专利名称：带金属垫片焊接的塑封功率二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体分立器技术领域，尤其是涉及一种塑封功率二极管。
背景技术：
目前，广泛应用于电视、电脑、节能灯、电子仪器仪表电路中的塑封功率二极管，其封装形式可分为环氧树脂塑料封装、玻璃封装、金属封装、陶瓷封装等。环氧树脂塑料封装的功率二极管易于大规模生产，成本低廉，是当今封装二极管的主流。塑封功率二极管的制造方法有多种，耐高反向电压的功率二极管大都采用台面型工艺方法制造。主要采用玻璃钝化(GPP)硅芯片和经酸腐蚀的硅芯片，前者硅芯片焊接导线后可进行注塑封装，而后者是将芯片焊接导线后，再经过酸腐蚀及高纯水的清洗，硅橡胶的保护后，才能注塑封装。传统的塑封功率二极管采用铜导线、铅锡银焊片、硅芯片焊接后，实施环氧树脂塑料封装，由于铜导线、铅锡银焊片、硅芯片及塑封体的热膨胀系数的不同，在高温时，施加在硅芯片上热应力很大，导致二极管的反向漏电流增大甚至早期失效，二极管的高温特性变坏。
实用新型内容本实用新型的目的是克服现有技术的不足，提供一种带金属垫片焊接的塑封功率
二极管。本实用新型由干字头铜导线、铅锡银焊片、铁合金垫片、硅芯片及非空腔塑封体构成，干字头铜导线上焊接铁合金垫片，带金属垫片的导线连接硅芯片引出二极管的正负极。所述铁合金垫片的形状优选为圆型状，其直径与干字头导线上台面直径相等。所述干字头铜导线的长度比已有的铜导线短，二极管的外形优选为非空腔塑封体。二极管芯片的基材是半导体硅，它的一个特点是比较脆，热膨胀系数小，当硅芯片受到热应力和机械外力的作用时，容易造成微裂纹，特别是在高温的环境下，铜导线、塑封体等材料的热膨胀系数较大，施加在硅芯片上的热应力很大，容易导致二极管早期失效， 可靠性降低。本实用新型的优点是采用焊接冷冲压成型的圆形镀铜或镀镍铁合金垫片，热应力作用于两个金属垫片和硅芯片上，金属垫片分担了热应力的作用，大大缓解了热应力对硅芯片的冲击，二极管的高温特性好，且干字型铜导线材料也比传统的二极管缩短了，节省了铜材。本实用新型公开的塑封二极管，其耐热应力冲击强、高温特性好、可靠性高、工艺简单易行、适合大规模生产。
图1为带金属垫片导线的结构示意3[0014]图2为本实用新型带金属垫片焊接的塑封功率二极管的内部结构示意图；图3为图2所示带金属垫片焊接的塑封功率二极管的外形结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作详细说明图中1、干字头铜导线，2、焊片，3、铁合金垫片，4、焊接硅芯片的焊片，5、硅芯片， 6、非空腔塑封圆柱体，7、色环标识。其由干字头铜导线、铅锡银焊片、铁合金垫片、硅芯片及非空腔塑封体构成，干字头铜导线上焊接铁合金垫片，带金属垫片的导线连接硅芯片引出二极管的正负极。铁合金垫片的形状为圆型状，其直径与干字头导线上台面直径相等；干字头铜导线的长度要比已有的铜导线缩短，二极管的外形为非空腔塑封体。
权利要求1.一种带金属垫片焊接的塑封功率二极管，其特征在于其由干字头铜导线、铅锡银焊片、铁合金垫片、硅芯片及非空腔塑封体构成，干字头铜导线上焊接铁合金垫片，带金属垫片的导线连接硅芯片引出二极管的正负极。
2.根据权利要求1所述的带金属垫片焊接的塑封功率二极管，其特征在于所述铁合金垫片的形状为圆型状，其直径与干字头导线上台面直径相等。
专利摘要本实用新型公开了一种带金属垫片焊接的塑封功率二极管，涉及半导体分立器技术领域。其由干字头铜导线、铅锡银焊片、铁合金垫片、硅芯片及非空腔塑封体构成，干字头铜导线上焊接铁合金垫片，带金属垫片的导线连接硅芯片引出二极管的正负极。本实用新型具有耐热应力冲击强、高温特性好、可靠性高、工艺简单易行、适合大规模生产的优点。
文档编号H01L29/861GK202196774SQ201120277668
公开日2012年4月18日 申请日期2011年8月2日 优先权日2011年8月2日
发明者于秀娟, 张录周, 武海清, 赵为涛 申请人:山东沂光电子股份有限公司