专利名称：发光装置及其制造方法和发光装置封装件及封装方法
技术领域：
本公开涉及ー种包括磷光体层的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。
背景技术：
发光装置(例如，发光二极管(LED))是可以通过经由化合物半导体的PN结形成发光源来发射各种光色的半导体装置。LED具有长寿命，可以制成小而轻，并具有强的光方向性，因此，LED可以以低电压驱动。另外，LED具有强的耐冲击和振动性，不需要预热，可以以简单的方式驱动，并可以以各种形式封装，因此，LED可以用于各种用途。近来，已经提出使用具有高物理和化学特性的氮化物形成的蓝色LED和紫外(UV) LED。另外，可以通过使用蓝色LED或UV LED和磷光体材料形成白光或其它単色光，因此， LED的应用日益广泛。
发明内容
提供了一种可以减小从基底的侧表面发射的光的色度劣化并可以获得光的均勻的颜色质量的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。附加方面将部分地在下面的说明书中进行说明，井部分地根据说明书将是明显的，或者可以由提出的实施例的实施而明了。根据本发明的一方面，一种发光装置包括光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；发光単元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。所述磷光体层的厚度可以在大约30 μ m至大约300 μ m的范围内。所述光透射基底可以是蓝宝石基底。所述发光単元可以发射蓝光，并且所述磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。根据本发明的另一方面，一种发光装置封装件包括封装主体，包括端子単元；发光装置，包括光透射基底、发光单元和磷光体层，所述光透射基底具有顶表面、底表面和侧表面，所述发光単元形成在所述光透射基底的所述顶表面上，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所有侧表面，并且所述发光装置安装在所述封装主体上；引线，用于将所述发光单元和所述端子単元电连接。所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。所述磷光体层的厚度可以在大约30 μ m至大约300 μ m的范围内。所述发光装置封装件还可以包括覆盖所述发光单元的第二磷光体层。所述发光単元可以发射蓝光，并且所述磷光体层和所述第二磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。
所述光透射基底可以是蓝宝石基底。可以通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法組成的组中选择的任何ー种方法来封装所述发光装置。根据本发明的另一方面，ー种制造发光装置的方法，所述方法包括将均包括具有顶表面、底表面和侧表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述顶表面上的发光単元的多个发光装置芯片转印在转印体上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述发光単元面向所述转印体；沉积含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙，然后使所述含有荧光体材料的树脂硬化；通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层。将多个发光装置芯片转印在转印体上的步骤可以包括从形成有所述多个发光装置芯片的晶片划分所述多个发光装置芯片；按照等级将划分的发光装置芯片进行分类，并将分类的发光装置芯片转印在所述转印体上。将划分的发光装置芯片进行分类和转印的步骤可以包括将分类的发光装置芯片附着到粘结带上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘结带；将所述发光装置芯片从所述粘结带转印到所述转印体上。可以沉积所述含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙井覆盖发光装置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成所述发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面的磷光体层。所述磷光体层的厚度可以在大约30 μ m至大约300 μ m的范围内。所述发光単元可以发射蓝光，并且所述磷光体层可以将所述蓝光改变为白光。所述光透射基底可以是蓝宝石基底。根据本发明的另一方面，ー种封装发光装置的方法，所述方法包括通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法組成的组中选择的任何ー种方法在封装主体上安装包括发光单元和光透射基底的发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层；通过在所述发光単元上沉积含有荧光体材料的树脂来形成第二磷光体层。所述磷光体层可以覆盖所述光透射基底的侧表面和底表面，所述底表面是与其上形成有所述发光単元的顶表面相対的表面。
