导体激光元件通过结向下方式接合到基台上，因此能够容易地使第二半导体激光元件的第二发光区域接近比基台的第二上表面靠上方的第一半导体激光元件的第一发光区域。在上述第二半导体激光元件的第三表面接合在第二上表面上的结构中，优选第二半导体激光元件的发热量比第一半导体激光元件的发热量大。这样，由于将发热量大的第二半导体激光元件通过结向下方式接合到基台上，因此能够容易地使第二半导体激光元件的发热向基台散出。在上述第二半导体激光元件的第三表面接合在第二上表面上的结构中，优选第二半导体激光元件的第四表面位于比第一半导体激光元件的第一表面靠上方的位置。若这样构成，则在制造流程上，能够将第二半导体激光元件在不受第一半导体激光元件的高度影响的情况下容易地接合到先接合有第一半导体激光元件的基台的第二上表面上。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选台阶部形成为沿着第一半导体激光元件的激光的出射方向及第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸。若这样构成， 则不同于台阶部沿着与出射方向交叉的方向延伸的情况，接合到第二上表面上的第二半导体激光元件的激光不会被第一上表面或接合到第一上表面上的第一半导体激光元件遮挡。 由此，能够抑制第二半导体激光元件的激光的可射出范围变窄的情况。这种情况下，优选第一半导体激光元件包括用于形成第一发光区域的第一脊部， 并且第二半导体激光元件包括用于形成第二发光区域的第二脊部，第一脊部及第二脊部分别沿着第一半导体激光元件的激光的出射方向及第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸，从台阶部到第一脊部及第二脊部中的至少一方的水平方向上的距离沿着激光的出射方向大致一定。若这样构成，则以台阶部为基准，能够使从第一半导体激光元件射出的激光的光轴与从第二半导体激光元件射出的激光的光轴尽量一致。在上述第一发光区域与第二发光区域配置成位于彼此相同或相近的高度位置的结构中，优选第二半导体激光元件包括多个第二发光区域，在基台水平配置的状态下，第一半导体激光元件的第一发光区域和第二半导体激光元件的多个第二发光区域中的各个第二发光区域配置成至少一部分的高度位置相互重叠。若这样构成，则能够使第一发光区域的高度位置与设有多个的第二发光区域的高度位置接近，因此能够可靠地抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置与来自第二半导体激光元件的多个激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选第一半导体激光元件的第一发光区域及第二半导体激光元件的第二发光区域中的至少一方配置得比元件主体的中央靠台阶部侧。若这样构成，则能够使第一发光区域及第二发光区域中的至少一方更接近台阶部，因此能够使第一半导体激光元件的第一发光区域与第二半导体激光元件的第二发光区域在水平方向上也接近。这种情况下，优选第二半导体激光元件包括振荡波长互相不同的两个第二半导体激光元件，两个第二半导体激光元件相互隔开规定的间隔而接合在第二上表面上，在基台水平配置的状态下，两个第二半导体激光元件各自具有的第二发光区域配置成比各元件主体的中央靠台阶部侧。若这样构成，则即使在聚集多个半导体激光元件而将半导体激光装置构成为多波长半导体激光装置的情况下，也能够使第二半导体激光元件的第二发光区域更接近台阶部，因此能够容易地使各半导体激光元件所具有的激光的光轴一致。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选第一半导体激光元件由氮化物系半导体构成。这里，在上述第一方面中，第一半导体激光元件的第一发光区域位于上侧 (与第一上表面接合这一侧的相反侧)，因此在将第一半导体激光元件与基台的第一上表面接合时，对于容易受接合时的热影响的由氮化物系半导体构成的第一半导体激光元件而言，也能够抑制接合时的热影响，因此能够抑制因接合时的热量而导致发光特性劣化的情况。这种情况下，优选第二半导体激光元件包括由GaInP系半导体构成的红色半导体激光元件及由GaAs系半导体构成的红外半导体激光元件中的至少任一方。这里，在上述第一方面中，对于红色半导体激光元件及红外半导体激光元件中的至少任一方而言，第二发光区域位于与第二上表面接合这一侧(基台侧(下侧))，因此在从第二半导体激光元件射出激光时，能够易于将在第二发光区域产生的热量向基台散出。在上述第一方面所涉及的半导体激光装置中，优选基台为散热基台。若这样构成， 则有效地利用半导体激光装置的散热基台，从而能够容易地抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置与来自第二半导体激光元件的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。在上述基台为散热基台的结构中，优选散热基台具有绝缘性，该散热基台还具备 形成在台阶部的第一上表面上且与第一半导体激光元件接合的第一电极；形成在台阶部的第二上表面上且与第二半导体激光元件接合的第二电极。若这样构成，则在包括台阶部的基台上，分别使用形成在第一上表面上的第一电极及形成在第二上表面上的第二电极，从而能够容易地分别向第一半导体激光元件及第二半导体激光元件供给电力。这种情况下，优选第一电极和第二电极通过台阶部而相互分开配置，在第一电极和第二电极上分别接合有接合线。若这样构成，则有效地利用台阶部，从而能够容易地实现第一电极与第二电极的绝缘。另外，由于在互相不同的高度位置上接合接合线，因此，因此能够容易地抑制接合线彼此接触的情况。本发明的第二方面所涉及的光装置具备半导体激光装置，其包括基台、第一半导体激光元件和第二半导体激光元件，其中，所述基台具有台阶部、台阶部的下侧的第一上表面和台阶部的上侧的第二上表面，所述第一半导体激光元件接合在第一上表面上且在上侧具有第一发光区域，所述第二半导体激光元件接合在第二上表面上且在下侧具有第二发光区域；光学系统，其控制半导体激光装置的出射光，在基台水平配置的状态下，第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。在本发明的第二方面所涉及的光装置中，如上所述，构成为在基台水平配置的状态下，与台阶部的下侧的第一上表面接合的第一半导体激光元件的上侧的第一发光区域位于比接合第二半导体激光元件的台阶部的上侧的第二上表面靠上方的位置，从而能够使第一半导体激光元件的位于上侧的第一发光区域更接近接合到第二上表面上的第二半导体激光元件的位于下侧的第二发光区域。由此，在第一半导体激光元件与第二半导体激光元件搭载在同一基板上的结构中，能够使第一半导体激光元件的第一发光区域的高度位置与第二半导体激光元件的第二发光区域的高度位置接近。其结果是，在经由光学系统使激光向照射对象照射时，能够抑制来自第一半导体激光元件的激光的照射位置与来自第二半导体激光元件的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。


图1是本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置的俯视图。图2是本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置的从激光的出射方向观察而得到的主视图。图3是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置的制造流程的剖视图。图4是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置的制造流程的剖视图。图5是用于说明本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置的制造流程的剖视图。图6是本发明的第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置的从激光的出射方向观察而得到的主视图。图7是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置的制造流程的剖视图。图8是用于说明本发明的第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置的制造流程的剖视图。图9是表示本发明的第三实施方式所涉及的光拾取装置的结构的简要图。图10是本发明的第一实施方式的变形例所涉及的二波长半导体激光装置的从激光的出射方向观察而得到的主视图
