电路连接器装置及其方法

专利名称：电路连接器装置及其方法
电路连接器装置及其方法技术领域
本发明的各种实施例的方面涉及电路，并且具体地涉及在集成电路封装中采用的电路。
背景技术：
许多电路、电路装置和集成电路封装被用在需要高性能但是小尺寸的应用中。例如，便携式手持设备受益于非常小、重量轻并且紧凑的集成电路系统。其他设备，诸如那些用于汽车行业、计算行业和各种基于电路产品的设备可以类似地受益于微型化。
当诸如集成电路的电路封装尺寸减小时，所述部件的占地面积也减小。集成电路常常采用在晶片表面上的I/o接触，用于将所述晶片连接至其他部件，诸如连接至其他电路。这种设备的形成常常涉及制造工艺，诸如焊料印制和焊料丝网/印制工艺(screen/stencil process),可能受限于其相对于彼此间隔接触的能力。涉及更精确间隔的其他方法可能是昂贵的或者难以实施的。此外，尽管可以用较小的接触间隔(例如横向二极管或者晶体管)制造一些电路部件，可能需要接触间隔较小的部件必须仍然维持较大的间隔用于兼容性的其他电路部件则不能制造。
这些和其他问题已经给用于多种应用的电路和电路封装的设计和实施方法提出了挑战。发明内容
各种示例实施例涉及电路及其实施方法。
结合各种实施例，一种电路装置包括用于半导体器件的多侧面接触，所述半导体器件具有相应的接触，相同表面接触比经由不同表面的接触不易到达。与半导体器件的侧壁和表面上的焊料接触相邻的采用隔离区，以便缓解所述焊料与衬底的接触，从而缓解已焊接接触和/或表面之间的泄漏电流和/或短路。电极在所述隔离区周围延伸，分别经由所述电路装置的不同侧面实现与所述器件不同部分的电接触。
根据另一个示例实施例，电极方便与至半导体器件的不同区域的接触，用于与具有多个半导体器件的外部封装连接，其中至所述器件的相同表面连接是空间受限的。所述半导体器件具有第一和第二相对表面以及连接所述相对表面的相对侧壁，包括形成了三维结构的第一和第二(以及另一个)侧壁。所述器件还包括第一和第二不同区域以及分别与所述第一和第二不同区域接触的第一和第二导电接触，所述接触经由公共表面比经由不同表面更不易到达。第一电极与所述第一接触连接并且沿所述第一表面以及沿至少一个侧壁延伸。第二电极与所述第二接触连接并且沿至少一个表面和一个侧壁延伸，所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁。其中具有开孔的隔离材料在所述第一表面处将所述第一导电接触外露。所述第一电极延伸通过所述开孔以便接触所述第一导电接触。所述隔离材料使所述第一和第二电极彼此电绝缘并且与所述第一表面和相对的侧壁电绝缘。
更具体的示例实施例涉及一种装置，其中在半导体器件的公共表面附近的第一和第二接触分别与沿所述器件的外表面延伸的电极相连并且提供经由不同表面至所述接触的通路。在一些情况下，在第一表面处实现至第一接触的通路，以及经由相反的表面实现至第二接触的通路。隔离材料使所述电极彼此电隔离并且与所述半导体器件(例如与由所述侧壁和表面限定的掺杂区域)电隔离。
另一个示例实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，用于连接至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的外部连接是空间受限的。在侧壁上以及在半导体器件的第一表面上形成隔离材料，所述器件还具有与所述第一表面相对的第二表面以及在所述相对表面之间延伸的第一和第二相对的侧壁。所述隔离材料具有开孔，使第一导电接触外露在所述第一表面中并且与所述器件中的第一不同区域接触。在所述隔离材料的一部分上形成第一电极，所述部分在所述第一表面上并且在至少一个侧壁上并且延伸通过所述开孔并且接触所述第一接触。形成第二电极，经由第二接触与第二不同区域电接触，沿一个侧壁延伸，所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁，从而提供经由与不同侧壁或表面相邻的不同外部连接器至所述第一和第二接触的通路。
