专利名称：用于半导体芯片的具有防焊剂蠕流的焊剂阻挡部的承载装置、具有承载装置的电子器件 ...的制作方法
技术领域：
提出一种用于半导体芯片的承载装置、具有承载装置的电子器件以及具有承载装置的光电子器件。
背景技术：
本专利申请要求德国专利申请102010027313. 9的优先权，其公开内容以参引的方式并入本文。发光二极管(LED)典型地具有壳体，导线框架嵌入在所述壳体中。在导线框架上，LED芯片设置在壳体内。这样的LED通常情况下经由导线框架的从壳体中向外引导的端子粘贴到载体上。因为，壳体的在导线框架上的端子典型地不能构成为贯穿的，使得实现壳体的内部相对于外侧的气密的密封，沿着在壳体和导线框架之间的分界面出现微隙和渗透路径，由于所述微隙和渗透路径，在焊接过程期间，焊接材料能够蠕流到壳体的内部中。焊接材料能够由此构成薄的膜，所述膜以不可控的方式覆盖壳体内的导线框架。因此，对于可靠的和高质量的LED的制造，这种效应是不能接受的。当LED多次补焊和脱焊时，还能够由此增强蠕流效应。对于如具有带状导线或电路板的陶瓷载体的衬底式的芯片载体而言，类似的效应是已知的，其中用塑料材料局部地覆盖带状导线，所述塑料材料例如用作为阻焊漆，并且在所述塑料材料下焊剂能够沿着塑料材料和带状导线之间的分界面蠕流。
发明内容
特定的实施形式的至少一个目的是，提出一种用于半导体芯片的承载装置，其中能够至少减少焊剂的这种蠕流效应。特定的实施形式的其他目的是，提出一种具有这样的承载装置的电子器件以及光电子器件。 所述目的通过具有独立权利要求所述的特征的主题得以实现。主题的有利的实施形式和改进方案的特征在从属权利要求中说明，并且此外从下述说明和附图中得知。根据至少一个实施形式，用于半导体芯片的承载装置具有可键合的和/或可焊接的金属载体，所述金属载体具有用于半导体芯片的装配区域并且具有焊接区域。在此，“可键合”尤其意味着，金属载体设置为用于并且适用于例如能够借助于所谓的“芯片粘接”或芯片粘合来固定半导体芯片，并且/或者设置为用于并且适用于能够将接触线借助于“引线键合”或线接触来固定。为此，金属载体例如能够具有带有可键合的覆层的形式的适合的层。焊接区域设置为用于并且适用于将载体进而承载装置焊接到适合的电接触部上。承载装置例如能够焊接到接触点上或陶瓷载体的带状导线上或电路板上。根据另一实施形式，载体至少部分地由覆盖材料覆盖，以至于在载体和覆盖材料之间形成分界面。覆盖材料尤其能够以邻接到载体上的形式设置在用于半导体芯片的焊接区域和装配区域之间，以至于载体和覆盖材料具有共同的分界面。在载体和覆盖材料之间的分界面上设置有焊剂阻挡部，与不具有焊剂阻挡部的载体相比，所述焊剂阻挡部适于沿着分界面减少焊剂在装配区域和焊接区域之间的蠕流。在此，焊剂阻挡部能够完全由覆盖材料覆盖，或者也替选于此，至少部分地从覆盖材料中凸出。此外，还可行的是，设置在载体和覆盖材料之间的分界面上的焊剂阻挡部完全设置在覆盖部外，并且此外邻接于分界面。根据再一实施形式，载体沿着从焊接区域到装配区域的延伸方向延伸。焊剂阻挡部尤其能够设置在载体的表面上，所述表面也具有装配区域。在所述表面上，焊剂阻挡部有利地横向于延伸方向设置，并且尤其横向于延伸方向在所述表面上延伸经过整个载体。由此可能的是，在具有装配区域的表面上，沿着在焊接区域和装配区域之间的分界面不存在用于焊剂的、经过焊剂阻挡部的直接的蠕流路径，以至于装配区域由焊接区域通过焊剂阻挡部遮蔽。根据又一实施形式，覆盖材料包围除了焊接区域或除了焊接区域和装配区域以外的载体。这尤其能够意味着，覆盖材料构成为壳体，所述壳体模制到载体上，并且包围除了焊接区域或除了焊接区域和装配区域以外的载体。