下面通过结合附图对实施例进行描述，这些和/或其它方面将变得明显和更易于理解，在附图中图1是根据本发明实施例的发光装置的示意性透视图；图2是图1中的发光装置的发光单元的剖视图；图3A至图3J是用于解释制造图1中的发光装置的方法的示图；图4是根据本发明实施例的预成型式发光装置封装件的剖视图；图5A和图5B是根据本发明实施例的用于解释根据预成型方法封装发光装置的方法的剖视图；图6是根据本发明实施例的引线结合式发光装置封装件的剖视图；图7是根据本发明实施例的倒装芯片结合式发光装置封装件的剖视图。
具体实施例方式在下文中，将通过參照附图解释本发明的示例性实施例来详细描述本发明。在附图中，相同的标号指示相同的元件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。图1是根据本发明实施例的发光装置1的示意性透视图。图2是图1中的发光装置的发光单元20的剖视图。參照图1和图2，发光装置1包括发光装置芯片100和磷光体层 200。发光装置芯片100可以是发光二极管芯片。根据用于形成发光二极管芯片的化合物半导体的材料，发光二极管芯片可以发射蓝光、绿光、红光等。发光装置芯片100可以包括基底10和形成在基底10上并发射光的发光单元20。基底10可以是包括顶表面11、侧表面12和底表面13的光透射基底。例如，光透射基底可以是蓝宝石基底、氧化锌(SiO)基底、氮化镓(GaN)基底、碳化硅(SiC)基底或氮化铝(AlN)基底。发光单元20设置在基底10的顶表面11上。例如，蓝光发射ニ极管芯片的发光单元20可以包括有源层22、P型覆层23和N型覆层21，有源层22具有GaN和InGaN交替地形成的量子阱层结构，在P型覆层23中，由AlxGaYNz形成的化合物半导体形成在有源层22 上，在N型覆层21中，由AlxGa^z形成的化合物半导体形成在有源层22下方。虽然在图1 和图2中未示出，但是在生长N型覆层21之前，可以将缓冲层设置在N型覆层21和基底10 之间，以提高N型覆层21和基底10之间的晶格匹配。N电极M和P电极25分別电连接到 N型覆层21和P型覆层23。虽然在图1和图2中未示出，但是可以在N电极对和P电极 25上形成用于引线结合エ艺的结合焊盘。在图2中示出的发光单元20的结构仅是示例，因而本发明不限于此。为了将从发光装置芯片100发射的光(例如，蓝光)改变为白光，可以形成磷光体层200。磷光体层200可以是通过将荧光体颗粒混合在粘结剂树脂中形成的含磷光体的树脂。荧光体颗粒可以是单个种类，并且可以是以预定比率混合的多个种类。粘结剂树脂可以是可满足高粘结性能、高光透射性能、高耐热性、高光折射率、耐水性等的聚合物。例如， 粘结剂树脂可以是环氧类树脂或作为无机聚合物的硅。粘结剂树脂可以包括作为用于提高粘附カ的添加剂的硅烷类材料。另外，粘结剂树脂可以根据其用途而包括各种添加剤。可以通过在预定的位置上沉积含荧光体的聚合物并使含荧光体的聚合物硬化来形成磷光体层200。后面将详细描述形成磷光体层200的方法。从发光装置芯片100的发光单元20产生的光可以从发光単元20向上出射。光的一部分会在光透射基底10中扩散，然后会通过基底10的侧表面12出射。为了改变通过侧表面12发射的光的颜色，根据当前实施例的发光装置100包括覆盖基底10的所有侧表面 12的磷光体层200。通过基底10的侧表面12发射的光穿过磷光体层200，从而出射出去。 因此，例如，当蓝光从发光装置芯片100出射，并且磷光体层200包含用于将蓝光改变为白光的荧光体颗粒时，通过基底10的侧表面12出射的光可以通过穿过磷光体层200而改变为具有高质量的白光。磷光体层200可以被形成为覆盖基底10的侧表面12和底表面13。发光装置1可以通过倒装芯片结合形成在电路基底上，并且光可以通过基底10的底表面13和侧表面12 出射。在这种情况下，可以将磷光体层200形成为覆盖基底10的侧表面12和底表面13。磷光体层200的厚度可以在大约30 μ m至大约300 μ m的范围内。覆盖侧表面12 和底表面13的磷光体层200的厚度可以相同，但是本发明不限于此。覆盖侧表面12和底表面13的磷光体层200可以被确定为具有适合于用于将从发光装置芯片100发射的光改变为具有期望色度的光的厚度。在下文中，将描述制造在图1和图2中示出的发光装置100的方法。首先，准备发光装置芯片100，在发光装置芯片100中，发光单元20形成在作为光透射基底的基底10上。參照图3A，可以以晶片的形式提供发光装置芯片100，在晶片中，通过执行一系列半导体エ艺将多个发光単元20设置在基底10上。通过使用机械切割机或激光切割机沿切割线40切割基底10，从而单独地获得发光装置芯片100。切割线40是用于単独地划分发光装置芯片100的虚线。可以按照等级将划分的发光装置芯片100进行分类。即，测量发光装置芯片100 的发光波长，然后可以将具有类似发光特性的发光装置芯片100进行分类。这样，通过按照等级将具有类似发光特性的发光装置芯片100进行分类来执行稍后将描述的形成荧光体材料的エ艺。因此，可以通过控制每个等级的含有荧光体材料的树脂的量、荧光体颗粒的类型和荧光体颗粒的量来制造具有均勻色度的发光装置1。