上述讨论/总结不旨在描述本公开的每一个实施例或者每个实施方法。下面的附图和详细描述也举例说明了各种实施例。


结合附图，考虑到下面的详细描述，可以更全面地理解各种示例实施例，其中:
图1示出了根据本发明示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片；
图2示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造隔离阶段的半导体晶片；
图3示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片，其中所述晶片在晶片猜上倒装；
图4示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体晶片，所述阶段涉及分割步骤；
图5示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及隔离材料的应用；
图6示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及部件的分离；
图7示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及电镀基底(plating base)的应用；
图8示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及可焊接表面的形成；
图9示出了根据本发明另一个示例实施例的具有多个I/O接触的半导体器件和相应印刷电路板布局的顶视图和底视图10示出了根据本发明另一个示例实施例的具有多个I/O接触的半导体器件和相应印刷电路板布局的顶视图和底视图11示出了根据本发明另一个示例实施例的另一个半导体器件；
图12示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及锯切步骤；
图13示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及隔离层的应用；
图14示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及另一个锯切步骤；以及
图15示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件，所述阶段涉及电镀基底和可焊接层的应用。
具体实施方式
尽管本发明适用于各种修改和替代形式，其细节已经以示例的方式在附图中示出并且将被详细描述。然而应当理解的是，本发明不限于所述的具体实施例。相反，本发明旨在覆盖落在本发明范围内的所有修改、等效和替代，所述范围包括在权利要求中限定的方面。此外，在整个申请书中使用的术语“示例”只是阐释性的，而非限制。
认为本发明的各个方面适用于各种不同类型的电路、器件、系统和结构，包括那些涉及小电路封装尺寸的。尽管本发明并不一定限于此，通过使用本文示例的讨论可以理解本发明的各个方面。
各种示例实施例涉及在多个侧面/表面上具有输入/输出(I/O)接触的电路和/或电路封装，以及涉及这种电路和封装的制造。各种具体实施例涉及具有小尺寸的半导体封装，所述尺寸得益于除了在所述封装的上表面或下表面上放置接触之外和/或作为其替代、在所述封装侧壁上放置接触。可以实施这种实施例，以便实现尺寸在大约0.4mmX0.2mmX0.2mm范围内的封装。例如可以使用这些方法来实现采用顶面接触所达不到的封装尺寸，所述顶面接触会由于接触间隔/间距要求限制微型化，解决了如上所述的各种挑战。