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。(第一实施方式)首先，参照图1及图2，对本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置 100的结构进行说明。需要说明的是，二波长半导体激光装置100是本发明的“半导体激光装置”的一例。如图1及图2所示，本发明的第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置100 具备由具有绝缘性的AlN构成的散热基台10 ；接合到散热基台10上的具有大约405nm的振荡波长的蓝紫色半导体激光元件20及具有大约650nm的振荡波长的红色半导体激光元件30 ；从下方(Z2侧)支承散热基台10的基体部40。基体部40构成为经由接合层50 (参照图2)将散热基台10水平地配置。另外，基体部40与未图示的负极端子连接。需要说明的是，散热基台10是本发明的“基台”的一例。另外，蓝紫色半导体激光元件20是本发明的“第一半导体激光元件”的一例，红色半导体激光元件30是本发明的“第二半导体激光元件”的一例。散热基台10包括台阶部11c、通过台阶部Ilc而形成在相互不同的高度位置(Z方向)上的上表面Ila及上表面lib。具体而言，上表面Ila位于台阶部Ilc的下侧(Z2侧)， 形成于在上方(Zl侧)与散热基台10的下表面12相距高度Hl的位置。另外，上表面lib位于台阶部Ilc的上侧(Zl侧)，形成于在上方与散热基台10的下表面12相距高度H2的位置。需要说明的是，高度H2比高度Hl大。另外，在上表面Ila上及上表面lib上分别接合有蓝紫色半导体激光元件20及红色半导体激光元件30。另外，散热基台10的上表面Ila 及lib与下表面12均形成为平坦面状。需要说明的是，上表面Ila及lib分别是本发明的
“第一上表面”及“第二上表面”的一例。另外，如图1所示，散热基台10的上表面Ila位于与蓝紫色半导体激光元件20及红色半导体激光元件30的后述的激光的出射方向即Y方向正交的方向(X)方向的一侧(XI 侧)，并且散热基台10的上表面lib位于另一侧(X2侧)。台阶部Ilc形成为沿着蓝紫色半导体激光元件20的激光的出射方向(Y方向)及红色半导体激光元件30的激光的出射方向(Y方向)延伸。另外，台阶部Ilc形成为沿着 Y方向从散热基台10的Yl侧的一端向Y2侧的另一端延伸。另外，如图2所示，台阶部Ilc 形成为从下侧的上表面Ila向铅垂上方向(Zl侧)延伸而到达上侧的上表面lib。S卩，台阶部Ilc的铅垂方向上的高度成为上表面Ila与上表面lib的高度位置的差(H2-H1)。另外，在散热基台10的上表面Ila上及上表面lib上分别形成有电极13a及13b。 蓝紫色半导体激光元件20经由焊料层1 接合在电极13a上，并且红色半导体激光元件30 经由焊料层14b接合在电极1 上。另外，电极13a和电机1 通过台阶部Ilc而配置成在X方向(元件宽度方向)及Z方向(高度方向)上相互分开。需要说明的是，电极13a 及1 分别是本发明的“第一电极”及“第二电极”的一例。另外，蓝紫色半导体激光元件20由氮化物系半导体构成。具体而言，如图2所示， 蓝紫色半导体激光元件20在η型GaN基板21的上表面上形成有由η型AlGaN构成的η型包覆层22。在η型包覆层22的上表面上形成有活性层23，该活性层23具有由MGaN构成的量子阱层(未图示)和由GaN构成的势垒层(未图示)交替层叠而成的多重量子阱(MQW) 结构。需要说明的是，若由氮化物系半导体构成的活性层23在蓝紫色半导体激光元件20 向散热基台10的上表面Ila接合时被施加300°C左右的热量，则会因热应力蓄积而导致发光特性劣化。另外，在活性层23的上表面上形成有由ρ型AlGaN构成的ρ型包覆层M。需要说明的是，构成η型包覆层22、活性层23及ρ型包覆层M的材料是本发明的“氮化物系半导体”的一例。另外，如图1所示，在蓝紫色半导体激光元件20的X方向的大致中央的ρ型包覆层M上形成有沿着Y方向延伸的脊部(凸部)25。另外，激光从蓝紫色半导体激光元件20 的出射方向(Y方向)的一端侧(Yl侧)的面即光出射面20a射出。此时，如图2所示，激光从光出射面20a上的与活性层23的脊部25对应的位置射出。即，蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b (虚线的区域内)位于与形成在蓝紫色半导体激光元件20的X方向的大致中央的脊部25对应的位置上，且位于活性层23的高度位置上。需要说明的是，发光区域20b是本发明的“第一发光区域”的一例。另外，脊部25是本发明的“第一脊部”的一例。另外，在ρ型包覆层M的脊部25的上部形成有通过Pt层、Pd层及Pt层从接近ρ 型包覆层M的一侧按顺序层叠而成的P侧欧姆电极26。另外，在P型包覆层M的脊部25 以外的上表面上、脊部25的两侧面上和ρ侧欧姆电极沈的两侧面上形成有由SW2构成的电流阻挡层27。另外，在ρ侧欧姆电极沈及电流阻挡层27的上表面上形成有由Au等构成的P侧焊盘电极(pad electrode) 28.另外，在η型GaN基板21的下表面上的大致整个区域形成有通过Al层、Pd层及Au层从接近η型GaN基板21的一侧按顺序层叠而成的η侧电极四。该η侧电极四经由焊料层Ha与电极13a及基体部40电连接。需要说明的是，蓝紫色半导体激光元件20的ρ侧焊盘电极观的上表面(Zl侧)是本发明的“第一表面”的一例。另外，通过将形成在η型GaN基板21的下表面上的η侧电极四与散热基台10的上表面1 Ia接合，由此蓝紫色半导体激光元件20以活性层23及脊部25位于η型GaN基板21 的上侧(Zl侧)的方式接合到上表面1 Ia上。即，蓝紫色半导体激光元件20以发光区域20b 位于与上表面Ila接合这一侧的相反侧(上侧(Zl侧))的方式通过结向上(jimction-up) 方式接合到上表面Ila上。需要说明的是，与上表面Ila接合的η侧电极四的下表面是本发明的“第二表面”的一例。这里，在第一实施方式中，从散热基台10的下表面12到活性层23的铅垂方向(Ζ 方向)上的高度Η3比从散热基台10的下表面12到上表面lib的铅垂方向上的高度H2大 (H3>H2)。由此，活性层23位于比台阶部lie的上侧的上表面lib靠上方(Zl侧)的位置，从而蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b位于比台阶部Ilc的上侧的上表面lib 靠上方的位置。另外，红色半导体激光元件30是由GaInP系半导体构成且发热量比比蓝紫色半导体激光元件20的发热量大的半导体激光元件。作为具体的元件结构，如图2所示，红色半导体激光元件30在η型GaAs基板31的下表面上形成有由AWaInP构成的η型包覆层 32。在η型包覆层32的下表面上形成有活性层33，该活性层33具有由GaInP构成的量子阱层(未图示)和由AKialnP构成的势垒层(未图示)交替层叠而成的MQW结构。需要说明的是，即使由GaInP系半导体构成的活性层33在红色半导体激光元件30向散热基台10 的上表面lib接合时被施加300°C左右的热量，由于与蓝紫色半导体激光元件20的活性层 23相比难以蓄积热应力，因此发光特性不易劣化。