专利名称：低轮廓微电子封装及其制造方法以及包含该低轮廓微电子封装的电子组件的制作方法
技术领域：
本发明公开的实施例总体上涉及微电子器件，更具体而言涉及用于微电子器件的低轮廓封装。
背景技术：
用于计算应用等的诸如管芯的微电子器件包封在封装中，除了其他功能以外，所述封装围住并保护管芯或其他器件，并且还允许器件电连接到例如印刷电路板或类似的结构。微电子尺寸减小的长期趋势对封装适用，就如同该趋势对所封装的部件适用一样，该趋势对于为移动方案准备的器件来说尤其显著。更具体而言，低的总体封装高度，有时被称为z高度，在移动及其他市场领域中日益成为关键要求。
结合附图中所附的图形，通过阅读以下的详细说明将会更好地理解公开的实施例，在附图中: 图1-4是根据本发明实施例的低轮廓微电子封装的截面图；图5是根据本发明实施例实现了 POP架构的微电子封装的截面图；图6和7分别是根据本发明实施例的电子组件的分解透视图和截面图；图8是根据本发明另一实施例的电子组件的截面图；图9是示出制造根据本发明实施例的微电子器件的封装的方法的流程图；以及图10-16是微电子封装的一部分在根据本发明实施例的制造过程中的各个阶段的截面图。为了说明的简洁和清楚，附图示出了结构的总体形式，并且可能省略了公知的特征和技术的描述和细节，以避免不必要地混淆本发明的所述实施例的论述。另外，附图中的要素不一定是按比例绘制的。例如，可以相对于其他要素夸大附图中的一些要素的尺寸，以帮助改善对本发明实施例的理解。可以以理想方式示出某些附图，以便帮助理解，例如在示出具有直线、锐角和平行平面的结构时，其在真实世界条件下很少是对称和有序的。不同附图中的相同附图标记指示相同的要素，而相似的附图标记可以指示相似的要素，但不是必须的。如果有的话，说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等用于区分类似的要素，但不必然用于描述特定的顺序或时间顺序。应该理解，如此使用的术语在适当的环境下是可互换的，使得本文描述的本发明的实施例例如能够以除了本文所示或所述的以外的顺序操作。类似地，如果本文将方法描述为包括一系列步骤，本文呈现的这些步骤的顺序不必然是可以执行这些步骤的唯一顺序，可能省略了某些叙述的步骤，和/或本文未描述的某些其他步骤可以增加到该方法中。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”及其任何变化都旨在覆盖非排他性的包括，使得包括一列要素的过程、方法、物品或设备不必然局限于这些要素，而可以包括没有明确列出的或者这些过程、方法、物品或装置所固有的其他要素。如果有的话，说明书和权利要求书中的术语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、
“上”、“下”等用于描述目的，不必然用于描述永久相对位置，除非特别地或由上下文指出。应该理解，如此使用的术语在适当的环境下是可互换的，使得本文所述的本发明的实施例例如能够以除了本文所示或所述的以外的其他取向操作。本文所用的术语“耦合的”定义为以电气或非电气方式直接或间接连接。按照短语所使用的上下文所适合的，本文描述为彼此“相邻的”的物体可以是彼此物理接触的、彼此极为接近的、或者在彼此相同的总体区域或范围中。本文中短语“在一个实施例中”的出现不必然全部指代相同的实施例。
具体实施例方式在本发明的一个实施例中，一种低轮廓微电子封装包括微电子管芯，其具有第一表面和相对的第二表面，并进一步包括围绕微电子管芯的至少一部分构造的封装衬底。所述封装衬底包括电绝缘层，其形成封装衬底的第一侧面，进一步包括导电层，其电连接到微电子管芯，再进一步包括导电层上方的保护层，其形成封装衬底的第二侧面。微电子管芯的第一表面位于封装衬底的第一侧面。电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘。所述低轮廓微电子封装进一步包括导电互连结构的阵列，其位于封装衬底的第一侧面。导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部，第一端部连接到多个焊盘中的一个焊盘。上面提到了低封装高度对于包括移动领域的多个市场领域日益重要。本发明的实施例以使用无焊内建层(BBUL)技术解决了具有反转封装配置的需求，所述无焊内建层技术提供了比使用现有解决方案所可能的小得多的封装高度。