在此，载体能够具有至少一个或多个表 面，所述表面分别具有分界面，所述分界面具有构造为壳体本体的覆盖材料。焊剂阻挡部能够设置在至少一个表面上，并且尤其设置在载体的具有装配区域的表面上。根据又一实施形式，载体构造为导线框架或至少构造为导线框架的一部分。在此，载体尤其能够构成为在用于光电子器件的或用于电子器件的壳体中的导线框架。在此，焊接区域能够由导线框架的从壳体中引出的部分构成。载体特别优选能够具有铜或铜合金。铜和铜合金由于其易加工性以及其导电性和导热性而出色地作为用于导线框架的特别适合的材料。替选于此，导线框架也能够具有另外的或另外的用于导线框架的传统材料。根据又一实施形式，覆盖材料具有环氧化物，或由环氧化物构成。替选地或附加地，覆盖材料也能够具有硅酮、丙烯酸酯和/或酰亚胺或上述物质的组合，例如具有硅酮-环氧化物杂化材料。环氧化物尤其有利地使用于用于构成壳体本体的电子器件或光电子器件，因为环氧化物能够具有高的机械稳定性以及某种程度的辐射稳定性。此外，载体能够具有覆层，所述覆层覆盖载体材料，并且因此例如能够保护其免受有害的环境影响。覆层能够至少构造在载体和覆盖材料之间的分界面上，并且尤其优选地构造为将整个载体包封的，即构造为全面的覆层，其中全面也意味着，必要时焊剂阻挡部形成不存在覆层或仅存在覆层的一部分的区域。根据又一实施形式，载体至少在载体和覆盖材料之间的分界面上具有覆层，所述覆层还能够具有对于焊剂的高的润湿性。这类高的润湿性能够有利地用于促进焊接区域的可焊性。覆层尤其能够具有带有镍和/或钯和/或金的合金。带有镍和/或钯和/或金的合金，例如PdAu或NiPdAu或NiAu尤其能够适合于保护尤其是铜的载体材料免受有害的影响。附加地，这类合金具有对于焊剂、尤其是对于锡基的焊剂的高的润湿性。尤其，表面能量条件在钯覆层、金覆层和尤其在PdAu覆层的情况下，由于小的润湿角而具有液态焊剂的、尤其液态锡的高的润湿性。由于这样的覆层的高的润湿性，尤其也由于在焊剂中的锡，所述焊剂能够非常容易地沿着在载体和覆盖材料之间的分界面蠕流，进而例如在借助于焊接区域焊接承载装置时，所述焊剂例如能够朝装配区域方向蠕流到焊接区域的印刷电路板或电路板上，并且在此覆盖载体。通过焊剂阻挡部能够至少减少所述效应，或甚至完全阻止所述效应。因为蠕流效应仅在承载装置的温度足够高时才出现，使得焊剂以液态存在，通过焊剂阻挡部减少或阻止蠕流效应尤其意味着，通过焊剂阻挡部降低焊剂的蠕流速度，使得焊剂或焊剂的组成部分在传统的焊接过程期间不再能够到达装配区域。由此，能够在控制下有利地保持蠕流效应，并且在例如回流焊过程的传统的焊接过程的范围内例如能够预告蠕流效应。此外，覆层也能够具有层序列，所述层序列具有带有之前提到的材料或所述材料的组合或合金的多个层。例如，覆层能够具有带有镍的层，在其上具有带有钯的层，并且在其上具有带有金的层。所述层尤其能够由 所提到的材料制成。即使在将层序列作为覆层的情况下，所述层序列也能够尤其优选构造为在载体上的全面的覆层。根据又一实施形式，焊剂阻挡部具有如下材料，所述材料具有与载体相比更小的由焊剂润湿性。这尤其能够意味着，焊剂阻挡部具有如下材料，所述材料具有与载体材料或比载体的覆层相比更小的由焊剂润湿性。适合的材料例如能够是银或具有银，尤其对于锡基的焊剂，所述材料具有与用于载体的含钯的和/或含金的覆层相比更小的润湿性。替选地或附加地，所述材料也能够是镍，其同样能够构成为对于焊剂的良好的蠕流阻止(Kriechstopp)0根据又一实施形式，焊剂阻挡部能够具有可在焊剂中溶解的材料。这尤其能够意味着，当所述焊剂沿着分界面蠕流到焊剂阻挡部时，焊剂阻挡部的材料溶解在焊剂中。