专利名称：电路板、制造电路板的方法、显示器和电子单元的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种电路板，优选用作包括例如薄膜晶体管(TFT)的底板(backplane)。
背景技术：
薄膜晶体管(以下称为TFT)—般具有三个电极(端子)，即，栅(G)电极、源(S)电极和漏(D)电极。源电极和漏电极设置在相同的层，而栅电极设置在与之不同的层。在集成大量TFT以实现电路功能的情况下，设置在与源电极或漏电极的相同层的配线层与设置在与栅极的相同层的配线层需要相互电连接。具体地，需要电连接不同层的配线(需层间配线连接)。例如，与栅电极在相同层的配线层在TFT外侧部分连接通向源电极或漏电极的配线层。之前已提出了用于包含TFT的电路的各种层间配线连接技术(例如， 见日本未审查申请No. 2011-14724和2008-147614)。
发明内容
为建立上述的层间配线连接，由于两层配线层之间存在绝缘层，在绝缘层的一部分设置开口(接触孔)以通过该开口建立配线之间的连接。然而，特别是在TFT的半导体层是通过涂布形成的情况下，在开口部分出现沉积不良，导致半导体层的图案精确度下降。期望能提供能一种允许半导体层精确形成图案的电路板、制造该电路板的方法以及包含所述电路板的显示器。根据本公开的实施方式的电路板包括第一配线层，其设置在基板上；绝缘层，其包含开口，该绝缘层设置于第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。制造根据本公开实施方式的电路板的方法，包括在基板上形成第一配线层；在第一配线层上形成具有开口的绝缘层；在第一配线层上的绝缘层开口相对的区域形成表面能控制层，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；在形成表面能控制层后，在绝缘层上的选择性区域形成半导体层；以及在绝缘层上形成第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。在根据本公开实施方式的电路板以及制造电路板的方法中，第二配线层设置在第一配线层上，并且两层之间的绝缘层具有开口，从而第一和第二配线层可通过绝缘层的开口相互电连接。此处，表面能控制层设置在第一配线层上的与开口相对的区域，从而在开口区域控制第一配线层的表面能。因此，当通过在绝缘层上涂布形成半导体层时，不太可能出现诸如半导体层厚度不均匀的沉积不良。根据本公开的实施方式的显示器包括包含多个像素的显示部；驱动显示部的电路板。该电路板包括设置在基板上的第一配线层；包含开口的绝缘层，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。电子单元包括显示器，其包括具有多个像素的显示部，以及驱动该显示部的电路板。该电路板包括设置在基板上的第一配线层；包含开口的绝缘层，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。根据本公开实施方式的电路板和制造电路 板的方法，第二配线层设置在第一配线层上，并且两层之间的绝缘层具有开口，从而第一和第二配线层通过绝缘层开口相互电连接。此外，表面能控制层设置在第一配线层上的与开口相对的区域，从而允许控制第一配线层的表面能，可抑制半导体层的沉积不良。这使得半导体层可被精确地图案化。应当理解，以上的概括描述和以下的详细描述均是示例性的，并且旨在对要求保护的本技术提供进一步的说明。
包含附图以用于进一步理解本公开，并且包含在本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出实施方式，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。图I示出根据本公开实施方式的电路板的示意性配置的截面图。图2以放大的方式示出图I中示出的电路板的配线连接区附近部分的示意性截面图。图3A至图3C按步骤顺序示出制造图I中所示电路板的方法的截面图。图4A和图4B示出图3C之后的步骤的截面图。图5A和图5B示出图4B之后的步骤的截面图。图6A至图6C示出图5B之后的步骤的截面图。图7示出图6C之后的步骤的截面图。图8示出制造根据比较例的电路板的方法的示意性截面图。图9A和图9B示出制造根据比较例的电路板的方法的示意性截面图。图IOA和图IOB示出制造根据第一变形例的电路板的方法的示意性截面图。