专利名称：发光二极管装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管装置的制造方法，详细来说，其涉及一种用于光学用途的发光二极管装置的制造方法。
背景技术：
发光二极管装置包括具有端子的底部基板和安装在该底部基板上的发光二极管元件，该发光二极管元件包括电极部、与该电极部相连接的光半导体层及用于密封光半导体层的密封树脂层。虽然上述的发光二极管装置以往利用引线接合法连接发光二极管元件的电极部和底部基板的端子，但是由于伴随亮度提高而热量增大、由接线的影子产生的亮度的降低等，近年来，为了提高光的提取效率，正在研讨以倒装法将发光二极管元件安装到底部基板上的方法。具体来说，提出了下述方案，S卩，使发光二极管元件的电极部与底部基板的端子相对配置，将上述电极部和上述端子直接电连接起来(例如，参照日本特开2005-158932号公报)。在日本特开2005-158932号公报中，为了进一步提高光的提取效率，在光半导体层的表面上设有由具有较高反射率的金属形成的扩散膜。然而，在记载于日本特开2005-158932号公报的方法中，需要将扩散膜与光半导体层、密封树脂层分开设置，产生需要与此相应的工时的不良情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够充分地提高光的提取效率并且简便地制造发光二极管装置的发光二极管的制造方法。本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于，其包括准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在上述光半导体层之上的电极部；在上述光半导体层之上以覆盖上述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出上述电极部的上表面的方式局部除去上述密封树脂层来制造发光二极管元件的工序；使上述发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将上述电极部和上述端子电连接起来，从而以倒装法将上述发光二极管元件安装到上述底部基板上的工序。此外，在本发明的发光二极管装置的制造方法中，优选在准备上述发光层叠体的工序中将上述发光层叠体形成在形成于上述光半导体层之下的支承基板上，在上述形成密封树脂层的工序之后且在上述制造发光二极管元件的工序之前，包括自上述光半导体层除去上述支承基板或者除去上述支承基板的下侧部分的工序。在利用本发明的方法获得的发光二极管装置中，密封树脂层含有光反射成分，因此本发明的发光二极管能够表现出光反射作用，因此，能够省略日本特开2005-158932号公报所记载的那样的用于分开设置扩散膜与密封树脂层的工时。
其结果，能够提高发光二极管装置的光的提取效率并且简便地制造上述发光二极
管装置。此外，在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成密封树脂层，以暴露出电极部的上表面的方式局部除去该密封树脂层，因此，能够利用密封树脂层密封除电极部上表面以外的表面。也就是说，能够一边利用密封树脂层密封除电极部上表面以外的表面一边暴露出电极部的上表面。因此，能够有效地防止使电极部的上表面暴露时的电极部的损伤。
图I是表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，(a)表不准备发光层叠板的工序，(b)表示形成密封树脂层的工序，(c)表示除去底部基板的工序。图2是接着图I表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式的制造工序图，(d)表示以暴露出隆起焊盘(bump)的上表面的方式局部除去密封树脂层后对发光层叠板进行切断加工而获得多个发光层叠体且获得各发光二极管元件的工序，(e)表示使发光二极管元件和底部基板相对配置的工序，(f)表示以倒装法将发光二极管元件安装到底部基板上的工序。
