专利名称：显示面板的画素结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板的画素结构及其制作方法，尤指一种具有高开口率的显示面板的画素结构及其制作方法。
背景技术：
显示面板目前已广泛使用在各式电子产品以符合电子产品轻薄短小的需求，此外，为提供消费者在浏览网页或观赏影片时较佳的观赏质量，持续提高分辨率 (resolution)是为显示面板的重要发展方向之一。为了提高分辨率，往往需藉由增加显示面板中画素结构的数目，但随之增设的金属线将会降低画素结构的开口率(aperture ratio)，且不利于背光利用率，而造成显示面板的亮度下降，也就是说，为使开口率下降的显示面板达到相同亮度，需增加背光模块的功率消耗(power consumption)以提高背光亮度。因此，如何提高画素结构的开口率以同时符合显示面板的分辨率及亮度需求实为相关技术者所欲改进的课题。
发明内容
鉴于现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种显示面板的画素结构及其制作方法，以提高显示面板的画素结构的开口率。为了实现上述目的，本发明的技术方案是一种显示面板的画素结构，其包括一基板、一薄膜晶体管、一第一透明连接垫、一保护层以及一透明画素电极。薄膜晶体管设置于基板上，且薄膜晶体管包括一间极、一间极绝缘层、一半导体通道层、一源极与一汲极。其中闸极绝缘层位于闸极与基板的上方，半导体通道层位于闸极绝缘层的上方，以及源极与汲极位于半导体通道层的上方。第一透明连接垫设置于汲极的上方，其中第一透明连接垫与汲极部分重迭并与汲极电性连接。保护层位于第一透明连接垫的上方，其中保护层具有至少一接触洞，且接触洞至少部分曝露出第一透明连接垫。透明画素电极位于保护层的上方， 其中透明画素电极经由保护层的接触洞与第一透明连接垫电性连接。为了实现上述目的，本发明另提供一种制作显示面板的画素结构的方法，其步骤如下提供一基板，且于基板上形成一薄膜晶体管。薄膜晶体管包括一间极、一间极绝缘层、 一半导体通道层、一源极与一汲极。其中间极绝缘层位于间极与基板的上方，半导体通道层位于间极绝缘层的上方，以及源极与汲极位于半导体通道层的上方。于汲极上形成一第一透明连接垫，且第一透明连接垫与汲极部分重迭并与汲极电性连接。于第一透明连接垫上形成一保护层，保护层具有至少一接触洞，且接触洞至少部分曝露出第一透明连接垫。于保护层上形成一透明画素电极，且透明画素电极经由保护层的接触洞与第一透明连接垫电性连接。本发明以透明连接垫电性连接透明画素电极与汲极，其中透明连接垫设置于汲极上方，与汲极部分重迭且与汲极电性连接。透明连接垫可作为汲极的延伸部，亦即汲极与其它组件电性连接的区域。以透明材料组成的透明连接垫取代习知技术中部分的不透明的金属汲极，可增加画素结构中的透明区域而提高开口率。
图1绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图2绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1A-A’线段的剖面示意图。图3绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1B-B’线段的剖面示意图。图4绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图5绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构沿图4B-B’线段的剖面示意图。图6绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图7绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6A-A’线段的剖面示意图。图8绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6B-B’线段的剖面示意图。图9至图12绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。图。图。
10 12 14 18 22 24 28 32 36 38 42
图13绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图14绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意
主要组件符号说明 画素结构基板闸极线薄膜晶体管保护层
透明画素电极闸极绝缘层源极绝缘层储存电容线第二透明连接垫
11画素结构
13 画素结构 16数据线 20第一透明连接垫 22A 接触洞 26 闸极 30半导体通道层 34汲极 36A 接触洞 40透明储存电容电极 44第一透明连接垫。
具体实施例方式