在此，焊剂阻挡部的材料能够与焊剂构成合金，所述合金在载体和覆盖材料之间的分界面上具有与仅有焊剂相比更小的蠕流速度和更高的润湿性。例如对于锡基的焊剂而言，这类材料尤其能够例如具有银或例如是银。在此，焊剂阻挡部能够构成为载体的相应的覆层。银在锡中是可溶解的，并且与锡构成合金，所述合金例如在载体上的钯覆层和/或金覆层上具有与纯锡相比更低的蠕流速度。在已知的LED中，将银用作导线框架覆层，因此，在所述LED中需要将银覆层通过紧随的锡覆层覆盖，以便防止银被氧化。这类锡覆层通常借助于电镀工艺施加，然而，所述电镀工艺由于环境技术的角度以及由于成本原因是不利的，并且因此在现有技术中尽可能地避免。相反，在这里说明的承载装置是焊剂阻挡部，并且在所述情况下，具有银的焊剂阻挡部尤其设置在载体和覆盖材料之间，并且由此，相对于环境进行保护，以至于银的在现有技术中需要的保护覆层不是必需的。如果载体具有覆层，那么焊剂阻挡部能够具有在覆层上的前述材料。替选于此，焊剂阻挡部的材料也能够设置在覆层中，以至于代替覆层材料或所述覆层材料的一部分设置有焊剂阻挡部的材料。根据又一实施形式，焊剂阻挡部具有凹陷部。所述凹陷部尤其结合在载体上的上述覆层能够有利的是，所述凹陷部具有对于焊剂的高的润湿性。在这种情况下，凹陷部尤其能够中断覆层，并且穿过覆层到达载体材料中。在这种情况下，焊剂阻挡部具有载体材料的通过覆层露出的表面，所述载体材料有利地具有与覆层相比更小的由焊剂润湿性。由于在覆盖材料和载体之间设置有焊剂阻挡部，也能够通过覆盖材料保护载体的由于焊剂阻挡部而不具有覆层的区域免受有害的外部影响。替选于此，在具有由多个层组成的层序列的覆层的情况下，凹陷部仅通过覆层的一个或多个层凸出至覆层的位于其下的层，但是其中，覆层的至少一个位于其下的层仍覆盖载体。此外，通过凹陷部能够有利地使在覆盖材料和载体之间的分界面变大，以至于能够实现在焊接区域和装配区域之间的可能的蠕流路径的延长。根据又一实施形式，承载装置具有至少一个另外的可键合的和/或可焊接的金属载体。在此，所述另外的金属载体能够具有根据前述实施形式的金属载体的一个或多个上述特征。另外的金属载体尤其能够至少部分地由覆盖材料覆盖，其中，在另外的载体和覆盖材料之间的分界面上设置有另外的焊剂阻挡部。所述另外的焊剂阻挡部能够具有根据前述实施形式的焊剂阻挡部的一个或多个上述特征。另外的载体例如能够具有其他的装配区域或键合区域，其中所述另外的装配区域用于另外的半导体芯片，所述键合区域用于例如经由键合线连接半导体芯片。根据又一实施形式，在一种用于制造具有凹陷部的焊剂阻挡部的方法中，所述凹陷部借助于机械的、化学的或热处理工艺引入载体中。例如能够将凹陷部刻到载体中。替选地或除此以外，凹陷部能够借助于蚀刻工艺在载体中成形。此外，替选地或附加地，凹陷部能够借助于激光在载体中成形。通过所述措施，能够在焊剂阻挡部的区域中实现不可润 湿的或与载体的剩余的表面相比至少更难润湿的表面。根据至少一个另外的实施形式，电子器件具有根据前述实施形式中的一个或多个的承载装置。电子器件例如能够构成为集成的开关电路，即构成为所谓的IC芯片，或者也构成为分散的器件。电子器件尤其具有半导体芯片，所述半导体芯片设置在承载装置上。半导体芯片尤其设置在装配区域上。借助于承载装置的焊接区域，例如能够将电子器件焊接到电路板上。此外，电子器件能够具有壳体，所述壳体通过覆盖材料构成，并且所述壳体被模制到载体上。根据至少一个另外的实施形式，光电子器件具有根据前述实施形式中的一个或多个的承载装置。此外，光电子器件具有在承载装置的装配区域中的光电子半导体芯片。