具体实施例方式图I及图2表示制造工序图，该制造工序图用于表示本发明的发光二极管装置的制造方法的一实施方式。在上述方法中，如图I的(a)所示，首先，准备发光层叠板I。发光层叠板I包括支承基板2、形成在该支承基板2之上的光半导体层3及形成在该光半导体层3之上的电极部4，该发光层叠板I形成为多个发光层叠体5排列配置而成的板状(在图I中未图示，为大致圆板状)。即，各发光层叠体5在与其相对应的区域中分别具有支承基板2、光半导体层3及电极部4。以与发光层叠板I的外形形状相对应的方式形成支承基板2，例如，呈俯视大致圆板状形成该支承基板2。支承基板2用于支承下述说明的光半导体层3及电极部4。作为用于形成支承基板2的支承材料，例如，举出Al203(蓝宝石)、SiC、Si、GaN等。优选举出蓝宝石。支承基板2的厚度例如为100 ii m 1000 u m,优选为200 y m 800 u m。光半导体层3包括缓冲层6、形成在该缓冲层6之上的N型半导体层7、形成在该N型半导体层7之上的发光层8及形成在该发光层8之上的P型半导体层9。缓冲层6形成在支承基板2的整个上表面上。缓冲层6用于缓冲支承基板2和下述说明的N型半导体层7的晶格常数的不规则。作为用于形成缓冲层6的缓冲材料，例如，举出元素半导体(单元素半导体)、氧化物半导体、化合物半导体(除氧化物半导体之外)等半导体。作为元素半导体，例如，举出Si、Ge、Sn等4B元素(长周期型周期表中的4B元素，以下相同)。作为氧化物半导体，例如，举出A1203、ZnO、SnO2等典型元素的氧化物，例如，举出TiO2, V2O5, Cr203、MnO2, Fe203、NiO、Cu2O等过渡元素的氧化物等。上述元素能够单独使用或者并用。化合物半导体是由除0以外的多种元素结合而成的化合物，例如，举出AIN、A1P、AlAs, AlSb, GaN, GaP、GaAs, G aSb, InN, InP、InAs, InSb, AlGaN, InGaN, AlInN, AlGaInN 等3B元素和5B元素的化合物，例如，举出ZnS、SnSe、ZnTe等2B元素和6B元素的化合物等。优选举出3B元素和5B元素的化合物。在上述的半导体中优选举出化合物半导体。缓冲层6的厚度例如为0. 5nm 200nm,优选为Inm lOOnm。N型半导体层7形成在缓冲层6的整个上表面上。并不对用于形成N型半导体层7的N型半导体进行特别限定，可以举出公知的N型半导体，例如举出在上述的半导体中微量掺杂(添加)有5B元素及4B元素等杂质的杂质半导体。发光层8以与各发光层叠体5相对应的图案形成在缓冲层6的上表面上。具体来说，发光层8在沿发光层叠板I的方向(与厚度方向正交的方向、面方向，详细来说，图I中的纸面左右方向及向纸面里外方向)上相互隔着间隔配置。也就是说，在各发光层8之间暴露出N型半导体层7的上表面。作为用于形成发光层8的发光材料，可以举出与在上述缓冲层6处举例说明的半导体相同的半导体，优选举出化合物半导体。发光层8的厚度例如为20nm 300nm,优选为30nm 200nm。P型半导体层9以与发光层8相同的图案形成在发光层8的整个上表面上。并不对用于形成P型半导体层9的P型半导体进行特别限定，可以举出公知的P型半导体，例如举出在上述半导体中微量掺杂(添加)有3B元素、2A元素等杂质的杂质半导体。作为2A元素，例如举出Be、Mg等碱土金属。电极部4包括阳极(anode)电极10及阴极(cathode)电极11。阳极电极10以与P型半导体层9 一起夹持透明电极12的方式形成在该P型半导体层9之上，借助透明电极12与P型半导体层9电连接。透明电极12形成在P型半导体层9的上表面上，并且以在向厚度方向投影时包含于P型半导体层9的方式配置。作为用于形成透明电极12的电极材料，例如举出铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)等金属氧化物，其厚度例如为IOnm 200nm。阳极电极10形成为在向厚度方向投影时包含于透明电极12的图案。作为用于形成阳极电极10的电极材料，例如举出金、铝等。优选举出金。阳极电极10的厚度例如为IOnm 300nm,优选为20nm 200nm。阴极电极11形成在N型半导体层7之上，具体来说，其形成在自P型半导体层9及发光层8暴露出的N型半导体层7的上表面上。阴极电极11与N型半导体层7电连接。作为用于形成阴极电极11的电极材料，例如举出金、铝等。优选举出金。阴极电极11的厚度例如为IOnm 300nm,优选为20nm 200nm。