如以下将具体论述的，在特定实施例中，管芯被布设到封装的与管芯相同侧上的球栅阵列(BGA)焊盘，管芯被放置在由附着到BGA焊盘上的BGA球定义的空间中。本发明的实施例对于具有相对较少的凸起和相对低功率要求的管芯很适用，其中被动冷却就足够了，而其他实施例对于具有相对大量的凸起和相对高功率要求的管芯(并 且可能需要更鲁棒的热管理解决方案)很适用并且可以进行优化。现在参考附图，图1-4是根据本发明实施例的低轮廓微电子封装100的截面图。如图1所示，微电子封装100包括微电子管芯110，其具有表面111和相对表面112。围绕至少一部分微电子管芯110构造封装衬底120，并且封装衬底120包括电绝缘层121、电连接到微电子管芯110 (例如使用过孔129)的导电层122，以及导电层122上的保护层123。仅示出了一个导电层，但在某些实施例中封装100可以包括根据已知工艺形成并互连的多个导电层。随后在最上面/最后的金属层上形成保护层123。作为示例，这些导电层可以是铜层或其他金属层，也许使用半加片工艺(SAP)技术等形成。保护层通过防止电气短路、防止构成导电层的铜或其他材料的腐蚀来保护下面的导电层，并保护这些材料免受这些因素影响。示例性地，保护层123可以包括阻焊剂等。电绝缘层121的下表面形成封装衬底120的侧面126，电绝缘层121具有形成于其中的多个焊盘130。封装衬底120的侧面127-位于与126相对的侧面-由保护层123的上表面形成。微电子管芯110的表面111位于封装衬底的侧面126。
微电子封装100进一步包括位于封装衬底120的侧面126上的导电互连结构140的阵列。这些可以是球栅阵列(BGA)球，这意味着焊盘130可以是BGA焊盘。替代地，互连结构可以是焊料栅格阵列(solder grid array) (SGA)球。阵列中的每一个单个互连结构都具有端部141和相对端部142，其中端部141连接到一个焊盘130。互连结构140的端部142定义平面150，其位于与焊盘130相距155处。管芯110的表面111位于与焊盘130相距第二距离处。在一个实施例中，这个第二距离小于距离155,而在另一个实施例中,第二距离大于距离155。这两个实施例中的第一个类似于如图1中所示。因为在这第一个实施例中，管芯位于由互连结构140定义的区域或空间内，而不是如传统架构那样附在保护层123上，这种配置实现了低轮廓封装，这是本发明实施例所希望的结果。上述两个实施例中的后者-就是说，第二距离大于距离155的实施例，或者换句话说，管芯110的表面111在平面150下延伸的实施例-可以以诸如图2所示的方式通过增大管芯的厚度来完成。替代地，它可以通过控制各个封装衬底层的厚度和/或通过控制这个(相对薄的)管芯在封装衬底内所在的水平位置，可以利用具有类似于图1所示的厚度的管芯来实现。这后一实施例尽管具有大于图1的实施例的z高度，但是就热管理性能而言提供了潜在的优势，如下面将进一步论述的。BBUL环境中的封装衬底通常被认为包括除了管芯自身以外的整个封装。如本领域普通技术人员已知的，BBUL技术涉及嵌入封装衬底内的管芯-而不是附接至封装衬底的表面。因此，在BBUL技术中，围绕管芯构造内建层，从而消除了对倒装芯片凸起或其他外部管芯附着机制的需要。BBUL技术的另一特征是可以调整管芯嵌入的深度。就本发明的实施例而言，调整管芯嵌入深度的能力(以将在下面论述的方式来实现)意味着微电子管芯110可以位于封装衬底120内相对于一些特定参考点的多个位置。例如，一种方式使用由作为参考点的焊盘130定义的平面，通过所 述参考点定义了微电子管芯110的位置。因此，再次参考图1，焊盘130可以被用于定义电绝缘层121内的平面160。然后，如所示的，互连结构140在平面160的侧面161上，保护层123在平面的另一侧面上，即侧面162上。定义了参考系，下面可以阐述微电子封装100的多个实施例。在第一实施例中，微电子管芯Iio的表面111位于平面160的侧面161上。在图1和图2中示出了这个实施例的不例，本文中称为“部分嵌入式”实施例。在第二实施例中，微电子管芯110的表面111和表面112都位于平面160的侧面161上。图3中示出了该实施例的示例，本文中称为“全部在外”或“非嵌入式”实施例。在第三实施例中，微电子管芯110的表面111 (连同表面112一起)在平面160的侧面162上(或者或许在平面160自身中)。图4中示出了该实施例的示例，本文中称为“完全嵌入式”配置。