在某些实施方法中，在此所讨论的电路和/或封装还包括与电镀部件结合的隔离层(例如电绝缘层)，可以在制造工艺中实施来实现/减小所述封装尺寸。例如，在半导体封装的顶面和侧面上形成隔离层和I/o连接，所述隔离设置用于允许接触用于将电路系统连接至所述封装的所述I/O连接。在一些实施方法中，使用选取放置型设备(pick andplacetype equipment)将在此所讨论的半导体封装装配在电路板上,布置用于无源表面安装器件。此外，可以用具有多个接触(例如两个或者四个I/O接触)的半导体器件实施在此所讨论各种方法中的一个或者多个，所述接触可以位于在此所讨论的半导体器件和/或器件封装的顶面、底面和侧面中的一个或者多个上。
结合各种实施例，垂直取向电路封装包括多个侧面接触。与侧壁上的焊料接触相邻地采用隔离区，以便缓解所述焊料与衬底的接触，从而缓解已焊接接触和/或表面之间的泄漏电流。在一些实施方法中，在晶片的有源侧上形成结构隔离层，并且在所述晶片侧面的至少一部分上形成隔离层，在所述隔离中的开孔便于接触所述晶片中的I/o连接。导电的电镀基底被施加至具有I/o表面的器件的末端，所述器件末端变成了用于所述内部电路的I/o接触。可以在所述电镀基底上形成可焊接层，以便将所述器件焊接至印刷电路板或者其他部件，可以采用常见的表面贴装技术实现。
更具体的示例实施例涉及一种电路装置，所述电路装置经由其不同侧面适用于外部电接触，以及在相对于不同表面连接、相同表面连接是空间受限的并且不易到达的环境下，方便连接至外部连接器。所述装置包括半导体器件(例如硅材料)，所述器件具有相对的表面以及连接所述相对表面的相对侧壁，其中经由公共表面至不同区域(例如掺杂区域)的接触与经由不同表面的相比是不易到达的。第一和第二电极分别接触所述不同的区域，并且沿所述装置的外表面/侧壁延伸，以方便经由所述不同的表面/侧壁与每一个区域的外部连接，从而缓解如上背景所述的与相同表面接触的形成有关的问题。隔离材料使各个电极彼此电隔离，并且还使所述电极与所述器件隔离(例如隔离所述电极不接触或者影响所述器件中的掺杂区域，具有局限于所述器件中接触的连接)。
所述第二电极可以提供至与所述第一电极所连接的接触在相同的表面处或者表面中的接触的通路，或者至所述半导体器件的相对表面处的接触的通路。在一些情况下，所述第二接触在所述第二表面中，以及所述第二电极直接与所述第二表面接触，所述第一和第二电极经由外部连接器分别提供接触至所述第一和第二不同区域，所述外部连接器与所述第一和第二表面相邻。
因此，各种实施方法涉及具有第一和第二电极的电路装置，所述电极延伸并且经由外部连接器提供电连接至半导体器件内的不同接触，所述外部连接器与所述半导体器件的不同表面或者侧壁相邻。隔离材料分别使所述第一和第二电极与所述半导体器件的所有部分电隔离，除了所述电极物理接触到的接触。在此背景下，可以容易地实现与所述电路装置表面/侧壁各部分的接触，缓解对相同尺寸接触的需要以及关于接触之间间隔的相关问题(例如可能受限于焊接或者其他接触工艺)。
在各种实施例中，在此所讨论的电极用焊料层涂覆，所述焊料层是彼此分别分离的/绝缘的。这些焊料层使所述器件适用于经由两个或者多个不同的外部表面接触，同时保证所述焊料在加热时不迁移并且不电连接所述电极或者所述器件的其他部分。
其他实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，用于将所述器件连接至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的外部连接是空间受限的(例如如上所述)。在所述器件的外表面/侧壁上形成隔离材料，其中制造一个或者多个开孔以便提供至所述器件的通路。所述外侧壁和表面用电极涂覆，所述电极分别与器件中的不同区域耦合，并且还彼此电隔离以及与除了所述接触之外的器件部分(例如所述器件的侧壁)电隔离。其他实施例涉及用焊料材料涂覆所述电极，以方便焊料接触至外部连接。还有其他的实施例涉及使用所述焊料经由器件的不同表面连接所述电极至外部连接，以及涉及在具有多个这种电路部件的封装中这样实施。
现在转到附图，图1至8示出了根据一个或者多个示例实施例的处在各个制造阶段的半导体器件。例如可以用三维器件实现所示的二维视图，所述三维器件具有三个或者多个通常彼此相对的侧壁，并且可以沿所述侧壁实现相应的接触。因此，尽管所述二维附图示出了两个相对的侧壁，但是可以实现三个或者多个这种侧壁，其间具有半导体材料。此夕卜，就这一点而言可以实现多个接触，诸如在沿侧壁的上表面或者器件的下表面处实现三个或者四个接触(例如，如图9和10所示)。
