专利名称：一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法
技术领域：
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于抗铜扩散阻挡层及其制造方法。
背景技术：
铜互连技术指在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材 料取代传统铝金属互连材料的新型半导体制造工艺技术。传统的铜互连结构如图I所示，包括在半导体基底10上形成的低介电常数介质层11，在低介电常数介质层11中形成有互连通孔，覆盖所述互连通孔的底壁和侧壁形成有抗铜扩散阻挡层12，在所述互连通孔内所述抗铜扩散阻挡层12之上形成有铜互连线13，在铜互连线13之上还形成有氮化硅薄膜作为刻蚀阻挡层以及同一层铜互连线的绝缘。如上所述，在集成电路中采用铜互连结构，必须使用扩散阻挡层来增强热稳定性和提高结合力，以防止漏电等一些列问题的发生。随着半导体器件尺寸的不断缩小，扩散阻挡层材料起着越来越关键的作用，因此在现代铜互连集成电路中，扩散阻挡层材料的选择以及扩散阻挡层的微结构在保护工作器件免受铜毒害方面的作用越来越重要。目前，在O. 13μπι技术节点中，Ta/TaN双层扩散阻挡层已经被成功应用于铜互连当中用作扩散阻挡层。然而，随着技术节点的不断缩小，从90nm工艺到现在的22nm工艺技术节点，Ta/TaN双层阻挡层已经开始面临很多的问题，特别是等比例缩小的问题以及在Ta表面铜生长时会形成岛状等。目前一般使用物理汽相沉积(PVD)工艺来淀积扩散阻挡层，但是这种工艺比较难掌握，生长好的扩散阻挡层的一致性和致密性比较差，扩散阻挡层在制备好之后需要进行热退火才能具有良好的接触，然后退火会给已经制作好的器件带来热损伤以及负面影响，同时，在扩散阻挡层生长好之后，仍然需要在表面再淀积一层铜籽晶才能进行金属铜的电镀，工艺过程复杂。
发明内容
本发明的目的在于提出一种工艺简单、一致性和致密性好的扩散阻挡层，在简化工艺过程的同时还可以增强扩散阻挡层的性能。本发明提出的一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层，所述的合金为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或钨钽合金。本发明还提出了所述用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，包括
在提供的半导体基底表面生长第一层绝缘薄膜；
刻蚀所述第一层绝缘薄膜形成互连通孔；
将所形成的芯片放入原子层淀积设备中，并将第一种金属的金属源及其还原剂源和第二种金属的金属源及其还原剂源依次通入到原子层淀积设备中，采用原子层淀积工艺在所形成的互连通孔的底壁和侧壁以及所述第一层绝缘薄膜的表面生长一层由第一种金属和第二种金属构成的合金抗铜扩散阻挡层。如上所述的用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，由所述第一种金属和所述第二种金属形成的合金可以为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。本发明所提出的合金抗铜扩散阻挡层具有以下优点
I.原子层淀积技术生长合金薄膜的工艺比较简单，用于形成合金的源比较容易获得，而且工艺温度适宜，对已经制造好的器件和互连电路不会造成过大的影响。2.原子层淀积技术生长的合金薄膜具有良好的一致性和致密性，不需要退火即可拥有合金的特性。3.合金与铜的粘附特性较好，不需要生长一层籽晶铜就可以在合金抗铜扩散阻挡层上直接电镀金属铜，这样可以简化工艺步骤，而且不会对之后的铜互连金属的生长带来影响。此外，合金能够有效的阻止铜在介质中的扩散，可以有效的防止芯片的漏电。
图I为传统技术的铜互连结构的截面图。图2-图7为在前道铜互连上用原子层淀积技术生长钴钌合金抗铜扩散阻挡层的一个实施例的工艺流程图。
具体实施例方式下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明，在图中，为了方便说明，放大或缩小了层和区域的厚度，所示大小并不代表实际尺寸。尽管这些图并不能完全准确的反映出器件的实际尺寸，但是它们还是完整的反映了区域和组成结构之间的相互位置，特别是组成结构之间的上下和相邻关系。本发明所提出的抗铜扩散阻挡层为合金抗铜扩散阻挡层，所述的合金可以为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。本发明所提出的用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层可以应用于不同的铜互连结构中，以下所叙述的是本发明所公开的在前道铜互连上用原子层淀积技术生长合金抗铜扩散阻挡层的一个实施例。如图2所示，首先在提供的半导体基底200的表面生长低介电常数介质层201，之后在低介电常数介质层201之上旋涂光刻胶301并掩模、曝光、显影定义出互连通孔的位置。所述半导体基底200的材质可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅中的一种，也可以是绝缘体上的硅结构或硅上外延层结构。在所述半导体基底200中形成有半导体器件(未示出)，例如具有栅极、源极和漏极的金属氧化物半导体器件。所述半导体基底200中还可以形成有金属互连结构(未示出)，如铜的通孔或者互连线。所述低介电常数介质层201可以是二氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃
