技术总结
公开了可以作为磁随机存取存储器单元使用的磁隧道结(MTJ)的方法和装置。MTJ包括自由层和绝缘层。MTJ还包括具有第一区、第二区和第三区的固定层。第二区具有第一长度和第一厚度，以及第一区和第三区具有第二长度和第二厚度。第一厚度与第二厚度的比率可以大于1.2。第二长度与第一长度的比率大于0.5。第一厚度可以大于固定层材料的自旋扩散长度。这样形成的MTJ导致MTJ的隧穿磁电阻比增大而临界切换电流降低。本发明提供了磁随机存取存储器中的磁隧道结(MTJ)。
技术研发人员：郑凯文;于淳;陈志明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201210202815
技术研发日：2012.06.15
技术公布日：2017.04.12