专利名称：发光二极管芯片及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体，特别是指一种发光二极管芯片及其制造方法。
背景技术：
发光二极管芯片做为第三代光源，具有体积小、节能环保等优点，得到越来越广泛的应用。而发光二极管芯片的发光效率一直是人们努力改善和提高的热点问题。近年来，除了在磊晶结构部分不断改善内部量子效率的研究之外，在晶粒制程方面也进行了较多的研究，通过尝试不同的物理结构以增进出光效率。但是目前的物理结构对于出光效率的提升仍有限，发光二极管芯片的出光效率仍然较低。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种具有较高出光效率的发光二极管芯片及其制造方法。一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构。所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的η型半导体层、发光层以及P型半导体层。该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该η型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为
0.5-2.5 μ m0一种发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤:提供一基板，该基板具有一形成有图案化结构的第一表面；在所述基板的第一表面上形成一缓冲层；在该缓冲层上形成一η型半导体层，该η型半导体层远离缓冲层的顶面与所述第一表面的距离为0.5-2.5μπι ;在该η型半导体层上依次形成发光层和P型半导体层。该发光二极管芯片，由于所述基板的第一表面与η型半导体层的顶面之间的距离为0.5-2.5 μ m之间，导致发光二极管芯片的发光层发出的光线射向基板的第一表面时，光线角度被第一表面改变较大，从而提升该发光二极管芯片的出光效率。
图1是本发明实施方式提供的一种发光二极管芯片结构示意图。图2是基板的第一表面与磊晶结构的顶面的距离与出光效率的关系图。图3-图7为本发明实施方式提供的一种发光二极管芯片制造方法的各步骤示意图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构，所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的η型半导体层、发光层以及P型半导体层，其特征在于，该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该η型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为 0.5-2.5 μ m。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于:该顶面与该第一表面的距离为0.5-1.8 μ m。
3.如权利要求1或2任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述图案化结构由多个凸起所构成。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述凸起呈圆弧状，直径为3 μ m0
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述凸起之间的距离为2μ m。
6.一种发光二极管芯片的制造方法，包括以下步骤: 提供一基板，该基板具有一形成有图案化结构的第一表面； 在所述基板的第一表面上形成一缓冲层； 在该缓冲层上形成一 η型半导体层，该η型半导体层远离缓冲层的顶面与所述第一表面的距离为0.5-2.5 μ m ； 在该η型半导体层上依次形成发光层和P型半导体层。
7.如权利要求6所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于:在该缓冲层上形成一 η型半导体层的步骤可分为两步来实现:首先在该缓冲层上形成一 3 μ m厚的η型半导体层；然后蚀刻该η型半导体层，使得该η型半导体层远离缓冲层的顶面与所述第一表面的距离为 0.5-2.5 μ m。
8.如权利要求7所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于:蚀刻该η型半导体层步骤中，蚀刻后所述第一表面与所述顶面的距离为0.5-1.8 μ m。
9.如权利要求6至8任一项所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于:所述图案化结构由多个凸起所构成。
10.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于:所述凸起呈圆弧状，直径为3 μ m。
11.如权利要求10所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于:所述凸起之间的距离为2 μ m。
全文摘要
一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构。所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层。该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5-2.5μm。本发明还涉及一种发光二极管芯片的制造方法。
文档编号H01L33/00GK103187495SQ20111044370
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者林雅雯, 凃博闵, 黄世晟, 黄嘉宏, 杨顺贵 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司