专利名称：发光二极管封装结构及发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及发光装置。
背景技术：
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。
现有的发光二极管封装结构一般包括基板、形成于基板上的电极以及装设于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片。通常一颗发光二极管芯片的出光角度的范围在120°左右，因此为了达到扩大发光装置出光角度的效果，通常采用多个发光二极管芯片呈一定角度设置，使各个发光二极管芯片向不同角度出射光线，形成较大的照明范围。
然而这种发光装置势必需要装设至少两个呈角度设置的发光二极管芯片，不但限制了灯具的结构和发光二极管芯片的装设位置，而且采用多个发光二极管芯片才能够实现所期望达到的效果，使得整个发光装置结构复杂，成本较高。发明内容
有鉴于此，有必要提供一种出光范围更大、且结构简单的发光二极管封装结构及具有该发光二极管封装结构的发光装置。
一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。
—种发光装置，包括发光二极管封装结构和基板，该发光二极管封装结构包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述基板的一表面上形成相互间隔的电路结构和位于电路结构之间的反射区，所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体的外表面与基板的反射区贴合并形成反射面，所述发光二极管封装结构远离基板的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。
本发明提供的发光二极管封装结构及发光装置设置有倾斜的第一斜面，并在封装体的一个外表面设置反射层，增大反射面的面积，并使发光二极管芯片发出的光线经反射层和第一斜面反射后射出，进而增大出光面的面积，形成范围更大的光场。
下面参照附图，结合具体实施方式
对本发明作进一步的描述。
图1为本发明实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2为图1中的发光二极管封装结构去除反射层的俯视示意图。
图3为本发明实施方式的发光二极管封装结构的发光装置的剖面示意图。
图4为本发明发光二极管封装结构通过检测仪器测试时光强和发光二极管封装结构与检测仪器的角度的坐标图。
主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，其特征在于:所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述内壁还包括第二斜面，该第二斜面自反射面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一斜面、第二斜面与第一表面之间的夹角角度为50度至80度。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括一平台部，该平台位于第一斜面和第二斜面之间并连接第一、第二斜面，发光二极管芯片打线连接于该平台部。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括一被第一电极和第二电极环绕的承载部，所述发光二极管芯片固定于承载部上。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述承载部还包括顶面、底面和连接于顶面和底面之间的侧面，所述顶面的高度小于电极的内壁的高度，该底面与发光二极管封装结构的出光面平齐，所述侧面自顶面向远离发光二极管芯片的方向倾斜延伸。
7.一种发光装置，包括发光二极管封装结构和基板，该发光二极管封装结构包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述基板的一表面上形成相互间隔的电路结构和位于电路结构之间的反射区，其特征在于:所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体的外表面与基板的反射区贴合并形成反射面，所述发光二极管封装结构远离基板的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。
8.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于:所述电路结构包括第一电路区和第二电路区，反射区位于第一电路区和第二电路区之间，第一电路区和第二电路区间隔的距离大于或等于反射面的尺寸。
9.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于:所述基板采用反射性材料制成。
10.如权利要求7所述的发光装置，其特征在于:所述发光二极管封装结构与基板贴合的封装体的外表面铺设有反射层。
全文摘要
一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面。本发明还涉及一种装设有该种发光二极管封装结构的发光装置。
文档编号H01L33/48GK103137827SQ20111038928
公开日2013年6月5日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者张超雄, 林厚德 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司