任意一个或全部前述实施例可以在低轮廓微电子封装方面提供优点。通过实现层叠封装(POP)配置可以实现额外的优点。POP架构在某些产品分类中是日益重要的趋势-包括移动设备-部分原因在于其提供的节省空间和制造优势。如下讨论的，本发明的实施例实现了 POP架构。图5是根据本发明实施例实现POP架构的实施例中的微电子封装100的截面图。如图5所示，保护层123可以开口(例如使用标准光刻技术)，以便暴露出层叠封装焊盘570。这些POP焊盘被示出为直接连接到BGA焊盘130，但是可以替代地使用衬底内的布线连接到管芯110。焊盘570可以用作诸如存储器模块等(未示出)的上部封装的附着点，上部封装将被叠置到POP布置中的微电子封装100上。图6是根据本发明实施例的电子组件600的分解透视图并且图7是该电子组件600的截面图。电子组件600包括低轮廓微电子封装100。在图6中，封装100由通用块代表，所述块省略了大部分先前附图中的细节(尽管可以看到部分互连结构140)。电子组件600还包括封装100所附着的板680 (为了清楚，封装100被示出为悬浮在板680上，以虚线表示其所附着的位置)。根据公知的技术，通过使得互连结构140与相应的焊盘681 (位于板680上)彼此接触，并对互连结构140进行回流焊以便形成封装与板之间的电气连接来进行附着。在所示实施例中，板680具有开口 682。这个开口完全通过板延伸，从而允许物体从板的一个侧面到另一侧面来通过板的中间(即，通过开口)。该配置的实际优点在于对于高功率(或其他)应用来说，可以使得例如热管理结构、热沉可以与微电子管芯110接触，或者有助于从其散热，这在以下段落中将进一步论述。这对于板680中缺少开口的配置是不可能的，因为这些配置不能实现用于被放置成与管芯接触的热管理结构的足够空间。板680定义了电子组件600的下平面601，电绝缘层121中的焊盘130定义了电子组件的上平面602。应注意，图1-5中示出的焊盘130和层121在图6中没有示出。还应注意，上平面602至少大致相等于平面160，其是在上面略微不同的上下文中介绍的。类似地,下平面601至少大致相等于平面150，其也是在上面略微不同的上下文中介绍的。如所示的，下平面601具有侧面691和相对侧面692，上平面602位于下平面601的侧面692上。在一个实施例中，微电子管芯110的表面111位于下平面601的侧面691上，使得其通过板680的开口 682突出。图7中示出了该实施例的示例。在图7中还示出了附着到封装100的冷却器件710，使得冷却器件与管芯110的侧面111相邻。冷却器件710可以是热沉、散热器、微通道 或任何其他适合的热管理结构。在另一实施例中，微电子管芯110的表面111位于下平面601的侧面692上。在图8所示的该实施例中，管芯110没有通过开口 682突出。替代地，冷却器件710或者至少其一部分也位于下平面601的侧面692上，在板680与封装100彼此耦合后，从侧面691通过开口 682引入。(替代地，冷却器件710可以在封装与板的附着之前被附着到封装100)。图9是示出根据本发明的实施例制造用于微电子器件的封装的方法900的流程图。作为示例，方法900可以导致微电子封装的形成，其类似于最初在图1中所示的微电子封装100。可以使用晶圆级或面板级处理。图10-16中进一步示出了方法900，它们全部是根据本发明实施例的封装1000在其制造过程中的各个阶段处的的截面图。应注意的是，尽管附图显示了一侧的结构，但在至少一些实施例中，制造将以背对背、双侧的方式并行进行。这种双侧并行处理的描述将包括图10-13中所示的加上所示的镜像，在两侧中间具有牺牲内核。方法900的步骤910是提供载体，其具有第一侧面和相对的第二侧面，并附着到牺牲衬底。作为示例，载体可以类似于图10中所示的载体1005。载体的第一侧面可以类似于载体1005的侧面1006，载体的第二侧面可以类似于载体1005的侧面1007。在一个实施例中，载体可以是铜箔等。作为另一示例，牺牲衬底可以类似于也在图10中被示出的衬底1015，并可以采取可剥离的内核的形式。该牺牲衬底允许在制造过程中处理该部分。在一个实施例中，步骤910包括提供多层铜箔等，所述多层铜箔包括由铜构成的第一层(或另一适合的材料)、由铜构成的第二层(或另一适合的材料)、以及在第一和第二层之间的阻挡层。作为示例，第一层、第二层和阻挡层可以分别类似于全部在图10中示出的层1091、层1092和层1093。