图IlA和图IlB示出制造根据第二变形例的电路板的方法的示意性截面图。图12示出根据各个实施方式等的电路板的应用例的显示器的驱动电路配置的示意图。图13示出根据各个实施方式等的电路板的应用例I的外观的透视图。图14A示出从前侧看的应用例2的外观的透视图，并且图14B示出从后侧看的应用例2的外观的透视图。图15示出应用例3的外观的透视图。图16示出应用例4的外观的透视图。图17A示出应用例5在打开状态的前视图，图17B示出其侧视图，图17C示出其闭合状态的前视图，图17D示出其左侧视图，图17E示出其右侧视图，图17F示出其顶视图，以及图17G示出其底视图。图18A和18B图示出应用例6的外观的透视图。
具体实施例方式现将参考附图详细说明本公开的实施方式。应当注意，按以下顺序进行说明。
I.实施方式(具有有机TFT的电路板的实例)2.第一变形例(制造工艺的另一实例)3.第二变形例(制造工艺的又一实例)4.应用例(包含电路板的显示器和电子单元的实例)[实施方式][电路板的配置]图I示出根据本公开实施方式的电路板(电路板I)的示意性配置的透视图。该电路板I优选用作例如所谓底板。该电路板I包括，例如，集成的一个或多个驱动器半导体器件(例如有源器件，如薄膜晶体管)。这样的电路板I具有例如层结构，其中设置在不同层的配线在各个半导体器件的外侧部分相互连接(建立了层间配线连接)。作为这样的底板的示意性层结构，本实施方式描述这样的结构在包含有机半导体的薄膜晶体管(晶体管部10A)外侧部分建立层间配线连接。晶体管部IOA包括例如有机TFT,具有所谓的底栅结构和顶接触结构。晶体管部IOA具有基板10上选择性区域中的栅电极11A，并且具有栅电极IlA上的半导体层13，它们之间有栅极绝缘层12。在栅极绝缘层12上与栅电极IlA相对的选择性区域中图案化而设置半导体层13。一对源/漏电极14a设置在半导体层13上，并且连接于半导体层13。配线连接部IOB是设置在不同层的第一配线层IlB和第二配线层14之间的连接区域，开口 Hl (通过栅极绝缘层12的接触孔)设置在第一配线层IlB和第二配线层14之间的另一个层(此处是栅极绝缘层12)中。在配线连接部IOB中，第一配线层IlB通过开口Hl电连接至第二配线层14。具体地，以下说明的表面能控制层15设置在第一配线层IlB上的与开口 Hl相对的部分。应当注意，开口 Hl不限于在栅极绝缘层12的表面或背面形成一个闭合曲线的孔形开口。具体地，开口 Hl是一个广义的概念,包括切口(notch)、凹槽(groove)等。因而，只要去除了部分栅极绝缘层12，开口 Hl不一定形成一个闭合曲线。第一配线层IlB设置在与晶体管部IOA中的栅电极IIA相同的层(在基板10上)。第二配线层14设置在与晶体管部IOA中的源/漏电极14a相同的层(或源/漏电极14a形成为第二配线层14的一部分)。在本实施方式中，栅电极IlA和第一配线层IlB在同一步骤中图案化形成，并且源/漏电极14a和第二配线层14在同一步骤中图案化形成。例如，基板10包括塑料板或表面经过绝缘处理的金属片，塑料板包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和液晶聚合物，金属板包括不锈钢、铝(Al)和铜(Cu)。栅电极IlA通过施加于晶体管部IOA的栅电压(Vg)控制半导体层13中的载流子密度，并且作为供应电位的配线。栅电极IlA (和第一配线层11B)优选包括导电膜材料，具有容易形成氧化膜的表面。其原因如下第一配线IlB与栅电极IlA在同一步骤中形成，因而包含与栅电极IlA相同的材料，并且第一配线层IlB的表面被氧化用于形成本实施方式中的表面能控制层15，如下文中的详细说明。此类导电膜材料的实例包括单层膜，包含铝、钛(Ti)、钼(Pt)、金(Au)、钯(Pd)、铬(Cr)、镍(Ni)、钥(Mo)、铌(Nb)、钕(Nd)、铷(Rb)、铑(Rh)、铝(Al)、银(Ag)、钽(Ta)、钨(W)、铜、铟(In)和锡(Sn)中的一种，或包含它们中的两种以上的层叠膜。虽然如以上所述各种材料可用于第一配线层11B，但第一配线层IlB的表面需要在以下说明的制造工艺中进行氧化。由此，第一配线层期望使用可氧化的材料。