另外，在活性层33的下表面上形成有由 AlGaInP构成的ρ型包覆层34。需要说明的是，构成η型包覆层32、活性层33及ρ型包覆层34的材料是本发明的“GalnP系半导体”的一例。另外，如图1所示，在红色半导体激光元件30的X方向的大致中央的ρ型包覆层 34上形成有沿着Y方向延伸的脊部(凸部)35。另外，激光从红色半导体激光元件30的出射方向(Y方向)的一端侧(Yl侧)的面即光出射面30a射出。此时，如图2所示，激光从光出射面30a的与活性层33的脊部35对应的位置射出。即，红色半导体激光元件30的发光区域30b (虚线的区域内)位于与形成在红色半导体激光元件30的X方向的大致中央的脊部35对应的位置上，且位于活性层33的高度位置上。需要说明的是，发光区域30b是本发明的“第二发光区域”的一例。另外，脊部35是本发明的“第二脊部”的一例。另外，在ρ型包覆层34的脊部35以外的下表面上和脊部35的两侧面上形成有由 SiO2构成的电流阻挡层37。另外，在脊部35的下表面上及电流阻挡层37的下表面上形成有由Au等构成的ρ侧电极38。该ρ侧电极38经由焊料层14b与电极1 及未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，在η型GaAs基板31的上表面上的大致整个区域形成有通过 AuGe层、Ni层及Au层从接近η型GaAs基板31的一侧按顺序层叠而成的η侧电极39。需要说明的是，红色半导体激光元件30的η侧电极39的上表面(Zl侧)是本发明的“第四表面”的一例。另外，通过将形成在η型GaAs基板31的下侧(Ζ2侧)的ρ侧电极38与散热基台 10的上表面lib接合，由此红色半导体激光元件30以活性层33及脊部35位于η型GaAs 基板31的下侧(Ζ2侧)的方式接合到上表面lib上。即，红色半导体激光元件30以发光区域30b位于与上表面lib接合这一侧(下侧(Z2侧))的方式通过结向下(junction-down) 方式接合到上表面lib上。需要说明的是，与上表面lib接合的ρ侧电极38的下表面是本发明的“第三表面”的一例。另外，在第一实施方式中，从散热基台10的下表面12到红色半导体激光元件30 的活性层33的铅垂方向(Z方向)上的高度H4与从散热基台10的下表面12到蓝紫色半导体激光元件20的活性层23的铅垂方向上的高度H3大致相同。由此，蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b配置成位于彼此大致相同的高度位置且至少一部分的高度位置相互重叠。另外，在该状态下，发光区域20b与发光区域30b配置成沿着激光的出射方向(Y方向)而位于彼此相同或相近的高度位置。此外， 调节台阶部Ilc的铅垂方向上的高度(H2-H1)，以使蓝紫色半导体激光元件20的发光区域 20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b位于彼此大致相同的高度位置。另外，在第一实施方式中，如图1及图2所示，从台阶部Ilc到蓝紫色半导体激光元件20的脊部25 (发光区域20b)的水平方向(X方向)上的距离Ll沿着激光的出射方向 (Y方向)大致一定。同样，从台阶部Ilc到红色半导体激光元件30的脊部35(发光区域 30b)的水平方向(X方向)上的距离L2沿着激光的出射方向(Y方向)大致一定。即，台阶部Ilc形成为从台阶部Ilc到各激光元件的脊部(光导波路)的水平距离沿着共振器所延伸的方向大致一定。需要说明的是，在图1中，距离Ll及距离L2以从台阶部Ilc到各半导体激光元件的脊部的中心线(单点划线)的距离图示出。另外，通过电线60将形成在散热基台10上的电极13a与基体部40电连接。另外， 通过电线61将形成在散热基台10上的电极13b与未图示的引线端子(正极侧)电连接。 通过电线62将蓝紫色半导体激光元件20的ρ侧焊盘电极观与未图示的引线端子(正极侧)电连接。另外，通过电线63将红色半导体激光元件30的η侧电极39与基体部40电连接。需要说明的是，电线60及61是本发明的“接合线”的一例。接下来，参照图2 图5，对第一实施方式所涉及的二波长半导体激光装置100的制造流程进行说明。首先，如图3所示，在板状的散热基台10的上表面11，对Xl侧的规定区域沿铅垂方向(ζ方向)蚀刻规定的深度(Η2-Η1)量，由此形成具有上表面Ila及lib和台阶部Ilc 的散热基台10。此时，在后续工序中将蓝紫色半导体激光元件20及红色半导体激光元件30 接合到散热基台10的上表面Ila及lib上时，调节台阶部Ilc的铅垂方向上的高度(H2-H1) (蚀刻量)，以使蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b位于彼此大致相同的高度位置。并且，如图4所示，在散热基台10的上表面Ila上及上表面lib上分别形成电极 13a及13b。之后，在电极13a上及电极13b上分别形成焊料层1 及14b。另外，使用规定的制造流程来形成蓝紫色半导体激光元件20及红色半导体激光元件30。并且，使用筒夹70以蓝紫色半导体激光元件20的η侧电极四与焊料层1 对置的方式从上方(Zl侧)把持蓝紫色半导体激光元件20的ρ侧焊盘电极观侧。然后，将蓝紫色半导体激光元件20的η侧电极四与电极13a经由施加了 300°C左右的热量而熔解了的焊料层Ha接合。此时，蓝紫色半导体激光元件20以发光区域20b位于与上表面Ila 接合这一侧的相反侧(上侧(Zl侧))的方式通过结向上方式接合到散热基台10的上表面 lla(电极13a)上。另外，蓝紫色半导体激光元件20以从散热基台10的下表面12到蓝紫色半导体激光元件20的活性层23的铅垂方向(Z方向)上的高度成为H3(参照图幻的方式接合到上表面Ila上。之后，如图5所示，使用筒夹70以红色半导体激光元件30的ρ侧电极38与焊料层14b对置的方式从上方(Zl侧)把持红色半导体激光元件30的η侧电极39侧。然后， 将红色半导体激光元件30的ρ侧电极38与电极1 经由施加了 300°C左右的热量而熔解了的焊料层14b接合。此时，红色半导体激光元件30以从散热基台10的下表面12到红色半导体激光元件30的活性层33的铅垂方向(Z方向)上的高度成为H4(参照图2、的方式接合到散热基台10的上表面llb(电极13b)上。由此，蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b位于彼此大致相同的高度位置，且至少一部分的高度位置相互重叠。此外，红色半导体激光元件30以发光区域30b位于与上表面 lib接合这一侧(下侧(Z2侧))的方式通过结向下方式接合到散热基台10的上表面lib 上。之后，如图2所示，通过接合层50将散热基台10接合到基体部40上。此时，散热基台10的上表面Ila及lib与下表面12水平配置。并且，通过电线60将电极13a与基体部40连接。另外，通过电线61将电极13b与未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，通过电线62将ρ侧焊盘电极观与未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，通过电线63将 η侧电极39与基体部40连接。这样，形成二波长半导体激光装置100。在第一实施方式中，如上所述，在散热基台10水平配置的状态下，与台阶部Ilc的下侧的上表面Ila接合的蓝紫色半导体激光元件20的上侧(Zl侧)的发光区域20b位于比接合红色半导体激光元件30的台阶部Ilc的上侧的上表面lib靠上方(Zl侧)的位置， 从而能够使蓝紫色半导体激光元件20的位于上侧的发光区域20b更接近接合到上表面1 Ib 上的红色半导体激光元件30的位于下侧(Z2侧)的发光区域30b。由此，在蓝紫色半导体激光元件20与红色半导体激光元件30搭载在同一散热基台10上的结构中，能够使蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b的高度位置(拟)与红色半导体激光元件30的发光区域30b的高度位置(H4)接近。另外，在第一实施方式中，通过构成为使从散热基台10的下表面12到红色半导体激光元件30的活性层33的铅垂方向(Z方向)上的高度位置(H4)成为与从散热基台10的下表面12到蓝紫色半导体激光元件20的活性层23的铅垂方向上的高度位置(拟)大致相同的高度，由此将蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b配置成位于彼此大致相同的高度位置且至少一部分的高度位置相互重叠，从而能够可靠地使发光区域20b的高度位置OK)与发光区域30b的高度位置(H4)接近。另外，在第一实施方式中，发光区域20b及发光区域30b沿着蓝紫色半导体激光元件20的激光的出射方向及红色半导体激光元件30的激光的出射方向延伸。并且，发光区域20b与发光区域30b配置成沿着激光的出射方向(Y方向)而位于彼此相同或相近的高
