专利名称：基板处理装置和成膜装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种基板处理装置和成膜装置。
背景技术：
作为半导体制造工艺中的成膜方法，公知有如下工艺在真空气氛下使第I反应气体吸附在作为基板的半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)等的表面上之后，将所供给的气体切换为第2反应气体，通过两气体反应而形成I层或多层的原子层、分子层，多次进行该循环，从而对上述层进行层叠，在基板上进行成膜。该工艺被称作例如原子层沉积(ALD Atomic Layer Deposition)、分子层沉积(MLD Molecular Layer Deposition)等。这种成膜方法能够应用在例如用于栅极氧化膜的氧化硅膜、高电介质膜的成膜中。列举一个例子来说，当形成氧化硅膜(SiO2膜)时，作为第I反应气体(原料气体)，例如使用双叔丁基氨基硅烷(以下，称作“BTBAS”)气体等，作为第2反应气体(氧化气体)，使用臭氧气体等。作为实施这种成膜方法的装置，研究了使用以下装置，该装置包括旋转台，在真空容器内将晶圆载置于该旋转台的表面；处理区域，其沿旋转台的旋转方向设置，用于分别供给反应气体；分离区域，其用于防止反应气体在旋转方向上的处理区域之间彼此混合。并且，在进行成膜处理时，利用设于旋转台的背面侧的加热器的辐射热隔着旋转台将晶圆W加热。当在该成膜装置中反复进行成膜处理时，在旋转台的表面、真空容器的内壁沉积有反应气体产生的生成物。因此,通过对真空容器内供给规定的蚀刻用气体等清洁(cleaning)气体来进行去除沉积物的清洁处理。为了抑制由清洁气体造成的腐蚀，旋转台需要由对所使用的清洁气体具有较高的耐腐蚀性的材料构成。但是，在重视对清洁气体具有耐腐蚀性的大小的前提下选择了旋转台的材料的情况下，有时旋转台的热容量会变大。若旋转台的热容量变大，则向载置在旋转台上的晶圆的导热性变低，在成膜处理时用于将晶圆加热至规定温度的时间变长。因此，有可能使装置的生产率降低。在专利文献I中，记载有一种为了使基板的温度分布均匀而使基座的厚度沿基板的径向变化的技术。在专利文献2中，记载了一种设有加强用的肋的基座。但是，在上述专利文献中并未记载有上述那样的问题，并不能解决该问题。专利文献I :日本特许第2514788专利文献2 日本特开2002-256439
发明内容
本发明是在这种情况下提出的，其目的在于提供一种能够快速加热被载置在旋转台上的基板的技术。本发明的一技术方案提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于作为其他区域的旋转台主体的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。本发明的另一技术方案提供一种成膜装置，其用于在基板上形成薄膜，该成膜装置包括处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部由热容量小于其他区域的热容量的材料构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
图I是实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。图2是实施方式的成膜装置的立体图。图3是实施方式的成膜装置的横剖俯视图。图4是旋转台的旋转台主体的纵剖侧视图。图5是旋转台的表面侧分解立体图。图6是旋转台的背面侧立体图。图7是表示形成在上述成膜装置中的气流的说明图。图8是另一旋转台的纵剖侧视图。图9是再一旋转台的立体图。