栅极绝缘层12的实例包括单层膜,包括聚乙烯苯酹(polyvinyl phenol)、邻苯二甲酸二烯丙酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰胺-酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硅氧烷、聚甲基丙烯酰胺、聚氨酯、聚丁二烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、丁腈橡胶、丙烯酸橡胶、丁基橡胶、环氧树脂、酚醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、脲醛树月旨、酚醛清漆树脂、氟化树脂中的一种，或包含它们中的两种以上的层叠膜。栅极绝缘层12是通过涂布形成的，然后通过蚀刻图案化。然而，栅极绝缘层12可根据材料的不同通过使用印刷技术图案化，例如喷墨打印、丝网印刷、胶版印刷和凹版印刷。·
响应施加的栅电极形成沟道的半导体层13包括例如有机半导体，如迫咕吨并咕吨(peri-Xanthenoxanthene) (PXX)衍生物。有机半导体材料的实例还包括并五苯、并四苯、并六苯、并七苯、花、屈(chrysene)、二萘嵌苯、晕苯、红突烯、聚噻吩、多并苯、聚对苯乙烯(polyphenylene vinylene)、聚卩比咯、卩卜啉、碳纳米管、富勒烯、石墨烯(grapheme)和金属酞菁中一种的衍生物，以及它们中的两种以上的混合物。通过诸如旋转涂布法和狭缝涂布法的涂布法沉积上述的材料形成半导体层13，然后图案化沉积的材料。一对源/漏电极14a分别电连接至半导体层13，并且在半导体层13上相互电隔离。各个源/漏电极14a用作源电极或漏电极，并且由与用于栅电极IlA的上述各材料同样的导电膜材料构成。各个源/漏电极14a被配置为第二配线层14的一部分，或设置在与第二配线层14相同的层。此处，一部分第二配线层14与半导体层13重叠，其作为源/漏电极14a之一。第二配线层14包括例如与源/漏电极14a相同的材料，并且与源/漏电极14a在相同的步骤图案化。在此实施方式的电路板I中，配线连接部IOB具有在第一配线层IlB表面上的与开口 Hl相对的区域中的表面能控制层15。图2以放大的方式示出配线连接部IOB附近的部分。如图所示，具体地，表面能控制层15介于第一配线层IlB和第二配线层14之间。表面能控制层15具有控制第一配线层IlB的表面能的功能，具体地讲，具有将第一配线层IlB的表面能控制在小于或基本等于栅极绝缘层12的表面能的功能。在本实施方式中，表面能控制层15具有控制第一配线层IlB的表面能小于栅极绝缘层12的表面能的功能(控制第一配线层IlB的表面的润湿性比栅极绝缘层12的润湿性小)。换句话说，第一配线层IlB和栅极绝缘层12之间的润湿性差异大，并且第一配线层IlB的表面(具体地，在表面能控制层15的顶部)拒液性相对较高，而在栅极绝缘层12的表面上亲液性相对较高。表面能控制层15的厚度为例如约Inm至2nm，这比第一配线层IlB或第二配线层14的厚度薄很多。在表面能控制层15应配置具有上述功能的膜时，本实施方式中的表面能控制层15包括例如娃或有机娃化物。原因如下氧化膜形成在第一配线层IlB的表面，随后与娃烷偶联剂发生反应，以形成表面能控制层15，在下文中详细说明。[制造电路板I的方法]图3A至图6C示意性地示出制造电路板I的方法。例如，电路板I按以下方式制造。如图3A所示，栅电极IlA和第一配线层IlB共同形成在基板10上的选择性区域。具体地，上述的例如铝或钛的导电膜材料，通过例如溅射法沉积在基板10的整个表面，并且随后将导电膜通过例如光刻法蚀刻成预定的图案。如图3B所示，栅极绝缘层12然后形成在基板10的整个表面上方。具体地，将用于栅极绝缘层的上述材料(例如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶液)通过例如旋转涂布法涂在基板10的整个表面，然后干燥。 如图3C所示，然后将例如正型光敏树脂材料涂在栅极绝缘层12上，并且随后通过包括曝光和显影的步骤形成在对应于配线连接部IOB的区域中具有开口 IlOa的光刻胶膜110。如图4A所示，然后使用光刻胶膜110作为掩模对栅极绝缘层12的选择性区域进行蚀刻。通过例如使用氧气(O2)作为反应气体的干法蚀刻执行该工艺。例如，使用氧气的干法蚀刻优选用于由上述PVP形成的栅极绝缘层12。这样，栅极绝缘层12被蚀刻。从而，如图4B所示，曝光第一配线层IlB的表面，结果形成栅极绝缘层12的开口 H1。在本实施方式中的此工艺期间，第一配线层IlB的表面由氧气氧化(氧化膜Ilbl形成在第一配线层IlB的表面)。