覆盖材料能够作为壳体本体模制到载体上，其中，光电子半导体芯片设置在壳体中。根据至少一个实施形式，光电子半导体芯片构造为发射辐射的半导体芯片，尤其构造为发射辐射的半导体层序列，例如构造为发光二极管或构造为激光二极管。替选于此，光电子半导体芯片例如也能够构造为接收辐射的半导体芯片，例如构造为光电二极管。通过上述焊剂阻挡部能够减少或甚至完全阻止焊剂沿着在载体和至少部分覆盖载体的覆盖材料之间的分界面从焊接区域到装配区域的蠕流。由此，能够实现装配区域的对于焊剂的高度密封或者甚至气密地密封，由此能够有利地实现例如电子器件或光电子器件的更高的可靠性。从下面的结合图1A至5所说明的实施形式中得到另外的优点和有利的实施形式和改进方案。
附图示出图1A和IB示出根据一个实施例的承载装置的示意图；并且图2A至5示出根据其他实施例的承载装置的部分的示意图。在实施例和附图中，相同的或起相同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。原则上，所示出的元件和其彼此间的尺寸比例不视为按比例的，相反，为了更好的可示出性和/或为了更好的理解，例如是层、构件、器件和区域的各个元件能够以过厚或过大的尺寸示出。
具体实施例方式在图1A和IB中示出用于半导体芯片3的承载装置100，其中半导体芯片3通过虚线表明。在此，图1A示出承载装置100的剖视图，而图1B示出在图1A中的在分界面10、10’上的承载装置100的载体1、1’的俯视图。下文同样涉及两个附图1A和1B。承载装置100具有可键合的和/或可焊接的金属载体I以及另外的可键合的和/或可焊接的金属载体I’，在所示出的实施例中，所述金属载体构造为导线框架，并且典型地由铜或铜合金构成。此外，除了由铜或铜合金构成的载体材料以外，载体1、1’能够具有覆层(未示出)，尤其具有电镀层，所述覆层一方面用作腐蚀保护，并且另一方面提供适用于焊接和/或键合的、适合的表面。这种覆层，如其也在下面的实施例中所示出的，例如能够是 NiPdAu合金，或者替选于此，也能够具有例如带有N1、Pd和/或Au的其他合金和/或层序 列或由上述物质构成。载体I具有用于简示的半导体芯片3的装配区域21，而另一载体I’具有带有接触区域或键合区域的形式的装配区域21’，以用于连接用虚线表示的键合线。载体1、1’分别具有焊接区域20、20’，经由所述焊接区域，承载装置100例如能够焊接到电路板的或印刷电路板的接触部上。在焊接区域20、20’上的虚线表明载体1、1’的通常的区域，在焊接承载装置100后焊剂能够并且应该存在于所述区域。然而，大多数时候不希望焊剂还沿着载体1、1’蠕流到其他区域。载体1、1’的所示出的形状理解为纯示例性的，并且是不加以限定的。相反，载体1、1’也能够具有任意另外的、与相应的要求相匹配的并且适合的形状。替选于所示出的实施例，承载装置100还能够具有仅一个载体I或具有多于所述两个所示出的载体1、1’，其中，也能够在多个载体上设置有装配区域，并且例如至少一个载体也能够具有多于一个装配区域和/或多于一个焊接区域。此外，承载装置100具有覆盖材料2，在所示出的实施例中，所述覆盖材料由环氧化物构成，或者是硅酮或硅酮-环氧化物杂化材料，并且除了焊接区域以外完全覆盖载体1、1’。覆盖材料2尤其构造为壳体，所述壳体用于封装半导体芯片3。替选于此，覆盖材料2例如也能够仅设置在焊接区域20、20’和装配区域21之间，以至于除了焊接区域20、20’以外，例如装配区域21也不由覆盖材料2覆盖。此外，覆盖材料2例如能够在装配区域21的区域中具有凹陷部或开口，以至于装配区域21保持为可接近的，以用于之后装配半导体芯片3，而在所示出的实施例中必需的是，在将覆盖材料2施加在载体I上之前设置半导体芯片3。替选于成形为壳体，覆盖材料例如也能够设置为围绕装配区域21的框架，并且在此例如也构造为阻焊漆。在载体1、1’和覆盖材料2之间分别是分界面10、10’，所述分界面根据相应的材料特性和制造工艺能够具有用于焊剂的渗透路径和蠕流路径，以至于在将承载装置100例如焊接到电路板上时，焊剂能够如通过箭头9标明的，从焊接区域20、20’沿着分界面10、10’朝装配区域21的方向蠕流。