此外，在上述电极部4中设有隆起焊盘13。隆起焊盘13形成在阳极电极10的上表面和阴极电极11的上表面上。各隆起焊盘13分别形成为在俯视下被阳极电极10及阴极电极11所包含的图案。作为用于形成隆起焊盘13的材料，例如可举出金、铜、银、铅、锡以及上述金属的合金(具体来说，为焊锡等)等导体。优选举出金。调整各隆起焊盘13的厚度，使得形成在阳极电极10的上表面上的隆起焊盘13的上表面与形成在阴极电极11的上表面上的隆起焊盘13的上表面具有相同高度。即，调整 隆起焊盘13的厚度，使得在向面方向(与厚度方向正交的方向)投影时，上述隆起焊盘13的投影位于相同位置。为了准备该发光层叠板1，首先，准备支承基板2，在该支承基板2之上，利用例如外延生长法(epitaxial)等公知的生长法层叠光半导体层3，之后利用公知的图案化方法层叠电极部4。此外，在上述的生长法之后，例如，利用使用掩模的蚀刻(后述)来将光半导体层3中的发光层8及P型半导体层9形成为上述图案。接下来，如图I的(b)所示，在上述方法中，在光半导体层3之上以覆盖电极部4的方式形成密封树脂层14。作为用于形成密封树脂层14的密封树脂，例如含有密封材料、光反射成分。并不对密封材料进行特别限定，例如举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二丙烯基酯树脂、热固化性聚氨酯树脂等热固化性树脂，优选举出热固化性有机硅树脂、环氧树脂。作为光反射成分，例如为白色的化合物，具体来说，举出白色颜料。作为上述的白色颜料，例如举出白色无机颜料，作为上述的白色无机颜料，例如举出氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物，例如举出铅白(碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐，例如举出高岭土(高岭石)等粘土矿物等。作为白色无机颜料，优选氧化物，进一步优选举出氧化钛。若采用氧化钛，能够获得较高的白度、较高的光反射性、优良的遮盖性(遮盖能力)、优良的着色性(着色能力)、较高的分散性、优良的耐候性、较高的化学稳定性等特性。具体来说，上述的氧化钛为TiO2 (氧化钛(IV)、二氧化钛)。 并不对氧化钛的晶体构造进行特别限定，例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(anatase)等,优选为金红石。此外，并不对氧化钛的晶系进行特别限定，例如为四方晶系、斜方晶系等，优选为四方晶系(具体来说，为金红石结构)。若氧化钛的晶体构造及晶系采用金红石及四方晶系，则即使在使密封树脂层14处于长时间高温的情况下，也能够有效地防止对光(特别是波长450nm附近的光)的反射率降体。光反射成分为颗粒状，但是并不限定于该形状，例如举出球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(在作为球状的情况下为其平均粒径)例如为Inm lOOOnm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。光反射成分相对于密封树脂的调和比例例如为质量比5% 90%，从着色性及光反射性的观点来说，优选为质量比10% 60%。上述的光反射成分均匀地分散混合在密封材料中。此外，也能够在密封树脂中进一步添加填充剂。也就是说，能够并用填充剂和光反射成分(具体来说为白色颜料)。作为填充剂，除上述的白色颜料之外可以举出公知的填充剂，具体来说，举出无机填充剂，作为上述无机填充剂，例如举出二氧化硅粉末、滑石粉末、氧化铝粉末、氮化铝粉末、氮化硅粉末等。
作为填充剂，从降低密封树脂层14的线膨胀率的观点来说，优选举出二氧化硅粉末。作为二氧化硅粉末，例如举出熔融二氧化硅粉末、晶体二氧化硅粉末等，优选举出熔融二氧化硅粉末(即，石英玻璃粉末)。作为填充剂的形状，例如举出球状、板状、针状等。从优良的填充性及流动性的观点来说，优选举出球状。从而，作为二氧化硅粉末，优选举出球状熔融二氧化硅粉末。填充剂的最大长度的平均值(在作为球状的情况下为平均粒径)例如为5 ii m 60 V- m,优选为15 ii m 45 ii m。