接下来，如图3D所示，将发光装置芯片100布置在转印体50上，以使发光単元20 面向下。例如，转印体50可以是具有耐热性的UV帯。可以将发光装置芯片100布置在转印体50上，然后通过在转印体50上辐射UV光将发光装置芯片100附着到转印体50。可以考虑到将形成在基底10的侧表面12上的磷光体层200的厚度来确定发光装置芯片100之间的间隙G。例如，可以通过将在稍后将描述的切割エ艺中磷光体层200的厚度的预计损失加上将形成在基底10的侧表面12上的磷光体层200的厚度的两倍来获得间隙G。通过使用在图加和图3C中示出的エ艺来执行将发光装置芯片100布置在转印体 50上的エ艺。首先，如图加所示，将发光装置芯片100布置在粘结带60上，以使基底10 的底表面13面向下。此时，发光装置芯片100的基底10的侧表面12与相邻发光装置芯片 100的相邻基底10的相邻侧表面12隔开间隙G。接下来，将其上附着有发光装置芯片100 的粘结带60翻转并设置在转印体50上，从而发光単元20面向转印体50。然后，将粘结带 60与基底10的底表面13分离。因此，发光装置芯片100被转印在转印体50上，使得发光単元20面向下。通过在转印体50上辐射UV光将发光装置芯片100附着到转印体50上。 可以通过执行上述转印エ艺将发光装置芯片100布置在转印体50上，如图3D所示。接下来，将含有荧光体材料的树脂沉积在间隙G上，然后使含有荧光体材料的树脂硬化。在该エ艺中，例如，可以使用压模方法。如图3E所示，将未硬化的含有荧光体材料的树脂沉积在间隙G上，然后进行按压，并在大约100°C至大约150°C的温度下进行成型。然后，冷却填充在间隙G中的含有荧光体材料的树脂。为了将磷光体层200向上形成到基底 10的底表面13，沉积足够量的含有荧光体材料的树脂，以覆盖基底10的底表面13，如图3F 所示，然后进行按压、成型并冷却。通过执行上述ェ艺，可以获得成型体60a和成型体60b，在成型体60a中，含有荧光体材料的树脂成型在形成于转印体50上的发光装置芯片100的侧表面12上，在成型体60b中，含有荧光体材料的树脂成型在形成于转印体50上的发光装置芯片100的侧表面12和底表面13上。接下来，执行用于将包括发光装置芯片100和磷光体层200的发光装置1単独地划分的切割エ艺。例如，可以利用使用刀具的机械切割方法、喷水切割方法、激光切割方法等来执行切割エ艺。在切割エ艺中，可以将成型体60a和60b转印在切割带70上，如图3G 或图3H所示。然后，使用例如切割刀具80切割含有荧光体材料的树脂，并将发光装置1与切割带70分离。通过执行上述エ艺，如图31和图3J所示，可以获得磷光体层200形成在基底10 的侧表面12上的发光装置1和磷光体层200形成在基底10的侧表面12和底表面13上的发光装置1。可以在执行稍后将描述的封装エ艺之前，通过执行色度測量エ艺来选择具有期望的色度特性的发光装置1。通过执行在光源设备中将使用的封装エ艺将通过执行上述エ艺制造的发光装置1 制造成发光装置封装件。參照图4，发光装置封装件2包括发光装置1和封装主体300，在发光装置1中，磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13上，并且发光装置1结合到封装主体300。在图4中示出的发光装置封装件2是预成型式封装件，并且封装主体300可以包括引线框架310和成型框架320。可以通过对诸如铝或铜的金属板执行压制エ艺和蚀刻エ艺来制造引线框架310。 引线框架310可以包括安装部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313。第一端子単元312和第二端子単元313分別通过引线331和引线332电连接到发光装置芯片100 的发光单元20。例如，第一端子単元312可以通过引线331连接到P电极25，第二端子单元313可以通过引线332连接到N电极对。第一端子単元312和第二端子単元313被成型框架320暴露，并向发光装置芯片100施加电流。可以在发光単元20上设置第二磷光体层210。第二磷光体层210可以覆盖发光单元20和基底10的顶表面11。另外，第二磷光体层210可以覆盖磷光体层200的顶表面。 第二磷光体层210可以由与磷光体层200的材料相同的材料形成。例如，当从发光装置芯片100发射蓝光，并且第二磷光体层210包括用于将蓝光改变为白光的荧光体材料吋，从发光単元20向上发射的光通过穿过第二磷光体层210而改变为白光，从而出射出去。另外，因为通过基底10的侧表面12发射的蓝光穿过磷光体层200， 所以蓝光可以改变为白光，从而出射出去。因此，从发光装置芯片100发射的所有蓝光穿过磷光体层200或第二磷光体层210，因而可以获得高质量的白光。可以通过执行例如插入成型エ艺(insert mold process)将成型框架320结合到引线框架310。成型框架320可以由例如电绝缘聚合物形成。成型框架320被形成为具有凹进形状，以暴露安装部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313。发光装置封装件2具有发光装置1设置在具有凹形的凹进340的底表面上的结构。在下文中，将參照图5A和图5B简单地描述制造发光装置封装件2的方法。首先，通过处理金属板来形成包括安装部分311以及第一端子単元312和第二端子単元313的引线框架310。然后，通过执行例如插入注射成型エ艺将成型框架320结合到引线框架310，因而形成如图5A所示的封装主体300。