从图1开始，半导体晶片100具有相对的表面102和104,以及具有相反极性的相应(不同)掺杂区域，包括η型掺杂区域110和P型掺杂区域120。以示例的方式称呼相应的掺杂类型并且表示这些相应掺杂区域，应当理解可以反转所述掺杂极性和/或可以改变所述区域的其他定位特征。所述η型掺杂区域110和P型掺杂区域120的每一个均分别与第一接触112和第二接触122电接触。
在图2中，隔离/隔离层130已经在所述晶片100的第一(上)表面上形成，并且其中包括开孔以便使所述接触(包括112和122)外露。例如，所述层130可以被形成为连续层并且随后被处理，以便形成使所述接触外露的开孔。
图3至6示出了示例过程，其中分离所述晶片100以便形成如图7所示的各个器件。参考图3，所述晶片100已经被倒装在晶片箔或者其他材料上，在此之后去除所述晶片的各个部分，如图4所示。例如可以通过锯切或者其他方法实现所述晶片去除，以便分割各个器件，包括器件400、402、404和406。在图5中，在如图所示的每一个器件的三个表面上形成隔离材料132，以及在图6中执行另外一个分离(例如锯切)步骤，以便分离所述隔离材料并且再次分离所述器件400、402、404和406。
在所述器件被分离之后，分别形成导电板740和750 (例如电极)，与所述接触112和122接触，并且在所述绝缘材料130的一部分上，如图7所示。所述导电板740和750均位于所述隔离材料130的位于所述相对的上(第一)表面102和下(第二)表面104上的那部分上。导电板740还位于第一侧壁742上的所述隔离材料130的一部分上，以及导电板750还在第二侧壁752上的所述隔离材料130的一部分上。
在图8中，可焊接层860和870分别在所述导电板740和750的部分上，并且方便所述导电板连接至电连接器。例如，所述可焊接层860和870可以包括SruNiSn (例如用Ni作为连接/阻挡层)，或者其他方便所述导电板与电连接器之间的基于热焊接连接的可焊接材料。在某些实施方法中，所述可焊接层860和870用金属叠层(例如顶部上的Pd)替代，并且当将所述器件与其他电路耦合时用导电胶安装。
因此，可以经由连接器实现至接触112的连接，所述连接器在所述侧壁752处或者在所述侧壁752的相对表面102和104的边缘部分上。类似地，可以经由连接器实现至接触122的连接，所述连接器在所述侧壁742处或者在所述侧壁742的相对表面102和104边缘部分上。
图9示出了根据本发明另一个示例实施例的具有多个I/O接触的半导体器件900的几个视图，以及对应的示例印刷电路板布局。例如，所述器件900可以使用类似于图8所示的器件实现和/或根据其制造，并且具有附加接触，例如可被实现为具有源极、漏极和栅极电极的晶体管器件的一部分或者双二极管。顶视图910示出了具有三个接触窗口 912、914和916的平面器件。顶视图/底视图920示出了对应的接触区域922、924和926，可以使用导电板和可焊接材料实现，诸如分别如图7和8所示的750和870。顶视图930示出了垂直排布器件，用相应的接触窗口 932和934作为顶部连接，以及936和938 (如虚线所示)作为底部接触。视图940示出了器件和印刷电路板布局，具有在印刷电路板上的接触部分942、944和946，用于实现与所述器件的接触(例如用于接触912、914和916)。所述接触窗口相应的形状和位置可以变化以适应各种应用。