阻挡层例如可以包括镍或另一适合的金属、内建膜、阻焊剂、干膜抗蚀剂、或能够充当蚀刻阻止以及定义在其上放置管芯的平坦表面的任何其他材料。方法900的步骤920是将微电子管芯附着到载体的第一侧面。作为示例，微电子管芯可以类似于最初在图1中所示的微电子管芯110。作为另一示例，微电子管芯可以类似于图10中所示的微电子管芯1010。在图10所示的实施例中，步骤920包括将管芯附着到未改变的载体1005，也就是说，附着到通常具有图10中为其所示的形式的载体。在另一实施例中，步骤920包括在载体中形成腔体，并且将微电子管芯附着到腔体内。图11中示出了该实施例，其中将封装1000示出为具有在载体1005的侧面1006中形成的腔体1110，并且管芯1010位于腔体1110中。作为示例，根据本领域中已知的技术，可以通过对层叠在载体上的干膜层进行构图来构成腔体。同样是本领域中已知的，构图可以包括蚀刻程序，所述蚀刻程序一直蚀刻载体的第一层并且在阻挡层上 停止。(第一层的厚度因此至少部分地表示腔体的深度。)作为另一示例，可以通过在载体上施以粘合剂，通过在将管芯放置在腔体之前，将粘合管芯背面膜(adhesive die backside film)(DBF)预附着到管芯的背面,或者通过使用类似的技术，将管芯附着到腔体中。如果想要的话，可以为DBF提供金属粒子(例如，铜或银)，以便增强散热。管芯嵌入封装衬底内的深度至少部分取决于第一铜层的厚度以及在腔体中的相应厚度(在介绍了相关结构细节后将在这个论述中更充分地研究这个概念)。因此，在一个实施例中，方法900进一步包括基于微电子管芯的厚度和微电子管芯嵌入到封装内的深度中的至少一个来选择第一铜层的厚度。方法900的步骤930是用于在载体的第一侧面上形成互连结构的焊盘。作为示例，焊盘可以类似于最初在图1中所示的焊盘130。作为另一示例，焊盘可以类似于图11中所示的焊盘1130。在一些实施例中焊盘可以包括铜，可以为焊盘提供预期的表面抛光(未示出)。在一个实施例中，可以使用金基表面抛光。方法900的步骤940是用于在载体和微电子管芯上形成电介质层。作为示例，电介质层可以类似于最初在图1中所示的电绝缘层121。作为另一示例，电介质层可以类似于图12中所示的电介质层1221。在一个实施例中，可以(例如在整个面板上)层叠电介质薄膜，为其余的构造过程提供水平面。可以在层叠前使载体变粗糙，以便有助于与电介质薄膜的粘结。方法900的步骤950是用于形成到微电子管芯的电连接。在一个实施例中，步骤950包括形成位于微电子管芯的导电结构上的过孔，利用导电材料镀覆过孔，在电介质层中形成金属层，以及将其电连接到过孔中的导电材料。参考图12，可以看到这些特征为过孔1229、导电结构1217和金属层1222。在特定实施例中，SAP技术被用于镀覆位于管芯焊盘和封装的衬底部分的第一金属层上的过孔。还可以使用另外的层(未示出)来将管芯凸起布设到BGA焊盘。可以通过所需的输入/输出(I/O)凸起的数量、功率传输考虑、和/或由几何限制或其他因素来支配这种另外的层的使用。方法900的步骤960是用于在电连接上形成保护层。作为示例，保护层可以类似于最初在图1中所示的保护层123。作为另一示例，保护层可以类似于图13中所示的保护层 1323。上面提到管芯嵌入到封装衬底内的深度至少部分地取决于第一铜层的厚度和在腔体中的相应深度。例如，如果没有形成腔体并因此如图10所示地放置管芯，得到的结构(在封装制造完成后)就是本文中称为完全嵌入式配置，意味着管芯位于电介质层内，大致在互连结构焊盘与保护层之间。在图4中示出了这种配置的示例。相应地，将微电子管芯完全嵌入封装中意味着至少在一个实施例中将微电子管芯附着到没有腔体的载体。另一方面，如果形成腔体，并因此如图11所示地放置管芯，得到的结构(在封装制造完成后)就是本文中称为部分嵌入式配置，意味着管芯的一个表面位于互连结构焊盘的一个侧面上，管芯的另一表面位于互连结构焊盘的另一侧面上。图1和2中示出了这种配置的示例。相应地，将微电子管芯部分嵌入到封装中意味着至少在一个实施例中将微电子管芯附着到在具有特定深度的腔体内的载体。如果深度足够大和/或取决于管芯的厚度-见图3-结果就是本文中称为非嵌入式配置。方法900的步骤970是去除载体和牺牲衬底。作为示例，可以使用蚀刻工艺来完成所述去除。在完成这之后，并且反转剩余结构，封装部件100就呈现为图14中所示的。方法900的步骤980是用于在焊盘上形成互连结构。