专利名称：发光元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光元件，所述发光元件能够将电能转化为光，可以用于显示元件、平板显示器、背光灯、照明、内部装饰(interior)、标识、广告牌、电子照相机以及光信号发生器等领域。
背景技术：
近年来有机薄膜发光元件的研究较活跃，所述有机薄膜发光元件在从阴极注入的电子与从阳极注入的空穴于被两极夹持的有机荧光体内再次结合时发光。该发光元件的特 征在于，厚度较薄且在低驱动电压下高亮度发光，并且通过选择荧光材料可以发出多色光，因而备受关注。自从Kodak公司的C. ff. Tang等指出有机薄膜元件高亮度地发光以来，很多研究机构正进行该研究。Kodak公司的研究小组提出的有机薄膜发光元件的代表性结构是，在ITO玻璃基板上依次设置空穴输送性二胺化合物、作为发光层的8-羟基喹啉铝、以及作为阴极的Mg:Ag，在IOV左右的驱动电压下可以发出1，000cd/m2的绿色光(例如，参见非专利文献I)。之后，进行了大量的实用化探讨，结果有机薄膜发光元件被用于移动电话的主显示器等，切实地推进了实用化。但是，依然还存在很多技术课题，其中，同时实现元件的低电压化和长寿命化为重大课题之一。元件的驱动电压主要受载体输送材料控制，该载体输送材料将载体、即空穴或电子输送至发光层。其中作为输送空穴的材料(空穴输送材料)已知有具有咔唑骨架的材料。(专利文献I 6)另外，从电子输送的观点考虑，作为使兀件低电压化的技术之一，公开了在用作电子输送层的材料中掺杂碱金属的技术(参见专利文献7 11)。专利文献I :日本特开平8-3547号公报专利文献2 日本特开平9-249876号公报专利文献3 :日本特开平11-144876号公报专利文献4 :日本特开2008-294161号公报专利文献5 :日本特开2003-133075号公报专利文献6 :韩国专利公开2009-28943号公报专利文献7 :日本特开2000-348864号公报专利文献8 :日本特开2004-277377号公报专利文献9 :日本特开2003-347060号公报专利文献10 :日本特开2002-352961号公报专利文献11 :日本特开2004-2297号公报非专利文献I :Applied Physics Letters (美国)，1987 年,51 卷，12 号,913 页
发明内容
但是，仅仅使用专利文献I 6那样的材料，元件的发光效率、驱动电压、耐久寿命并不充分。另外，虽然专利文献7 11所述的技术确实对元件的低电压化有效，但是发光效率、耐久寿命还是不充分。如上所述，尚未发现能低电压驱动、并且也同时实现耐久寿命的技术。本发明的目的在于解决上述现有技术中的问题，提供一种能够使发光效率、驱动电压、耐久寿命全部得到改善的有机薄膜发光元件。一种发光元件，所述发光元件在阳极和阴极之间至少存在空穴输送层和电子输送层，通过电能发光，其特征在于，该发光元件的空穴输送层含有下述通式(I)表示的化合物，并且电子输送层含有施主性化合物，施主性化合物为碱金属、含有碱金属的无机盐、碱 金属与有机物的络合物、碱土金属、含有碱土金属的无机盐或者碱土金属与有机物的络合物。
权利要求
1.一种发光元件，其特征在于，所述发光元件在阳极和阴极之间至少存在空穴输送层和电子输送层，通过电能发光，所述发光元件的空穴输送层含有下述通式(I)表示的化合物，电子输送层含有施主性化合物，所述施主性化合物为碱金属、含有碱金属的无机盐、碱金属与有机物的络合物、碱土金属、含有碱土金属的无机盐、或者碱土金属与有机物的络合物，
2.如权利要求I所述的发光元件，其中，在所述空穴输送层和阳极之间存在空穴注入层，空穴注入层仅由受主性化合物构成、或者含有受主性化合物。
3.如权利要求2所述的发光元件，其中，受主性化合物为金属氧化物或者含氰基的化合物。
4.如权利要求I 3中任一项所述的发光元件，其中，所述电子输送层含有菲绕啉衍生物。
5.如权利要求I 3中任一项所述的发光元件，其中，所述电子输送层含有具有芘骨架或者蒽骨架的化合物。
6.如权利要求5所述的发光元件，其中，所述具有芘骨架或者蒽骨架的化合物具有含有电子接受性氮的杂芳基环结构。
全文摘要
本发明提供一种发光效率、驱动电压、耐久寿命均得到改善的有机薄膜发光元件。该发光元件在阳极和阴极之间至少存在空穴输送层和电子输送层，通过电能发光，其特征在于，该发光元件的空穴输送层含有下述通式(1)表示的化合物，电子输送层含有施主性化合物，该施主性化合物为碱金属、含有碱金属的无机盐、碱金属与有机物的络合物、碱土金属、含有碱土金属的无机盐或者碱土金属与有机物的络合物。(R1～R20为选自氢、氘、烷基、环烷基、氨基、芳基、杂环基、杂芳基、链烯基、环烯基、炔基、烷氧基、烷基硫基、芳醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、-P(＝O)R24R25以及甲硅烷基中的基团。R24以及R25分别为芳基或者杂芳基。上述取代基可以进一步被取代，相邻取代基之间也可以进一步形成环。R21～R23可以分别相同也可以不同，为选自烷基、环烷基、芳基、或者杂芳基中的基团。上述取代基可以进一步被取代。)
文档编号H01L51/50GK102918677SQ20118002690
公开日2013年2月6日 申请日期2011年6月24日 优先权日2010年7月13日
发明者田中大作, 松木真一, 富永刚 申请人:东丽株式会社