13度位置。由此，能够将蓝紫色半导体激光元件20的激光的光轴与红色半导体激光元件30 的激光的光轴一致成大致相同的方向(Y方向)。另外，在第一实施方式中，通过调节台阶部Ilc的铅垂方向(Z方向)上的高度 (H2-H1)，以使蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b与红色半导体激光元件30的发光区域30b位于彼此大致相同的高度位置，由此仅通过调节散热基台10的台阶部Ilc的高度就能够进行发光区域20b与发光区域30b的高度位置的调节。从而能够使用利用通常的制造流程而形成的通用性高的蓝紫色半导体激光元件20和红色半导体激光元件30，容易地制作半导体激光装置100。另外，在第一实施方式中，蓝紫色半导体激光元件20的η侧电极四的下表面经由焊料层Ha与上表面Ila接合。由此，蓝紫色半导体激光元件20通过结向上方式接合到散热基台10上，因此能够容易地将蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b配置得比散热基台10的上表面lib靠上方。另外，在第一实施方式中，红色半导体激光元件30的ρ侧电极38的下表面经由焊料层14b与上表面lib接合。由此，红色半导体激光元件30通过结向下方式接合到散热基台10上，因此能够使红色半导体激光元件30的发光区域30b容易地接近比散热基台10的上表面lib靠上方的蓝紫色半导体激光元件20的发光区域20b。另外，在第一实施方式中，红色半导体激光元件30的发热量比蓝紫色半导体激光元件20的发热量。这样，由于将发热量大的红色半导体激光元件30通过结向下方式接合到散热基台10上，因此能够容易地将红色半导体激光元件30的发热向散热基台10散出。另外，在第一实施方式中，红色半导体激光元件30的η侧电极39的上表面(Zl侧) 位于比蓝紫色半导体激光元件20的ρ侧焊盘电极观的上表面(Zl侧)靠上方的位置。由此，在制造流程上，能够将红色半导体激光元件30在不受蓝紫色半导体激光元件20的高度影响的情况下容易地接合到先接合有蓝紫色半导体激光元件20的散热基台10的上表面 lib 上。另外，在第一实施方式中，通过将台阶部Ilc形成为沿着蓝紫色半导体激光元件 20的激光的出射方向及红色半导体激光元件30的激光的出射方向即Y方向延伸，从而不同于台阶部Ilc沿着与出射方向(Y方向)交叉的方向延伸的情况，接合到上表面lib上的红色半导体激光元件30的激光不会被上表面Ila或接合到上表面Ila上的蓝紫色半导体激光元件20遮挡。由此，能够抑制红色半导体激光元件30的激光的可射出范围变窄的情况。另外，在第一实施方式中，从台阶部Ilc到蓝紫色半导体激光元件20的脊部25的水平方向上的距离Ll沿着激光的出射方向(Y方向)大致一定。另外，从台阶部Ilc到红色半导体激光元件30的脊部35的水平方向上的距离L2沿着激光的出射方向(Y方向)大致一定。由此，以台阶部Ilc为基准，能够使从蓝紫色半导体激光元件20射出的激光的光轴与从红色半导体激光元件30射出的激光的光轴尽量一致。另外，在第一实施方式中，使用由氮化物系半导体构成的蓝紫色半导体激光元件 20作为第一半导体激光元件，使用由GaInP系半导体构成的红色半导体激光元件30作为第二半导体激光元件。这里，在第一实施方式中，由于蓝紫色半导体激光元件20的发光区域 20b位于上侧(与上表面Ila接合这一侧的相反侧)，因此在将蓝紫色半导体激光元件20 与散热基台10的上表面Ila接合时，对于容易受接合时的热影响的由氮化物系半导体构成的蓝紫色半导体激光元件20而言，也能够抑制接合时的热影响，因此能够抑制因接合时的热量而导致发光特性劣化的情况。另外，红色半导体激光元件30的发光区域30b位于与上表面lib接合这一侧(散热基台10侧(下侧))，因此在从红色半导体激光元件30射出激光时，能够易于将在发光区域30b产生的热量向散热基台10散出。另外，在第一实施方式中，使用由AlN构成的具有绝缘性的散热基台10。并且，散热基台10具备形成在台阶部Ilc的上表面Ila上的电极13a和形成在台阶部Ilc的上表面lib上的电极13b。由此，在包括台阶部Ilc的散热基台10上，分别使用形成在上表面 1 Ia上的电极13a及形成在上表面1 Ib上的电极13b，能够容易地分别向蓝紫色半导体激光元件20及红色半导体激光元件30供给电力。另外，有效地利用构成二波长半导体激光装置100的散热基台10，从而能够容易地抑制来自蓝紫色半导体激光元件20的激光的照射位置与来自红色半导体激光元件30的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。另外，在第一实施方式中，电极13a与电极13b通过台阶部Ilc相互分开配置，电极13a及电极1 分别与电线60及61接合。由此，有效地利用台阶部11c，从而能够容易地实现电极13a与电极1 的绝缘。另外，由于在互相不同的高度位置上分别接合电线60 及61，因此能够容易地抑制电线60及61接触的情况。(第二实施方式)参照图6 图8，说明第二实施方式。在该第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200中，取代第一实施方式的红色半导体激光元件30，而使用红色半导体激光元件 230及红外半导体激光元件四0以单块(monolithic)的方式形成在同一 GaAs基板281上而得到的二波长半导体激光元件观0。另外，在图中，对与上述第一实施方式相同的结构标注同一符号。需要说明的是，三波长半导体激光装置200是本发明的“半导体激光装置”的一例。首先，参照图6，对本发明的第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200的结构进行说明。如图6所示，第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200具备散热基台 10 ；具有大约405nm的振荡波长的蓝紫色半导体激光元件220 ；具有大约650nm的振荡波长的红色半导体激光元件230及具有大约780nm的振荡波长的红外半导体激光元件四0以单块的方式形成而得到的二波长半导体激光元件观0 ；基体部40。另外，蓝紫色半导体激光元件220与散热基台10的Xl侧的上表面Ila接合，且二波长半导体激光元件280与散热基台10的X2侧的上表面lib接合。需要说明的是，蓝紫色半导体激光元件220是本发明的 “第一半导体激光元件”的一例，红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290是本发明的“第二半导体激光元件”的一例。另外，蓝紫色半导体激光元件220的形成在ρ型包覆层2M上的脊部225形成得比蓝紫色半导体激光元件220的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(X2侧)。