为使熟习本发明所属技术领域的一般技艺者能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图1、图2及图3。图1绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图2绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1A-A’线段的剖面示意图。图3绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构沿图1B-B’ 线段的剖面示意图。如图1、图2及图3所示，本实施例的显示面板的画素结构10包括一基板12、一闸极线14、一数据线16、一薄膜晶体管18、一第一透明连接垫20、一保护层22以及一透明画素电极M。基板12可以是一透明基板包括硬质基板例如玻璃基板、石英基板、塑料基板等，或是其它可挠式材质的软质基板。闸极线14、数据线16以及薄膜晶体管18设置于基板12上，且薄膜晶体管18位于闸极线14与数据线16的交叉处，但不以此为限。薄膜晶体管18包括一间极沈、一间极绝缘层观、一半导体通道层30、一源极32与一汲极34。 闸极绝缘层观位于间极26与基板12的上方，半导体通道层30位于间极绝缘层观的上方，以及源极32与汲极34位于半导体通道层30的上方。闸极线14与闸极沈电性连接， 数据线16设置于间极绝缘层观的上方，并与源极32电性连接，而第一透明连接垫20设置于汲极34的上方与汲极34部分重迭，并与汲极34电性连接。闸极线14、数据线16、源极 32与汲极34的材质可为不透明导电材料例如金属，而第一透明连接垫20的材质可为透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等，但不以此为限。保护层22位于第一透明连接垫20的上方，且保护层22具有至少一接触洞22A，至少部分曝露出第一透明连接垫20。透明画素电极M位于保护层22的上方，透明画素电极M经由保护层22的接触洞22k与第一透明连接垫20电性连接。显示面板的画素结构10另包括一绝缘层36、一储存电容线38(图1未示)、一透明储存电容电极40。绝缘层36位于薄膜晶体管18与保护层22之间，储存电容线38以及透明储存电容电极40分别设置于绝缘层36与保护层22之间。精确地说，储存电容线38 位于数据线16的上方，而透明储存电容电极40位于储存电容线38的上方。储存电容线38 与透明储存电容电极40电性连接，且透明储存电容电极40与透明画素电极M部分重迭而形成一储存电容。透明储存电容电极40设置于储存电容线38及数据线16上，且部分覆盖储存电容线38及数据线16。透明储存电容电极40的设置可用于增加储存电容值，另一方面，也可避免画素结构10边缘的电场不稳定。值得注意的是，在本实施例中，第一透明连接垫20是与汲极34接触并电性连接， 其中第一透明连接垫20与汲极34不需经由接触洞即可直接接触，且透明画素电极M是经由保护层22的接触洞22A与第一透明连接垫20接触并电性连接，也就是说，透明画素电极 24可透过第一透明连接垫20与第一透明连接垫20下方的汲极34电性连接。本发明以第一透明连接垫20取代部分的不透明的汲极34，作为与透明画素电极M电性连接的区域，可增加画素结构10的透明区域，亦即显示面板的背光可通过的区域，以提升显示面板的画素结构10的开口率。本发明的显示面板的画素结构并不以上述的实施例为限，也可具有其它不同的实施方式。为了简化说明并易于比较，在下文的较佳实施例中，对于相同组件沿用相同的符号来表示。请参考图4以及图5。图4绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图5绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构沿图4B-B’线段的剖面示意图。另外，本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构沿图4A-A’线段的剖面示意图，请一并参考图2。如图2、图4及图5所示，在第二较佳实施例中，显示面板的画素结构11另包括一第二透明连接垫42，且第二透明连接垫42与透明储存电容电极40是由同一层透明导电图案层所构成，也就是说，第二透明连接垫42与透明储存电容电极40的图案可藉由同一光罩定义以节省光罩数，但不以此为限。另外，透明储存电容电极40设置于储存电容线38及数据线16上，且部分覆盖储存电容线38及数据线16，而第二透明连接垫42设置于第一透明连接垫20上，其中透明储存电容电极40与第二透明连接垫42未电性连性。此外，绝缘层36具有至少一接触洞36A用以至少部分曝露出第一透明连接垫20， 其中第二透明连接垫42是经由绝缘层36的接触洞36A与第一透明连接垫20接触并电性连接，且透明画素电极M是经由保护层22的接触洞22A与第二透明连接垫42接触并电性连接。透明画素电极M可透过第二透明连接垫42以及第一透明连接垫20与第一透明连接垫20下方的汲极34电性连接。值得注意的是，本发明以透明连接垫取代部分的不透明的汲极34，其中透明连接垫的个数不以单个为限。请参考图6、图7至图8。图6绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的示意图。图7绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6A-A’线段的剖面示意图。图8绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构沿图6B-B’ 线段的剖面示意图。