坐寸ο接下来，刻蚀掉没有被光刻胶保护的低介电常数介质层形成互连通孔，剥除光刻胶301后如图3所示。接下来，将所形成的芯片放原子层淀积设备中，并将第一种金属的金属源及其还原剂源和第二种金属的金属源及其还原剂源依次通入到原子层淀积设备中，采用原子层淀积工艺在所形成的互连通孔的底壁和侧壁以及所形成的低介电常数介质201的表面生长一层由第一种金属和第二种金属构成的合金抗铜扩散阻挡层202。如图4所示。在原子层淀积工艺中，采用不同的金属源及其还原剂可以得到不同的金属层，如采用MBCHRu[ ( η 6-1-异丙基-4-甲基苯)(η 4_环己-1，3_ 二烯)钌(O)]和氧气(O2)可以得到钌，采用Cp2Co (双环戊二烯合钴)和氨气(NH3)可以得到钴，采用WF6(六氟化钨)和氢气可以得到钨，采用ΤΑΙΜΑΤΑ[第三戊亚胺-三(二甲胺基)钽]和氢气可以得到钽。同时，将两种不同的金属源及其还原剂依次通入到原子层淀积设备中，采用原子层淀积工艺即可得到合金薄膜。以生长钴钌合金抗铜扩散阻挡层为例。将原子层淀积设备的温度加热至300°C，然后将钌源MBCHRu加热至120°C左右，将钴源Cp2Co加热至100°C左右，用氩气作为载气，在低压3. 4mbar的腔体压力条件下，分别向腔体中通入MBCHRu和02，以及Cp2Co和NH3,采用原子层淀积工艺可以在所形成的互连通孔的底壁、侧壁以及剩余的低介电常数介质层201的表面生长一层钴钌合金抗铜扩散阻挡层202， 如上，如果采用MBCHRu和O2以及ΤΑΙΜΑΤΑ和氢气可以得到钌钽合金抗铜扩散阻挡层。采用Imbchri^po2以及评匕和氢气可以得到钌钨合金抗铜扩散阻挡层。采用六氟化钨和氢气以及ΤΑΙΜΑΤΑ和氢气可以得到钨钽合金抗铜扩散阻挡层。以Cp2Co和氨气以及ΤΑΙΜΑΤΑ和氢气可以得到钴钽合金抗铜扩散阻挡层。接下来，在互连通孔中电镀铜金属203，如图5所示。接下来，对铜金属进行化学机械抛光，以去除多余的铜金属、抗铜扩散阻挡层和低介电常数介质层，如图6所示。最后，利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺使用硅烷(SiH4)和NH3作为反应气体生长一层氮化硅刻蚀阻挡层204，如图7所示。如上所述，在不偏离本发明精神和范围的情况下，还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实例。
权利要求
1.一种用于铜互连的抗铜扩散阻挡层，其特征在于在合金抗铜扩散阻挡层中，所述的合金为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。
2.一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，包括 在提供的半导体基底表面生长第一层绝缘薄膜； 刻蚀所述第一层绝缘薄膜形成互连通孔； 将所形成的芯片放入原子层淀积设备中，并将第一种金属的金属源及其还原剂源和第二种金属的金属源及其还原剂源依次通入到原子层淀积设备中，采用原子层淀积工艺在所形成的互连通孔的底壁和侧壁以及所述第一层绝缘薄膜的表面生长一层由第一种金属和第二种金属构成的合金抗铜扩散阻挡层。
3.如权利要求2所述的用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层的制造方法，其特征在于，由所述第一种金属和所述第二种金属形成的合金为钴钌合金、钌钽合金、钴钽合金、钌钨合金或者为钨钽合金。
全文摘要
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的新型合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法。本发明使用原子层淀积工艺生长合金薄膜，所得到的合金抗铜扩散阻挡层的一致性和致密性好，可以有效阻止铜在介质中的扩散，而且合金与铜的粘附性好，不需要生长一层籽晶铜就可以直接电镀金属铜，工艺简单可行，有望在未来铜互连的抗铜扩散阻挡层的制造中得到应用。
文档编号H01L23/532GK102881677SQ20121035608
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月24日 优先权日2012年9月24日
发明者孙清清, 房润辰, 张卫, 王鹏飞, 周鹏 申请人:复旦大学