专利名称：新型碳化硅肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的二极管。
背景技术：
肖特基势垒二极管(SBD)是利用金属与半导体表面接触形成势垒的非线性特性制成的功率二极管。SBD在导通过程中没有额外载流子的注入和储存，因而基本上没有反向恢复电流，其关断过程很快，开关损耗很小。但是SBD的导通电阻随着其阻断电压的提高迅速增加(比导通电阻和阻断电压的 2. 5次方成正比)，在较高压的SBD器件中，其导通电阻会相当大。随着对阻断电压的要求越来越高，现有结构的应用受到了明显的限制。鉴于此，迫切需要发明一种新的二极管结构， 可以在一定的阻断电压等级条件下，降低SBD的导通电阻。
发明内容本实用新型针对现有SBD结构在应用中的不足，提供一种新型碳化硅肖特基二极管。本实用新型可以实现器件的比导通电阻和阻断电压成正比关系，和传统SBD结构相比， 它在一定的阻断电压等级要求下，可以大大降低SBD的导通电阻，减少其通态损耗，使碳化硅肖特基二极管的性能得到良好的改善。为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决新型碳化硅肖特基二极管，包括阴极和阳极，所述阴极和阳极之间设有若干层上下叠接的SiC外延层，SiC外延层的上端面设有P区。作为优选，所述位于最下层的SiC外延层与阴极之间设有SiC衬底，所述位于最上层的SiC外延层与阳极之间设有肖特基势垒接触金属层。本实用新型由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果在普通肖特基势垒二极管结构的基础上，通过增加SiC外延层的数量，从而提高SBD反向阻断电压，降低器件的导通电阻。本实用新型的工业生产工艺，相比于其他降低SBD导通电阻减少通态损耗的技术，更能节约生产成本，即以相对较低的成本提升肖特基势垒二极管的工作性能。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图与实施例对本实用新型作进一步详细描述实施例，新型碳化硅肖特基二极管，如图1所示，包括阴极1和阳极6，所述阴极1 和阳极6之间设有若干层上下叠接的SiC外延层3，SiC外延层3的上端面设有P区4。所述位于最下层的SiC外延层3与阴极1之间设有SiC衬底2，所述位于最上层的SiC外延层3与阳极6之间设有肖特基势垒接触金属层5。本实用新型在工作时，正向电流通过阳极6进入到肖特基势垒接触金属层5，依次流入SiC外延层3，最后由阴极1流出。当SBD正向偏置时，PN结也进入正偏状态，但SBD 的开启电压比PN结低，正向电流将通过SBD通道，N型SBD通道为阻性区域，故正向压降较 PN结大大降低，并且多个外延层结构较单层结构的导通电阻可以大大降低。同理，在相同的导通电阻下，其反向阻断电压等级可以大为提高。总之，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
权利要求1.新型碳化硅肖特基二极管，包括阴极(1)和阳极(6)，其特征在于所述阴极(1)和阳极(6)之间设有若干层上下叠接的SiC外延层(3)，SiC外延层(3)的上端面设有P区(4)。
2.根据权利要求1所述的新型碳化硅肖特基二极管，其特征在于所述位于最下层的 SiC外延层(3)与阴极(1)之间设有SiC衬底(2)，所述位于最上层的SiC外延层(3)与阳极(6 )之间设有肖特基势垒接触金属层(5 )。
专利摘要本实用新型涉及一种半导体器件，公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括阴极和阳极，所述阴极和阳极之间设有若干层上下叠接的SiC外延层，SiC外延层的上端面设有P区。本实用新型通过增加SiC外延层的数量，从而提高SBD反向阻断电压，降低器件的导通电阻，使得肖特基势垒二极管的通态损耗更小。
文档编号H01L29/872GK202009004SQ201120104488
公开日2011年10月12日 申请日期2011年4月12日 优先权日2011年4月12日
发明者周伟成, 崔京京, 盛况, 邓永辉, 郭清 申请人:盛况