最大长度的平均值是用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量例如相对于密封树脂的质量比为10% 80%，从降低线膨胀率及确保流动性的观点来说，调整填充剂的添加比例，使得填充剂及光反射成分的总量相对于密封树脂的优选质量比为25% 75%，进一步优选该质量比为40% 60%。密封树脂是通过调和上述密封材料、光反射成分、根据需要添加的填充剂且将它们均匀混合而作为密封树脂组成物被制备出来的。此外，密封树脂组成物形成为糊状或者薄片状。为了形成密封树脂层14，在包含电极部4的光半导体层3之上例如利用使用了层压装置、涂敷器(applicator)的涂布方法涂布上述的密封树脂组成物，从而形成保护膜。之后，在密封材料为热固化性树脂的情况下，利用加热使保护膜固化。此外，在密封树脂组成物形成为薄片状的情况下，也能够通过将上述密封树脂组成物载置在光半导体层3之上且利用加热使其固化，从而形成密封层14。另外，在密封树脂组成物含有粉末状的热固化性树脂的情况下，也能够通过利用压缩成形机一边加热密封树脂组成物一边对其进行压缩成形，从而使其固化而形成密封树脂层14。由此，形成密封树脂层14。于是，利用密封树脂层14覆盖隆起焊盘13的与阳极电极10相对应的上表面及侧表面、阳极电极10的从上述隆起焊盘13暴露出的上表面及侧表面、透明电极12的从阳极电极10暴露出的上表面及侧表面、P型半导体层9的从透明电极12暴露出的上表面及侧表面、发光层8的侧表面。此外，利用密封树脂层14覆盖隆起焊盘13的与阴极电极11相对应的上表面及侧表面、阴极电极11的从上述隆起焊盘13暴露出的上表面及侧表面。另外，利用密封树脂层14也覆盖N型半导体层7的上表面(N型半导体层7的从发光层8及阴极电极11暴露出的上表面)。以上述方式形成的密封树脂层14的上表面形成在比电极部4的上表面、也就是说比隆起焊盘13的上表面靠上侧的位置。密封树脂层14的上表面与隆起焊盘13的上表面之间的长度LI例如为2000 U m以下，优选为10 ii m 1000 u m。接下来，如图I的(C)所示，自光半导体层3除去支承基板2。
为了除去支承基板2，采用例如干蚀刻、湿蚀刻等蚀刻、例如磨削加工(研磨)等机械加工等。优选采用研磨。接下来，如图2的(d)所示，局部除去密封树脂层14，使得电极部4的上表面暴露出。具体来说，在密封树脂层14中除去比隆起焊盘13的上表面靠上侧的上侧部分。为了除去密封树脂层14的上侧部分，例如采用上述的蚀刻、机械加工等。除去了上侧部分的密封树脂层14使隆起焊盘13的上表面暴露出并且密封树脂层14的位于该隆起焊盘13周围的上表面与该隆起焊盘13的上表面共面。由此，与多个发光层叠体5相对应地一体地形成多个具有光半导体层3、电极部4及密封树脂层14的发光二极管元件20。之后，如图2的(d)的单点划线所示，以与各发光二极管元件20相对应的方式，对形成有密封树脂层14的发光层叠板I进行切断加工(切割)。也就是说，自发光层叠板I切分出各发光二极管元件20。具体来说，沿图2的(d)的单点划线所示的厚度方向切割电极部4、发光层8及P型半导体层9的周围的密封树脂层14、缓冲层6及N型半导体层7。由此，获得各发光二极管元件20。接下来，在上述方法中，如图2的(e)所示，使各发光二极管元件20上下翻转(翻过来)，并且准备底部基板16且使上述发光二极管元件20与该底部基板16相对配置。底部基板16为大致平板状，具体来说，由在绝缘基板之上层叠有作为电路图案的导体层的层叠板形成上述底部基板16。绝缘基板例如由有机硅基板、陶瓷基板、聚酰亚胺树 脂基板等形成，优选由陶瓷基板形成。导体层例如由金、铜、银、镍等导体形成。此外，导体层包含端子15。端子15以与上述发光二极管元件20的隆起焊盘13相对应的图案形成在绝缘基板的表面上。也就是说，端子15与翻转后的隆起焊盘13实质上形成为同一图案。端子15例如由金、铜、银、镍等导体形成。上述导体能够单独使用或者并用。之后，在上述方法中，如图2的(f)所示，将电极部4的隆起焊盘13和端子15电连接起来，以倒装法将发光二极管元件20安装到底部基板16上。在以倒装法进行安装时，以使隆起焊盘13和端子15在厚度方向上相邻接的方式将发光二极管元件20载置在底部基板16之上，接下来，例如利用加热或者超声波等使隆起焊盘13软熔。由此，使隆起焊盘13与端子15相接触，由此，能够将发光二极管元件20倒装在底部基板16上，并且获得具有发光二极管元件20及底部基板16的发光二极管装置21。