这可以使用标准球附着工艺来完成。作为示例，互连结构可以类似于最初在图1中所示的互连结构140。作为另一示例，互连结构可以类似于图15中所示的互连结构1540。方法900的可选步骤990是用于在保护层中形成开口，以暴露封装中的连接位置。连接位置例如可以用作在POP架构等中可以附着额外的微电子封装的连接点。作为示例，连接位置可以类似于图5中所示 的层叠封装焊盘570。作为另一示例，连接位置可以类似于图16中所示的连接位置1670。保护层中的开口例如可以类似于同样在图16中所示的开口1671。尽管参考特定实施例描述了本发明，但本领域技术人员应该理解，可以在不偏离本发明的精神或范围的情况下做出多种改变。因此，本发明的实施例的公开旨在表示本发明的范围，并非旨在是限制性的。意图是本发明的范围应仅限于所附权利要求书所要求的程度。例如，对于本领域普通技术人员来说，显而易见地，可以在各种实施例中实现本文讨论的微电子封装及相关结构和方法，这些实施例中某几个的在前论述不必然代表所有可能的实施例的全部说明。另外，相关于特定实施例说明了益处、其他优点和问题的解决方案。但这些益处、优点和问题的解决方案、以及可以导致任何益处、优点或解决方案出现或变得更为明确的任何要素或多个要素不应被理解为任何或全部权利要求的关键的、必需的或基本特征或要素。而且，如果本文公开的实施例和/或限制:(I)没有在权利要求书中明确要求；以及(2)在等价原则下等价或可能等价于权利要求书中明确的要素和/或限制，那么这里公开的实施例和限制就不是根据贡献原则贡献给公众的。
权利要求
1.一种低轮廓微电子封装，包括: 微电子管芯，其具有第一表面和相对的第二表面； 封装衬底，围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底，所述封装衬底包括: 电绝缘层，其形成所述封装衬底的第一侧面，所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘，其中，所述微电子管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面； 导电层，其电连接到所述微电子管芯；以及 所述导电层上方的保护层，所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面；以及导电互连结构的阵列，其位于所述封装衬底的所述第一侧面，其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部，并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘。
2.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面； 所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处；并且 所述第二距离小于所述第一距离。
3.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述导电互连结构是BGA球或SGA球。
4.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，进一步包括: 在所述保护层中露出的层叠封装焊盘。
5.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面； 所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上，并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上；并且 所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第一侧面上。
6.根据权利要求5所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述微电子管芯的所述第二表面也位于所述平面的所述第一侧面上。
7.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述焊盘定义了所述电绝缘层内的平面； 所述导电互连结构的阵列位于所述平面的第一侧面上，并且所述保护层位于所述平面的第二侧面上；并且 所述微电子管芯的所述第一表面位于所述平面的所述第二侧面上。