接下来，如图5B所示，在安装部分311上安装磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13上的发光装置1。然后，通过使用引线331和引线332执行用于将发光単元20与第一端子単元312和第二端子単元313中的每个端子単元电连接的引
线‘口 ロ ZL乙。然后，通过在发光単元20上沉积含有荧光体材料的树脂来执行在发光单元20上形成第二磷光体层210的エ艺。含有荧光体材料的树脂被沉积成覆盖整个发光单元20，优选地，可以被沉积成覆盖整个发光单元20、基底10的顶表面11和磷光体层200。然后，对其执行硬化エ艺，由此制造出在图4中示出的发光装置封装件2。可以进ー步执行在凹进 340中填充光透射保护树脂的エ艺作为后续エ艺。可以考虑通过利用芯片级滴涂(chip level dispensing，CLD)方法来形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法。也就是说，在形成发光装置芯片100的エ艺中而不是在形成发光装置封装件2的エ艺中，可以考虑通过在发光装置芯片100的上部上沉积含有荧光体材料的树脂来形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法。然而，在CLD方法中， 通过利用表面张カ在发光装置芯片100的表面上沉积含有荧光体材料的树脂，因而难以在发光装置芯片100的侧表面12上形成磷光体层200。因此，通过基底10的侧表面12泄漏的蓝光在没有穿过磷光体层200的情况下发射，由此导致蓝光的色度劣化。另外，根据CLD 方法，因为在执行引线结合エ艺之前在形成发光装置芯片100的エ艺中将含有荧光体材料的树脂沉积在发光単元200上，所以需要用于暴露发光单元20中的用于引线结合エ艺的结合焊盘的复杂エ艺。在根据本发明的发光装置封装件2中，磷光体层200形成在基底10的侧表面12 上或形成在基底10的侧表面12和底表面13上的发光装置1安装在封装主体300上，并且在执行引线结合エ艺之后形成第二磷光体层210，因此，具有均勻质量的磷光体层200可以形成在发光装置芯片100的上表面、下表面和侧表面上。因此，从发光装置芯片100发射的光可以被改变为具有均勻色度的光。另外，通过利用CLD方法形成磷光体层200和第二磷光体层210的方法会受限于使用薄的GaN型基底的情形。然而，因为难以在基底的侧表面上形成磷光体层，所以当使用相对廉价的蓝宝石基底吋，难以利用CLD方法。然而，依照根据本发明的发光装置、制造发光装置的方法和发光装置封装件，即使使用相对厚的蓝宝石基底时，甚至可以在蓝宝石基底的侧表面上均勻地形成磷光体层。因此，可以实现具有高色度的发光装置和发光装置封装件。在上述实施例中，已经描述了通过利用预成型方法来封装发光装置1的情形，但是本发明的范围不限于此。例如，可以通过利用引线结合方法来封装发光装置1。參照图 6，引线结合式发光装置封装件加的封装主体包括电路基底90。引线结合式发光装置封装件加可以如下形成将磷光体层200形成在侧表面12上或形成在侧表面12和底表面13 上的发光装置1安装在电路基底90上；分别通过引线331和引线332将发光単元20与设置在电路基底90上的电端子単元91和电端子単元92电连接；将含有荧光体材料的树脂沉积在发光単元20上。在这种情况下，可以通过引线结合在电路基底90上形成多个发光装置1。另外，可以通过倒装芯片结合来封装发光装置1。參照图7，发光装置封装件2b的封装主体包括电路基底90。发光装置1通过倒装芯片结合形成在电路基底90上，从而发光単元20面向下，因而发光単元20可以电连接到形成在电路基底90上的电端子単元91和 92。在这种情况下，因为光从基底10的底表面13和侧表面12出射，所以可以优选地采用磷光体层200形成在基底10的底表面13和侧表面12上的发光装置1。在执行倒装芯片结合エ艺之后，可以在发光単元20和电路基底90之间沉积含有荧光体材料的树脂，以形成第 ニ磷光体层220。可以通过倒装芯片结合在电路基底90上形成多个发光装置1。
应当理解的是，这里描述的示例性实施例应当仅以描述性意思来考虑，且不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应当视为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
权利要求
1.一种发光装置，所述发光装置包括光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；发光单元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；以及磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述磷光体层的厚度在30μπι至300μπι的范围内。
4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