具体实施例方式图I是成膜装置I的纵剖侧视图，图2是成膜装置I的立体图，图3是成膜装置I的横剖俯视图。成膜装置I用于对作为基板的晶圆W进行原子层沉积(ALD)及分子层沉积(MLD)。成膜装置I包括大致圆形状的扁平的真空容器(处理容器)11、水平设置在真空容器11内的圆形的旋转台2、旋转驱动机构14、作为加热部的加热器41、屏蔽件42、排气口 36。真空容器11设置在大气气氛中，其包括顶板12 ;容器主体13，其构成真空容器11的侧壁及底部；密封构件11a，其用于将真空容器11内保持为气密；罩13a，其用于封堵容器主体13的中央部。旋转台2与旋转驱动机构14连接并利用旋转驱动机构14绕其中心轴线沿周向旋转。如图2和图3所示，在旋转台2的表面侧(一面侧)，沿着旋转方向R形成有多个(在本实施方式中为5个)凹部21。晶圆W载置于各凹部21，通过旋转台2的旋转使各凹部21内的晶圆W也绕中心轴线旋转。旋转台2包括旋转台主体22和以与凹部21相对应的方式设置的多个晶圆载置板23 (基板载置部的一个例子)。后面进一步详细说明旋转台2。真空容器11设有晶圆W的输送口 15和自如开闭输送口 15的开闭器(shutter)16(参照图3，在图2中省略了开闭器16的图示)。并且，成膜装置10包括设于旋转台2上的第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33及分离气体喷嘴34。第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33及分离气体喷嘴34分别形成为从旋转台2的外周向中心延伸的杆状。第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33及分离气体喷嘴34按照第I反应气体喷嘴31、分离气体喷嘴32、第2反应气体喷嘴33及分离气体喷嘴34的顺序沿旋转方向R配置。这些气体喷嘴31 气体喷嘴34在下方具有开口部，分别用于沿着旋转台2的径向供给气体。第I反应气体喷嘴31及第2反应气体喷嘴33是气体供给部的一个例子。作为一个例子，在进行成膜处理时，第I反应气体喷嘴31喷出BTBAS(双叔丁基氨基硅烷)气体，第2反应气体喷嘴33喷出O3 (臭氧)气体。分离气体喷嘴32和分离气体喷嘴34喷出N2 (氮)气体。另外，在本实施方式中，成膜装置I除了对晶圆W进行成膜处理之外，还进行用于去除由各反应气体产生的、沉积于旋转台2表面和真空容器11的内壁上的沉积物的清洁处理。作为一个例子，在进行清洁处理时，自第I反应气体喷嘴31和第2反应气体喷嘴33供给清洁气体，而不是BTBAS气体、O3气体。例如，能够将含有氯、氟等卤素的气体作为清洁气体。 真空容器11的顶板12具有两个向下方突出的扇状的突状部35a和突状部35b，突状部35a和突状部35b在周向上隔开间隔地形成。分离气体喷嘴32和分离气体喷嘴34分别嵌入突状部35a和突状部35b，并且设置为沿周向分割突状部35a和突状部35b。第I反应气体喷嘴31及第2反应气体喷嘴33以与各个突状部35a和突状部35b分开的方式设置。将第I反应气体喷嘴31的下方的气体供给区域设为第I处理区域Pl，将第2反应气体喷嘴33的下方的气体供给区域设为第2处理区域P2。突状部35a和突状部35b的下方构成为分离区域Dl和分离区域D2。在本实施方式中，在真空容器11的底面上设有两个排气口 36。排气口 36分别在第I处理区域Pl和在旋转台2的旋转方向R上与第I处理区域Pl相邻的分离区域Dl之间的靠旋转台2的径向外侧的位置处开口、及在第2处理区域P2和在旋转台2的旋转方向R上与第2处理区域P2相邻的分离区域D2之间的靠旋转台2的径向外侧的位置处开口。在进行成膜处理时从分离气体喷嘴32和分离气体喷嘴34供给到分离区域Dl和分离区域D2的N2气体在该分离区域Dl和分离区域D2中沿周向扩散，防止BTBAS气体与O3气体在旋转台2上混合，并推动BTBAS气体及O3气体流向排气口 36。另外，在进行成膜处理时，将N2气体供给到旋转台2的中心部区域38。该N2气体经由顶板12中的呈环状向下方突出的突出部39的下方供给向旋转台2的径向外侧。由此，能够防止BTBAS气体与O3气体在中心部区域38混合。另外，虽然省略了图示，但是也向罩13a内及旋转台2的背面侧供给N2气体，以吹扫反应气体。在真空容器11的底部，即，在旋转台2的下方的与旋转台2分开的位置处设有加热器41。通过加热器41辐射向旋转台2的辐射热来使旋转台2升温，载置于凹部21的晶圆W被加热。此处，在加热器41的表面设有用于防止在加热器41的表面成膜的屏蔽件42。接着，也参照图4 图6更详细地说明旋转台2。图4是旋转台2的纵剖侧视图，图5是旋转台2的表面侧分解立体图，图6是旋转台2的背面侧立体图。旋转台2包括构成旋转台2的外形的旋转台主体22和多个晶圆载置板23。晶圆载置板23构成晶圆W的载置区域，在旋转台2中，该晶圆W的载置区域的外侧由旋转台主体22构成。