而且，在该发光二极管装置21中，密封树脂层14含有光反射成分，因此能够表现出光反射作用，因此，能够省略用于分开设置扩散膜和密封树脂层14的工时。其结果，能够提高发光二极管装置21的光的提取效率并且简便地制造上述发光二极管装置21。另外，在光半导体层3之上以覆盖电极部4的方式形成密封树脂层14，以暴露出电极部4的上表面的方式局部除去上述密封树脂层14，因此，对于电极部4能够利用密封树脂层14密封该电极部4的上表面以外的表面。S卩，能够利用密封树脂层14密封隆起焊盘13的与阳极电极10相对应的侧表面、阳极电极10的从隆起焊盘13暴露出的上表面及侧表面、透明电极12的从阳极电极10暴露出的上表面及侧表面、P型半导体层9的从透 明电极12暴露出的上表面及侧表面、发光层8的侧表面。此外，能够利用密封树脂层14密封隆起焊盘13的与阴极电极11相对应的侧表面和阴极电极11的从隆起焊盘13暴露出的上表面及侧表面。另外，能够利用密封树脂层14密封N型半导体层7的从发光层8及阴极电极11暴露出的上表面。也就是说，能够一边利用密封树脂层14密封电极部4中的上述各表面一边暴露出电极部4的上表面、即隆起焊盘13的上表面。因此，能够有效地防止由使电极部4的上表面暴露出时生成的应力而产生的电极部4的损伤，具体来说，有效地防止由机械加工(磨削加工等)所产生的振动导致电极部4损伤等。此外，虽然在如图I的(C)的实线所示的实施方式中，自光半导体层3除去全部支承基板2，但是例如如图I的(c)的假想线所示，也能够只除去支承基板2的下侧部分。为了除去支承基板2的下侧部分，采用上述蚀刻。此外，除去下侧部分后的支承基板2的厚度与除去前的厚度相比例如为80%以下，优选为30%以下，通常为I %以上，具体来说，例如为320 iim以下，优选为IOiim 120 u m0当超出上述范围时，存在降低光的提取效率的情况，另一方面，当未达到上述范围时，存在不能如下所述地支承光半导体层3而充分地表现出电极部4的损伤防止效果的情况。如图I的(c)的假想线所示，若只除去支承基板2的下侧部分，则能够在图2的(d)所示那样除去密封树脂层14的上侧部分时，利用剩余的支承基板2的上侧部分隔着光半导体层3可靠地支承施加到电极部4上的应力。因此，能够进一步防止电极部4的损伤。另一方面，如图I的(C)的实线所示，若除去全部支承基板2，在图2的(f)所示的发光二极管装置21中，自发光二极管元件20发光，不遮挡朝向上方的光，因此能够提高光的提取效率。实施例虽然以下表示实施例及比较例，进一步具体说明本发明，但是本发明并不限定于下述内容。实施例I准备如下所述的发光层叠板，该发光层叠板具有支承基板、形成在该支承基板之上的光半导体层及形成在该光半导体层之上的电极部(参照图I的(a))。为了准备发光层叠板，首先，准备由蓝宝石构成的厚度450 的支承基板，利用外延生长法，在支承基板之上以上述图案依次层叠由GaN构成的厚度30nm的缓冲层、由掺杂有Si的N形GaN(n-GaN:Si，以下以相同方式表示)构成的厚度5 y m的N型半导体层、由InGaN构成的厚度120nm的发光层及由n_GaN:Mg构成的厚度50nm的P型半导体层。此夕卜，发光层及P型半导体层在外延生长之后分别利用蚀刻形成为上述图案。之后，在P型半导体层之上形成由ITO构成的厚度50nm的透明电极，接下来，在透明电极之上形成由金构成的厚度50nm的阳极电极。与此同时，在N型半导体层之上形成由金构成的厚度50nm的阴极电极。 接下来，在阳极电极及阴极电极之上分别形成由金构成的隆起焊盘。此外，调整阳极电极之上的隆起焊盘的厚度和阴极电极之上的隆起焊盘的厚度，使得上述这些隆起焊盘的上表面在向面方向投影时具有相同高度。接下来，在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成密封树脂层(参照图I的(b))。具体来说，首先，通过均匀地混合热固化性有机硅树脂100质量份及球状的平均粒径300nm的氧化钛(TiO2 :金红石的四方晶系)颗粒20质量份，从而制备糊状的密封树脂组成物。接下来，通过将制备出的密封树脂组成物涂布到包含电极部的光半导体层之上，从而形成保护膜。之后，利用加热使保护膜固化。密封树脂层的上表面形成在比隆起焊盘的上表面高30 ^m(Ll)的上侧。