例如，在铝或钛用于第一配线层IlB (以及栅电极11A)的情况下，形成铝氧化物(AlOx)或钛氧化物(TiOx)作为氧化膜llbl。如图5A所示，然后执行硅烷偶联处理。具体地，将如上所述地设置有具有开口 Hl的栅极绝缘层12的基板10浸入硅烷偶联剂。这导致硅烷偶联剂和在第一配线层IlB的表面上设置的氧化膜Ilbl之间的选择性反应。结果，如上所述的包含硅或有机硅化物的表面能控制层仅形成在第一配线层IlB的表面上。应当注意，虽然硅烷偶联剂可能粘附在光刻胶膜110上，但光刻胶薄膜最终被如下所述地分离。硅烷偶联剂的实例包含十八烷基三氯硅烷(0TS)。如图5所示，然后分离光刻胶膜110。结果，栅极绝缘层12的表面被暴露，同时开口 Hl中的第一配线层IlB的表面覆有表面能控制层15。在本实施方式中，表面能控制层15控制第一配线层IlB的表面能使其小于栅极绝缘层12的表面能。具体地讲，从开口 Hl暴露的第一配线层IlB的润湿性比栅极绝缘层12的润湿性低。然后形成半导体层13以在栅极绝缘层12上被图案化。在该操作中，如图6A所示，将有机半导体材料，例如，迫咕吨并咕吨化合物溶液涂布在基板10的整个表面。有机半导体材料可能仅粘附在栅极绝缘层12上，而在第一配线层IlB上被排斥。这是由于如上所述的第一配线层IlB和栅极绝缘层12之间的表面能差异导致的。然后加热涂布的有机半导体材料，从而使具有基本均匀的厚度的半导体层13形成在栅极绝缘层12上(与下述的比较例不同，不太可能形成极厚的部分)。如图6B所示，然后图案化半导体层13。具体地，例如，通过激光消融法(laserablation process)使用激光L对不需要的区域(13a)进行照射,从而选择性地去除不需要的区域(13a)，因而半导体层13保留期望的区域(13bl)。此处，图案化半导体层13以仅保留在与晶体管部IOA中的栅电极IlA相对的区域。此时，在本实施方式中，半导体层13原本没有涂布在与开口 Hl相对的区域(13b2);因此，区域13b2无需使用激光进行照射，S卩，不图案化区域13b2。具体地讲，可在跨栅极绝缘层12上具有基本均匀厚度的部分的半导体层13图案化所涂布的半导体层13 ；因而，可精确地加工半导体层13。结果，如图6C所示，半导体层13形成在栅极绝缘层12上的选择性区域。此外，由于与开口 Hl相对的区域如上所述不使用激光进行照射，将不会去除表面能控制层15而保留在第一配线层IlB表面。最后，如图7所示，第二配线层14和源/漏电极14a共同形成。具体地，上述导电膜材料通过例如溅射法沉积在基板10的整个表面。然后，例如，通过光刻法将沉积膜蚀刻成预定的图案。在该操作中，形成第二配线层以部分地延伸至与开口 Hl相对的区域，从而第一配线层IlB通过开口 Hl电连接至第二配线层14。此外，形成第二配线层14以部分重叠半导体层13，从而该重叠部分用作一个源/漏电极14a。此处，由于表面能控制层15如上所述的保留在第一配线层IlB上，表面能控制层15实际上介于第一配线层IlB和第二配线层14之间。然而这不会防止确保期望的电导性。原因如下形成的表面能控制层15比第一配线层IlB或第二配线14薄得多，因而基本上可忽略表面能控制层15导致的电阻增大。在这些步骤之后，晶体管IOA和配线连接部IOB形成在基板10上。图I所示的电路板I的制造结束。[功能和效果]本实施方式的电路板I具有晶体管部IOA和能使层间配线连接的配线连接部10B。具体地，开口 Hl设置在配线连接部IOB中的栅极绝缘层12，从而第一配线层IlB通过开口Hl电连接至第二配线层14。结果，电路板I实现优选用于驱动例如下述显示器的底板的层结构。在此层结构中，表面能控制层15设置在第一配线层IlB上的与开口 Hl相对的区域，从而控制第一配线层IlB的表面能(第一配线层IlB的润湿性变化)。具体地，本实施方式中的表面能控制层15用于控制第一配线层IlB的表面能小于栅极绝缘层12的表面能，即，控制第一配线层IlB的润湿性小于栅极绝缘层12的润湿性。结果，在半导体层1 3的形成过程中不太可能出现沉积不良。现参考图8、图9A和图9B说明根据比较例的制造电路板的方法。在比较例中，如同本实施方式一样，栅电极102A和第一配线层102B形成在基板101上，然后形成栅极绝缘层103。如图8所示，然后使用光刻胶膜104形成开口 H1。然而在比较例中，与本实施方式不同的是，形成开口 Hl后即涂布有机半导体材料，而没有硅烷偶联处理，S卩，没有形成表面能控制层15。