如图6、图7及图8所示，在本实施例中，与第一较佳实施例不同之处在于，显示面板的画素结构13的第一透明连接垫44与透明储存电容电极40是由同一层透明导电图案层所构成，也就是说，第一透明连接垫44与透明储存电容电极40的图案可藉由同一光罩定义。还有，在本实施例中，透明储存电容电极40与储存电容线38较佳为依序设置于绝缘层36与保护层22之间，与第一较佳实施例中储存电容线38与透明储存电容电极 40依序设置于绝缘层36与保护层22之间的配置情形不同。值得注意的是，在本实施例中，第一透明连接垫44与透明储存电容电极40是由同一层透明导电图案层所构成，相较于第一较佳实施例，可节省一道定义第一透明连接垫20 图案的光罩。另外，透明储存电容电极40设置于绝缘层36与保护层22之间，且部分重迭于储存电容线38及数据线16。精确地说，透明储存电容电极40位于数据线16的上方，且储存电容线38位于透明储存电容电极40的上方。而第一透明连接垫44设置于汲极34上， 因此，透明储存电容电极40与第一透明连接垫44未电性连性。此外，绝缘层36具有至少一接触洞36A用以至少部分曝露出汲极34，第一透明连接垫44是经由绝缘层36的接触洞 36A与汲极34接触并电性连接，而透明画素电极M是经由保护层22的接触洞22A与第一透明连接垫44电性连接。透明画素电极M可透过第一透明连接垫44与第一透明连接垫 44下方的汲极34电性连接。本发明以透明的第一透明连接垫44取代部分的不透明的汲极 34，达成透明画素电极M与汲极34的电性连接，以提升显示面板的画素结构13的开口率。请参考图9至图12。图9至图12绘示了本发明的第一较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。如图9所示，提供一基板12，且于基板12上形成一薄膜晶体管18。薄膜晶体管18包括一间极沈、一间极绝缘层观、一半导体通道层30、一源极32与一汲极34。其中闸极绝缘层观位于闸极沈与基板12的上方，半导体通道层30位于闸极绝缘层观的上方，以及源极32与汲极34位于半导体通道层30的上方。形成薄膜晶体管 18的方法可以包含下列步骤首先，于基板12上形成一第一金属层(图未示)，接着图案化此第一金属层以形成复数条间极线(图未示)与复数个间极26，随后依序形成间极绝缘层 28与半导体层30，然后再形成一第二金属层(图未示)，并图案化此第二金属层以形成复数条数据线(图未示)、复数个源极32以及复数个汲极34。如图10所示，于汲极34上形成一第一透明连接垫20。第一透明连接垫20与汲极34部分重迭并与汲极34电性连接。第一透明连接垫20的材质可为透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等。形成第一透明连接垫20的方法包括全面性沉积一透明导电材料层(图未示)于基板上，并利用一微影蚀刻制程图案化透明导电材料层， 以形成相对应于汲极；34且位于汲极34上方的第一透明连接垫20，且第一透明连接垫20与汲极34相接触。第一透明连接垫20与汲极34部分重迭并与汲极34电性连接，也就是说， 第一透明连接垫20可作为汲极34的延伸部，亦即可作为后续汲极34与其它组件电性连接的区域。本发明以透明的第一透明连接垫20取代习知技术中部分的不透明的金属汲极34， 可增加画素结构中的透明区域，以提高开口率。接下来，如图11所示，于薄膜晶体管18上形成一绝缘层36，且绝缘层36是位于第一透明连接垫20的上方。绝缘层36的材质可为有机透明绝缘材料例如树脂。接着，可去除部分绝缘层36，使具有至少一接触洞36A。去除的方法包括进行一干蚀刻制程。绝缘层36 的接触洞36A至少部分曝露出第一透明连接垫20。此外，为提供画素结构较稳定的边缘电场，也可于绝缘层36上进一步形成一储存电容线38及一透明储存电容电极(图未示)。储存电容线38由导电材质例如金属构成，且较佳是为设置于闸极线及数据线上方，以避免影响画素结构的开口率。透明储存电容电极的材质可为透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO) 或铟锌氧化物(IZO)等。透明储存电容电极与储存电容线38电性连接，透明储存电容电极可接收储存电容线38的讯息，并与后续形成的透明画素电极部分重迭而形成一储存电容。之后，如图12所示，于第一透明连接垫20上形成一保护层22，保护层22的材质可为有机透明绝缘材料例如树脂。之后去除部分保护层22，去除的方法包括进行一干蚀刻制程，使保护层22具有至少一接触洞22A，且保护层22的接触洞22A至少部分曝露出第一透明连接垫20，此时，保护层22的接触洞22A与绝缘层36的接触洞36A相连接。然后，于保护层上22形成一透明电极层(图未示)，其材质可为透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO) 或铟锌氧化物(IZO)等，并图案化透明电极层以形成透明画素电极M。其中透明画素电极 24经由保护层22的接触洞22A以及绝缘层36的接触洞36A与第一透明连接垫20电性连接。也就是说，透明画素电极M可透过第一透明连接垫20与第一透明连接垫20下方的汲极34电性连接。值得注意的是，本发明中透明画素电极透过透明连接垫与汲极电性连接的制程顺序及配置不以上述为限，且形成透明连接垫的方法可如上述为独立制程也可整合于其它画素结构的制程中。