艮口， 蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b形成得比蓝紫色半导体激光元件220的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(X2侧)。另外，ρ侧欧姆电极226、电流阻挡层227 及P侧焊盘电极2 分别以与脊部225对应的方式形成。需要说明的是，脊部225是本发明的“第一脊部”的一例。另外，在散热基台10的上表面lib上形成有电极21 及213c。电极21 形成在台阶部Ilc侧(XI侧)，且电极213c形成在台阶部Ilc侧的相反侧(X2侧)。另外，二波长半导体激光元件观0的红色半导体激光元件230经由焊料层214b接合到电极231b上， 并且二波长半导体激光元件观0的红外半导体激光元件290经由焊料层2Hc接合到电极 213c上。需要说明的是，电极21 及213c是本发明的“第二电极”的一例。另外，在二波长半导体激光元件280中，红色半导体激光元件230与红外半导体激光元件290均以单块的方式形成在共同(同一)的η型GaAs基板281上。另外，红色半导体激光元件230形成在η型GaAs基板的下表面上的Xl侧，并且红外半导体激光元件 290形成在η型GaAs基板的下表面上的Χ2侧。另外，红色半导体激光元件230与红外半导体激光元件290通过在η型GaAs基板的下表面的X方向的大致中央形成的槽部 282而相互分开。需要说明的是，η型GaAs基板281是本发明的“基板” 一例。另外，在红色半导体激光元件230上，在η型GaAs基板的下表面上的Xl侧形成有η型包覆层32、活性层33、ρ型包覆层234、电流阻挡层237和ρ侧电极238。另外，电流阻挡层237与红外半导体激光元件四0的后述的电流阻挡层297 —体地形成。另外，红色半导体激光元件230的形成在ρ型包覆层234上的脊部235形成得比红色半导体激光元件230的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)。即，红色半导体激光元件230的发光区域230b形成得比红色半导体激光元件230的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)。另外，电流阻挡层237及ρ侧电极238分别以与脊部235对应的方式形成。需要说明的是，脊部235是本发明的“第二脊部”的一例。另外，红外半导体激光元件四0由GaAs系半导体构成。具体而言，红外半导体激光元件290在η型GaAs基板的下表面上的Χ2侧形成有由AWaAs构成的η型包覆层 292.在η型包覆层四2的下表面上形成有活性层四3，该活性层293具有由Al组成低的 AlGaAs构成的量子阱层和由Al组成高的AWaAs构成的势垒层交替层叠而成的MQW结构。 需要说明的是，由GaAs系半导体构成的活性层四3即使在红外半导体激光元件四0 (二波长半导体激光元件观0)向散热基台10的上表面lib接合时被施加300°C左右的热量，也由于与蓝紫色半导体激光元件220的活性层23相比热应力不易蓄积，因此发光特性不易劣化。另外，在活性层四3的下表面上形成有由AKiaAs构成的ρ型包覆层四4。需要说明的是，构成η型包覆层四2、活性层四3及ρ型包覆层四4的材料是本发明的“GaAs系半导体” 的一例。另外，在红外半导体激光元件四0的比X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc 侧(XI侧)的P型包覆层294上形成有沿着Y方向延伸的脊部(凸部)295。另外，激光从红外半导体激光元件四0的出射方向(Y方向)的一端侧(Yl侧)的面即光出射面四彻射出。此时，激光从光出射面四如上的与活性层四3的脊部295对应的位置射出。S卩，红外半导体激光元件290的发光区域虚线的区域内)位于与红外半导体激光元件290的比X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)形成的脊部295对应的位置上，且位于活性层四3的高度位置上。需要说明的是，发光区域是本发明的“第二发光区域” 的一例。另外，脊部295是本发明的“第二脊部”的一例。另外，在ρ型包覆层四4的脊部四5以外的下表面上和脊部四5的两侧面上形成有与红色半导体激光元件230的电流阻挡层237 —体地形成的电流阻挡层四7。另外，在脊部四5的下表面上及电流阻挡层四7的下表面上形成有由Au等构成的ρ侧电极四8。该ρ侧电极298经由焊料层2Hc与电极213c及未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，在η型GaAs基板281的上表面上的大致整个区域形成有通过AuGe层、Ni层及Au层从接近η型GaAs基板的一侧按顺序层叠而成的η侧电极洲3。另外，红外半导体激光元件四0以活性层293及脊部295位于η型GaAs基板281 的下侧(Ζ2侧)的方式接合到上表面lib上。即，红外半导体激光元件290以发光区域位于与上表面lib接合这一侧(下侧(Z2侧))的方式通过结向下方式接合到上表面lib 上。这里，在第二实施方式中，构成为从散热基台10的下表面12到红色半导体激光元件230的活性层33的铅垂方向(Z方向)上的高度和从散热基台10的下表面12到红外半导体激光元件四0的活性层四3的铅垂方向上的高度成为大致相同的高度H4。进而，高度 H4成为与从散热基台10的下表面12到蓝紫色半导体激光元件220的活性层23的铅垂方向上的高度H3大致相同的高度。由此，蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b、红色半导体激光元件230的发光区域230b、红外半导体激光元件290的发光区域配置成位于彼此大致相同的高度位置且至少一部分的高度位置相互重叠。另外，调节台阶部Ilc的铅垂方向上的高度(H2-H1)，以使蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b、红色半导体激光元件230的发光区域230b、红外半导体激光元件290的发光区域位于彼此大致相同的高度位置。另外，通过电线61将形成在散热基台10上的电极21 与未图示的引线端子(正极侧)电连接。另外，通过电线62将蓝紫色半导体激光元件220的ρ侧焊盘电极2 与未图示的引线端子(正极侧)电连接。另外，通过电线63将二波长半导体激光元件观0的η 侧电极观3与基体部40电连接。另外，通过电线264将形成在散热基台10上的电极213c 与未图示的引线端子(正极侧)电连接。需要说明的是，第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200的其它结构与第一实施方式的二波长半导体激光装置100同样。接下来，参照图3及图6 图8，对第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置 200的制造流程进行说明。首先，如图3所示，形成具有上表面Ila及lib和台阶部Ilc的散热基台10。然后，如图7所示，在散热基台10的上表面Ila上形成电极13a。另外，在散热基台10的上表面lib上的Xl侧形成电极21 且在X2侧形成电极213c。之后，在电极13a上、电极21 上及电极213c上分别形成焊料层14a、214b及214c。另外，使用规定的制造流程形成各脊部比与出射方向(Y方向)正交的X方向的中央靠一侧的状态下的蓝紫色半导体激光元件220、红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件四0以单块的方式形成而得到的二波长半导体激光元件观0。然后，将蓝紫色半导体激光元件220的η侧电极四与电极13a经由施加了 300°C左右的热量而熔解了的焊料层 1 接合。