图10示出了根据本发明另一个示例实施例的具有四个I/O接触的半导体器件1000的几个视图，以及对应的印刷电路板布局。例如，所述器件1000可以使用类似于图8所示的器件实现和/或根据其制造，并且具有附加接触。顶视图1010示出了具有四个接触窗口 1012、1014、1016和1018的平面器件。顶视图/底视图1020示出了对应的接触区域1022、1024、1026和1028，可以使用导电板和可焊接材料实现，诸如分别如图7和8所示的750和870。顶视图1030示出了垂直器件，具有顶部接触窗口 1032和1034以及底部接触窗口 1036和1038，以虚线所示。视图1040示出了器件和印刷电路板布局，具有在印刷电路板上的接触部分1042、1044、1046和1048，用于实现与所述器件的接触(例如用于接触1012,1014,1016 和 1018)。
图11示出了根据本发明另一个示例实施例的处在制造阶段的半导体器件1100。所述器件1100包括垂直排布的具有相反极性的掺杂区域1110和1120，以及用于接触相应的掺杂区域的上表面1130和下表面1140。在图12中，所述器件1100已经被锯切(或者分离)，形成如图所示的开孔1250。在一些实施方法中，所述器件1100被完全地分离，而不是如图12所示的部分地分离。
在图13中，已经在所述器件1100的上表面和侧壁上形成隔离层1360，所述隔离层延伸进入所述已锯切/分离的开孔1250。在图14中，经由开孔1470已经执行另一个锯切/分离步骤，以便完全地分离所述器件1100。如果图12所示的步骤通过所述晶片，则不一定执行这样一个另外的锯切/分离步骤。然而，通过部分地分离所述器件，可以限制所述隔离层1360，避免覆盖所述器件1100侧壁的较低部分(即所述器件相对的垂直侧壁，所述隔离层位于所述侧壁上，以及还在所述隔离层下方在开孔1470处呈现台阶)。
在图15中，在所述器件1100的上表面和下表面上已经形成接触板1580和1582。在所述接触板1580和1582上已经形成可焊接材料层1590和1592。因此，所述接触板1580和可焊接材料层1590为掺杂层1110提供接触至上接触，以及所述接触板1582和可焊接材料层1592提供接触至所述掺杂层1120。所述隔离层1360使所述接触板1580和1582彼此绝缘，以及与没有实现与所述区域的接触的所述器件1100的相邻区域绝缘。因此，可以使用许多方法来形成和实现所述器件1100及其所示的各个部分。
根据上述讨论和阐释，本领域普通技术人员将容易地认识到，可以在不严格遵循在此所阐释和描述的示例性实施例和应用的情况下对本发明做出各种修改和变化。例如，可以使用在此所讨论的方法实现I/o接触的不同放置，并且可以制造许多不同的电路类型和封装类型，符合(例如图10和11所示)并且包括:例如基于晶体管(例如M0S、双极性)的分立电路、二极管、逻辑电路(例如与、或、非)以及更复杂的电路(例如微控制器、CPU)。这些修改不背离包括在所附权利要求中所阐述的本发明的真实精神和范围。
权利要求
1.一种装置，用于连接至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的相同表面连接是空间受限的，所述装置包括: 半导体器件，具有第一和第二相对表面以及连接所述相对表面的第一和第二相对侧壁，所述半导体器件包括第一和第二不同区域以及分别与所述第一和第二不同区域接触的第一和第二导电接触，所述接触经由公共表面比经由不同表面更不易到达； 第一电极，与所述第一接触接触并且沿所述第一表面以及至少一个侧壁延伸； 第二电极，与所述第二接触接触并且沿至少一个表面和一个侧壁延伸，所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁；以及 具有开孔的隔离材料，所述开孔在所述第一表面将所述第一导电接触外露，所述第一电极延伸通过所述开孔以接触所述第一导电接触，所述隔离材料设置用于使所述第一和第二电极彼此电绝缘并且与所述第一表面和相对的侧壁电绝缘。