请参考图13，并请一并参考图5以及图11。图13绘示了本发明的第二较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。如图13所示，在形成绝缘层36的接触洞36A及储存电容线38后，也就是在形成透明储存电容电极40时，亦可于绝缘层36 上形成一第二透明连接垫42，亦即将第二透明连接垫42的制程整合于透明储存电容电极 40的制程中。更详细地说，第二透明连接垫42与透明储存电容电极40是由同一层透明导电图案层所构成，透明储存电容电极40形成于储存电容线38上时，第二透明连接垫42亦形成于第一透明连接垫20上，且透明储存电容电极40与第二透明连接垫42之间未电性连接。之后，形成保护层22于绝缘层36上并覆盖储存电容线38以及透明储存电容电极40， 再去除部分保护层22以形成至少一接触洞22A，且保护层22的接触洞22A曝露部分第二透明连接垫42，之后，形成一图案化透明电极层透明画素电极M于保护层22上，以完成如图 5的画素结构。此时，第一透明连接垫20是与汲极34直接接触并电性连接，第二透明连接垫42是经由绝缘层36的接触洞36A与绝缘层36的接触洞36A所曝露出的第一透明连接垫20接触并电性连接，而透明画素电极M是经由保护层22的接触洞22A与第二透明连接垫42接触并电性连接。简言之，透明画素电极M可透过第二透明连接垫42以及第一透明连接垫20与第一透明连接垫20下方的汲极34电性连接。请参考图14，并请一并参考图8以及图11。图14绘示了本发明的第三较佳实施例的显示面板的画素结构的制作方法示意图。如图14所示，在形成绝缘层36的接触洞36A 之后及形成储存电容线38之前，也就是在形成透明储存电容电极40时，亦可于绝缘层36 上形成一第一透明连接垫44，亦即将第一透明连接垫44的制程整合于透明储存电容电极 40的制程中。更详细地说，第一透明连接垫44与透明储存电容电极40是由同一层透明导电图案层所构成。当透明储存电容电极40形成于绝缘层36上时，第一透明连接垫44亦同时形成于汲极34上，且透明储存电容电极40与第一透明连接垫44之间未电性连接。在本实施例中，由于第一透明连接垫44形成于绝缘层36后，因此，绝缘层36的接触洞36A是部分曝露出汲极34，不同于前述实施例中是部分曝露出第一透明连接垫20。之后，再依序形成图案化的储存电容线38以及保护层22于绝缘层36上，保护层22可覆盖储存电容线38 以及透明储存电容电极40。再去除部分保护层22以形成至少一接触洞22A，保护层22的接触洞22A曝露部分第一透明连接垫44，接着形成一图案化的透明电极层作为透明画素电极M于保护层22上，以完成如图8的画素结构。此时，第一透明连接垫44是经由绝缘层 36的接触洞36A与汲极34接触并电性连接，而透明画素电极M是经由保护层22的接触洞22k与第一透明连接垫44接触并电性连接。简言之，透明画素电极M可透过第一透明连接垫44与第一透明连接垫44下方的汲极34电性连接。综上所述，本发明以透明连接垫电性连接透明画素电极与汲极，其中透明连接垫设置于汲极上方，与汲极部分重迭且与汲极电性连接。透明连接垫可作为汲极的延伸部，亦即汲极与其它组件电性连接的区域。以透明材料组成的透明连接垫取代习知技术中部分的不透明的金属汲极，可缩减画素结构中不透光面积，也就是说，增加画素结构中的透明区域而提高开口率。另外，透明连接垫的制程也可与显示面板的其它制程整合以减少光罩使用并节省成本，例如本发明中第一透明连接垫可与透明储存电容电极由同一层透明导电图案层共同定义。以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种显示面板的画素结构，其特征在于，包括 一基板；一薄膜晶体管，设置于该基板上，该薄膜晶体管包括一间极；一间极绝缘层，位于该闸极与该基板的上方；一半导体通道层，位于该间极绝缘层的上方；以及一源极与一汲极， 位于该半导体通道层的上方；一第一透明连接垫，设置于该汲极的上方，其中该第一透明连接垫与该汲极部分重迭并与该汲极电性连接；一保护层，位于该第一透明连接垫的上方，其中该保护层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该第一透明连接垫；以及一透明画素电极，位于该保护层的上方，其中该透明画素电极经由该保护层的该接触洞与该第一透明连接垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板的画素结构，其特征在于，该第一透明连接垫是与该汲极接触并电性连接，且该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板的画素结构，其特征在于，更包括 一绝缘层，位于该薄膜晶体管与该保护层之间；以及一透明储存电容电极，位于该绝缘层与该保护层之间，其中该透明储存电容电极与该透明画素电极部分重迭而形成一储存电容。