在旋转台主体22中的、与图2和图3所示的多个凹部21相对应的部位设有多个(在本实施方式中是5个)圆形的贯通开口部24。在贯通开口部24的侧壁下部设有朝向贯通开口部24的内侧突出的环状的保持部25。保持部25用于保持晶圆载置板23的周缘部。也就是说，保持部25的内缘的直径小于晶圆载置板23的外缘的直径。通过晶圆载置板23被保持在各贯通开口部24的保持部25来形成各凹部21。在本实施方式中，晶圆载置板23以热容量小于旋转台主体22的热容量的方式构成。具体而言，在本实施方式中，旋转台主体22由对成膜装置I所使用的气体具有较高耐性的材料构成。特别是，由对上述清洁处理中的清洁气体具有较高耐腐蚀性的材料构成。旋转台主体22例如由石英构成。
在本实施方式中，晶圆载置板23与旋转台主体22由不同的材料构成。具体而言，晶圆载置板23以热容量小于旋转台主体22的热容量的方式构成。在本实施方式中，晶圆载置板23含有比热容小于构成旋转台主体22的主要材料的比热容的材料作为主要成分。作为一个例子，各晶圆载置板23能够由比热容小于构成旋转台主体22的主要材料的比热容的单一的材料构成。作为另一个例子，各晶圆载置板23也能够以比热容小于构成旋转台主体22的主要材料的比热容的材料为主要成分来构成，且使该材料被其他材料覆盖。另外，晶圆载置板23能够含有导热系数大于构成旋转台主体22的主要材料的导热系数的材料作为主要成分。作为一个例子，各晶圆载置板23能够由导热系数大于构成旋转台主体22的主要材料的导热系数的单一的材料来构成。作为另一个例子，各晶圆载置板23也能够以导热系数大于构成旋转台主体22的主要材料的导热系数的材料为主要成分来构成，且该材料被其他材料覆盖。此处，“主要成分”是指材料的构成比(体积比)最多的材料或者材料的构成比(体积比)大于50%的材料。晶圆载置板23例如能够由AlN (氮化铝)、SiC (碳化硅)等陶瓷、碳(石墨)等含碳材料等构成。在本实施方式中，各晶圆载置板23由AlN (氮化铝)构成。利用这种结构，晶圆载置板23在被加热器41的辐射热加热时，能够使载置在晶圆载置板23之上的晶圆W的温度快速上升。另外，晶圆载置板23能够构成为在晶圆W的载置区域中从旋转台2的背面侧形成到表面侧。由此，晶圆载置板23在被加热器41的辐射热加热时，能够使载置在晶圆载置板23之上的晶圆W的温度快速且高效地上升。晶圆载置板23以与贯通开口部24的形状相对应的方式构成为圆形，并以相对于旋转台主体22装卸自如的方式构成。另外，在晶圆载置板23上设有多个沿晶圆载置板23的表背方向贯通的贯通孔26。多个贯通孔26分散配置于晶圆载置板23。在本实施方式中，多个贯通孔26大致均等地分散配置于整个晶圆载置板23。通过设置这种多个贯通孔26，能够进一步抑制晶圆载置板23的热容量。另外，在晶圆载置板23上形成有3个销贯穿用贯通孔27，销贯穿用贯通孔27的直径形成得大于贯通孔26的直径。销贯穿用贯通孔27具有供设于旋转台2的下方的未图示的升降销通过的作用，利用上述升降销在旋转台2与图3所示的晶圆输送机构3A之间交接晶圆W。即，在本实施方式中，在晶圆载置板23上，不仅设有3个销贯穿用贯通孔27，还设有用于将来自加热器41的热传递到晶圆W的多个贯通孔26。另外，在旋转台2的背面设有由晶圆载置板23与保持部25的内周壁形成的背面侧凹部28。这样，以在旋转台2的背面也形成背面侧凹部28的方式来构成晶圆载置板23及旋转台主体22，从而能够利用旋转台主体22来保持旋转台2的强度并减小晶圆载置板23的厚度。由此，能够进一步减小晶圆载置板23的热容量并能进一步使晶圆W快速地升温。其中，能够将晶圆载置板23的厚度设成在晶圆载置板23上载置有晶圆W时具有充分强度。另外，为了降低晶圆载置板23的热容量，在保持部25能够充分地支承晶圆载置板23及晶圆W的前提下，能够尽量减小平面面积。在本实施方式中，能够将保持部25的平面面积设成小于晶圆载置板23的平面面积的30%。即，能够将旋转台主体22的贯通开口部24的平面面积、换言之背面侧凹部28的平面面积设成晶圆载置板23的平面面积的70%以上。 接着，说明成膜装置I的作用。晶圆输送机构3A以保持有晶圆W的状态从输送口 15进入真空容器11内，未图示的升降销从面对输送口 15的位置处的凹部21的销贯穿用贯通孔27突出到旋转台2之上并托起晶圆W，在凹部21与晶圆输送机构3A之间交接晶圆W。