发光二极管封装结构的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距，使发光二极管封装结构出射光线的波长范围加宽，提高色彩表现度，并提高光线颜色对比度。
【专利说明】发光二极管封装结构
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002]相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。
[0003]现有的发光二极管封装结构是采用单色光发光二极管晶粒配合荧光粉的结构发出白光。然而，当该种结构的发光二极管封装结构运用在显示器等作为背光模组时，单色光发光二极管晶粒配合荧光粉的结构产生白光的色彩表现度不高，且显示器显示的颜色的对比度较低。因此，如何提高运用到背光模组的发光二极管封装结构的色彩表现度成为了业界一直探索的问题。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种色彩表现度较高的发光二极管封装结构。
[0005]—种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距。
[0006]上述发光二极管封装结构中，由于利用不同间距的光子晶粒作为多层光波转变层覆盖于发光二极管芯片上，而不同间距的光子晶体可使光线的原有波长转变为不同的波长，因此光线穿射过不同层的光波转变层后即可成为不同波长的光线，从而使单色发光二极管芯片的封装结构能够发出具有更多波长种类的光线，从而使波长范围加宽，提高色彩表现度，并提高光线颜色对比度。`
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本发明第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖面示意图。
[0008]图2是图1中的发光二极管封装结构的俯视图。
[0009]图3是本发明第二实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖面示意图。
[0010]图4是图3中的发光二极管封装结构的俯视图。
[0011]图5是本发明第三实施方式提供的一种发光二极管封装结构剖面示意图。
[0012]图6是图5中的发光二极管封装结构的俯视图。
[0013]主要元件符号说明
发光二极管封装结构 |10、20、30
基板__11_
上表面_m_
下表面_112_
第一边_113_
【权利要求】
1.一种发光二极管封装结构，包括基板、电极和发光二极管芯片，所述基板包括上表面和与上表面相对的下表面，所述电极至少为两个，所述电极形成在所述基板上，所述发光二极管芯片与所述电极电性连接，其特征在于:还包括光波转变层，该光波转变层覆盖发光二极管芯片于基板上，该光波转变层为至少二层光子晶体结构，各层光子晶体结构具有不同的间距。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层自基板的上表面向远离基板的方向层叠设置。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层包括第一光波转变层、第二光波转变层和第三光波转变层，该第一光波转变层平铺于基板的上表面，并将发光二极管芯片覆盖于第一光波转变层以内，第二光波转变层叠设于第一光波转变层上，第三光波转变层叠设于第二光波抓转变层上。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一光波转变层的光子晶体结构的间距为180纳米，第二光波转变层的光子晶体结构的间距为210纳米，第三光波转变层的光子晶体结构的间距为300纳米。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层覆盖基板上表面的不同区域。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层将基板的上表面均分为至少二个区域，每一个光波转变层覆盖该基板的上表面等面积的区域。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层的各层均至少包括二层光子晶体结构。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述至少二层光波转变层各层均包括下层、中层和上层，该下层覆盖基板的上表面的一个所述等面积的区域，该中层磊叠于下层上，该上层磊叠于中层上。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述发光二极管芯片为单色出光的光源。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括反射杯，所述反射杯形成于基板的上表面并将发光二极管芯片环绕在反射杯中，所述光波转变层容置于反射杯环绕形成的空间中。
【文档编号】H01L33/50GK103682051SQ201210314558
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年8月30日 优先权日:2012年8月30日
【发明者】洪孟贤 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司