4.根据权利要求3所述的显示面板的画素结构，其特征在于，该第一透明连接垫与该透明储存电容电极是由同一层透明导电图案层所构成，该绝缘层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该汲极，该第一透明连接垫是经由该绝缘层的该接触洞与该汲极接触并电性连接，且该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板的画素结构，其特征在于，更包括一第二透明连接垫，其中该绝缘层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该第一透明连接垫，该第二透明连接垫是经由该绝缘层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接，该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞与该第二透明连接垫接触并电性连接，且该第二透明连接垫与该透明储存电容电极是由同一层透明导电图案层所构成。
6.根据权利要求3所述的显示面板的画素结构，其特征在于，更包括 一闸极线，设置于该基板上并与该闸极电性连接；一数据线，设置于该闸极绝缘层的上方并与该源极电性连接；以及一储存电容线，设置于该绝缘层上并与该透明储存电容电极电性连接。
7.一种制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，包括 提供一基板；于该基板上形成一薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管包括一间极；一间极绝缘层，位于该闸极与该基板的上方；一半导体通道层，位于该间极绝缘层的上方；以及一源极与一汲极，位于该半导体通道层的上方；于该汲极上形成一第一透明连接垫，其中该第一透明连接垫与该汲极部分重迭并与该汲极电性连接；于该第一透明连接垫上形成一保护层，其中该保护层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该第一透明连接垫；以及于该保护层上形成一透明画素电极，其中该透明画素电极经由该保护层的该接触洞与该第一透明连接垫电性连接。
8.根据权利要求7所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，更包括于形成该保护层之前，先于该薄膜晶体管上形成一绝缘层。
9.根据权利要求8所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，该绝缘层是位于该第一透明连接垫的上方，该绝缘层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该第一透明连接垫，该第一透明连接垫是与该汲极接触并电性连接，且该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞以及该绝缘层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接。
10.根据权利要求8所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，该第一透明连接垫是位于该绝缘层的上方，该绝缘层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该汲极，该第一透明连接垫是经由该绝缘层的该接触洞与该汲极接触并电性连接，且该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接。
11.根据权利要求10所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，更包括于该绝缘层上形成一透明储存电容电极，其中该第一透明连接垫与该透明储存电容电极是由同一层透明导电图案层所构成。
12.根据权利要求8所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，更包括于该绝缘层上形成一第二透明连接垫，其中该绝缘层是位于该第一透明连接垫的上方，该绝缘层具有至少一接触洞，至少部分曝露出该第一透明连接垫，该第一透明连接垫是与该汲极接触并电性连接，该第二透明连接垫是经由该绝缘层的该接触洞与该第一透明连接垫接触并电性连接，且该透明画素电极是经由该保护层的该接触洞与该第二透明连接垫接触并电性连接。
13.根据权利要求12所述的制作显示面板的画素结构的方法，其特征在于，更包括于该绝缘层上形成一透明储存电容电极，其中该第二透明连接垫与该透明储存电容电极是由同一层透明导电图案层所构成。
全文摘要
本发明涉及一种显示面板的画素结构，包括一基板、一薄膜晶体管、一第一透明连接垫、一保护层以及一透明画素电极。薄膜晶体管设置于基板上，其包括一闸极、一闸极绝缘层、一半导体通道层、一源极与一汲极。闸极绝缘层位于闸极与基板上，半导体通道层位于闸极绝缘层上，且源极与汲极位于半导体通道层上。第一透明连接垫设置于汲极的上方，且第一透明连接垫与汲极部分重迭并与汲极电性连接。保护层具有一接触洞位于第一透明连接垫的上方以至少部分曝露出第一透明连接垫。透明画素电极位于保护层的上方，经由保护层的接触洞与第一透明连接垫电性连接。
文档编号H01L21/77GK102361033SQ20111030882
公开日2012年2月22日 申请日期2011年10月13日 优先权日2011年10月13日
发明者刘梦骐 申请人:中华映管股份有限公司, 福州华映视讯有限公司