结果，较厚的部分(Xl)形成在例如图9A所示的半导体层105a中的开口 Hl附近。或者，如图9B所示的半导体层105b中，开口 Hl的附近出现厚度不均匀(X2)。这样，与用于配线连接的开口 Hl相对的区域的表面状态和物理形状特别地的不同于其他区域的表面状态和物理形状，导致半导体层(105a或105b)的厚度不一致或不均匀。在此情况下，由于以下的原因，使半导体层的图案化变得困难。具体地讲，如上所述，为了通过激光消融法图案化半导体层，用激光选择性照射不必要的部分。因此，如果在开口 Hl部分设置有半导体层，该部分也需要使用激光进行照射。如果像比较例中一样开口 Hl附近的半导体层的厚度大于其他部分，难以将半导体层精确图案化。相反，在本实施方式中，如半导体形成工艺(图6A至6C)说明那样，表面能控制层15设置在从开口 Hl暴露的第一配线层IlB的表面上，从而形成在开口 Hl以外的栅极绝缘层12上的半导体层13的厚度基本一致。结果，对于半导体层13的图案化，与开口 Hl相对的区域(13b2)无需用激光照射，并且可仅在栅极绝缘层12上具有基本一致厚度的部分执行图案化。因此，可精确地加工半导体层13。这样，在本实施方式中，使用了表面能控制层，从而半导体层13厚度基本一致地涂布在栅极绝缘层12上。这有利于半导体层13的图案化。 如上所述，在本实施方式中，第二配线层14设置在第一配线层IlB上，并且在它们之间存在具有开口 Hl的栅极绝缘层12，从而第一配线层IlB通过开口 Hl电连接第二配线层14。表面能控制层15设置在第一配线层IlB上与开口 Hl相对的区域，从而控制第一配线层IlB的表面能，使得可抑制半导体层13的沉积不良。因而，电路板I使得能够精确地图案化半导体层13。现将说明根据本实施方式的各个变形例(第一和第二变形例)的制造电路板的方法。应当注意，与本实施方式中相同的部件分配以相同的符号，并且将适当地省略其说明。[第一变形例]图IOA和图IOB示出了根据第一变形例的示意性截面图。在上述实施方式中，作为表面能控制层15的形成技术的示例，描述了使第一配线层IlB的表面上的氧化膜Ilbl与硅烷偶联剂反应的技术。在该技术中，虽然氧化膜Ilbl是使用用于开口 Hl的干法蚀刻法的氧气来形成，氧化膜Ilbl的形成技术不限于此。例如，如果氧气不用作栅极绝缘层12的干法蚀刻的反应气体，可在开口 Hl的形成加工(图10A)后，通过氧化第一配线层IlB的表面(图IOB)来形成氧化膜llbl。这样，第一配线层IlB上的氧化膜Ilbl的形成技术没有特别的限制。氧化膜Ilbl可在例如硅烷偶联处理之前形成。然而在上述实施方式中，氧化膜Ilbl在开口 Hl的形成过程期间同时形成，从而相对于第一变形例减少了步骤数。[第二变形例]图IlA和IlB示出了根据第二变形例的电路板的制造方法的示意性截面图。在第二变形例中，如在所述实施方式中一样，在基板10上，在具有晶体管IOA和配线连接部IOB的层结构中，在第一配线层IlB的表面上的与开口 Hl相对的区域中设置有控制第一配线层IlB的表面能的表面能控制层25。然而，第二变形例中的表面能控制层25具有控制第一配线层IlB的表面能与栅极绝缘层12的表面能相似(控制第一配线层IlB的表面润湿性与栅极绝缘层12的表面润湿性基本相同)的功能，这与所述实施方式中的表面能控制层15不同。在第二变形例中，如图IlA所示，在涂布半导体层13之前，表面能控制层25形成在第一配线层IlB的表面上的与开口 Hl相对的区域中。如图IlB所示，然后在基板10的整个表面涂布半导体材料。与上述实施方式不同，因为表面润湿性在包含开口 Hl附近的区域和栅极绝缘层12的表面的整个区域上基本均匀，所以具有一致厚度的半导体层13很容易在包含开口 Hl的整个区域上形成。结果，虽然对于通过上述的激光消融法图案化半导体层13，开口 Hl部分也需要用激光进行照射并除去，由于基板10的整个区域的半导体层13的厚度基本一致，所以获得了极好的图案精度。[应用例]实施方式和变形例中说明的电路板I优选用作显示器的驱动板。显示器的实例包括液晶显示器、有机EL显示器和电子纸 显示器。图12示意地示出了显示器驱动电路的实例。在本驱动板中，像素驱动电路140设置在基板10上的显示区域S，作为图像显示的驱动器的信号线驱动电路120以及扫描线驱动电路130设置在显示区域S的外围。像素驱动电路140例如通过有源矩阵法驱动。