专利名称：发光二极管封装结构的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术：
目前，发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。传统的白光发光二极管为采用氮化镓蓝光芯片，在封装时用混有荧光粉的胶体包裹起来，通电发蓝光后激发荧光粉后转化黄光与未能被激发的蓝光混合成白光的方式发射出来。该蓝光芯片的制造工艺为在基板上采用金属有机化合物气相沉积技术(MOCVD)工艺生长，氮化镓外延发光层后经芯片化学、黄光、蒸镀、蚀刻等工艺制作金属电极，再经研磨、 抛光、切割等工艺制作成单颗的芯片。现有的一种白光发光二极管封装结构的制作工艺为 将单颗的芯片采用封装工艺将芯片固定到电路板、陶瓷基板或者金属支架上经打线工艺再经荧光粉点胶封胶工艺后制作成白光发光二极管封装结构。该种工艺生产白光发光二极管封装结构较为复杂，出光率也较低，且因为芯片表面荧光粉厚度不一，即芯片表面受激发荧光粉的量不一，蓝光芯片激发荧光粉发出的黄光与未激发荧光粉溢出的蓝光混合的比例不一，必然会存在光斑现象。
发明内容
有鉴于此，提供一种发光二极管封装结构的制造方法，以解决现有发光二极管封装结构中荧光粉厚度不均勻的技术问题。本发明是这样实现的一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下步骤提供一封装基板；将发光二极管芯片固定到所述封装基板上，该发光二极管芯片具有一远离所述封装基板的出光面；采用一个挡片模具扣在所述封装基板上，该挡片模具具有一个与所述发光二极管芯片的出光面对应的开口，以露出所述发光二极管芯片的出光面，所述开口内壁各处的厚度相同；在所述开口内形成一荧光粉层，并使所述荧光粉层远离发光二极管芯片的顶面与所述开口远离所述发光二极管芯片的端面平齐；及 移除所述挡片模具，并形成一封装体覆盖所述发光二极管芯片。
在所述发光二极管封装结构的制造方法中，通过采用挡片模具来控制荧光粉层的厚度，能够使得荧光粉层的厚度更加均勻，从而可以避免出现现有发光二极管封装结构中荧光粉厚度不均勻的问题，避免发光二极管封装结构表面出现光斑现象。
以下结合附图描述本发明的实施例，其中
图1是本发明实施例提供的发光二极管封装结构的制造方法流程图；及图2-图6是图1的发光二极管封装结构的制造方法中各步骤的结构示意图。
具体实施例方式以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅作为实施例，并不用于限定本发明的保护范围。请参阅图1至图6，本发明实施例提供的一种发光二极管封装结构100的制造方法包括以下步骤。如图2所示，提供一封装基板10。本实施例中，所述封装基板10包括电气分隔的两个金属支架11以及设置于所述两个金属支架11之间的绝缘材料12。如图3所示，将发光二极管芯片20固定到所述封装基板10上，该发光二极管芯片 20具有一远离所述封装基板10的出光面21。所述发光二极管芯片20可通过共晶或者固晶胶固定到所述封装基板10上。所述发光二极管芯片20在固定到所述封装基板10上时， 可通过覆晶的方式将所述发光二极管芯片20与所述封装基板10电连接。本实施例中，所述发光二极管芯片20贴设于所述两个金属支架11其中之一上，由于金属支架11 一般具有很好的导热性能，通过将所述发光二极管芯片20设置在所述金属支架11上，可大大提高发光二极管芯片20的散热效率。所述发光二极管芯片20远离封装基板10的表面上还具有电极22。如图4所示，采用一个挡片模具200扣在所述封装基板10上，该挡片模具200具有一个与所述发光二极管芯片20的出光面21对应的开口 201，以露出所述发光二极管芯片20的出光面21，所述开口 201内壁各处的厚度相同。本实施例中，所述挡片模具200扣在所述封装基板10上时，其远离封装基板10的表面与所述发光二极管芯片20的出光面21 平行。所述挡片模具200扣在所述封装基板10上时，遮挡住所述电极22。如图5所示，在所述开口 201内形成一荧光粉层30，并使所述荧光粉层30远离发光二极管芯片20的顶面与所述开口 201远离所述发光二极管芯片20的端面平齐。如此， 可保证发光二极管芯片20上的荧光粉层30各区域具有相同的厚度。所述荧光粉层30包括硅胶及掺杂在所述硅胶中的荧光粉。优选地，所述发光二极管芯片20为蓝光发光二极管芯片，所述荧光粉层30中的荧光粉为黄色荧光粉。