需要说明的是，蓝紫色半导体激光元件220的脊部225以位于比蓝紫色半导体激光元件220的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(X2侧)的方式接合。此时， 蓝紫色半导体激光元件220以发光区域220b位于与上表面Ila接合这一侧的相反侧(Zl 侧)的方式通过结向上方式接合到散热基台10的上表面Ila上。另外，蓝紫色半导体激光元件220以从散热基台10的下表面12到蓝紫色半导体激光元件220的活性层23的铅垂方向(Z方向)上的高度成为H3(参照图8)的方式接合到上表面Ila上。之后，如图8所示，使用筒夹70以红色半导体激光元件230的ρ侧电极238与焊料层214b对置且红外半导体激光元件四0的ρ侧电极298与焊料层2Hc对置的方式从上方(Zl侧)把持二波长半导体激光元件280的η侧电极283侧。然后，将红色半导体激光元件230的ρ侧电极238与电极21 经由施加了 300°C左右的热量而熔解了的焊料层214b 接合。需要说明的是，红色半导体激光元件230的脊部235以位于比红色半导体激光元件 230的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)的方式接合。另外，在接合红色半导体激光元件230的同时，将红外半导体激光元件四0的ρ侧电极298与电极213c经由施加了 300°C左右的热量而熔解了的焊料层2Hc接合。需要说明的是，红外半导体激光元件四0的脊部295位于比红外半导体激光元件四0的X方向(水平方向)的中央靠台阶部 Ilc侧(XI侧)的方式接合。此时，红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件四0以从散热基台10的下表面12到红色半导体激光元件230的活性层33的铅垂方向(Z方向)上的高度与从散热基台10的下表面12到红外半导体激光元件四0的活性层四3的铅垂方向上的高度均成为H4(参照图6)的方式接合到散热基台10的上表面lib上。由此，蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b、红色半导体激光元件230的发光区域230b和红外半导体激光元件290的发光区域位于彼此大致相同的高度位置且至少一部分的高度位置相互重叠。 需要说明的是，二波长半导体激光元件观0的红色半导体激光元件230和红外半导体激光元件290分别以发光区域230b及位于与上表面lib接合这一侧(下侧(Z2侧))的方式通过结向下方式接合到散热基台10的上表面lib上。之后，如图6所示，通过接合层50将散热基台10接合到基体部40上。此时，散热基台10的上表面Ila及lib和下表面12水平地配置。并且，通过电线60将电极13a与基体部40连接。另外，通过电线61将电极21 与未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，通过电线62将ρ侧电极228与未图示的引线端子(正极侧)连接。另外，通过电线63 将η侧电极观3与基体部40连接。另外，通过电线264将电极213c与未图示的引线端子 (正极侧)连接。这样，形成三波长半导体激光装置200。需要说明的是，第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200的其它制造流程与第一实施方式同样。在第二实施方式中，如上所述，蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b形成得比蓝紫色半导体激光元件220的X方向的中央靠台阶部Ilc侧(X2侧)，且红色半导体激光元件230的发光区域230b形成得比红色半导体激光元件230的X方向的中央靠台阶部 Ilc侧(XI侧)，红外半导体激光元件四0的发光区域形成得比红外半导体激光元件四0的X方向的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)。由此，能够使发光区域220b、发光区域230b 及^Ob更接近台阶部11c，因此能够使蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b、红色半导体激光元件230的发光区域230b及红外半导体激光元件290的发光区域^Ob在水平方向(X方向)上也接近。另外，在第二实施方式中，红色半导体激光元件230和红外半导体激光元件290 — 起以单块的方式形成在同一 η型GaAs基板281上，由此在具备接合到上表面Ila上的蓝紫色半导体激光元件220、接合到上表面lib上且包括以单块的方式形成在同一 η型GaAs基板281上的红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290的二波长半导体激光元件 280的三波长半导体激光装置200中，能够使蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b 的高度位置(H3)、红色半导体激光元件230的发光区域230b的高度位置(H4)及红外半导体激光元件四0的发光区域的高度位置(H4)接近。另外，通过在共同的η型GaAs基板281上形成红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件四0，由此在散热基台10上接合红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件四0时，能够抑制红色半导体激光元件230的发光区域230b的高度位置与红外半导体激光元件四0的发光区域的高度位置偏移的情况。另外，在第二实施方式中，二波长半导体激光元件280包括发光区域230b及^Ob, 在散热基台10水平配置的状态下，蓝紫色半导体激光元件220的发光区域220b、二波长半导体激光元件观0的发光区域230b及^Ob彼此配置成至少一部分的高度位置相互重叠。 由此，能够可靠地使发光区域220b的高度位置与设有多个的发光区域230b及^Ob的高度位置接近，因此能够可靠地抑制来自蓝紫色半导体激光元件220的激光的照射位置与来自二波长半导体激光元件观0的多个激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。另外，在第二实施方式中，振荡波长互相不同的红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290隔着槽部282接合到上表面lib上。并且，在散热基台10水平配置的状态下，红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290各自具有的发光区域230b及 ^Ob配置得比各元件主体的中央靠台阶部Ilc侧。由此，在构成三波长半导体激光装置200 的情况下，能够使红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290的发光区域230b及 290b更接近台阶部11c，因此能够容易地使各半导体激光元件所具有的激光的光轴一致。 需要说明的是，第二实施方式的其它效果与第一实施方式同样。(第三实施方式)参照图6及图9，对本发明的第三实施方式所涉及的光拾取装置300进行说明。需要说明的是，光拾取装置300是本发明的“光装置”的一例。如图9所示，本发明的第三实施方式所涉及的光拾取装置300具备搭载有第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200的罐型三波长半导体激光装置310、调整从三波长半导体激光装置310射出的激光的光学系统320、接受激光的光检测部330。另外，光学系统320具有偏振光束分离器(PBQ 321、准直透镜322、光束扩展器 323、λ /4板324、对物透镜325、柱面透镜3 及光轴补正元件327。