当将晶圆W载置于各凹部内21时，利用分别与两个排气口 36连接的真空泵(未图示)进行排气而对真空容器11内进行排气，真空容器11内成为规定压力的真空气氛。然后，在旋转台2旋转的同时使加热器41升温。自加热器41朝向旋转台2辐射的辐射热增大，与旋转台主体22相比，旋转台2的晶圆载置板23较快速地升温到目标温度例如350°C。通过来自晶圆载置板23的传热将晶圆W也加热到350°C，使加热器41的输出功率维持在规定值。接着，从各个气体喷嘴31 气体喷嘴34供给气体，晶圆W交替地通过第I反应气体喷嘴31的下方的第I处理区域Pl和第2反应气体喷嘴33的下方的第2处理区域P2，BTBAS气体吸附在晶圆W上，接着吸附O3气体，使BTBAS分子氧化，从而形成I层或多层的氧化硅的分子层。这样，氧化硅的分子层依次层叠而形成规定膜厚的氧化硅膜。图7是表不真空容器11内的气体的气流的图。图7中的箭头R表不表不旋转台2的旋转方向。从分离气体喷嘴32和分离气体喷嘴34供给到分离区域Dl和分离区域D2的N2气体在分离区域Dl和分离区域D2中沿周向扩散，防止BTBAS气体与O3气体在旋转台2上混合。另外，在进行该成膜处理时，向旋转台2的中心部区域38上的空间供给N2气体。该N2气体经由在顶板12中的呈环状向下方突出的突出部39的下方供给向旋转台2的径向外侦牝防止BTBAS气体与O3气体在中心部区域38混合。另外，虽然省略了图示，但是也向罩13a内及旋转台2的背面侧供给N2气体，以吹扫反应气体。当旋转台2旋转规定的次数而形成了规定膜厚的氧化硅膜时，停止供给各种气体，降低加热器41的输出功率，晶圆W的温度自350°C开始降低。然后，升降销上推凹部21内的晶圆W，晶圆输送机构3A接收被上推后的晶圆W，将其输出到真空容器11夕卜。
接着，说明清洁处理。在例如以规定次数进行了上述那样的成膜处理后，自第I反应气体喷嘴和第2反应气体喷嘴供给清洁气体，而不是BTBAS气体或O3气体。在该清洁处理中，除了如上所述气体不同且在旋转台2上没有保持有晶圆W之外，与进行成膜处理时同样地进行清洁处理。如上所述，利用该清洁气体来对 真空容器11的内壁和旋转台2的沉积物进行蚀刻而去除该沉积物。如上所述，由于旋转台2的旋转台主体22具有较高的耐腐蚀性，因而，能够抑制由该处理造成的劣化。当用户进行了例如规定次数的清洁处理时，将晶圆载置板23更换为新的晶圆载置板23。采用该成膜装置1，通过使晶圆载置板23的热容量低于旋转台主体22的热容量，从而能够在进行晶圆W的加热时使晶圆W的温度快速上升。具体而言，一方面利用石英来构成旋转台主体22以获得较高的耐腐蚀性，另一方面，利用热容量低于石英的热容量的AlN、SiC或碳来构成了晶圆载置板23，因而，能够在进行晶圆W的加热时使晶圆W的温度快速上升。因此，能够抑制成膜装置I的生产率的降低。另外，由于晶圆载置板23能够相对于旋转台主体22装卸自如，因而，晶圆载置板23在因上述清洁处理而受到了损伤时能够进行更换。因此，能够容易地进行装置I的维护。另外，通过将晶圆载置板23的热容量设置得较低，在停止加热而使基板温度降低时，也能够迅速地降低温度，借此也能够改善生产率。接着，例示其他的例子。图8是表示晶圆载置板的结构的另一个例子的剖视图。晶圆载置板44在其周缘部具有朝向上方突出的突出部44a。在该例子中，晶圆载置板44不仅构成凹部21的底面部，还构成凹部21的侧壁。晶圆载置板44能够参照图4 图6利用与上述晶圆载置板23相同的材料来构成。图9是表示旋转台的结构的另一个例子的立体图。此处，旋转台2非圆形状，旋转台主体45由十字形状的十字板构成。晶圆载置板23设于旋转台主体45的十字板的各顶端。另外，在各晶圆载置板23的表面设有多个销46，该多个销46用于使晶圆W与晶圆载置板23对位并防止晶圆W在旋转台主体45旋转时飞出。旋转台主体45能够参照图4 图6利用与上述的旋转台主体22相同的材料来构成。另外，所谓的“晶圆载置板以相对于旋转台主体装卸自如的方式构成”包括在晶圆载置板载置于旋转台主体的情况、在旋转台主体和晶圆载置板中的一者上设有凸部而在另一者上设有凹部且上述凸部和凹部相嵌合的情况；旋转台主体和晶圆载置板相互卡合的情况；以及利用螺纹构件等固定构件使旋转台主体和晶圆载置板互相固定的情况。