为了阻止焊剂到承载装置100中的这样蠕流9，并且为了阻止不期望地与焊剂蠕流相关地以焊剂覆盖在覆盖部2下的载体1、1’，载体I在焊接区域20和装配区域21之间的分界面10上具有焊剂阻挡部4，而另一载体I’在焊接区域20’和装配区域21’之间的另一分界面10’上具有另一焊剂阻挡部4’，其中，两个焊剂阻挡部4、4’垂直于从相应的焊接区域20、20’到装配区域10的相应的延伸方向地在载体I或另一载体I’上横向延伸。由此，能够阻止在焊接区域20、20’之间沿着分界面10、10’朝装配区域12的方向的直接的蠕流路径。结合图2A至5阐述承载装置100的其他特征以及用于焊剂阻挡部4、4’的实施例。在所示出的实施例中，纯示例性地构成承载装置100，载体1、I’和覆盖材料4，并且能够替选地或附加地具有如上面在概述部分中所说明的一个或多个特征。根据又一实施例(未示出)，电子器件能够具有根据前述实施例的承载装置100和在承载装置100上的电子半导体芯片3。根据又一实施例(未示出)，光电子器件能够具有根据前述实施例的承载装置100和在承载装置100上的光电子半导体芯片3，例如发光二极管、激光二极管或光电二极管。在图2A至5中示出用于根据前述实施例的承载装置的焊剂阻挡部4的不同的实施例，其中在图2A至5中的示图相应于在图1A中的部分99。用于在载体I上的焊剂阻挡部4的实施例的下述说明相应地也适用于在另一载体I’上的另一焊剂阻挡部4’。此外，在图2A至5的实施例中，载体I具有覆层11，除了在图3B的实施例中以外，所述覆层具有含镍的和/或含钮的和/或含金的合金，尤其是PdAu合金或NiPdAu合金,所述合金一方面保护载体I免受有害的影响，并且另一方面具有尤其对于含锡的焊剂的高的润湿性。由此，能够有利地提高焊接区域20的可焊性。根据在图2A中的实施例，焊剂阻挡部4具有下述材料，所述材料具有与载体I或覆层11相比更小的由焊剂润湿性。在所示出的实施例中，焊剂阻挡部4尤其具有银或由银构成，所述银对于焊剂、尤其对于锡基的焊剂具有与载体I的PdAu覆层或NiPdAu覆层11相比更小的润湿性。替选于此，焊剂阻挡部还能够由镍构成，镍能够造成对焊剂的良好的蠕流阻止(镍能够引起良好地阻止焊剂蠕流)。由此，在承载装置100借助焊接区域20例如焊接到电路板的或印刷电路板的接触部上的焊接过程中，在焊接区域20与装配区域21的分界面10上能够减少或完全阻止焊剂的通过箭头9标明的蠕流。在根据图2A的实施例中，焊剂阻挡部4设置在覆层11上，而根据在图2B中的另一实施例，焊剂阻挡部4也能够构造在覆层11中。根据在图3A中的实施例，焊剂阻挡部4具有凹陷部。尤其结合在载体上的前述具有对于焊剂的高润湿性的覆层11，所述凹陷部是有利的。凹陷部中断覆层11，并且穿过覆层11到达载体I中并且到达载体材料中。通过凹陷部，载体I在焊剂阻挡部4的区域中具有与覆层相比更小的由焊剂润湿性，以至于由此能够减少或完全阻止如通过箭头9所标明的焊剂的蠕流。此外，由于构造为凹陷部的焊剂阻挡部4，在覆盖材料2和载体I之间的分界面10能够有利地变大，以至于能够实现在焊接区域20和装配区域21之间的可能的蠕流路径的延长。