另外，PBS321使从三波长半导体激光装置310射出的激光全透过并将从光盘340 返回的激光全反射。准直透镜322将透过了 PBS321的来自三波长半导体激光装置310的激光转换成平行光。光束扩展器323由凹透镜、凸透镜及致动器(未图示)构成。致动器具有如下功能，即，通过使凹透镜及凸透镜的距离变化，从而对从三波长半导体激光装置310 射出的激光的波面状态进行补正。另外，λ /4板3Μ将被准直透镜322转换成大致平行光的直线偏振光的激光转换成圆偏振光。另外，λ/4板3Μ将从光盘340返回的圆偏振光的激光转换成直线偏振光。 这种情况下的直线偏振光的偏振光方向与从三波长半导体激光装置310射出的激光的直线偏振光的方向正交。由此，从光盘340返回的激光被PBS321大致全反射。对物透镜325 使透过了 λ /4板324的激光汇聚到光盘340的表面(记录层)上。此外，对物透镜325通过对物透镜致动器(未图示)能够移动。另外，柱面透镜326、光轴补正元件327及光检测部330配置成沿着被PBS321全反射的激光的光轴。柱面透镜3 对入射的激光赋予像散作用。光轴补正元件327由衍射光栅构成，透过了准直透镜3 的蓝紫色、红色及红外的各激光的0次衍射光的光点配置成在后述的光检测部330的检测区域上一致。另外，光检测部330根据接受的激光的强度分布而输出再生信号。这样，构成具备三波长半导体激光装置310的光拾取装置300。在该光拾取装置300中，三波长半导体激光装置310构成为能够从蓝紫色半导体激光元件220、红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290 (参照图6)独立地射出蓝紫色、红色及红外的激光。另外，从三波长半导体激光装置310射出的激光如上述那样被 PBS321、准直透镜322、光束扩展器323、λ /4板324、对物透镜325、柱面透镜3 及光轴补正元件327调节后，照射到光检测部330的检测区域上。这里，在再生记录在光盘340上的信息时，进行控制以使从蓝紫色半导体激光元件220、红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件290射出的各激光功率一定，同时向光盘340的记录层上照射激光，从而能够得到从光检测部330输出的再生信号。另外，在光盘340上记录信息时，根据需要记录的信息来控制从蓝紫色半导体激光元件220及红色半导体激光元件230(红外半导体激光元件四0)射出的激光功率，同时向光盘340照射激光。由此，能够在光盘340的记录层上记录信息。这样，使用具备三波长半导体激光装置 310的光拾取装置300，能够进行向光盘340的记录及再生。在第三实施方式中，如上所述，光拾取装置300具备第二实施方式的三波长半导体激光装置200，由此在经由光学系统320向光盘340照射激光时，能够抑制来自蓝紫色半导体激光元件220的激光的照射位置(光点)、来自红色半导体激光元件230的激光的照射位置、来自红外半导体激光元件四0的激光的照射位置的高度方向上的偏移变大的情况。需要说明的是，应当认为本次公开的实施方式的所有的点仅为例示，本发明并不限定于此。本发明的范围不是由上述实施方式的说明而是由权利要求书表示，还包括与权利要求书同等意思及范围内的所有变更。例如，在上述第一实施方式中，例示出在蓝紫色半导体激光元件20的X方向的大致中央形成有脊部25且在红色半导体激光元件30的X方向的大致中央形成有脊部35的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，可以像图10所示的第一实施方式的变形例即二波长半导体激光装置400那样，将蓝紫色半导体激光元件420的发光区域420b (脊部425) 形成得比蓝紫色半导体激光元件420的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(X2 侧)，并且将红色半导体激光元件430的发光区域430b (脊部43 形成得比红色半导体激光元件430的X方向(水平方向)的中央靠台阶部Ilc侧(XI侧)。另外，也可以仅将蓝紫色半导体激光元件的脊部及红色半导体激光元件的脊部中的任一方靠台阶部侧形成，且将另一方形成在元件主体的大致中央。需要说明的是，二波长半导体激光装置400、蓝紫色半导体激光元件420及红色半导体激光元件430分别是本发明的“半导体激光装置”、“第一半导体激光元件”及“第二半导体激光元件”的一例。另外，脊部425及435分别是本发明的 “第一脊部”及“第二脊部”的一例。另外，在上述第一实施方式中，例示出二波长半导体激光装置100包括接合在散热基台10的上表面Ila上的蓝紫色半导体激光元件20和接合在散热基台10的上表面lib 上的红色半导体激光元件30的例子，并且在上述第二实施方式中，例示出三波长半导体激光装置200包括接合在散热基台10的上表面Ila上的蓝紫色半导体激光元件220、接合在散热基台10的上表面lib上且具备以单块的方式形成红色半导体激光元件230及红外半导体激光元件四0的二波长半导体激光元件观0的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，可以取代上述第一及第二实施方式的蓝紫色半导体激光元件，而使用由氮化物系半导体构成的绿色半导体激光元件或蓝色半导体激光元件。另外，也可以取代上述第一实施方式的红色半导体激光元件，而使用红外半导体激光元件。进而，还可以构成为，上述第二实施方式的三波长半导体激光装置由红色半导体激光元件、绿色半导体激光元件和蓝色半导体激光元件构成。由此，能够消除具有RGB三原色的三波长半导体激光装置。需要说明的是，此时，优选将绿色半导体激光元件及蓝色半导体激光元件配置在散热基台10的上表面Ila上，且将红色半导体激光元件配置在散热基台10的上表面lib上。另外，在上述第一及第二实施方式中，例示出第一半导体激光元件(蓝紫色半导体激光元件20及220)的第一发光区域(发光区域20b及220b)与第二半导体激光元件 (红色半导体激光元件30及230以及红外半导体激光元件四0)的第二发光区域(发光区域30b及230b以及配置成位于彼此大致相同的高度位置且至少一部分的高度位置相互重叠的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，只要第一半导体激光元件的第一发光区域与第二半导体激光元件的第二发光区域位于彼此相近的高度位置，第一发光区域的高度位置与第二发光区域的高度位置也可以不重叠。另外，在上述第一及第二实施方式中，例示出调节台阶部Ilc的铅垂方向上的高度(H2-H1)，以使蓝紫色半导体激光元件2(K220)的发光区域20b (220b)和红色半导体激光元件3(K230)的发光区域30M230b)(以及红外半导体激光元件四0的发光区域290b) 位于彼此大致相同的高度位置的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，可以不调节台阶部的铅垂方向上的高度，而在第一半导体激光元件(蓝紫色半导体激光元件)中调节第一发光区域的高度位置，也可以在第二半导体激光元件(红色半导体激光元件及红外半导体激光元件)中调节第二发光区域的高度位置。另外，可以调节形成在配置第一半导体激光元件的上表面(第一上表面)上的电极及焊料层的铅垂方向上的厚度，也可以调节形成在配置第二半导体激光元件的上表面(第二上表面)上的电极及焊料层的铅垂方向上的厚度。另外，在上述第一及第二实施方式中，例示出将蓝紫色半导体激光元件2(K220) 以结向上方式接合到上表面Ila (第一上表面)上，且将红色半导体激光元件3(K230)(及红外半导体激光元件四0)以结向下方式接合到比上表面Ila(第一上表面)靠上方的上表面lib (第二方面)上的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，可以将红色半导体激光元件及红外半导体激光元件以结向上方式接合到第一上表面上，且将蓝紫色半导体激光元件以结向下方式接合到比第一上表面靠上方的第二上表面上。此时，需要至少红色半导体激光元件的发光区域及红外半导体激光元件的发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。另外，在上述第一及第二实施方式中，例示出散热基台10由具有绝缘性的AlN构成的例子，但本发明并不局限于此。例如，散热基台也可以由具有绝缘性的不掺杂的Si构成。