另外，在上述例子中，示出了在第I处理区域及第2处理区域中分别供给不同的成膜用的气体的成膜装置的例子，但是也可以在一个处理区域中向晶圆W供给反应气体来在晶圆W上进行成膜，在另一个处理区域中供给非活性气体来对形成在晶圆W上的膜进行缓冷(anneal)处理。另外，也可以在一个处理区域中如上述那样进行成膜，在另一个处理区域中供给氧化用气体并且对该氧化用气体进行等离子体化而进行膜的氧化。另外，在各个处理区域中，也可以通过向晶圆W供给气体来对形成在晶圆W上的膜进行蚀刻处理。此外，也可以在第I处理区域及第2处理区域中供给彼此种类相同而浓度不同的气体来对晶圆W进行蚀刻处理、成膜处理。而且，也可以在旋转台2上设置3处以上的用于进行处理的处理区域。另外，以上结构不仅适用于在基板上进行成膜的成膜装置，也能够适用于对基板进行例如蚀刻等处理的基板处理装置。另外，还能够包括以下技术方案。旋转台主体22与晶圆载置板23也可以由相同材料构成。旋转台主体22也可以由AlN (氮化铝)、SiC (碳化硅)等陶瓷、碳(石墨)等含碳材料等构成，该情况下，晶圆载置板23也可以利用与旋转台主体22相同的材料构成，并且，晶圆载置板23也可以利用比旋转台主体22的比热容小的材料构成。
即使旋转台主体22与晶圆载置板23由相同材料构成，也能够例如在旋转台主体22的背面设置凹部而使晶圆载置板23部分的厚度变薄，或者形成通孔，从而减少热容量。另外，旋转台主体22与晶圆载置板23也能够利用相同材料来形成为一体。在利用石墨形成旋转台主体22或晶圆载置板23的情况下，能够利用SiC等进行覆盖。采用本发明，能够快速加热载置在旋转台上的基板，能够抑制装置的生产率的降低。另外，作为本发明的具体技术方案，例如包括以下技术方案(与日本申请的权利要求相对应)。一种基板处理装置，其利用旋转台的旋转使载置在旋转台的一面侧的载置区域上的基板在处理容器内公转，从而使该基板依次通过多个处理区域，对基板进行气体处理，其特征在于，基板处理装置中包括多个反应气体供给部件，其分别用于向上述多个处理区域供给反应气体；分离区域，其在上述旋转方向上位于上述多个处理区域之间，用于将上述多个处理区域的气氛气体相互分开；排气口，其用于对上述处理容器内进行排气；以及加热部，其利用热辐射对上述载置区域的另一面侧进行加热，从而加热上述基板，上述旋转台由基板载置部和旋转台主体构成，该基板载置部是相当于上述载置区域的部位，其以从该旋转台的一面侧到另一面侧的方式形成，上述旋转台主体为该基板载置部以外的部位，上述基板载置部由热容量比旋转台主体的热容量小的材质构成。上述基板载置部以相对于旋转台主体装卸自如的方式构成。上述旋转台的另一面具有凹部，上述凹部的底面由上述基板载置部构成。在上述基板载置部上从旋转台的一面侧朝向另一面侧设有多个孔。上述多个孔由供用于向基板载置部交接基板而升降的销通过的贯通孔和上述销不通过的、为了抑制基板载置部的热容量而设置的贯通孔构成。在旋转台的一面侧设有内部用于载置基板的基板载置用的凹部，上述凹部的底面由上述基板载置部构成。上述旋转台主体由石英构成，上述基板载置部由氮化铝、碳化硅或碳构成。另外，本发明的成膜装置利用旋转台的旋转使载置在旋转台的一面侧的载置区域上的基板在处理容器内公转，从而向该旋转台上的基板依次供给多种反应气体，层叠反应生成物的层来形成薄膜，其特征在于，该成膜装置包括
多个反应气体供给部件，其分别用于向上述多个处理区域供给反应气体；分离区域，其在上述旋转方向上位于上述多个处理区域之间，用于将上述多个处理区域的气氛气体相互分开；排气口，其用于对上述处理容器内进行排气；以及加热部，其利用热辐射对上述载置区域的另一面侧进行加热，从而加热上述基板，上述旋转台由基板载置部和旋转台主体构成，该基板载置部是相当于上述载置区域的部位，其以从该旋转台的一面侧到另一面侧 的方式形成，上述旋转台主体为该基板载置部以外的部位，上述基板载置部由热容量比旋转台主体的热容量小的材质构成。
权利要求
1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括 处理容器； 旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于作为其他区域的旋转台主体的热容量的方式构成； 加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