在像素驱动电路140中，多条信号线120A沿列方向布置，多条扫描线130A沿行方向布置。每条信号线120A和每条扫描线130A的交叉点对应于像素PXL。每条信号线120A连接至通过信号线120A将图像信号供应至每个像素PXL的驱动电路120。每条扫描线130A连接至通过扫描线130A将扫描信号按顺序供应至各个像素PXL的扫描线驱动电路130。包含此类电路板I作为驱动板的显示器可安装在根据应用例I至6的电子单元。具体地，显示器可用于各领域的电子单元，包括电视设备、数码相机、个人笔记本电脑、诸如移动电话和智能手机的移动终端设备以及便携摄影机。换句话说，该显示器可用于各领域的用于显示外部接收的或内部生成的图像信号作为静止或视频图像的电子单元。(应用例I)图13示出根据应用例I的电视设备的外观。该电视设备具有，例如，包含前面板511和滤光玻璃512的图像显示画面部510。图像显示画面部510对应于上述显示器。(应用例2)图14A和图14B示出根据应用例2的数码相机的外观。该数码相机具有,例如,用于闪光灯512的发光部分、用作上述显示器的显示部522、菜单切换523以及快门按钮524。(应用例3)图15示出根据应用例3的个人笔记本电脑的外观。该个人笔记本电脑具有，例如，主体531、用于字符等的输入操作的键盘532、以及作为上述显示器的显示部533。(应用例4)图16示出根据应用例4的便携摄像机的外观。该便携摄像机具有，例如，主体部541、设置在主体部541前侧面的取像镜头542、用于摄影的启动/停止开关543、以及作为上述显示器的显示部544。(应用例5)图17A至图17G示出根据应用例5的移动电话的外观。例如,该移动电话配置有通过铰接部730相互连接的上壳710和下壳720，并且具有显示器740、子显示器750、闪光灯760和照相机770。显示器740或子显示器750对应于上述显示器。(应用例6)图18A至18B示出根据应用例6的智能手机的外观。该智能手机具有，例如，显示部810、非显示部820以及操作部830。如图18A所示，操作部830可设置在与显示部810相同的面(前面)，或如图18B所示，可设置在与显示部810不同的面(顶部)。尽管在上文中已用实施方式、变形例和应用例对本公开进行了说明，本公开的内容不限于实施方式等，并且可进行各种修改和变换。例如，具有底栅结构和顶接触结构的有机TFT作为实施方式等中设置在电路板中的薄膜晶体管(晶体管部10A)的示例进行了说明，该薄膜晶体管可具有顶栅结构和底接触结构。此外，本公开的电路板不仅可运用于有机TFT，而且可运用于包含无机半导体或氧化半导体的薄膜晶体管。此外，虽然已在实施方式等中以半导体层用作薄膜晶体管的沟道的情况作为示例进行了说明，但设置在电路板中的半导体器件可包含诸如二极管的其他有源器件，而没有特别的限制。例如，在电路板用作底板的情况下，本公开的电路板可用于包含涉及层间配线连接的半导体器件的通用电路板。此外，虽然已在实施方式等已对设置在不同层的第一配线层IlB和第二配线层14相互电连接的层结构为示例进行了说明，但本公开的电路板可用于具有设置在三层以上不 同层中的配线层的层结构。三层以上配线层中的两层以上配线层应相互电连接，并且三层以上的配线层可相互电连接。从本公开的上述示例性实施方式和变形例至少可实现以下的配置。( I) 一种电路板，包括第一配线层，其设置在基板；绝缘层，其包含开口，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，其设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，其设置在绝缘层上的选择性区域，以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。(2)根据(I)的电路板，其中表面能控制层具有控制第一配线层的表面的润湿性比绝缘层的表面的润湿性低的功能。(3)根据(I)的电路板，其中表面能控制层具有控制第一配线层的表面的润湿性基本等于绝缘层的表面的润湿性的功能。(4)根据(I)至(3)中任一项的电路板，其中，一个或多个薄膜晶体管，设置在基板上，每个薄膜晶体管包括作为沟道层的半导体层，栅电极，设置在与第一配线层相同的层，并且被布置为与半导体层相对且绝缘层在栅电极与半导体层之间，以及源电极和漏电极，各自设置为第二配线层的一部分，或设置在与第二配线层相同的层中。(5)根据(I)至(4)中任一项的电路板，其中半导体层由有机半导体构成。(6)根据(4)或(5)的电路板，其中电路板是具有薄膜晶体管的底板。(7)制造电路板的方法，该方法包括