根据在图3B中的实施例，示出前述实施例的一个变型方案，其中覆层11具有由多个层构成的层序列，其中层11’例如能够是镍层，并且在其上的层11”能够是PdAu层或Au层。在层11”上还能够设置有另外的或其他的层。在所示出的实施例中，焊剂阻挡部4构造为凹陷部，所述凹陷部仅延伸穿过覆层11的一部分，并且凸出到覆层11中直至层11”。与在图2A和2B中的实施例中类似，层11”的这样在分界面10上在焊剂阻挡部4的区域中露出的镍由于其对于焊剂的润湿特性而构成蠕流阻止。根据在图4中的实施例，焊剂阻挡部4具有可在焊剂中溶解的材料，以至于如通过箭头49所标明的，当焊剂沿着分界面10朝向焊剂阻挡部蠕流时，焊剂阻挡部4的材料溶解在焊剂中。焊剂阻挡部4的在所示出的实施例中具有银或由银构成的材料与焊剂构成合金，所述合金在载体I和覆盖材料2之间的分界面10上具有与仅有焊剂相比更小的蠕流速度和载体I或覆层11的更高的润湿性。由 此降低了焊剂沿着用箭头9表示的在分界面10上的蠕流路径的蠕流速度，或甚至能够完全停止蠕流。根据所示出的实施例的焊剂阻挡部4、4’的构造尤其与载体I的材料有关，需要时与覆层11的以及焊剂的如下材料有关，所述材料对焊剂的蠕流速度和在分界面10上的蠕流效应的或毛细管效应的强度产生影响。在具有PdAu覆层和NiPdAu覆层11的已示出的实施例中，焊剂阻挡部4、4’尤其优选具有沿着从焊接区域20、20’到装配区域21的延伸方向的大于等于50 μ m并且小于等于300 μ m的长度，以便防止由于锡产生的焊剂阻挡部4、4’的“溢出”。此外，除了在图2和4中所示出的实施例以外能够可行的是，代替层而将焊剂阻挡部4、4’构造为在载体1、1’上的三维结构，例如构造为凸起部。此外，还可将焊剂阻挡部4、4’设置在载体1、1’的其他表面上。替选于已示出的实施例，焊剂阻挡部4、4’还能够如在图5中所示出的，至少部分地从覆盖材料2中凸出。替选于此，根据又一实施例，焊剂阻挡部4、4’也能够完全设置在覆盖材料2外，并且邻接于分界面10、10’(未示出)。为了实现阻碍效应的增强，在载体I上也能够设有多个焊剂阻挡部4、4’和/或前述焊剂阻挡部4、4’的组合。焊剂阻挡部4、4’例如也能够构成为多级的。这尤其能够意味着，多个相同的或不同的焊剂阻挡部4、4’ 一个接一个地设置在相应的焊接区域20、20’和相应的装配区域20、20’之间。此外，根据所示出的实施例，焊剂阻挡部4、4’不仅能设置在分界面10、10’上，而且也能例如围绕相应的载体1、1’环绕地构造，以至于能够在全面地造成在载体1、1’处的阻焊。本发明不由于借助于所述实施例的说明而局限于所述实施例。相反，本发明包括每个新的特征以及特征的每种组合，这特别是包括在权利要求中的特征的每种组合，即使所述特征或所述组合本身在权利要求中或实施例中没有明确地说明。
权利要求
1.用于半导体芯片(3)的承载装置，所述承载装置具有能键合的和/或能焊接的金属载体(1)，所述金属载体具有用于所述半导体芯片(3)的装配区域(21)和焊接区域(20)，其中，所述载体(I)至少部分地由覆盖材料(2)覆盖，并且其中，在所述焊接区域(20)和所述装配区域(21)之间，在所述载体(I)和所述覆盖材料(2)之间的分界面(10)上设置有焊剂阻挡部(4)。
2.根据权利要求1所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部(4)在具有所述装配区域 (21)的表面上横向于从所述焊接区域(20)到所述装配区域(21)的延伸方向在整个所述表面上延伸。