2.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 上述基板载置部含有比热容小于构成旋转台的上述旋转台主体的主要材料的比热容的材料作为主要成分。
3.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 在上述旋转台主体的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有贯通开口部，上述基板载置部以覆盖上述旋转台主体的上述贯通开口部的方式形成。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中， 上述基板载置部以相对于上述旋转台主体装卸自如的方式构成。
5.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 在上述旋转台的上述另一面侧的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有凹部。
6.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 在上述基板载置部上设有多个热容量降低用贯通孔，该热容量降低用贯通孔从上述旋转台的上述一面侧贯通到上述另一面侧。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中， 在上述基板载置部上，不仅设有上述多个热容量降低用贯通孔，还设有多个销贯穿用贯通孔，该多个销贯穿用贯通孔供用于使载置在上述基板载置部上的基板相对于该基板载置部上升和下降的升降销通过。
8.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 在上述旋转台的上述一面侧的与上述基板载置区域相对应的位置处形成有用于收纳上述基板的凹部。
9.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 上述旋转台主体由石英构成。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中， 上述基板载置部由氮化铝、碳化硅构成。
11.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 上述旋转台包括沿着旋转方向设置的多个上述基板载置区域，在各上述基板载置区域上分别设有上述基板载置部。
12.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 上述基板载置部以从上述旋转台的一面侧到另一面侧的方式构成。
13.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 该基板处理装置还包括 多个反应气体供给部，其分别用于向载置在上述旋转台上的基板供给反应气体； 分离区域，其设于上述多个反应气体供给部之间，用于将由上述多个反应气体供给部供给的反应气体相互分开； 排气口，其用于对上述处理容器内进行排气。
14.根据权利要求I所述的基板处理装置，其中， 上述基板载置部含有导热系数高于构成旋转台的其他区域的主要材料的导热系数的材料作为主要成分。
15.一种成膜装置，其用于在基板上形成薄膜，其中，该成膜装置包括 处理容器； 旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部由热容量小于其他区域的热容量的材料构成； 加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
全文摘要
本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
文档编号H01L21/67GK102965643SQ201210315948
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月30日 优先权日2011年8月30日
发明者榎本忠, 大泉行雄, 本间学 申请人:东京毅力科创株式会社