2.根据权利要求1所述的装置，其中: 所述第二接触在所述第一表面中，并且所述第二电极经由所述第一表面上的隔离材料中的另一个开孔与所述第二接触接触，以及 所述第二电极提供外部接触至所述第二接触，所述外部接触与所述半导体器件的至少一个表面或者侧壁相邻，所述表面或者侧壁不同于提供至所述第一导电接触的通路所经由的表面或者侧壁。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二接触在所述第二表面中并且所述第二电极与所述第二表面直接接触，所述第一和第二电极分别经由与所述第一和第二表面相邻的外部连接器提供接触至所述第一和第二不同区域。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一和第二电极都在所述侧壁上隔离材料的一部分上并且彼此电绝缘以及通过所述隔离材料与所述不同区域电绝缘。
5.一种装置，用于连接至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的外部连接是空间受限的，所述装置包括: 半导体器件， 具有第一和第二相对表面以及连接所述相对表面的第一和第二相对侧壁，所述半导体器件包括第一和第二不同区域以及分别与所述第一和第二不同区域接触的第一和第二导电接触，所述接触经由公共表面比经由不同表面更不易到达； 分别与所述第一和第二接触接触的第一和第二电极，每一个电极均沿所述半导体器件的至少一个表面或者侧壁延伸，所述表面或者侧壁不同于另一个电极延伸所沿的表面或者侧壁； 其中具有开孔的隔离材料，所述开孔在所述第一表面使所述第一和第二导电接触外露，所述第一和第二电极延伸通过所述第一和第二开孔以接触所述第一和第二导电接触，所述隔离材料设置用于使所述第一和第二电极彼此电绝缘并且与所述第一和第二不同区域的部分电绝缘。
6.根据权利要求5所述的装置，其中: 所述第一和第二电极经由与所述半导体器件的不同表面或者侧壁相邻的外部连接器提供电连接至相应的第一和第二接触；以及 所述隔离材料使所述第一和第二电极分别与所述半导体器件的所有部分电隔离，除了所述电极物理接触到的接触。
7.根据权利要求5所述的装置，其中: 所述隔离材料包括在所述第二表面上的隔离材料，以及 所述第一电极还位于所述第二表面上的所述隔离材料的一部分上。
8.根据权利要求7所述的装置，还包括第一焊料层，所述第一焊料层位于所述第一电极上并且设置用于将与所述第一焊料层接触的第一导电体电连接所述第一电极的位于所述第二表面上的隔离材料上的那部分，从而将所述第一表面处的第一接触与所述第二表面处的外部导体相连接。
9.根据权利要求7所述的装置，还包括第一和第二焊料层，所述第一和第二焊料层分别位于所述第一和第二电极上以及设置用于: 将与所述第一焊料层接触的第一导电体电连接与所述第二表面相邻的那部分第一电极，从而将所述第一表面处的第一接触与所述第二表面处的第一外部导体相连接，以及 将与所述第二焊料层接触的第二导电体电连接在所述第二侧壁上的所述绝缘材料上的那部分第二电极，从而将所述第一表面处的第二接触与所述第二侧壁处的第二外部导体相连接。
10.根据权利要求5所述的装置，其中: 所述隔离材料包括在所述第二表面上的隔离材料，以及 所述第一和第二电极还分别在所述第二表面上的隔离材料的一部分上并且通过所述第二表面上的隔离材料彼此电隔离。
11.根据权利要求10所述的装置，还包括第一和第二焊料层，所述第一和第二焊料层分别在所述第一和第二电极上并且设置用于分别将所述第一和第二外部导体与在所述第二表面上的那部分第一和第二电极电连接，从而 分别将在所述第二表面处的第一和第二外部导体与在所述第一表面处的第一和第二接触相连接。
12.根据权利要求5所述的装置，还包括第一和第二焊料层，所述焊料层设置用于分别电连接第一和第二外部导体至分别在所述第一和第二侧壁上的隔离材料的一部分上的那部分第一和第二电极，从而将所述第一和第二侧壁处的第一和第二外部导体与在所述第一表面处的第一和第二接触相连接。