3.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，除了所述焊接区域(20)以外，或除了所述焊接区域(20)和所述装配区域(21)以外，所述覆盖材料(2)包围所述载体(I)。
4.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述承载装置具有至少另一能键合的和/或能焊接的金属载体(1’)，所述金属载体至少部分地由所述覆盖材料(2)覆盖，其中，在所述另一载体(Γ)和所述覆盖材料(2)之间的另一分界面(10’)上设置有另一焊剂阻挡部(4’)。
5.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体(I)是导线框架或导线框架的至少一部分。
6.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体(I)具有铜或铜合金。
7.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述载体(I)至少在所述分界面 (10)上具有覆层(11 )，所述覆层具有对于焊剂的高的润湿性。
8.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述覆层(11)具有带有一种或多种材料的层序列和/或合金，所述材料选自镍、钯和金。
9.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部(4)具有与所述载体(I)相比由焊剂润湿性更小的材料。
10.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部(4)具有凹陷部。
11.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述焊剂阻挡部(4)具有能在焊剂中溶解的材料。
12.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述材料与所述焊剂构成合金，所述合金在所述分界面(10)上具有与所述焊剂相比更小的蠕流速度。
13.根据前述权利要求之一所述的承载装置，其中，所述覆盖材料(2)具有环氧化物或硅酮或硅酮-环氧化物杂化材料。
14.电子器件，具有根据权利要求1至13之一所述的承载装置和在所述承载装置上的半导体芯片(3)。
15.光电子器件，具有根据权利要求1至13之一所述的承载装置和在所述承载装置上的光电半导体芯片(3)，其中所述覆盖材料(2)作为壳体本体被模制到所述载体(I)上，并且所述光电半导体芯片(3)设置在所述壳体本体中。
全文摘要
本发明提出一种用于半导体芯片(3)的承载装置，所述承载装置具有可键合的和/或可焊接的金属载体(1)，所述金属载体具有用于半导体芯片(3)的装配区域(21)和焊接区域(20)，其中载体(1)至少部分地由覆盖材料(2)覆盖，并且其中，在焊接区域(20)和装配区域(21)之间，在载体(1)和覆盖材料(2)之间的分界面(10)上设置有焊剂阻挡部(4)。通过焊剂阻挡部(4)能够减少或甚至完全阻止焊剂沿着分界面(10)从焊接区域(20)蠕流到装配区域(21)。此外，提出一种电子器件和一种光电子器件。
文档编号H01L31/0203GK103003965SQ201180035056
公开日2013年3月27日 申请日期2011年6月27日 优先权日2010年7月16日
发明者托马斯·蔡勒, 孔赖山 申请人:欧司朗光电半导体有限公司