5.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光単元发射蓝光，并且所述磷光体层将所述蓝光改变为白光。
6.一种发光装置封装件，所述发光装置封装件包括封装主体，包括端子単元；发光装置，包括光透射基底、发光单元和磷光体层，所述光透射基底具有顶表面、底表面和侧表面，所述发光単元形成在所述光透射基底的所述顶表面上，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所有侧表面，并且所述发光装置安装在所述封装主体上；以及引线，用于将所述发光単元和所述端子単元电连接。
7.根据权利要求6所述的发光装置封装件，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面。
8.根据权利要求6所述的发光装置封装件，其中，所述磷光体层的厚度在30μ m至 300 μ m的范围内。
9.根据权利要求6所述的发光装置封装件，所述发光装置封装件还包括覆盖所述发光単元的第二磷光体层。
10.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，所述发光単元发射蓝光，并且所述磷光体层和所述第二磷光体层将所述蓝光改变为白光。
11.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
12.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法組成的组中选择的任何ー种方法来封装所述发光装置。
13.—种制造发光装置的方法，所述方法包括将均包括具有顶表面、底表面和侧表面的光透射基底以及形成在所述光透射基底的所述顶表面上的发光单元的多个发光装置芯片转印在转印体上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述发光単元面向所述转印体；沉积含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙，然后使所述含有荧光体材料的树脂硬化；以及通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，将多个发光装置芯片转印在转印体上的步骤包括从形成有所述多个发光装置芯片的晶片划分所述多个发光装置芯片；以及按照等级将划分的发光装置芯片进行分类，并将分类的发光装置芯片转印在所述转印体上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，将划分的发光装置芯片进行分类和转印的步骤包括将分类的发光装置芯片附着到粘结带上，使得发光装置芯片的侧表面彼此隔开，并使得所述光透射基底的所述底表面面向所述粘结带；以及将所述发光装置芯片从所述粘结带转印到所述转印体上。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，沉积所述含有荧光体材料的树脂，以填充所述多个发光装置芯片之间的间隙并覆盖发光装置芯片的所述光透射基底的所述底表面，其中，通过切割在所述间隙中硬化的所述含有荧光体材料的树脂来形成所述发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所述侧表面和所述底表面的磷光体层。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述磷光体层的厚度在30μ m至300 μ m的范围内。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述发光単元发射蓝光，并且所述磷光体层将所述蓝光改变为白光。
19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光透射基底是蓝宝石基底。
20.ー种封装发光装置的方法，所述方法包括通过利用从由预成型方法、引线结合方法和倒装芯片结合方法組成的组中选择的任何 ー种方法在封装主体上安装包括发光单元和光透射基底的发光装置，在所述发光装置中形成有覆盖所述光透射基底的所有侧表面的磷光体层；以及通过在所述发光単元上沉积含有荧光体材料的树脂来形成第二磷光体层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，所述磷光体层覆盖所述光透射基底的侧表面和底表面，所述底表面是与其上形成有所述发光単元的顶表面相対的表面。
全文摘要
本发明提供了一种包括磷光体层的发光装置、一种采用该发光装置的发光装置封装件、一种制造该发光装置的方法和一种封装该发光装置的方法。所述发光装置包括光透射基底，具有顶表面、底表面和侧表面；发光单元，形成在所述光透射基底的所述顶表面上；磷光体层，覆盖所述光透射基底的所有侧表面。根据本发明，可以减小从基底的侧表面发射的光的色度劣化。
文档编号H01L33/50GK102569608SQ20111039647
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月29日 优先权日2010年12月15日
发明者筒井毅 申请人:三星Led株式会社