13.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件用于连接至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的外部连接是空间受限的，所述方法包括: 在半导体器件的侧壁上以及第一表面上形成隔离材料，所述器件还具有与所述第一表面相对的第二表面，并且第一和第二相对侧壁在所述相对表面之间延伸，所述隔离材料具有开孔，所述开孔使第一导电接触在所述第一表面中外露并且与所述器件中的第一不同区域接触； 在所述隔离材料的位于所述第一表面上并且在至少一个侧壁上的那部分上形成第一电极，并且所述第一电极延伸通过所述开孔并且与所述第一接触接触；以及 形成第二电极，所述第二电极经由第二接触与第二不同区域电接触，沿一个侧壁延伸，所述侧壁不同于所述第一电极延伸所沿的侧壁，从而经由与不同侧壁或者表面相邻的不同外部连接器提供至所述第一和第二接触的通路。
14.根据权利要求13所述的方法，其中: 形成所述隔离材料包括:在半导体晶片的第一表面上形成第一隔离材料，并且具有开孔从而使所述第二接触外露， 去除所述隔离材料和半导体晶片的一部分，以便形成具有外露的侧壁的半导体器件， 反转所述半导体器件，以便呈现所述侧壁和所述第二表面，以及在外露的侧壁上和在所述第二表面上形成第二隔离材料，所述第二隔离材料接触在所述第一表面上的第一隔离材料， 形成所述第二电极包括形成所述第二电极以便经由在所述第一隔离材料中的所述开孔接触在所述第一表面中的第二接触，并且沿所述第一表面上的第一隔离材料延伸，以及沿所述第二侧壁上和所述第二表面上的第二隔离材料延伸。
15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第二电极包括形成与所述第二表面直接接触的第二电极，所述第二接触在所述第二表面中。
16.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第一和第二电极包括在所述侧壁上的隔离材料部分上形成电极，以及使用所述隔离材料使所述电极彼此电绝缘。
17.根据权利要求13所述的方法，还包括: 掺杂所述器件以便形成所述第一和第二不同区域，以及 形成分别与所述第一和第二不同区域接触的所述第一和第二接触。
18.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述第二电极包括形成经由所述第一表面上的隔离材料中的另一个开孔与所述第一表面中的所述第二接触接触的第二电极。
19.根据权利要求18所述的方法，其中: 形成所述隔离材料包括在所述第二表面上形成所述隔离材料，以及形成第二电极包括形成沿所述第一表面上的隔离材料、所述第二侧壁上的隔离材料以及所述第二表面上的隔离材料 延伸的第二电极。
20.根据权利要求13所述的方法，还包括: 形成分别在所述第一和第二电极上的第一和第二焊料层，以及加热所述焊料层以便液化所述焊料层的至少一部分，使所述第一和第二焊料层每一个的液化部分分别接触至第一和第二接触，以及固化所述已液化部分，以便: 将所述第一电极的位于所述第二表面上的隔离材料上的那部分电连接与所述第一焊料层接触的第一导电体，从而将在所述第一表面处的第一接触与在所述第二表面处的第一外部导体相连，以及 将所述第二电极的位于所述第二侧壁上的隔离材料上的那部分电连接与所述第二焊料层接触的第二导电体，从而将在所述第一表面处的第二接触与所述第二侧壁处的第二外部导体相连。
全文摘要
本发明涉及电路连接器装置及其方法。本发明的各个方面涉及电路、电路封装和相关的方法。根据各种示例实施例，实现各自的电极方便经由不同表面和/或侧壁接触至半导体器件，可能有助于连接所述器件至具有多个半导体器件的外部封装，其中至所述器件的相同表面连接是空间受限的。所述半导体器件具有相对表面以及连接所述表面的侧壁，并且接触至所述器件中的各个不同区域。各自的电极与所述各个接触耦合并且沿/围绕所述器件延伸，以便经由不同表面提供至所述接触的通路。
文档编号H01L23/485GK103137586SQ20121049522
公开日2013年6月5日 申请日期2012年11月28日 优先权日2011年12月2日
发明者洛尔夫·安科·约科伯·格罗恩休斯, 斯文·瓦尔奇克, 艾米勒·德·布鲁因, 洛尔夫·布莱纳 申请人:Nxp股份有限公司