在基板上形成第一配线层；在第一配线层上形成具有开口的绝缘层；在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域形成表面能控制层，该表面能控制层对第一配线层的表面能进行控制；在形成表面能控制层之后在绝缘层上的选择性区域形成半导体层；以及在绝缘层上形成第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。(8)根据(7)的方法，其中表面能控制层的功能是控制第一配线层的表面的润湿性低于绝缘层的表面的润湿性。
(9)根据(7)或(8)的方法，其中，在绝缘层形成期间或之后，在第一配线层的表面的与开口相对的区域形成氧化膜，以及氧化膜经过硅烷偶联处理，以形成表面能控制层。(10)根据(7)至(9)中任一项的方法，其中，在绝缘层形成期间，通过使用氧气的干法蚀刻在形成开口的同时形成氧化膜。(11)根据(7)的方法，其中表面能控制层的功能是控制第一配线层的表面的润湿性基本等于绝缘层的表面的润湿性。(12)根据(7)至(11)中任一项的方法，其中，在半导体层形成期间，通过涂布法在绝缘层的整个表面沉积有机半导体，然后使沉积的有机半导体形成图案。(13)根据(12)的方法，其中通过激光消融法使半导体形成图案。(14) 一种显不器，包括显示部，其包含多个像素；以及电路板，其驱动显示部，其中，电路板包括第一配线层，其设置在基板上，绝缘层，其包含开口，该绝缘层设置在第一配线层上，表面能控制层，其设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，该表面能控制层控制第一配线层的表面能，半导体层，其设置在绝缘层上的选择性区域，以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。(15)根据(14)的显示器，其中，电路板包括基板上的一个或多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括半导体层，其作为沟道层，栅电极，其设置在与第一配线层相同的层，并且被布置为与半导体层相对且绝缘层在栅电极与半导体层之间，以及源电极和漏电极，各自设置为第二配线层的一部分，或设置在与第二配线层相同的层。(16)根据(14)或(15)的显示器，其中半导体层由有机半导体构成。(17)根据(14)至(16)中任一项的显示器，其中电路板是具有薄膜晶体管的底板。(18)—种电子单元，包括
显示器，包含具有多个像素的显示部，以及驱动显示部的电路板，其中，电路板包括第一配线层，其设置在基板上，绝缘层，其包含开口，该绝缘层设置在第一配线层上，表面能控制层，其设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域中，该表面能控制层控制第一配线层的表面能，半导体层，其设置在绝缘层上的选择性的区域，以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。本公开涉及2011年8月2日提交至日本专利局的日本在先申请JP2011-168967的内容，其全部内容通过引用结合于本文。本领域的技术人员应当理解，只要在附属权利要求书或其等价物的范围内，根据设计要求和其他因素可进行各种修改、组合、子组合和变更。
权利要求
1.一种电路板,包括 第一配线层，设置在基板上； 绝缘层，包含开口，所述绝缘层设置在所述第一配线层上； 表面能控制层，设置在所述第一配线层上的与所述绝缘层的开口相对的区域，所述表面能控制层控制所述第一配线层的表面能； 半导体层，设置在所述绝缘层上的选择性区域，以及 所述绝缘层上的第二配线层，所述第二配线层电连接至所述半导体层，并且通过所述开口电连接至所述第一配线层。
2.根据权利要求I所述的电路板，其中，所述表面能控制层具有控制所述第一配线层的表面的润湿性低于所述绝缘层的表面的润湿性的功能。
3.根据权利要求I所述的电路板，其中，所述表面能控制层具有控制所述第一配线层的表面的润湿性基本等于所述绝缘层的表面的润湿性的功能。
4.根据权利要求I所述的电路板，其中， 一个或多个薄膜晶体管，设置在所述基板上， 每个所述薄膜晶体管包括 作为沟道层的所述半导体层， 栅电极，设置在与所述第一配线层相同的层，并且与所述导体层相对地布置且所述绝缘层在所述栅电极与所述半导体层之间，以及 源电极和漏电极，各自设置为所述第二配线层的一部分，或设置在与所述第二配线层相同的层中。