本实施例中，在所述开口 201内形成一荧光粉层30的步骤包括将硅胶与荧光粉以一定比例混合好之后在发光二极管芯片20的出光面21上形成荧光粉层30，然后固化所述荧光粉层30。所述硅胶与荧光粉混合后可通过模具模压成型或者涂覆等方式形成所述荧光粉层30。所述荧光粉层30可通过加热、烘烤等方式固化。如图6所示，移除所述挡片模具200，并形成一封装体40覆盖所述发光二极管芯片 20。所述封装体40用于保护所述发光二极管芯片20，防止发光二极管芯片20受到水汽、灰尘等污染。本实施例中，所述发光二极管芯片20是在形成所述荧光粉层30后，形成所述封装体40之前，通过打线的方式与所述封装基板10电连接。所述发光二极管封装结构100的制造方法中，通过采用挡片模具200来控制荧光粉层30的厚度，能够使得荧光粉层30的厚度更加均勻，从而可以避免出现现有发光二极管封装结构中荧光粉厚度不均勻的问题，避免发光二极管封装结构100表面出现光斑现象。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下步骤提供一封装基板；将发光二极管芯片固定到所述封装基板上，该发光二极管芯片具有一远离所述封装基板的出光面；采用一个挡片模具扣在所述封装基板上，该挡片模具具有一个与所述发光二极管芯片的出光面对应的开口，以露出所述发光二极管芯片的出光面，所述开口内壁各处的厚度相同；在所述开口内形成一荧光粉层，并使所述荧光粉层远离发光二极管芯片的顶面与所述开口远离所述发光二极管芯片的端面平齐；及移除所述挡片模具，并形成一封装体覆盖所述发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片，所述荧光粉层中的荧光粉为黄色荧光粉。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述挡片模具扣在所述封装基板上时，其远离封装基板的表面与所述发光二极管芯片的出光面平行。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在所述开口内形成一荧光粉层的步骤包括将硅胶与荧光粉以一定比例混合好之后在发光二极管芯片的出光面上形成荧光粉层，然后固化所述荧光粉层。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片通过共晶或者固晶胶固定到所述封装基板上。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述荧光粉层之前，所述发光二极管封装结构的制造方法还包括步骤通过覆晶的方式将所述发光二极管芯片与所述封装基板电连接。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述荧光粉层之后，形成所述封装体之前，所述发光二极管封装结构的制造方法还包括步骤通过打线的方式将所述发光二极管芯片与所述封装基板电连接。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述封装基板包括电气分隔的两个金属支架，所述发光二极管芯片与所述两个金属支架电性连接。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片贴设于所述两个金属支架其中之一上。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于，所述发光二极管芯片远离封装基板的表面上还具有电极，所述挡片模具扣在所述封装基板上时，遮挡住所述电极。
全文摘要
本发明涉及一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下步骤提供一封装基板；将发光二极管芯片固定到所述封装基板上，该发光二极管芯片具有一远离所述封装基板的出光面；采用一个挡片模具扣在所述封装基板上，该挡片模具具有一个与所述发光二极管芯片的出光面对应的开口，以露出所述发光二极管芯片的出光面，所述开口内壁各处的厚度相同；在所述开口内形成一荧光粉层，并使所述荧光粉层远离发光二极管芯片的顶面与所述开口远离所述发光二极管芯片的端面平齐；及移除所述挡片模具，并形成一封装体覆盖所述发光二极管芯片。所述发光二极管封装结构的制造方法能够使得荧光粉层的厚度均匀，避免光斑现象。
文档编号H01L33/50GK102437257SQ20111039923
公开日2012年5月2日 申请日期2011年12月5日 优先权日2011年12月5日
发明者殷仕乐 申请人:深圳市瑞丰光电子股份有限公司