另外，在上述第一及第二实施方式中，例示出电流阻挡层27、37、227、237及297均由SiO2构成的例子，但本发明并不局限于此。在本发明中，也可以使用SiN等其它绝缘材料或AlInP和AWaN等半导体材料作为电流阻挡层。另外，在上述第三实施方式中，例示出将上述第二实施方式所涉及的三波长半导体激光装置200搭载在罐型三波长半导体激光装置310中的例子，但本发明并不局限于此。 在本发明中，也可以在具有平板状的平面结构的框型三波长半导体激光装置中搭载上述第二实施方式的三波长半导体激光装置200。
权利要求
1. 一种半导体激光装置，其具备基台，其包括台阶部、所述台阶部的下侧的第一上表面、所述台阶部的上侧的第二上表第一半导体激光元件，其接合在所述第一上表面上，且在上侧具有第一发光区域； 第二半导体激光元件，其接合在所述第二上表面上，且在下侧具有第二发光区域， 在所述基台水平配置的状态下，所述第一发光区域位于比所述第二上表面靠上方的位置。
2.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，在所述基台水平配置的状态下，所述第一半导体激光元件的第一发光区域与所述第二半导体激光元件的第二发光区域配置成位于彼此相同或相近的高度位置。
3.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中，在所述基台水平配置的状态下，所述第一半导体激光元件的第一发光区域与所述第二半导体激光元件的第二发光区域配置成至少一部分的高度位置相互重叠。
4.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中，所述第一发光区域及所述第二发光区域分别沿着所述第一半导体激光元件的激光的出射方向及所述第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸，所述第一发光区域和所述第二发光区域配置成沿着所述激光的出射方向位于彼此相同或相近的高度位置。
5.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中，从所述第一上表面到所述第二上表面的所述台阶部的高度被调节成使在所述基台水平配置的状态下所述第一半导体激光元件的第一发光区域与所述第二半导体激光元件的第二发光区域位于彼此相同或相近的高度位置这样的高度。
6.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述第一半导体激光元件包括接近所述第一发光区域这一侧的第一表面、所述第一表面的相反侧即远离所述第一发光区域这一侧的第二表面，所述第一半导体激光元件的所述第二表面接合在所述第一上表面上。
7.根据权利要求6所述的半导体激光装置，其中，所述第二半导体激光元件包括接近所述第二发光区域这一侧的第三表面、所述第三表面的相反侧即远离所述第二发光区域这一侧的第四表面，所述第二半导体激光元件的所述第三表面接合在所述第二上表面上。
8.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其中，所述第二半导体激光元件的发热量比所述第一半导体激光元件的发热量大。
9.根据权利要求7所述的半导体激光装置，其中，所述第二半导体激光元件的第四表面位于比所述第一半导体激光元件的第一表面靠上方的位置。
10.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述台阶部形成为沿着所述第一半导体激光元件的激光的出射方向及所述第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸。
11.根据权利要求10所述的半导体激光装置，其中，所述第一半导体激光元件包括用于形成所述第一发光区域的第一脊部，并且所述第二半导体激光元件包括用于形成所述第二发光区域的第二脊部，所述第一脊部及所述第二脊部分别沿着所述第一半导体激光元件的激光的出射方向及所述第二半导体激光元件的激光的出射方向延伸，从所述台阶部到所述第一脊部及所述第二脊部中的至少一方的水平方向上的距离沿着所述激光的出射方向大致一定。
12.根据权利要求2所述的半导体激光装置，其中， 所述第二半导体激光元件包括多个所述第二发光区域，在所述基台水平配置的状态下，所述第一半导体激光元件的第一发光区域和所述第二半导体激光元件的多个所述第二发光区域中的各个所述第二发光区域配置成至少一部分的高度位置相互重叠。
13.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述第一半导体激光元件的第一发光区域及所述第二半导体激光元件的第二发光区域中的至少一方配置得比元件主体的中央靠所述台阶部侧。
14.根据权利要求13所述的半导体激光装置，其中，所述第二半导体激光元件包括振荡波长互不相同的两个所述第二半导体激光元件， 两个所述第二半导体激光元件相互隔开规定的间隔而接合在所述第二上表面上， 在所述基台水平配置的状态下，两个所述第二半导体激光元件各自具有的所述第二发光区域配置成比各元件主体的中央靠所述台阶部侧。
15.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中， 所述第一半导体激光元件由氮化物系半导体构成。
16.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中，所述第二半导体激光元件包括由GaInP系半导体构成的红色半导体激光元件及由 GaAs系半导体构成的红外半导体激光元件中的至少任一方。
17.根据权利要求1所述的半导体激光装置，其中， 所述基台为散热基台。
18.根据权利要求17所述的半导体激光装置，其中， 所述散热基台具有绝缘性，所述散热基台还具备形成在所述台阶部的所述第一上表面上且与所述第一半导体激光元件接合的第一电极；形成在所述台阶部的所述第二上表面上且与所述第二半导体激光元件接合的第二电极。
19.根据权利要求18所述的半导体激光装置，其中，所述第一电极和所述第二电极通过所述台阶部而相互分开配置， 在所述第一电极和所述第二电极上分别接合有接合线。
20.一种光装置，其具备半导体激光装置，其包括基台、第一半导体激光元件和第二半导体激光元件，其中，所述基台具有台阶部、所述台阶部的下侧的第一上表面和所述台阶部的上侧的第二上表面，所述第一半导体激光元件接合在所述第一上表面上且在上侧具有第一发光区域，所述第二半导体激光元件接合在所述第二上表面上且在下侧具有第二发光区域； 光学系统，其控制所述半导体激光装置的出射光，在所述基台水平配置的状态下，所述第一发光区域位于比所述第二上表面靠上方的位置。
全文摘要
本发明提供一种半导体激光装置及光装置。所述半导体激光装置具备基台，其包括台阶部、台阶部的下侧的第一上表面、台阶部的上侧的第二上表面；第一半导体激光元件，其接合在第一上表面上，且在上侧具有第一发光区域；第二半导体激光元件，其接合在第二上表面上，且在下侧具有第二发光区域。并且，在基台水平配置的状态下，第一发光区域位于比第二上表面靠上方的位置。
文档编号H01S5/02GK102377110SQ20111024085
公开日2012年3月14日 申请日期2011年8月22日 优先权日2010年8月20日
发明者三桥大树, 清水源, 秋吉新一郎 申请人:三洋光学设计株式会社, 三洋电机株式会社