5.根据权利要求I所述的电路板，其中，所述半导体层由有机半导体构成。
6.根据权利要求4所述的电路板，其中，所述电路板是具有所述薄膜晶体管的底板。
7.根据权利要求I所述的电路板，其中，所述表面能控制层是由用硅烷偶联剂处理的氧化膜构成。
8.—种制造电路板的方法，所述方法包括 在基板上形成第一配线层； 在所述第一配线层上形成具有开口的绝缘层； 在所述第一配线层上的与所述绝缘层开口相对的区域形成表面能控制层，所述表面能控制层控制所述第一配线层的表面能； 在形成所述表面能控制层后在所述绝缘层上的选择性区域形成半导体层；以及在所述绝缘层上形成第二配线层，所述第二配线层电连接至所述半导体层，并且通过所述开口电连接至所述第一配线层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述表面能控制层用于控制所述第一配线层的表面的润湿性低于所述绝缘层的表面的润湿性。
10.根据权利要求9所述的方法，其中， 在形成所述绝缘层期间或之后， 在所述第一配线层的表面的与所述开口相对的区域形成氧化膜，以及 将所述氧化膜进行硅烷偶联处理以形成所述表面能控制层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述绝缘层期间， 通过使用氧气的干法蚀刻与所述开口的形成一起形成所述氧化膜。
12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述表面能控制层用于控制所述第一配线层的表面的润湿性基本等于所述绝缘层的表面的润湿性。
13.根据权利要求8所述的方法，其中， 在形成所述半导体层期间， 通过涂布法在所述绝缘层的整个表面沉积有机半导体，然后图案化所沉积的有机半导体。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，通过激光消融法图案化所述半导体层。
15.一种显不器,包括 显示部，包含多个像素；以及 电路板，驱动所述显示部，其中， 所述电路板包括 第一配线层，设置在基板上， 绝缘层，包含开口，所述绝缘层设置在所述第一配线层上， 表面能控制层，设置在所述第一配线层上的与所述绝缘层的开口相对的区域，所述表面能控制层控制所述第一配线层的表面能， 半导体层，设置在所述绝缘层上的选择性区域，以及 所述绝缘层上的第二配线层，所述第二配线层电连接至所述半导体层，并且通过所述开口电连接至所述第一配线层。
16.根据权利要求15所述的显示器，其中， 所述电路板包含所述基板上的一个或多个薄膜晶体管， 每个所述薄膜晶体管包括 作为沟道层的所述半导体层， 栅电极，设置在与所述第一配线层相同的层，并且被布置为与所述半导体层相对且所述绝缘层在所述栅电极与所述半导体层之间，以及 源电极和漏电极，各自设置为所述第二配线层的一部分，或设置在与所述第二配线层相同的层中。
17.根据权利要求15所述的显示器，其中，所述半导体层由有机半导体构成。
18.根据权利要求16所述的显示器，其中，所述电路板是具有所述薄膜晶体管的底板。
19.一种电子单元,包括 显示器，包含具有多个像素的显示部，以及驱动所述显示部的电路板，其中， 所述电路板包括 第一配线层，设置在基板上， 绝缘层，包含开口，所述绝缘层设置在所述第一配线层上， 表面能控制层，设置在所述第一配线层上的与所述绝缘层的开口相对的区域，所述表面能控制层控制所述第一配线层的表面能， 半导体层，设置在所述绝缘层上的选择性区域，以及 所述绝缘层上的第二配线层，所述第二配线层电连接至所述半导体层，并且通过所述开口电连接至所述第 一配线层。
全文摘要
本发明涉及电路板、电路板的制造方法、显示器以及电子单元。该电路板包括第一配线层，设置在基板上；绝缘层，包含开口，该绝缘层设置在第一配线层上；表面能控制层，设置在第一配线层上的与绝缘层的开口相对的区域，表面能控制层控制第一配线层的表面能；半导体层，设置在绝缘层上的选择性区域；以及绝缘层上的第二配线层，该第二配线层电连接至半导体层，并且通过开口电连接至第一配线层。
文档编号H01L51/40GK102916130SQ20121026294
公开日2013年2月6日 申请日期2012年7月26日 优先权日2011年8月2日
发明者八木岩 申请人:索尼公司