之后，利用蚀刻，自光半导体层除去支承基板(参照图I的(C)的实线)。接下来，利用磨削加工(研磨)除去密封树脂层的上侧部分(厚度30i!m)，使得电极部的上表面暴露出。此外，除去密封树脂层的上侧部分，使得电极部的上表面与其周围的密封树脂层的上表面共面(参照图2的(d))。由此，一体地形成多个发光二极管元件。之后，切割发光层叠板，自发光层叠板切分出各发光二极管元件(参照图2的(d)的单点划线)。之后，将各发光二极管元件翻过来，并且准备在由蓝宝石(Al2O3)构成的绝缘基板的表面上层叠有包含由铜、镍及金构成的端子的导体层的厚度Imm的底部基板，使发光二极管元件和底部基板相对配置(参照图2的(e))。之后，利用加热使隆起焊盘软熔，使隆起焊盘和端子相接触，使上述隆起焊盘和上述端子直接电连接，以倒装法将发光二极管元件安装到底部基板上(参照图2的(f))。由此，制作出发光二极管装置。实施例2除代替自光半导体层除去全部支承基板的情况(参照图I的(C)的实线)而只除去支承基板的下侧部分(厚度420 u m)(参照图I的(c)的假想线)以外，与实施例I同样地获得发光二极管元件，接下来，通过以倒装法将上述发光二极管元件安装在底部基板上，从而制作出发光二极管装置(参照图2的(f)的假想线)。也就是说，参照图I的(C)的假想线而留下支承基板的上侧部分，该上侧部分的厚度为30 u m。比较例I除不实施自光半导体层除去支承基板的工序(参照图I的(C)的实线)以外，与实施例I同样地获得发光二极管元件，接下来，通过以倒装法将上述发光二极管元件安装在底部基板上，从而制作出发光二极管装置(参照图2的(f)的假想线)。也就是说，参照图I的(b)使支承基板全部留下。I.电极部的检查 沿厚度方向切断实施例I及实施例2的发光二极管装置而制作样品，通过利用电子显微镜(SEM)观察样品的电极部，确认没有损伤电极部。2.光的提取效率的测定对于实施例I、实施例2及比较例I的发光二极管装置，利用自放射束计算出的数据求得光的提取效率。其结果，可以确认实施例I的发光二极管的光的提取效率比比较例I的发光二极管的光的提取效率高10%，实施例2的发光二极管的光的提取效率比比较例I的发光二极管的光的提取效率高3%。此外，虽然上述说明是作为本发明的示例的实施方式而提供的，但是上述说明只是示例，不能对本发明进行限定性解释。对于本领域技术人员来说能想到的本发明的变形例都包含在后述的权利要求书中。
权利要求
1.一种发光二极管装置的制造方法，其特征在于， 该制造方法包括 准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在上述光半导体层之上的电极部； 在上述光半导体层之上以覆盖上述电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序； 通过以暴露出上述电极部的上表面的方式局部除去上述密封树脂层来制造发光二极管元件的工序； 使上述发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将上述电极部和上述端子电连接起来，从而以倒装法将上述发光二极管元件安装到上述底部基板上的工序。
2.根据权利要求I所述的发光二极管装置的制造方法，其特征在于， 在上述准备发光层叠体的工序中，将上述发光层叠体形成在支承基板之上， 在上述形成密封树脂层的工序之后且在上述制造发光二极管元件的工序之前，包括自上述光半导体层除去上述支承基板或者除去上述支承基板的下侧部分的工序。
全文摘要
本发明提供一种发光二极管装置的制造方法，其包括准备发光层叠体的工序，该发光层叠体具有光半导体层及形成在光半导体层之上的电极部；在光半导体层之上以覆盖电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；通过以暴露出电极部的上表面的方式局部除去密封树脂层，从而制造发光二极管元件的工序；使发光二极管元件和设有端子的底部基板相对配置且将电极部和端子电连接起来，从而以倒装法将发光二极管元件安装在上述底部基板上的工序。
文档编号H01L33/00GK102683511SQ201210042778
公开日2012年9月19日 申请日期2012年2月22日 优先权日2011年2月24日
发明者三隅贞仁, 井上泰史, 伊藤久贵 申请人:日东电工株式会社