8.根据权利要求1所述的低轮廓微电子封装，其中: 所述导电互连结构的所述第二端部定义了位于与所述焊盘相距第一距离处的平面； 所述管芯的所述第一表面位于与所述焊盘相距第二距离处；并且 所述第二距离大于所述第一距离。
9.一种电子组件，包括: 低轮廓微电子封装，其包括: 微电子管芯，其具有第一表面和相对的第二表面； 封装衬底，围绕所述微电子管芯的至少一部分构造所述封装衬底，所述封装衬底包括: 电绝缘层，其形成所述封装衬底的第一侧面，所述电绝缘层具有形成于其中的多个焊盘，其中，所述管芯的所述第一表面位于所述封装衬底的所述第一侧面； 导电层，其电连接到所述微电子管芯并且至少部分位于所述电绝缘层内；以及所述导电层上方的保护层，所述保护层形成所述封装衬底的第二侧面；以及导电互连结构的阵列，其位于所述封装衬底的所述第一侧面，其中所述导电互连结构的阵列中的每一单个互连结构都具有第一端部和相对的第二端部，并且其中所述第一端部连接到所述多个焊盘中的一个焊盘；以及 板，其使用所述导电互连结构的阵列而连接到所述低轮廓微电子封装。
10.根据权利要求9所述的电子组件，其中: 在所述板中具有开口； 所述板定义了所述电子组件的下平面，所述电绝缘层中的多个焊盘定义了所述电子组件的上平面； 所述下平面具有第一侧面和相对的第二侧面，所述上平面位于所述下平面的所述第二侧面上； 所述微电子管芯的所述第一表面位于所述下平面的所述第一侧面上，使得所述微电子管芯通过所述板中的所述开口突出。
11.根据权利要求10所述的电子组件，进一步包括: 冷却器件，其附着到所述低轮廓微电子封装，使得所述冷却器件与所述微电子管芯的所述第一侧面相邻。
12.一种制造用于微电子器件的封装的方法，所述方法包括: 提供附着到牺牲衬底的载体，所述载体具有第一侧面和相对的第二侧面； 将微电子管芯附着到所述载体的所述第一侧面； 在所述载体的所述第一侧面上形成用于互连结构的焊盘； 在所述载体和所述微电子管芯上方形成电介质层； 形成到所述微电子管芯的电连接； 在所述电连接上方形成保护层；以及 去除所述载体和所述牺牲衬底。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括: 在所述焊盘上形成互连结构。
14.根据权利要求12所述的方法，其中: 提供所述载体包括提供多层铜箔，所述多层铜箔包括第一铜层、第二铜层以及在所述第一铜层与所述第二铜层之间的阻挡层。
15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括: 基于所述微电子管芯的厚度和所述微电子管芯要被嵌入到所述封装内的深度中的至少一个，来选择所述第一铜层的厚度。
16.根据权利要求12所述的方法，其中: 将所述微电子管芯附着到所述载体包括: 在所述载体中形成 腔体；以及将所述微电子管芯附着在所述腔体中。
17.根据权利要求12所述的方法，其中: 附着所述微电子管芯包括将所述微电子管芯完全嵌入所述封装中。
18.根据权利要求12所述的方法，其中: 附着所述微电子管芯包括将所述微电子管芯仅部分地嵌入所述封装中。
19.根据权利要求12所述的方法，其中: 形成到所述微电子管芯的所述电连接包括: 形成位于所述微电子管芯的导电结构上的过孔； 利用导电材料镀覆所述过孔；以及 在所述电介质层中形成金属层，并将所述金属层电连接到所述过孔中的所述导电材料。
20.根据权利要求12所述的方 法，进一步包括:在所述保护层中形成开口，以暴露连接位置。
全文摘要
一种低轮廓微电子封装包括管芯(110)(具有第一表面(111)和第二表面(112))及封装衬底(120)。衬底包括电绝缘层(121)，其形成所述衬底的第一侧面(126)；导电层(122)，连接到管芯；以及导电层上的保护层(123)，其形成衬底的第二侧面(127)。管芯的第一表面位于衬底的第一侧面。绝缘层具有形成于其中的多个焊盘。封装部件进一步包括互连结构(140)的阵列，位于衬底的第一侧面。所述互连结构的阵列中的每一互连结构都具有第一端部(141)和第二端部(142)，第一端部连接到一个焊盘。
文档编号H01L23/48GK103250244SQ201180058267
公开日2013年8月14日 申请日期2011年11月18日 优先权日2010年12月3日
发明者M·J·马努沙罗, R·纳拉 申请人:英特尔公司